用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型具体涉及改善湿法刻蚀晶硅太阳电池效果的装置，尤其是一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置。
【背景技术】
[0002]太阳能电池是将太阳能直接转化成电能，并且在使用过程中不会产生任何有害物质，是一种环保无污染产品，因此，太阳能电池在解决能源与环境问题方面倍受青睐，有着极好的市场前景。在太阳能电池生产工艺中刻蚀能有效地去除扩散后硅片四周的N型硅，防止漏电，从而提高电池的转换效率。目前，晶体硅太阳电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法，而湿法刻蚀能明显提高电池转换效率提高产品质量。现在湿法刻蚀的生产设备主要有:KUTTLER和RENA。但KUTTLER工艺步骤中，第一步是去除硅片表面磷硅玻璃(PSG)，然后是对背面以及周边进行腐蚀去除PN结，后续还需要碱洗以及酸洗，在刻蚀过程中由于硅片表面没有磷硅玻璃(PSG)的保护，这就使酸雾对硅片表面的PN结进行腐蚀造成方阻的提升。而RENA刻蚀设备虽然在对背面以及周边进行腐蚀过程中磷硅玻璃(PSG)仍然存在，但是PSG很容易吸附酸气到上表面造成过刻易出现“黑边”，影响电池外观。
[0003]针对上述问题，专利号为201320884387.2的实用新型专利公开了一种湿法刻蚀绝缘清洗机水膜保护装置。其技术方案是:包括快速接头、水刀管路、水刀、水刀支架、单向阀，所述的水刀管路的一侧连接快速接头，快速接头外侧连接单向阀，水刀管路的另一侧连接水刀，所述水刀管路的端部设有水刀支架，通过水刀支架固定水刀管路的位置。有益效果是:在入料时通过水刀加装一层水膜，形成保护层，隔绝了酸雾与硅片表面的接触，从而保护了硅片表面的磷硅玻璃，保证了硅片出料后的方阻提升在一个可控的范围之内，有效的控制了方阻的提升，对于硅片的质量进行了有力的保障，而且隔绝了酸雾对硅片表面的影响，使整个硅片出料后的外观得到了极大地改善。但是该保护装置结构较为复杂，制作成本相对较高，无形中提高了太阳能硅片的制作成本；且水刀本身较为锋利，在使用过程中控制不当易对硅片表面造成损害，不利于成品率的提高，因此，在改善湿法刻蚀效果上还有待提尚O
【发明内容】
[0004]实用新型目的:针对上述现有技术存在的问题和不足，本实用新型的目的是提供一种结构简单，且喷水膜效果好不会对硅片造成损害的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置。
[0005]技术方案:本实用新型公开了一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，包括控制电机、进水口、喷嘴，控制电机与进水口、喷嘴相连接；所述喷嘴底部交叉均匀分布有大喷水孔、小喷水孔；本实用新型结构简单，通过采用控制电机控制喷嘴喷洒水，可有效在硅片上表面加一层水膜，通过水膜的保护，使硅片上表面不受酸雾腐蚀，从而解决刻蚀过程中出现的“过度腐蚀”以及“黑边”问题，有效改善湿法刻蚀的效果。
[0006]所述的大喷水孔孔径为1.5-3_。
[0007]所述的小喷水孔孔径为0.1-1.5mm。
[0008]本实用新型通过将大喷水孔、小喷水孔设为交叉分布，可保证喷洒水的均匀性及全面性，保证水膜可全部将硅片覆盖，提高喷嘴喷洒效果。
[0009]所述的喷嘴上设有喷水感应器，感应时间为5-15s。
[0010]所述的喷水感应器控制喷嘴上的大喷水孔、小喷水孔喷水，喷水时间为l_4s。
[0011]所述喷水采用的溶液为去离子水，水温为20-25°C。
[0012]所述的控制电机带速为0.1-2.5m/min。
[0013]有益效果:本实用新型与现有技术相比，具有以下优点:
[0014]1.结构简单成本低:本实用新型通过采用通用的控制电机控制喷嘴喷洒水，可有效在娃片上表面加一层水膜，无需特殊部件，结构简单，成本低廉；
[0015]2.水膜均匀:本实用新型通过将大喷水孔、小喷水孔设为交叉分布，可保证喷洒水的均匀性及全面性，保证水膜可全部将硅片覆盖，提高喷嘴喷洒效果。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的结构示意图；
[0017]1.控制电机、2.进水口、3.喷嘴、31.大喷水孔、32.小喷水孔、4.喷水感应器。
【具体实施方式】
[0018]以下结合具体的实施例对本实用新型进行详细说明，但同时说明本实用新型的保护范围并不局限于本实施例的具体范围，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0019]需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0020]如图1所示的一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，包括控制电机1、进水口 2、喷嘴3，控制电机I与进水口 2、喷嘴3相连接；所述喷嘴3底部交叉均匀分布有大喷水孔31、小喷水孔32 ;所述的大喷水孔31孔径为1.5-3mm ;所述的小喷水孔32孔径为0.1-1.5mm ;所述的喷嘴3上设有喷水感应器4，感应时间为5_15s ;所述的喷水感应器4控制喷嘴3上的大喷水孔31、小喷水孔32喷水，喷水时间为l_4s ;所述喷水采用的溶液为去离子水，水温为20-25°C ;所述的控制电机I带速为0.1-2.5m/min。
实施例
[0021]以156X156mm多晶硅片为例，将多晶硅片设于喷水膜装置的喷嘴3下，所述喷嘴3的大喷水孔31孔径为1.5mm,小喷水孔32孔径为0.1mm ;控制电机I带速1.7m/min ;喷水感应器4的感应时间为10S，感应到喷嘴3下的多晶硅片后，喷嘴3喷洒去离子水，水温为25°C，喷淋时间为2s50//，从而使水膜硅片上表面而不溢出；被水膜保护的硅片不受酸雾腐蚀，解决刻蚀中出现的“过度腐蚀”以及“黑边”问题。提高太阳能电池的外观。
[0022]本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
【主权项】
1.一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:包括控制电机(1)、进水口(2)、喷嘴(3)，控制电机(I)与进水口(2)、喷嘴(3)相连接；所述喷嘴(3)底部交叉均匀分布有大喷水孔(31)、小喷水孔(32)。2.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:所述的大喷水孔(31)孔径为1.5-3mm。3.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:所述的小喷水孔(32)孔径为0.1-1.5_。4.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:所述的喷嘴(3)上设有喷水感应器(4)，感应时间为5-15s。5.根据权利要求4所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:所述的喷水感应器(4)控制喷嘴(3)上的大喷水孔(31)、小喷水孔(32)喷水，喷水时间为l_4s。6.根据权利要求5所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:所述喷水采用的溶液为去离子水，水温为20-25°C。7.根据权利要求1所述的用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，其特征在于:所述的控制电机(I)带速为0.1-2.5m/min。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于改善湿法刻蚀效果的喷水膜装置，包括控制电机、进水口、喷嘴，控制电机与进水口、喷嘴相连接；所述喷嘴底部交叉均匀分布有大喷水孔、小喷水孔；本实用新型结构简单，通过采用控制电机控制喷嘴喷洒水，可有效在硅片上表面加一层水膜，通过水膜的保护，使硅片上表面不受酸雾腐蚀，从而解决刻蚀过程中出现的“过度腐蚀”以及“黑边”问题，有效改善湿法刻蚀的效果。
【IPC分类】H01L21/67
【公开号】CN204857672
【申请号】CN201520472530
【发明人】静福印, 孙海平, 夏正月
【申请人】奥特斯维能源（太仓）有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年6月30日