专利名称:一种保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及保护装置【技术领域】，尤其涉及一种嵌入式设备用保护电路。包括电源，用以提供电压，保护模块，连接于所述稳压模块与负载之间，并于所述电力为过电压和/或者电源输出端的正极、负极接反的状态下，控制所述负载与所述电源断开。与现有技术相比，本实用新型的优点是：保护模块事先对电源输出的电压进行“预检”，判断电压是否为正常电压，若检测符合，则稳压模块导通，若检测不符合，则稳压模块关断。有效避免了非正常电压连接负载。提高负载运行的安全性。
【专利说明】一种保护电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及保护装置【技术领域】，尤其涉及一种嵌入式设备用保护电路。
【背景技术】
[0002]随着人们生活水平的不断提高，嵌入式设备与人们的生活息息相关，它关系到国民经济的稳定可持续发展，因此对其稳定性可靠性要求较高。而在实际应用中，往往出现由于误操作或者一些不确定因素导致嵌入式设备烧坏货短路，例如电源的正反端连接错误，或者电源的输出电压过高等，均会对嵌入式设备造成破坏，恶劣情况下，会造成严重的经济损失。
实用新型内容
[0003]针对现有技术的不足，本实用新型提供应用于嵌入式设备的保护电路，具体的技术方案如下:
[0004]一种保护电路，应用于嵌入式设备，其中，包括
[0005]电源，用以提供电压；
[0006]保护模块，连接于所述电源与负载之间，于所述电源输出的电压为过电压和/或者电源输出端的正极、负极接反的状态下，控制所述负载与所述电源断开。
[0007]优选地，所述保护模块包括一检测电路和一过压保护电路；
[0008]检测电路包括第一电阻和第一稳压管，所述过压保护电路包括第一三极管、第一开关管、第二电阻，
[0009]所述第一电阻的一端连接所述电源的正极，所述第一电阻的另一端连接所述第一稳压管的反向端；
[0010]所述第一稳压管的正向端连接公共地，所述第一稳压管的反向端形成所述检测电路的输出端，
[0011]所述第一三极管的基极连接所述第一稳压管的反相端，所述第一三极管的集电极通过所述第二电阻连接所述公共地，所述第一三极管的发射极连接所述电源的所述正极；
[0012]所述第一开关管的输入端连接所述第一三极管的发射极，所述第一开关管的控制端连接所述第一三极管的集电极，所述第一开关管的输出端连接所述负载。
[0013]优选地，所述保护模块包括防反接保护电路，所述防反接保护电路由第二开关管形成；
[0014]所述第二开关管的输入端连接所述第一开关管的输出端；所述第二开关管的输出端连接所述负载；所述第二开关管的控制端连接所述公共地。
[0015]优选地，所述第一三极管为PNP三极管。
[0016]优选地，所述第一开关管为第一 PMOS管，所述第一开关管的输入端为所述第一PMOS的源极；所述第一开关管的输出端为所述第一 PMOS管的漏极，所述第一开关管的控制端为所述第一 PMOS管的栅极。
[0017]优选地，所述第二开关管为第二 PMOS管，所述第二开关管的输入端为所述第二PMOS的漏极；所述第二开关管的输出端为所述第二 PMOS管的源极，所述第二开关管的控制端为所述第二 PMOS管的栅极。
[0018]优选地，所述第二电阻的阻值范围是4.71?Ω?1kQ。
[0019]优选地，还包括第一电容，所述第一电容连接于所述第一开关管的输入端与所述第一开关管的控制端之间。
[0020]优选地，所述第一工作状态为所述电源为所述负载供电；所述第二工作状态为所述电源与所述负载之间形成断路。
[0021]与现有技术相比，本实用新型的优点是:保护模块事先对电源输出的电压进行“预检”，判断电压是否为正常电压，若检测符合，则保护模块导通，电源为负载供电，若检测不符合，则保护模块关断，电源与负载断开。有效避免了非正常电压连接负载。提高负载运行的安全性。
【附图说明】
[0022]图1为本实用新型的方框连接图；
[0023]图2为本实用新型的电路连接图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。
[0025]如图1所示，一种保护电路，应用于嵌入式设备，其中，包括
[0026]电源，用以提供电力；可提供5V或者12V的电压。
[0027]保护模块，连接于所述电源与一负载之间，于所述电力为过电压和/或者电源输出端的正极、负极接反的状态下，控制所述负载与所述电源断开。
[0028]本实用新型中，保护模块事先对电源输出的电压进行“预检”，判断电源输出的电压是否为正常电压，若检测符合，则保护模块导通，若检测不符合，则保护模块关断。有效避免了非正常电压连接负载。提高负载运行的安全性。
[0029]作为进一步优选实施方案，如图2所示，所述保护模块包括过压保护电路和检测电路；
[0030]所述检测电路包括第一电阻Rl和第一稳压管Dl，所述第一电阻Rl的一端连接所述电源的正极，所述第一电阻Rl的另一端连接所述第一稳压管Dl的反向端；所述第一稳压管Dl的正向端连接公共地，所述第一稳压管Dl的反向端形成所检测电路的输出端。检测电路的输出电压为可调整电压。用于为第一三极管Ql的基极提供电压。
[0031]所述过压保护电路包括第一三极管Q1、第一开关管Κ1、第二电阻R2，第一三极管Ql采用PNP三极管。
[0032]所述第一三极管Ql的基极连接所述第一稳压管Dl的反向端，所述第一三极管Ql的集电极通过所述第二电阻R2连接所述公共地，所述第一三极管Ql的发射极连接所述电源的所述正极；所述第二电阻R2的阻值范围是4.7kQ?1kD。
[0033]所述第一开关管Kl的输入端连接所述第一三极管Ql的发射极，控制端连接所述第一三极管Ql的集电极，输出端连接所述负载，所述第一电容Cl连接于所述第一开关的输入端与所述第一开关管Kl的控制端之间。
[0034]当电源输出的电压为正常值时，第一三极管Ql的发射结导通，集电结截止，第一三极管Ql处于截止状态，则第一三极管Ql的集电极为低电平，第一开关管Kl的控制端为低电平，第一开关管Kl导通，电源给负载正常供电；当电源输出电压为非正常值时，第一三极管Ql的发射结导通，集电结导通，则第一三极管Ql的集电极为高电平，第一开关管Kl的控制端为高电平，第一开关管Kl断开，电源输出的非正常电压无法输出至负载。从而实现了过电压保护功能。其中第二电阻R2为下拉电阻，用以在正常供电的情况下，使得第一开关管Kl的控制端处于低电平状态。
[0035]作为进一步优选实施方案，如图2所示，所述保护模块包括防反接电路，所述防反接保护电路由第二开关管K2形成；
[0036]所述第二开关管K2的输入端连接所述第一开关管Kl的输出端；
[0037]所述第二开关管K2的输出端连接所述负载，所述第二开关管K2的控制端连接所述公共地。
[0038]当电源输出端出现了反接(电源的正负极接反)的情况时，第二开关管K2的控制端处于接高电平，第二开关管K2处于关断的状态，电源无法供电。通过第二开关管K2实现了防反接功能。
[0039]作为进一步优选实施方案，所述第一开关管Kl为第一 PMOS管，所述第一开关管Kl的输入端为所述第一 PMOS的源极；所述第一开关管Kl的输出端为所述第一 PMOS管的漏极，所述第一开关管Kl的控制端为所述第一 PMOS管的栅极。
[0040]作为进一步优选实施方案，所述第二开关管K2为第二 PMOS管形成，所述第二开关管K2的输入端为所述第二 PMOS的漏极；所述第二开关管K2的输出端为所述第二 PMOS管的源极，所述第二开关管K2的控制端为所述第二 PMOS管的栅极。
[0041]作为进一步优选实施方案，还包括第一电容Cl，第一电容Cl的容值为0.1UF。所述第一电容C1连接于所述第一开关管Kl的输入端与所述第一开关管Kl的控制端之间。用以减缓第一开关管Kl的导通时间，使得所述第一开关管Kl输出一平稳电压，防止产生电压尖峰以及振铃现象。
[0042]以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。
【权利要求】
1.一种保护电路，应用于嵌入式设备，其特征在于，包括 电源，用以提供电压； 保护模块，连接于所述电源与一负载之间，于所述电源输出的电压为过电压和/或者电源输出端的正极、负极接反的状态下，控制所述负载与所述电源断开。2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述保护模块包括一检测电路和一过压保护电路； 检测电路包括第一电阻和第一稳压管，所述过压保护电路包括第一三极管、第一开关管、第二电阻， 所述第一电阻的一端连接所述电源的正极，所述第一电阻的另一端连接所述第一稳压管的反向端； 所述第一稳压管的正向端连接公共地，所述第一稳压管的反向端形成所述检测电路的输出端， 所述第一三极管的基极连接所述第一稳压管的反相端，所述第一三极管的集电极通过所述第二电阻连接所述公共地，所述第一三极管的发射极连接所述电源的所述正极； 所述第一开关管的输入端连接所述第一三极管的发射极，所述第一开关管的控制端连接所述第一三极管的集电极，所述第一开关管的输出端连接所述负载。3.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述保护模块包括防反接保护电路，所述防反接保护电路由第二开关管形成； 所述第二开关管的输入端连接所述第一开关管的输出端；所述第二开关管的输出端连接所述负载；所述第二开关管的控制端连接所述公共地。4.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第一三极管为PNP三极管。5.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第一开关管为第一PMOS管，所述第一开关管的输入端为所述第一 PMOS的源极；所述第一开关管的输出端为所述第一 PMOS管的漏极，所述第一开关管的控制端为所述第一 PMOS管的栅极。6.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第二开关管为第二PMOS管，所述第二开关管的输入端为所述第二 PMOS的漏极；所述第二开关管的输出端为所述第二 PMOS管的源极，所述第二开关管的控制端为所述第二 PMOS管的栅极。7.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值范围是4.7k Ω ?1kQ。8.根据权利要求2所述的保护电路，其特征在于，还包括第一电容，所述第一电容连接于所述第一开关管的输入端与所述第一开关管的控制端之间。
【文档编号】H02H11-00GK204290268SQ201420701874
【发明者】王旭巍 [申请人]上海斐讯数据通信技术有限公司