芯片级封装led的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED封装技术，尤其是指一种芯片级封装LED的封装结构。
【背景技术】
[0002]传统的LED封装结构均需采用支架或者基板作为LED芯片的支撑载体，支架或者基板设置有正负极，通过键合芯片的正负极完成封装产品的电性连接；然后，再用胶体或者混合荧光粉的胶体对芯片进行封装而得到LED封装品，支架或者基板一般设置有具有一定反射面的反射腔体或者基板反射层，可以有效提高芯片出光的萃取率。
[0003]而图1所示结构是基于倒装晶片的新型的芯片级封装LED (CSP LED ；Chip ScalePackage LED)，这种封装结构的芯片I底面设有电极2，直接在芯片I的上表面和侧面封装上封装胶体3，使底面的电极2外露，由于这种封装结构并无支架或基板，可降低了封装产品的热阻和成本，但是，由于缺少了具有高反射效果的支架反射碗杯结构或者基板反射层，使得这一封装结构的光萃取率低于传统LED封装结构，这一缺陷也严重影响到了 CSP LED的性价比以及应用推广。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种芯片级封装LED的封装结构，可有效提升光萃取率。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案:一种芯片级封装LED的封装结构，包括底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体的如下部位中的至少一个部位设置有反射面:底部和侧面。
[0006]进一步地，所述反射面是自封装胶体的底部延伸至侧面的反射曲面或反射平面。
[0007]进一步地，所述反射面是通过在封装胶体的外壁面相应位置处电镀或喷涂一层高反射层而形成的反射面。
[0008]进一步地，所述封装胶体是透明胶体、荧光粉混合胶体或者扩散粉混合胶体。
[0009]本实用新型的有益效果是:通过在封装胶体的底面及/或侧面设置具有高反射性能的反射面，可有效避免光线从封装胶体的底部或侧面射出而无法形成有效光萃取的缺陷，从而可以提升产品的光萃取效率，减少光损失；此外，在封装胶体的侧面和底部设计反射面，还可很好地调控产品出光角度，有助于形成单一出光面，从而更利于产品在不同应用场合的使用匹配度。本实用新型可广泛应用于背光、照明等方面等芯片级封装LED产品的制备。
【附图说明】
[0010]图1是现有芯片级封装LED封装结构的结构示意图。
[0011]图2是本实用新型芯片级封装LED的封装结构的实施例1结构示意图。
[0012]图3是本实用新型芯片级封装LED的封装结构的实施例2结构示意图。
[0013]图4是本实用新型芯片级封装LED的封装结构的实施例3结构示意图。
[0014]图5是本实用新型芯片级封装LED的封装结构的实施例4结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
[0016]本实用新型提供一种芯片级封装LED的封装结构，包括LED芯片I及封装于所述LED芯片I顶面和侧面的封装胶体3，所述LED芯片I的底面设有电极2，所述封装胶体3的如下部位中的至少一个部位设置有反射面:底部和侧面。
[0017]如图2所示的实施例1，仅在所述封装胶体3的底面设有第一反射面40。而在如图3所示的实施例2中，则是在实施例1的基础上，在封装胶体3的侧面也设有第二反射面42 ο
[0018]此外，所述反射面也还可以是自封装胶体3的底部延伸至侧面的反射曲面或反射平面，例如:图4所示的实施例3即是采用了自封装胶体3的底部延伸至侧面的反射曲面44的设计，而图5所示的实施例4则是采用了自封装胶体3的底部延伸至侧面的反射平面46的设计。
[0019]具体地，所述反射面可以是通过在封装胶体3的外壁面相应位置处镀上一层金属层而形成的反射面。
[0020]所述封装胶体3可以采用透明胶体、荧光粉混合胶体或者扩散粉混合胶体等各种常规的封装胶体。
[0021]通过在封装胶体3的底面及/或侧面设置具有高反射性能的反射面，可有效避免光线从封装胶体3的底部或侧面射出而无法形成有效光萃取的缺陷，从而可以提升产品的光萃取效率，减少光损失；此外，在封装胶体3的侧面和底部设计反射面，还可很好地调控产品出光角度，有助于形成单一出光面，从而更利于产品在不同应用场合的使用匹配度。本实用新型可广泛应用于背光、照明等方面等芯片级封装LED产品的制备。
[0022]以上所述是本实用新型的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种芯片级封装LED的封装结构，包括底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，其特征在于，所述封装胶体的如下部位中的至少一个部位设置有反射面:底部和侧面。
2.根据权利要求1所述的芯片级封装LED的封装结构，其特征在于，所述反射面是自封装胶体的底部延伸至侧面的反射曲面或反射平面。
3.根据权利要求1所述的芯片级封装LED的封装结构，其特征在于，所述反射面是分别设置于封装胶体的底部和侧面且彼此衔接的反射平面。
4.根据权利要求1或2或3所述的芯片级封装LED的封装结构，其特征在于，所述反射面是通过在封装胶体的外壁面相应位置处电镀或喷涂一层高反射层而形成的反射面。
5.根据权利要求1所述的芯片级封装LED的封装结构，其特征在于，所述封装胶体是透明胶体。
【专利摘要】本实用新型公开一种芯片级封装LED的封装结构，包括底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体的如下部位中的至少一个部位设置有反射面：底部和侧面。所述反射面是自封装胶体的底部延伸至侧面的反射曲面或反射平面。本实用新型通过在封装胶体底面及/或侧面设置具有高反射性能的反射面，可有效避免光线从封装胶体的底部或侧面射出而无法形成有效光萃取的缺陷，从而可提升产品的光萃取效率，减少光损失；此外，在封装胶体侧面和底部设计反射面，还可很好地调控产品出光角度，有助于形成单一出光面，从而更利于产品在不同应用场合的使用匹配度。本实用新型可广泛应用于背光、照明等方面等芯片级封装LED产品的制备。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-60
【公开号】CN204289504
【申请号】CN201420401596
【发明人】曹宇星
【申请人】深圳市瑞丰光电子股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年7月18日