湿刻装置的制造方法_2

文档序号:8848644阅读:来源:国知局
氮气(或惰性气体)以1.01325 X 15Pa的压强和lOOOSccm的流速经由进气管从药液室的外部进入药液室底部与氢氟酸缓冲药液接触。由于氟酸缓冲药液内氟化氢的溶解度极小,氟化氢会以气体的形式冒出液面,而氢氟酸在常温常压下的蒸汽压较大,药液上方气态的氟化氢会随着惰性气体一起流出药液室。当氢氟酸浓度稳定时,为了保持蒸汽压平衡,氢氟酸中的氟化氢会不断从液态变成气态,从而被氮气(或惰性气体)带出氟酸缓冲药液的液面。氟化氢由液态变成气态的整个过程属于物理变化。
[0040]为了有较好的刻蚀效果,通气模块和刻蚀模块在连通管道的连通下同时开启,刻蚀开始前先用惰性气体除去通气模块和刻蚀模块内的杂质气体,使得在惰性气体的保护下将二氧化硅基板送入刻蚀模块,从而避免杂质气体与二氧化硅基板发生反应,影响刻蚀效果。也就是说,在刻蚀二氧化硅基板前先进行通气模块和刻蚀模块的杂质气体的清除,然后再将惰性气体通入刻蚀腔室内药液的底部,并开始对二氧化硅基板的湿刻,从而达到较好的刻蚀效果。
[0041]为了防止强腐蚀性的氢氟酸腐蚀药液室和连通管道,药液室与连通管道内壁设置有涂层,例如,该涂层为聚四氟乙烯材料。使得药液室和连通管道的抗腐蚀性能增强,保证刻蚀过程的安全性和稳定性。
[0042]为了稳定输出氟化氢气体,通气模块还包括浓度监测仪和补给管道,浓度监测仪的监测端安装于药液室,补给管道安装于药液室。例如,浓度监测仪的监测端安装于气体发生区。例如,补给管道连通药液存放区。例如,药液存放区开设有进液孔,补给管道连通进液孔。当浓度监测仪监测到氟化氢气体浓度低于预设值时,开启补给管道增加高浓度氢氟酸缓冲药液,即增加氟化氢的含量,使得氟化氢气体浓度回归预设的正常值。从而通过浓度监测仪和补给管道,使得氢氟酸浓度维持在预设的浓度范围内,保证氢氟酸气体的稳定输出。
[0043]为了防止过度刻蚀,刻蚀模块还包括第二浓度监测仪,第二浓度监测仪的监测端安装于刻蚀腔室。通过第二浓度监测仪监测刻蚀腔室内由二氧化硅与氟化氢气体接触发生化学反应产生的SiF4气体的浓度,并根据SiF 4气体的浓度变化来控制刻蚀的终点。即,当SiF4的浓度由平稳变成急剧下降接近于零时,说明二氧化硅基板的刻蚀已完成。在其他实施例中,也可以根据工艺成熟程度,通过刻蚀的时间以控制刻蚀的终点。使得刻蚀药液的利用更加有效,减小基板图形的CD Loss,即节省刻蚀药液的用量,降低对二氧化硅基板的损伤程度,减小基板图形关键尺寸的误差。
[0044]为了终止刻蚀进程,连通管道设置有阀门。例如,阀门设置在连通管道中部。通过阀门可以切断通气模块和刻蚀模块的连通,及时的终止基板的刻蚀反应。当第二浓度监测仪监测到刻蚀腔室内31匕气体的浓度由平稳变成急剧下降接近于零时,及时通过阀门判断刻蚀腔室与药液室的连通,从而完成刻蚀任务,节省刻蚀药液的用量,降低对二氧化硅基板的损伤程度。
[0045]为了回收尾气,刻蚀腔室还包括排气管,并且,刻蚀腔室的底部设置有排气孔,排气管连通排气孔。可以理解,Si02+4HF — SiF4+2H20反应生成的产物四氟化硅的密度远大于册和H2O,所以刻蚀腔室中反应产生的四氟化硅在重力作用下更倾向于分布在腔室底部,故排气孔设在底部更有利于尾气的及时排出,更有利于刻蚀反应的正向进行。例如,排气管与外部的回收装置连通。使得刻蚀腔室内反应产生的SiF4气体以及携带氟化氢气体进入刻蚀腔室的惰性气体得以回收。例如,通过分离提纯的方式将尾气中的惰性气体回收利用。有效地防止了尾气对环境的污染,节省资源,提高生产效率。
[0046]采用上述各实施例,本实用新型具有以下优点:将刻蚀药液与基板分离,使得刻蚀速率和刻蚀过程的可控性增强,基板的刻蚀药液残留量减少,基板的图形条宽损失减小,刻蚀药液减少,基板损伤减少,节省资源,尾气回收利用,提高刻蚀产物的质量,实用性强,易于推广。
[0047]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0048]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种湿刻装置,其特征在于,包括: 通气模块,其包括药液室与进气管,所述进气管一端设置于所述药液室外部,另一端靠近所述药液室的底部设置并与所述药液室连通; 所述药液室沿重力方向依次包括气体发生区以及药液存放区; 所述进气管与所述药液存放区连通; 刻蚀模块,其包括刻蚀腔室、设置于所述刻蚀腔室的底座、设置于所述刻蚀腔室内并位于所述底座上方的导气块; 所述导气块包括开设于朝向所述底座一侧的若干通气孔、开设于背向所述底座一侧并连通每一所述通气孔的进气槽; 连通管道,其一端连通所述气体发生区,另一端连接所述进气槽。
2.根据权利要求1所述的湿刻装置,其特征在于,所述药液室与所述连通管道内壁设置有涂层。
3.根据权利要求1所述的湿刻装置,其特征在于,所述通气模块包括浓度监测仪,所述浓度监测仪的监测端安装于所述药液室。
4.根据权利要求3所述的湿刻装置,其特征在于,所述浓度监测仪的监测端安装于所述药液存放区。
5.根据权利要求1所述的湿刻装置,其特征在于,所述通气模块包括补给管道,其安装于所述药液室。
6.根据权利要求5所述的湿刻装置,其特征在于,所述补给管道安装于所述药液存放
7.根据权利要求5所述的湿刻装置,其特征在于,所述药液存放区开设有进液孔,所述补给管道连通所述进液孔。
8.根据权利要求1所述的湿刻装置,其特征在于,所述刻蚀腔室远离所述底座的一端设置有排气孔。
9.根据权利要求8所述的湿刻装置,其特征在于,还包括排气管,所述排气管连通所述排气孔。
10.根据权利要求1所述的湿刻装置,其特征在于,所述连通管道设置有阀门。
【专利摘要】一种湿刻装置,包括:通气模块,其包括药液室与进气管,进气管一端设置于药液室外部,另一端靠近药液室的底部设置并与药液室连通;药液室沿重力方向依次包括气体发生区以及药液存放区;进气管与药液存放区连通;刻蚀模块,其包括刻蚀腔室、设置于刻蚀腔室的底座、设置于刻蚀腔室内并位于底座上方的导气块;导气块包括开设于朝向底座一侧的若干通气孔、开设于背向底座一侧并连通每一通气孔的进气槽;连通管道,其一端连通气体发生区,另一端连接进气槽。上述湿刻装置,将刻蚀药液与基板分离,使得刻蚀速率和刻蚀过程的可控性增强,基板的刻蚀药液残留量减少,基板的图形条宽损失减小,刻蚀药液减少,基板损伤减少,提高刻蚀产物的质量。
【IPC分类】H01L21-67
【公开号】CN204558428
【申请号】CN201520161265
【发明人】文海琼, 张毅先, 任思雨, 苏君海, 李建华
【申请人】信利(惠州)智能显示有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年3月19日
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1