用于斜面聚合物减少的边缘环的制作方法
【专利摘要】本公开的实施例包括被用于减少来自基板周边区域(诸如基板的边缘或斜面)的残余膜层的方法与设备。可在等离子体工艺之后减少基板斜面、背侧与基板周边区域的污染。在一个实施例中，一种边缘环包括：基座圆形环，该基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口的内表面以及限定该基座圆形环的周边的外表面。该基座圆形环包括上主体与连接到该上主体的下部。阶梯形成在该基座圆形环的内表面处并且位于该上主体的第一上表面之上。该阶梯限定位于该上主体的第一上表面之上的袋。多个凸起特征形成在该基座圆形环的第一上表面上。
【专利说明】
用于斜面聚合物减少的边缘环
技术领域
[0001]本公开的实施例一般涉及半导体处理系统。更具体地，本公开的实施例涉及用在半导体处理系统中，且被用于在半导体制造中减少来自基板的斜面或背侧的聚合物的边缘环。
【背景技术】
[0002]集成电路已经发展成可在单个芯片上包括数百万个部件(例如，晶体管、电容器与电阻器)的复杂器件。芯片设计的发展不断地需要更快速的电路与更大的电路密度。对更大的电路密度的需求需要集成电路部件的尺寸的减小。
[0003]由于集成电路部件的尺寸被减小(例如至亚微米尺寸)，减少污染物的存在的重要性已经增加，因为这样的污染物会导致半导体制造过程期间缺陷的形成。例如，在蚀刻工艺中，副产物(例如可在蚀刻工艺期间生成的聚合物)可变成颗粒的源，从而污染形成在基板上的集成电路与结构。
[0004]为了维持高制造良率与低成本，污染物和/或残余聚合物从基板的移除变得越来越重要。存在于基板斜面上的残余聚合物会脱落且粘附到基板的前侧，从而潜在地损坏形成在基板的前侧上的集成电路。在其中存在于基板斜面上的残余聚合物脱落且粘附到基板的背侧的实施例中，在光刻曝光工艺期间基板的非平面性会造成光刻焦深错误。
[0005]图1A描绘了用于处理基板100的传统的等离子体处理腔室130，该基板100被定位在设置于处理腔室130中的底座102上。遮蔽环124被设置在围绕基板100的单环126上，以便防止基板106的边缘/斜面106在等离子体工艺期间沉积。然而，在一些情况中，被定位在单环126之上的遮蔽环124通常在边缘/斜面106的表面上方间隔一距离，从而在遮蔽环124与单环126之间形成间隙134，从而防止遮蔽环124直接接触基板100。形成在遮蔽环124与单环126之间的间隙134可允许在处理期间生成的等离子体120行进到间隙134中，如箭头138所示，从而在基板100的前表面110、背侧122与边缘/斜面106上形成非期望的膜层，以及攻击腔室零件(诸如底座102与单环126)。在一情况中，基板102的背侧112可具有比基板102的前侦打10更高量的污染。此外，归因于等离子体暴露的腔室部件的腐蚀与逐渐劣化会造成间隙134变得更宽，从而在基板斜面/边缘106与腔室零件上造成劣化的空隙与表面缺陷。
[0006]图1B描绘了在非期望的膜层110已经累积在基板100的边缘/斜面106上之后的基板100的传统的示例。由于等离子体行进通过间隙134，非期望的膜层可被形成在基板的周边区域108处的斜面106上，从前侧102甚至延伸到基板100的背侧104。存在于基板100的斜面106和/或背侧104上的残余聚合物或非期望的膜层也会在机械手传送过程、基板传输过程、后续的制造过程等期间脱落或剥落，藉此造成传送腔室、基板盒、工艺腔室以及后续可被用在电路部件制造过程中的其他处理设备中的污染。此外，聚合物或残余膜层的剥落可变成基板处理期间颗粒污染的源。处理设备的污染造成增加的工具停机时间，藉此不利地增加整体制造成本。
[0007]因此，需要一种设备与方法来改善沉积效率而具有最少的从基板斜面到基板背侧的残余沉积，同时维持形成在基板前侧上的结构的完整性。
【发明内容】
[0008]本公开的实施例包括可被用于减少来自基板周边区域(诸如基板的边缘或斜面)的残余膜层的方法与设备。可在等离子体工艺之后减少基板斜面、背侧与基板周边区域的污染。在一个实施例中，一种边缘环包括:基座圆形环，该基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口的内表面以及限定该基座圆形环的周边的外表面。该基座圆形环包括上主体与连接到该上主体的下部。阶梯形成在该基座圆形环的内表面处且位于该上主体的第一上表面之上。该阶梯限定位于该上主体的第一上表面之上的袋。多个凸起特征形成在该基座圆形环的第一上表面上。
[0009]在另一实施例中，一种等离子体处理腔室包括:边缘环，该边缘环围绕基板支撑组件;遮蔽环，该遮蔽环设置在该边缘环上方；以及腔，该腔形成在该边缘环与该遮蔽环之间，其中形成在该边缘环的上表面上的多个凸起特征从该边缘环举起该遮蔽环，以在该边缘环与该遮蔽环之间形成该腔。
[0010]在又一实施例中，一种用于减少基板斜面污染的方法包括:在遮蔽环与边缘环之间形成腔，该边缘环围绕设置在等离子体处理腔室中的基板支撑组件的周边区域，其中该腔由形成在该边缘环的上表面上的多个凸起特征形成，该多个凸起特征从该边缘环举起该遮蔽环以在该边缘环与该遮蔽环之间形成该腔，其中该腔允许从限定在基板支撑组件上方的等离子体区域到设置在等离子体处理腔室中的栗的开放的流体连通。
【附图说明】
[0011]为了可详细理解本公开的上述特征的方式，可通过参照实施例对简要概述于上的本公开进行更加具体的描述，这些实施例中的一些实施例图示于附图中。
[0012]图1A-1B示出了具有形成在基板的斜面上的残余污染的传统等离子体处理腔室的一部分；
[0013]图2示出了具有可最小化斜面残余污染的边缘环的设备的示意性等距视图；
[0014]图3示出了用于图2的设备中的边缘环的示意性等距视图；以及
[0015]图4A-4C示出了可被用于图2的设备中的边缘环的不同示例。
[0016]然而，应注意的是，这些附图仅图示本公开的典型实施例且因此不被视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施例。
[0017]为便于理解，已经在可能的地方使用相同的附图标记来指定诸图所共有的相同元件。
【具体实施方式】
[0018]本公开的实施例包括可被用于减少来自基板周边区域(诸如基板的边缘或斜面)的残余膜层的方法与设备。可在等离子体工艺之后减少基板斜面、背侧与基板周边区域的污染。在此实施例中，设备可包括边缘环，该边缘环可限定基板斜面、边缘环与被定位在边缘环上方的遮蔽环之间的腔。该腔与设备的栗开放连通，使得在基板斜面上行进到该腔的等离子体可被有效地栗送至设备外，而不是残留在基板斜面附近，在基板斜面上或在基板的背侧上形成非希望的残余膜层。
[0019]图2描绘了处理腔室200的示意性等距视图，该处理腔室200可连同本公开的实施例使用以减少残余膜层形成在基板斜面上的可能性。处理腔室200可以是可从美国加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司获得的DPS II TSV处理腔室、或其他合适的真空腔室。处理腔室200可以是典型地被用作多腔室、模块化系统(未示出)的部分的那类完全自动化的半导体等离子体处理腔室。包括具有处理容积210的腔室主体215的处理腔室200可被配置成容纳具有高达12英寸(300_)、18英寸(450_)或其他直径的直径尺寸的基板220。
[0020]处理腔室200包括等离子体功率源202与匹配网络201，匹配网络201与存在于设置在腔室主体215上的第一封围211内的功率生成设备连通。等离子体功率源202与匹配网络201以典型地位于约12MHz到约13.5MHz的范围的频率(虽然此特定处理腔室以此频率操作，但可被使用的其它处理腔室以范围高达60MHz的源功率频率操作)、以从0.1kW到约5kW的范围的功率操作。感应线圈204、206位于第二封围213内，该第二封围213设置在腔室主体215与第一封围211之间。感应线圈204、206可在处理容积中生成RF感应耦合等离子体，以在设置于基板支撑组件207上的基板220上执行等离子体工艺，该基板支撑组件207设置在腔室主体215中。处理源气体可通过气体交换喷嘴214被引入到处理容积210中，以提供均匀受控的气流分布。
[0021]存在于腔室主体215内的处理容积210与下处理腔室217连通。下处理腔室217与节流阀219连通，该节流阀219位于涡轮栗216之上且与涡轮栗216连通，该涡轮栗216位于粗抽栗226之上且与粗抽栗226连通。在操作时，等离子体源气体被提供到处理容积210，并且处理副产物通过节流阀219、涡轮栗216与粗抽栗226被栗送至处理容积210外。基板进入口 212被形成在腔室主体215中，以促进基板220从处理腔室200的进入和移除。
[0022]基板支撑组件207被设置在腔室主体215内，以在处理期间支撑基板220。基板支撑组件207可以是传统的机械或静电夹盘，其中基板支撑组件207的至少一部分是导电的且能够用作工艺偏压阴极。冷却流体供应入口 224可被耦接到基板支撑组件207，且被配置成向基板支撑组件207供应冷却流体，以将基板支撑组件207的温度维持在期望的范围处。设置在基板支撑组件207上的基板可通过晶片升降杆(未示出)被升高和降低，以促进基板到基板支撑组件207上和离开基板支撑组件207的传送。
[0023]遮蔽环250被设置在边缘环252上，该边缘环252围绕基板支撑组件207的周边区域。当边缘环252被定位在遮蔽环250下方时，以限定边缘环252之上的腔261的方式来成形边缘环252。所限定的腔261可有效地允许等离子体在远离基板斜面的方向中流动且通过限定在环250、252之间的腔261并通过节流阀219到涡轮栗216和粗抽栗226而被栗送至处理腔室外，而不是在基板斜面或背侧上累积和形成残余膜层。下面将参照图3-4C进一步描述关于边缘环252的配置与布置的细节。
[0024]控制器290包括中央处理单元(CPU)292、存储器294、与支持电路296，其被用于控制工艺顺序和调节气体流动和在处理腔室200中所执行的等离子体工艺。CPU 292可具有可被用于工业设置中的通用计算机处理器的任何形式。软件例程(诸如以下描述的蚀刻工艺)可被存储在存储器294(诸如随机存取存储器、只读存储器、软盘或硬盘驱动器、或其他形式的数字存储器)中。支持电路296以传统方式耦接到CPU 292并且可包括高速缓存、时钟电路、输入/输出系统、功率供应器、与诸如此类者。控制器290与处理腔室200的各种部件之间的双向连通通过许多信号缆线(统称为信号总线298，其中的一些在图2中示出)进行处理。
[0025]在一个实施例中，被提供在处理腔室200中的基板220由从RF偏压功率源222通过匹配网络221提供RF功率被偏压，其中匹配网络221耦接到基板支撑组件207。由RF偏压功率源222提供的RF功率可位于10kHz到13.56MHz的范围内(诸如，位于10KHz到2MHz的范围内)。等离子体功率源202与基板RF偏压功率源222由控制器290独立地进行控制。具体地，使用由系统控制器设置的发生器脉动能力)来使RF偏压功率源222脉动，以提供功率开启的时间百分比(其被称为“占空比”)。脉冲偏压功率的开启时间与关闭时间在整个基板处理期间是一致的。例如，在此实例中，如果功率开启达3毫秒并且关闭达15毫秒，则“占空比”将为16.67%。每秒循环中的脉动频率(Hz)等于1.0除以单位为秒的开启与关闭时间周期的总和。例如，当功率开启达3毫秒并且关闭达15毫秒，总共18毫秒时，每秒循环中的脉动频率是55.55Hz。使用其中开启/关闭时序在基板处理期间改变以用于特定需要的专门的脉动轮廓将是可能的。
[0026]图3描绘了在图1中所描绘的边缘环252的一个实施例的俯视图。边缘环252包括基座圆形环306，该基座圆形环306具有上表面309与设置在上表面309上的凸起特征304。中央开口或孔314形成在边缘环252的中心部分中，以在边缘环252被实现在处理腔室(诸如图2中所描绘的处理腔室200)中时接收设置在其中的基板。基座圆形环306具有内表面316，该内表面316限定基座圆形环306的内径317以及限定中央开口或孔314的外圆周。基座圆形环306还包括外表面310，外表面310限定基座圆形环306的外径319(例如，周边)。底部部分311被附接到边缘环252的底表面(未示出)。
[0027]阶梯315形成在基座圆形环306的内表面316中并与该内表面316共享侧壁。具有预定宽度的阶梯315在向外朝向外表面310的方向中延伸。阶梯315可限定阶梯高度，该阶梯高度稍高于基座圆形环306的上表面309。下面将参照图4A-4C进一步描述关于阶梯315和基座圆形环306的配置的细节。
[0028]在一个示例中，多个凸起特征304形成在基座圆形环306的上表面309上。凸起特征304可包括线性凸起表面305(例如，顶表面)，该线性凸起表面305沿着基座圆形环306的上表面309的宽度从内表面316延伸到外表面310。线性凸起表面305基本上是平坦的表面，而与遮蔽环250的底表面平行地面对。凸起特征304具有面向中央开口或孔314的第一端312，使得当基板被定位在中央开口或孔314内时，第一端312可用作引导构件以将基板引导或对准到期望的位置中。此外，形成在基座圆形环306的上表面309上的凸起特征304也可通过其凸起表面305(例如，顶表面)而与遮蔽环250接合(engage)并举起遮蔽环250并且防止遮蔽环250直接接触基座圆形环306的上表面309。通过这样做，可在遮蔽环250与边缘环252之间有效地形成腔261，以允许远离基板斜面的在环252、250之间径向向外的流动。在图3中所描绘的示例中，存在三个凸起特征304。应注意的是，将遮蔽环250与基座圆形环306间隔开的凸起特征304的数量、形状、尺寸与配置可以处于任何形式或通过依需要的任何数量以用于不同工艺和设备需求。
[0029]图4A描绘了沿着图3中所描绘的切割线A-A’的边缘环252的横截面图。遮蔽环250通过凸起特征304(其没有被显示在图4A中)而间隔在边缘环252上方。应注意的是，遮蔽环250仅被显示在图4A中，并且从图4B和4C中被移除以为了描述与说明的容易和简洁。边缘环252包括基座圆形环306，基座圆形环306具有连接到下部311的上主体371 (由虚线355示出和划分)，该下部311与上主体371—起形成单一主体。基座圆形环306包括接近基板支撑组件207的侧壁定位的内表面316。在图4A中所描绘的一个示例中，内表面316被定位成接近基板支撑组件207的侧壁381，但没有接触基板支撑组件207，而在侧壁381与内表面316之间留下间隙373。
[0030]阶梯315形成在上主体371的第一端351处且位于基座圆形环306的上表面309之上。阶梯315具有上表面342，该上表面342限定从基座圆形环306的上表面309的阶梯高度336，从而形成连接在阶梯315的上表面342与基座圆形环306的上表面309之间的倾斜表面340。形成在阶梯315的上表面342与基座圆形环306的上表面309之间的阶梯高度336允许袋334形成在基座圆形环306的上表面309之上。袋334通过节流阀219在处理容积210与栗226之间处于开放的流体连通。当被实现在处理腔室200中时，袋334可接着稍后形成并用作腔261，腔261允许从处理容积210行进的等离子体绕过基板斜面并在远离基板斜面的方向中流动到腔260并且容易地被栗送至处理腔室200外，而不是累积在基板斜面上并在基板斜面上非期望地形成残余膜层。在一个示例中，阶梯高度336在约Imm与约5mm之间，其中该阶梯高度336被限定在基座圆形环306的上表面309与阶梯315的上表面342之间。
[0031]形成在基座圆形环306中的阶梯315可基本上与基板支撑组件207的侧壁381的一部分接合并覆盖该一部分，留下在阶梯315的上表面342上方的空间398。限定在阶梯315的上表面342上方的空间398可提供开放的流体连通区域，该开放的流体连通区域允许跟随到此的等离子体绕过基板斜面并在远离基板斜面的方向中流动，从而形成允许等离子体被栗送至处理腔室外的开放通道，而不是累积在基板背侧或斜面上。在一个示例中，阶梯315可具有在约0.5mm与约5mm之间的宽度350。虽然图4A中所描绘的示例包括被限定在阶梯315上方的空间398，但应注意的是，留在阶梯315上方的空间398可以处于任何大小、配置、或任何尺寸，包括没有空间留在上方(没有空间留在上方类似于图4B中所描绘的示例并且稍后将在下面进行描述)。
[0032]凹槽345形成在基座圆形环306的下部311中，从而将下部311分成第一下部分344与第二下部分346。第一下部分344限定内表面316的下部分，而第二下部分346限定外表面310的下部分。相反，上主体371具有两端321、320，该两端321、320限定内表面316的上部分与外表面310的上部分。当被定位在处理腔室200中时，凹槽345可被配置成与其他腔室零件配合，以便固定边缘环252的位置。凹槽345可具有在约2mm与约1mm之间的深度365。第一下部分344通常具有比第二下部分346的第二深度354长的第一深度356。在一个示例中，第一下部分344的第一深度356比第二下部分346的第二深度354长约10%与约50%之间。在一个示例中，第一深度356在约3mm与约1mm之间，并且第二深度354在约2mm与约1mm之间。连接到下部311的上主体371具有在约Imm与约15mm之间的均匀的厚度352。
[0033]在一个示例中，边缘环252可由具有高的耐腐蚀性等离子体种类的任何合适的材料制成。用于制造边缘环2 5 2的合适的材料包括电介质材料、陶瓷材料、含金属电介质材料。在一个示例中，边缘环252可以是氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、Y203、S1、碳化硅、阳极化AI2O3、石英、与含乾材料。
[0034]图4B描绘了具有形成在边缘环402的上表面418之上的阶梯406的不同配置的边缘环402的另一实施例。类似地，边缘环402以基座圆形环407为形式且类似于上述的边缘环252，边缘环402包括将遮蔽环250间隔在边缘环402上方的凸起特征304(在图4B中未示出)。阶梯406具有上表面408，上表面408限定从基座圆形环407的上表面418的阶梯高度414，从而在基座圆形环407的上表面418之上形成袋416。然而，与图4A中形成的倾斜表面340相反，形成基本上垂直的侧壁410以限定具有基本上直的侧壁轮廓的阶梯406。垂直侧壁410可具有与阶梯高度414基本上相同的高度，该阶梯高度414被限定在阶梯406的上表面408与基座圆形环407的上表面418之间。
[0035]如形成在基座圆形环407中的阶梯406可基本上与基板支撑组件207的侧壁381的大部分接合并覆盖侧壁381的大部分，从而在阶梯406的上表面408之上留下最小或很小的空间。因此，基板支撑组件207的侧壁的大多数部分被边缘环402(包括凸起的阶梯406)有效地覆盖，从而有效地阻挡等离子体接触基板支撑组件207并最小化支撑组件207被等离子体攻击的可能性。与图4A中描绘的边缘环252类似地构造边缘环402的其他结构与部分。
[0036]图4C描绘了边缘环500的又一示例，该边缘环500类似于以上在图4A-4B中描述的边缘环252、402。当定位在处理腔室200中时，边缘环500也限定在遮蔽环250(图4A中所示)下方的腔504。然而，不同于图4A-4B中所描绘的配置，边缘环500具有基本上平坦的表面503而没有形成在表面503之上的阶梯或突出物，除了将遮蔽环250间隔在边缘环500上方的凸起特征304(如图3中所示)。边缘环500被配置成与基板220(尤其是基板斜面)具有间隔部分关系，使得限定在边缘环500的表面503之上的腔504可维持开放的流体连通，这允许跟随到此的等离子体绕过基板斜面与背侧508，并且在环250、500之间通过设置在处理腔室200中的节流阀219和栗226而被栗送至处理腔室200外。在一个示例中，当定位在等离子体处理腔室(诸如图2中所描绘的等离子体处理腔室200)中时，边缘环500可限定从基板220的背侧508的约Imm与约5mm之间的距离502。
[0037]因此，本公开提供一种边缘环，该边缘环可有效地减少等离子体工艺之后形成在基板的斜面或背侧上的残余膜层。边缘环可包括袋，该袋可在实现在等离子体处理腔室中时形成腔，该腔维持开放的流体连通以供等离子体行进通过那儿而被有效地栗送至等离子体处理腔室外。形成在边缘环中的袋可通过形成在边缘环的上表面上的阶梯来限定。通过利用形成在边缘环之上的腔，残余等离子体可被有效地栗送至处理腔室外，而不是累积在基板斜面与背侧处，使得显著降低和消除残余膜层或污染物形成在基板斜面与背侧上的可能性。
[0038]尽管前述内容针对本公开的实施例，但可构想出本公开的其他与进一步的实施例而不背离本公开的基本范围，并且本公开的范围由所附权利要求书决定。
【主权项】
1.一种边缘环，包括: 基座圆形环，所述基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口的内表面以及限定所述基座圆形环的周边的外表面，所述基座圆形环包括上主体和连接到所述上主体的下部；阶梯，所述阶梯形成在所述基座圆形环的内表面处并且位于所述上主体的第一上表面之上，所述阶梯限定位于所述上主体的第一上表面之上的袋；以及 多个凸起特征，所述多个凸起特征形成在所述基座圆形环的第一上表面上。2.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述阶梯进一步包括第二上表面，所述第二上表面通过倾斜表面连接到所述第一上表面。3.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述阶梯进一步包括第二上表面，所述第二上表面通过形成在所述阶梯中的基本上垂直的侧壁连接到所述第一上表面。4.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述多个凸起特征具有连接到所述基座圆形环的内表面的第一端，所述第一端被配置成当在等离子体处理腔室中实现时将与基板接入口 ο5.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述凸起特征具有与所述基座圆形环的第一上表面的宽度基本上相匹配的长度。6.如权利要求1所述的边缘环，所述多个凸起特征被配置成当在等离子体处理腔室中实现时将与遮蔽环通过其顶表面接合。7.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述基座圆形环由41203^11￥203、51、或SiC、石英、含钇材料与阳极化Al2O3制造。8.如权利要求1所述的边缘环，进一步包括: 凹槽，所述凹槽形成在所述基座圆形环的下部中。9.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，形成在所述基座圆形环的内表面处的阶梯被配置成当在等离子体处理腔室中实现时将基本上覆盖基板支撑组件的侧壁的大部分。10.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，形成在所述基座圆形环的内表面处的阶梯被配置成当在等离子体处理腔室中实现时将基本上覆盖基板支撑组件的侧壁的第一部分，同时留下位于所述阶梯之上的空间，所述空间暴露所述基板支撑组件的侧壁的第二部分。11.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述阶梯的第二上表面被配置成当在等离子体处理腔室中实现时将与基板的背侧或斜面接合。12.如权利要求8所述的边缘环，进一步包括: 第一下部分和第二部分，所述第一下部分和第二部分形成在所述基座圆形环的下部中且由所述凹槽划分。13.如权利要求12所述的边缘环，其特征在于，所述第一下部分具有比所述第二下部分的第二深度更长约10%与约50%之间的第一深度。14.如权利要求1所述的边缘环，其特征在于，所述袋具有在约Imm与约5mm之间的阶梯高度，所述阶梯高度被限定在所述基座圆形环的第一上表面与所述阶梯的第二上表面之间。15.如权利要求6所述的边缘环，其特征在于，所述凸起特征的顶表面是平坦表面，所述平坦表面配置成平行于所述遮蔽环的底部。16.一种等离子体处理腔室，包括: 基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在等离子体处理腔室中； 边缘环，所述边缘环围绕所述基板支撑组件； 遮蔽环，所述遮蔽环设置在所述边缘环上方；以及 腔，所述腔形成在所述边缘环与所述遮蔽环之间，其中形成在所述边缘环的上表面上的多个凸起特征从所述边缘环举起所述遮蔽环，以在所述边缘环与所述遮蔽环之间形成所述腔。17.如权利要求16所述的等离子体处理腔室，进一步包括: 袋，所述袋形成在所述边缘环的上表面上，以限定在所述遮蔽环下方的所述腔。18.如权利要求16所述的等离子体处理腔室，进一步包括: 阶梯，所述阶梯形成在所述边缘环的内表面处并且位于所述边缘环的上表面之上，所述阶梯在所述边缘环的上表面之上限定袋。19.如权利要求16所述的等离子体处理腔室，其特征在于，所述腔允许从限定在所述基板支撑组件上方的等离子体区域到设置在所述等离子体处理腔室中的栗的开放的流体连通。20.—种用于减少基板斜面污染的方法，包括: 在遮蔽环与边缘环之间形成腔，所述边缘环围绕设置在等离子体处理腔室中的基板支撑组件的周边区域，其中所述腔由形成在所述边缘环的上表面上的多个凸起特征形成，所述多个凸起特征从所述边缘环举起所述遮蔽环以在所述边缘环与所述遮蔽环之间形成所述腔，其中所述腔允许从限定在所述基板支撑组件上方的等离子体区域到设置在所述等离子体处理腔室中的栗的开放的流体连通。
【文档编号】H01J37/02GK106057616SQ201610236298
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月15日
【发明人】R·米什拉, G·J·斯科特, K·M·西拉朱迪茵, S·L·图西巴格威尔, S·西卢纳乌卡拉苏
【申请人】应用材料公司