充电控制系统以及充电控制装置的制作方法

专利名称：充电控制系统以及充电控制装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在控制由太阳能电池向二次电池的充电的情况下，抑制由太阳能电池向二次电池的充电路径被切断时的二次电池的电力损耗的充电控制系统以及充电控制装置。
背景技术：
作为由太阳能电池向二次电池进行充电的充电控制系统，例如，公知有像专利文献1中公开的那样，为了防止从二次电池向太阳能电池的电流的逆流，降低由太阳能电池向二次电池进行充电时的电力的损耗，通过开关元件控制由太阳能电池向二次电池的电力的充电的充电控制系统。图10概略地表示专利文献1中公开的充电控制系统。该系统主要具备太阳能电池1、二次电池2以及连接太阳能电池1和二次电池2的传送路径3。在此，为了便于说明， 分别将连接太阳能电池1的正电极侧和二次电池2的正电极侧的传送路径3称为传送路径 3H，将连接太阳能电池1的负电极侧和二次电池2的负电极侧的传送路径3称为传送路径 3L来区别。该系统还具有传送路径4和传送路径6，该传送路径4具有电阻R3以及电阻R4 且与传送路径3H和传送路径3L连接，该传送路径6具有电阻Rl以及电阻R2且与传送路径3H和传送路径3L连接。而且，该系统具有比较器7和P型MOS晶体管12，该比较器7对通过传送路径4的电阻R3和电阻R4分压后的二次电池2的电压和通过传送路径6的电阻 Rl和电阻R2分压后的太阳能电池1的电压进行比较，该P型MOS晶体管12被设置在传送路径3H上的传送路径4和传送路径6之间，且根据比较器7的输出来切断传送路径3。另外，二次电池2、传送路径3和传送路径4构成闭合电路。现有的该系统进行如下动作，用比较器7对通过传送路径4的电阻R3和电阻R4 分压后的二次电池2的电压和通过传送路径6的电阻Rl和电阻R2分压后的太阳能电池1 的电压进行比较，在太阳能电池1的电压和二次电池2的电压之间的电压差为规定值以上的情况下，从比较器7输出低电平，使P型MOS晶体管12导通，从而由太阳能电池1向二次电池2充电，在太阳能电池1的电压和二次电池2的电压之间的电压差为规定值以下的情况下，从比较器7输出高电平，使P型MOS晶体管12截止，从而切断由太阳能电池1向二次电池2的充电。专利文献1 日本专利特开平9461861号公报但是，在上述现有的充电控制系统中，在进行了使开关元件截止而切断由太阳能电池向二次电池的充电这种控制的情况下，存在二次电池的电力白白地被消耗的问题。例如，在图10中，若P型MOS晶体管12截止，则来自二次电池2的电流在由二次电池2、传送路径3和传送路径4构成的闭合电路中流动，所以导致二次电池2的电力被白白地消耗，即损耗
发明内容
因此，为了解决上述问题，本发明提供一种对由太阳能电池向二次电池的充电路径被切断时的二次电池的电力的损耗进行抑制的充电控制系统以及充电控制装置。本发明所涉及的充电控制系统，其特征在于，具有太阳能电池；第1传送路径，该第1传送路径与上述太阳能电池连接，并传送由上述太阳能电池输出的电力；二次电池，该二次电池与上述第1传送路径连接，并接收由上述太阳能电池输出的电力的供给；第2传送路径，该第2传送路径与上述第1传送路径连接，且与上述第1传送路径和上述二次电池一起构成闭合电路；比较部，该比较部对基于上述太阳能电池的输出的电压和基于与上述第 2传送路径连接且经由上述第2传送路径传送的上述二次电池的输出的电压进行比较，上述第1传送路径具有第1切断部，在上述比较部判定为由上述太阳能电池输出的电压为由上述二次电池输出的电压以下的情况下，该第1切断部切断上述第1传送路径，上述第2传送路径具有第2切断部，该第2切断部在上述第1传送路径被切断后，随着上述太阳能电池的电力的降低而切断上述第2传送路径。本发明所涉及的充电控制装置，其特征在于，具有与太阳能电池电连接的第1电极；与二次电池电连接的第2电极；第1传送路径，该第1传送路径与上述第1电极以及第2 电极电连接，且将由上述太阳能电池输出的电力传送到二次电池；第2传送路径，该第2传送路径与上述第1传送路径连接，且与上述第1传送路径和上述二次电池一起构成闭合电路；比较部，该比较部对基于上述太阳能电池的输出的电压和基于与上述第2传送路径连接且经由上述第2传送路径传送的上述二次电池的输出的电压进行比较，上述第1传送路径具有第1切断部，该第1切断部在上述比较部判定为由上述太阳能电池输出的电压为由上述二次电池输出的电压以下的情况下，切断上述第1传送路径，上述第2传送路径具有第 2切断部，该第2切断部在上述第1传送路径被切断后，随着上述太阳能电池的电力的降低切断上述第2传送路径。根据本发明的充电控制系统以及充电控制装置，通过随着太阳能电池的电力的降低，切断与第1传送路径和二次电池一起构成闭合电路的第2传送路径，而消除了如下问题，在切断了由太阳能电池向二次电池供给电力的第1传送路径的情况下，二次电池的电流在由第1传送路径、二次电池和第2传送路径构成的闭合电路中继续流动。所以，能够抑制二次电池的电力的损耗。


图1是表示本发明所涉及的充电控制系统的第1实施方式的图。图2是表示第1实施方式所涉及的恒流偏压生成部80的具体的结构的图。图3是表示第1实施方式所涉及的充电控制系统的充电状态的时序图。图4是表示第1实施方式所涉及的充电控制系统的变形例的图。图5是表示第1实施方式所涉及的充电控制系统的其他的变形例的图。图6是表示本发明所及的充电控制系统的第2实施方式的图。图7是表示第2实施方式所涉及的恒流偏压生成部80的具体结构的图。图8是表示第2实施方式所涉及的充电控制系统的变形例的图。图9是表示第2实施方式所涉及的充电控制系统的其他的变形例的图。图10是概略地表示专利文献1所公开的现有的充电控制系统的图。
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符号说明10...太阳能电池；20. . . 二次电池；30...第1传送路径；40...第2传送路径； 50...闭合电路；60...第3传送路径；70...比较器；80...恒流偏压生成部；90. . . N型MOS 晶体管；100. · ·电阻元件；120. . . P型MOS晶体管；120a. . . N型MOS晶体管。
具体实施例方式下面参照附图对本发明所涉及的充电控制系统进行详细的说明。(第1实施方式)图1是表示本发明所涉及的充电控制系统的第1实施方式的图。第1实施方式所涉及的充电控制系统，其特征在于，具有太阳能电池10 ；第1传送路径30，该第1传送路径30与太阳能电池10连接，且传送由太阳能电池10输出的电力； 二次电池20，该二次电池20与第1传送路径30连接，且接收由太阳能电池10输出的电力的供给；第2传送路径40，该第2传送路径40与第1传送路径30连接，且与第1传送路径 30和二次电池20 —起构成闭合电路50 ；比较器70，该比较器70作为比较部对基于上述太阳能电池1 0的输出的电压和基于与第2传送路径40连接且经由第2传送路径40传送的二次电池20的输出的电压进行比较，第1传送路径30具有作为第1切断部的P型MOS晶体管120，在比较器70判定为由太阳能电池10输出的电压为由二次电池20输出的电压以下的情况下，该P型MOS晶体管120切断第1传送路径30，第2传送路径40具有作为第2 切断部的N型MOS晶体管42，该N型MOS晶体管42在第1传送路径30被切断后，随着太阳能电池10的电力的降低而切断第2传送路径40。以下对第1实施方式所涉及的充电控制系统进行详细的说明。太阳能电池10与可吸收太阳光的未图示的太阳能面板电连接，是可将吸收的太阳光转化为电力的发电装置。二次电池20是具有储存由太阳能电池10供给的电力的功能的蓄电池。第1传送路径30将太阳能电池10的电力传送到二次电池20，其起始点30a与太阳能电池10的正电极侧连接、其终点30d与太阳能电池10的负电极侧连接，中间点30b与二次电池20的正电极侧、中间点30c与二次电池20的负电极侧分别连接。即，第1传送路径30构成为连接太阳能电池10和二次电池20的闭合循环路径，由太阳能电池10输出的电力经由第1传送路径30向二次电池20供给。此外，第1传送路径30的低电位30L侧例如为GND电位。此处，为了便于说明，将第1传送路径30的、连接太阳能电池10的正电极和二次电池20的正电极的传送路径，即，从起始点30a至中间点30b的第1传送路径30称为高电位30H侧，连接太阳能电池10的负电极和二次电池20的负电极的传送路径，即，从中间点 30c至终点30d的第1传送路径30称为低电位侧30L侧。第1传送路径30划分为高电位 30H侧和低电位30L侧。第2传送路径40构成为具有作为第1电阻元件的电阻元件41和作为第2切断部的N型MOS晶体管42，且在第1传送路径30上与二次电池20并联连接。电阻元件41的一端与第1传送路径30的高电位30H侧连接，N型MOS晶体管42与电阻元件41串联连接， 详细地说，漏极D与电阻元件41的另一端连接、源极S与第1传送路径30的低电位30L侧连接。由此，第2传送路径40与二次电池20并联连接，并且，与第1传送路径30和二次电池20—起构成闭合电路50。另外，在第2传送路径40中，N型MOS晶体管42利用由后述的恒流偏压生成部80供给的偏压VC作为恒流源而动作，且构成为通过电阻元件41和N型 MOS晶体管42，对二次电池20的电压进行分压。第3传送路径60构成为具有作为第2电阻元件的电阻元件61和作为第3切断部的N型MOS晶体管62，且在与第2传送路径40相比更靠近太阳能电池10侧的第1传送路径30上与太阳能电池10并联连接。电阻元件61的一端与第1传送路径30的高电位30H 侧连接，N型MOS晶体管62与电阻元件61串联连接，更详细地说，漏极D与电阻元件61的另一端连接，源极S与第1传送路径30的低电位30L侧连接。由此，第3传送路径60与太阳能电池10并联连接，并且，与第1传送路径30和二次电池10 —起构成闭合电路。另外， 在第3传送路径60中，N型MOS晶体管62利用由后述的恒流偏压生成部80供给的电力作为恒流源而动作，且构成为通过电阻元件61和N型MOS晶体管62，对太阳能电池10的电压进行分压。比较器70的反转输入端㈠与构成第2传送路径40的电阻元件41和N型MOS 晶体管42的共同连接点连接，非反转输入端(+)与构成第3传送路径60的电阻元件61和 N型MOS晶体管62的共同连接点连接。由此，通过电阻元件41和N型MOS晶体管42分压后的二次电池20的电压输入到比较器70的反转输入端(-)。并且，通过电阻元件61和N 型MOS晶体管62分压后的太阳能电池10的电压输入到比较器70的非反转输入端(+)。此处，为了便于说明，分别将太阳能电池10的电压定义为VSC，将通过电阻元件61 和N型MOS晶体管62分压后的太阳能电池10的电压定义为输入太阳能电池电压VSCinJf 通过电阻元件41和N型MOS晶体管42分压后的二次电池20的电压定义为输入二次电池电压VDDin。比较器70对输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin进行比较，在 "VSCin > VDDin”的情况下输出高电平，在“VSCin ( VDDin”的情况下输出低电平。恒流偏压生成部80与第1传送路径30的高电位30H侧连接，从太阳能电池10接收电力的供给的同时，将利用由太阳能电池10供给的电力而生成的偏压VC施加到N型MOS 晶体管42的栅极G。并且，将由恒流偏压生成部80生成的偏压VC还施加到N型MOS晶体管62的栅极G，即N型MOS晶体管42与N型MOS晶体管62为电流镜连接。由后述图2可明确这种电流镜连接。在使用这种电流镜连接的情况下，由于能够同时由恒流偏压生成部 80将偏压VC施加到N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的各个栅极G，所以能够以相同的时序和相同比例提供针对经由第2传送路径40向比较器70供给的二次电池20的电压和经由第3传送路径60向比较器70供给太阳能电池10的电压被分压后的电压。并且，在第1实施方式中，由于恒流偏压生成部80利用由太阳能电池10供给的电力向N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的栅极G施加偏压VC，所以在充电控制系统例如配置在暗处等，而来自太阳能电池10的电力的供给消失的情况下，就会停止从恒流偏压生成部80向N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的栅极G的电压施加。并且， 若来自恒流偏压生成部80的电压的施加被停止，则N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62截止，所以电流不会流入第2传送路径40以及第3传送路径60。作为第3电阻元件的电阻元件90的一端与第1传送路径30的高电位30H连接。
N型MOS晶体管100的结构如下，作为其一端的漏极D与电阻元件90的另一端连接，作为其另一端的源极S与第1传送路径30的低电位30L侧连接，比较器70的输出施加到栅极G。并且，为了方便起见，将电阻元件90和N型MOS晶体管100的连接点称为“连接点 110”。P型MOS晶体管120在一定条件下，担当切断第1传送路径30的导电路径从而停止由太阳能电池10向二次电池20的电力供给的开关元件的作用。P型MOS晶体管120与比电阻元件90和第1传送路径30的连接位置更靠向太阳能电池10 —侧且比第3传送路径60和第1传送路径30的连接位置更靠向二次电池20 —侧的第1传送路径30的高电位 30H侧串联连接。换句话说，电阻元件90与第1传送路径30的高电位30H侧即比P型MOS 晶体管120更靠向二次电池20侧连接。P型MOS晶体管120的源极S与二次电池20侧连接，漏极D与太阳能电池10侧连接，栅极G与N型MOS晶体管100的漏极D和电阻元件90 的连接点110连接。P型MOS晶体管120根据比较器70的输出来导通或切断第1传送路径30。详细地说，P型MOS晶体管120在比较器70的输出为高电平的情况下，N型MOS晶体管100导通，连接点110与第1传送路径30的低电位30L侧的电位几乎相同，由此，栅极 G被施加低电平而导通。另一方面，在比较器70的输出为低电平的情况下，N型MOS晶体管 100截止，连接点110与二次电池20为同等电位，由此，栅极G被施加高电平而截止。即，P 型MOS晶体管120根据电阻元件90和N型MOS晶体管100之间的电位进行导通截止动作， 该电阻元件90和N型MOS晶体管100之间的电位根据N型MOS晶体管100的动作而变动。 在P型MOS晶体管120导通期间，进行由太阳能电池向二次电池20的电力的充电，在截止期间不进行该充电。图2表示用于第1实施方式的恒流偏压生成部80的具体的电路结构。用于第1实施方式的恒流偏压生成部80与第1传送路径连接，由第1电流镜电路 81和第2电流镜电路82和电阻Rl构成。第1电流镜电路81由P型MOS晶体管Pl和P型 MOS晶体管P2构成。第2电流镜电路82由N型MOS晶体管m和N型MOS晶体管N2构成。P型MOS晶体管Pl以及P型MOS晶体管P2分别与第1传送路径30的高电位30H 侧连接。详细地讲，源极S与第1传送路径30的高电位30H侧连接，两者的栅极G共同与 P型MOS晶体管Pl的漏极D连接。N型MOS晶体管附的漏极D与P型MOS晶体管Pl的漏极D连接，N型MOS晶体管 N2的漏极D与N型MOS晶体管的漏极D连接。并且，N型MOS晶体管N2的源极S与第1传送路径30的低电位30L侧连接，N型MOS晶体管附与N型MOS晶体管N2的栅极G共同连接。进一步，两者的栅极G共同连接N型MOS晶体管N2的漏极D。并且，N型MOS晶体管附以及N型MOS晶体管N2的栅极G与N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的栅极 G为电流镜连接。电阻Rl的一端与N型MOS晶体管附的源极S连接，另一端与第1传送路径30的低电位30L侧连接。由具有上述结构的恒流偏压生成部80输出的偏压VC被施加到N型MOS晶体管 42以及N型MOS晶体管62的栅极G。能够通过上述的P型MOS晶体管Pl、P型MOS晶体管 P2、N型MOS晶体管m和N型MOS晶体管N2的电特性以及电阻Rl，对施加到N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的偏压VC进行适宜地设定。
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图3是表示第1实施方式所涉及的充电控制系统的充电状态的时序图。根据图3 对第1实施方式所涉及的充电控制系统的动作进行说明。图3表示向比较器70输入的输入太阳能电池电压VSCin以及输入二次电池电压 VDDin随时间的变化，纵轴表示其大小V，横轴表示经过时间T。另外，分别以参照符号Yl (实线)以及Y2(虚线)表示电压VSCin以及电压VDDin。在图3所示的期间T1、T2、T3、T4以及Τ5中，时刻F、S、TH、F0分别表示期间T1-T2、 T2-T3、T3-T4、以及T4-T5的边界时刻，时刻FI表示期间T5的结束时刻。在期间Tl，日照量多，太阳能电池10进行一定的发电。因此，由恒流偏压生成部 80向N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的各栅极G施加恒定的电压，N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62分别导通，来自二次电池20的电流流向第2传送路径40， 来自太阳能电池10的电流流向第3传送路径60。并且，在期间Tl，在太阳能电池10的电压VSC和二次电池20的电压VDD之间成立“VSC > VDD”。该情况下，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin > VDDin”。所以，由比较器70输出高电平，由此，N型MOS晶体管100导通，连接点110的电位与低电位30L侧的电位相等，因此P型MOS晶体管120的栅极G被施加低电平，P型MOS晶体管120导通，太阳能电池10的电力经由第1传送路径30向二次电池20供给。在期间T2 T4，处于太阳光未照射到太阳能面板，或由于阴天等几乎未照射到的状态，由此，太阳能电池10的电压VSC随时间降低。若到了时刻F，到了期间T2，则在太阳能电池的电压VSC和二次电池20的电压VDD 之间成立“VSC > VDD”。该情况下，与期间Tl的情况相同，来自太阳能电池10的电流流向第2传送路径40，来自二次电池20的电流流向第3传送路径60。该情况下，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin > VDDin”。因此，与期间Tl 的情况相同，P型MOS晶体管120导通，太阳能电池10的电力经由第1传送路径30向二次电池20供给。另一方面，在时刻S，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin = VDDin”。并且，在时刻S以后的期间T3和T4，在输入太阳能电池电压 VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin < VDDin”。在期间T3，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立 "VSCin ( VDDin”。因此，到了时刻S，成“VSCin = VDDin”的时亥lj，由比较器70输出低电平，由此，N型MOS晶体管100截止，连接点110的电位与二次电池20的电位相等，所以，P 型MOS晶体管120的栅极G被施加恒定的电压，P型MOS晶体管120截止，由太阳能电池10 向二次电池20的电力的供给路径亦即第1传送路径30被切断。但是，在现有的充电控制电路中，在由太阳能电池10向二次电池20的电力的供给路径亦即第1传送路径30被切断的时刻S以后，二次电池20和第2传送路径40经由第1 传送路径30形成闭合电路，所以，存在二次电池20的电流流向第2传送路径40的问题。因此，在太阳光未照射到太阳能面板的期间，在时刻S以后，二次电池20的电力被白白地持续消耗，导致二次电池20的电力的损耗。对此，在第1实施方式所涉及的充电控制系统中，在第1传送路径30随着太阳能电池10的电力的降低而被切断后，在太阳能电池10的电力进一步降低而电压VSC成OV的
1时刻TH，以及在该时刻以后的期间T4，由与第1传送路径30连接，停止利用太阳能电池10 的电力而动作的恒流偏压生成部80向第2传送路径40的N型MOS晶体管42以及第3传送路径60的N型MOS晶体管62的各栅极G的电力供给。并且，若停止来自恒流偏压生成部80的电力供给，则N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62都截止，所以第2传送路径40被N型MOS晶体管42切断，第3传送路径60被N型MOS晶体管62切断。因此，二次电池20和第2传送路径40不再构成闭合电路，二次电池20的电力不会流向第2传送路径 40，所以能够抑制二次电池20的电力的消耗。并且，在时刻S以后，且在时刻TH以前的期间T3，与期间T2的情况相同，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin < VDDin”。此时，P型 MOS晶体管120断开，由太阳能电池10向二次电池20的电力的供给路径亦即第1传送路径 30被切断。该情况下，由于在期间T3太阳能电池10未变为0V，所以N型MOS晶体管42导通，二次电池20的电力流向第2传送路径40。但是，在时刻S至时刻TH的期间，即从太阳光不再照射太阳能面板之后至太阳能电池10的电压VSC变为OV的时间不足1秒，所以该期间的二次电池20的电力的损耗实际上为可忽略的程度。若到了时刻F0，太阳光再次照射到太阳能面板。因此，由恒流偏压生成部80向N 型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62的栅极G施加恒定的电压，N型MOS晶体管42以及N型MOS晶体管62分别导通，来自太阳能电池的电流流向第2传送路径40，来自二次电池20的电流流向第3传送路径60。并且，若经过期间T5到了时刻FI，则在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间再次成立“VSCin > VDDin”。因此，P型MOS 晶体管12再次导通，太阳能电池10的电力经由第1传送路径30向二次电池20供给。如以上说明，根据第1实施方式所涉及的充电控制系统，通过随着太阳能电池10 的电力的降低，切断与第1传送路径30和二次电池20 —起构成闭合电路50的第2传送路径40，所以，能够消除如下问题，S卩，在切断了第1传送路径30的情况下，二次电池20的电流持续流向由第1传送路径、二次电池和第2传送路径构成的闭合电路，因此，能够抑制二次电池20的电力的损耗。并且，如图1所示，比较器70的驱动电力，优选由太阳能电池10经由与第1传送路径30连接的第4传送路径130供给。这是因为，第1，作为比较器70的驱动电源若使用其他的电压源，则相应地会产生充电控制系统的面积、体积增加的问题，另外，第2，若由二次电池20供给驱动电源，则存在即便是在P型MOS晶体管120断开的情况下也会由二次电池20向比较器70供给驱动电力，从而导致二次电池20的电力损耗的问题。鉴于以上所述， 在第1实施方式中，由太阳能电池10供给比较器70的驱动电力，排除了上述2个问题的发生。另外，优选电阻元件41和电阻元件61以相同的电阻值形成，并且，N型MOS晶体管42和N型MOS晶体管62以相同的特性形成。这是因为，能够以相同的比例提供对经由第2传送路径40向比较器70供给的二次电池20的电压，和经由第3传送路径60向比较器70供给的太阳能电池10的电压被分压后的电压。另外，优选电阻元件41或电阻元件61为可变电阻。这是因为，如果至少一方为可变电阻，则即便在电阻元件41和电阻元件61形成为具有不同电阻的情况下，也能够调整一方电阻值，使电阻元件41和电阻元件61具有相同的电阻值。并且，即便在比较器70存在输入偏移电压的情况下，也能够调整一方电阻值变更分压比，来抵消比较器70的输入偏移电压。另外，P型MOS晶体管120不设置在第1传送路径30的低电位侧30L，而设置在高电位30H侧。这是由于，在将P型MOS晶体管120设置在第1传送路径30的低电位30L侧的情况下，相对P型MOS晶体管120的源极S为GND电位(OV)，由比较器70向P型MOS晶体管120的栅极G施加的电压不会低于0V，即，不会为负电位，所以存在P型MOS晶体管不导通的问题。并且，在第1实施方式中，经由电阻元件90以及N型MOS晶体管100对P型MOS 晶体管120的导通截止进行控制。这是因为，在采用简单地将比较器70的输出直接输入到 P型MOS晶体管120的栅极G的结构的情况下，不能够实现P型MOS晶体管120的正常的动作。作为其理由，在采用将比较器70的输出直接输入到P型MOS晶体管120的栅极G的结构的情况下，且在采用由太阳能电池10经由与第1传送路径30并联连接的第4传送路径130供给比较器70的驱动电力的结构的情况下，由比较器70向P型MOS晶体管120的栅极G供给的电压成为太阳能电池10的电压，且向P型MOS晶体管120的源极S供给的电压成为二次电池20的电压。由此，即便太阳能电池为0V，栅极G的电位与漏极D的电位依然不是同电位，因此，P型MOS晶体管120不会截止。图4表示第1实施方式所涉及的充电控制系统的变形例。在本变形例中，在图4 中与图1所示的充电控制系统具有相同结构的部分赋予相同的编号，并省略其说明。图4所示的充电控制系统与图1所示的充电控制系统以下两点不同第1，代替与第2传送路径40连接的电阻元件41，设置作为第IMOS晶体管的P型MOS晶体管43，第2， 代替与第3传送路径60连接的电阻元件61，设置作为第2M0S晶体管的P型MOS晶体管63。P型MOS晶体管43在第2传送路径40中与N型MOS晶体管42串联连接。详细地说，P型MOS晶体管43的源极S与第1传送路径30的高电位30H侧连接，P型MOS晶体管43的栅极G和漏极D共同与N型MOS晶体管42的漏极D连接，P型MOS晶体管43的栅极G与N型MOS晶体管42的漏极D形成为同电位。通过使用P型MOS晶体管43，与使用电阻元件41的情况相比，能够用更小的恒流对二次电池20进行更大的分压。在第2传送路径40中，想用更小的恒流对二次电池20进行分压，则在使用电阻元件41的情况下需要高电阻，所以需要比较大的电路面积，但是，如本变形例所示，如果不使用电阻元件41，只用 MOS晶体管构成恒流源电路，则可以通过调整MOS晶体管之间的物理尺寸，而得到更小的恒流，用该小的恒流，对二次电池20进行分压。P型MOS晶体管63在第3传送路径60中，与N型MOS晶体管62串联连接。详细地说，P型MOS晶体管63的源极S与第1传送路径30的高电位30H侧连接，P型MOS晶体管43的栅极G和漏极D与N型MOS晶体管62的漏极D共同连接，P型MOS晶体管43的栅极G和N型MOS晶体管62的漏极D形成为同电位。并且，在第3传送路径60中，在代替电阻元件61而使用P型MOS晶体管63的情况下的优点与在第2传送路径40中代替电阻元件41而使用P型MOS晶体管43的情况相同。图5是表示第1实施方式所涉及的充电控制系统的其他的变形例的图。并且，在本变形例中，在图5中与图1或图4所示的充电控制系统具有相同结构的部分赋予相同的编号，并省略其说明。
本变形例所涉及的充电控制系统由太阳能电池10、二次电池20以及半导体芯片 140构成。半导体芯片140形成为至少具有第1传送路径30、第2传送路径40、第3传送路径60，比较器70、恒流偏压生成部80以及P型MOS晶体管120。详细地说，半导体芯片140 具有与太阳能电池10电连接的作为第1电极的电极150a以及电极150b ；与二次电池20 电连接的作为第2电极的电极150c以及150d ；与电极150a、电极150b、电极150c以及电极150d电连接，并将由太阳能电池10输出的电力传送到二次电池20的第1传送路径30 ； 与第1传送路径30连接，并与第1传送路径30和二次电池20 —起构成闭合电路50的第2 传送路径40 ；对基于上述太阳能电池10的输出的电压和基于与第2传送路径40连接且经由第2传送路径40传送的二次电池20的输出的电压进行比较的比较器70，第1传送路径 30具有P型MOS晶体管120，在比较器70中，在判定为由太阳能电池10输出的电压为由二次电池20输出的电压以下的情况下，该P型MOS晶体管120切断第1传送路径30，第2传送路径40具有N型MOS晶体管42，在切断第1传送路径30后，随着太阳能电池10的电力的降低，该N型MOS晶体管42切断第2传送路径40。电极150a与太阳能电池10的正电极侧电连接，同时与形成于半导体芯片140内的第1传送路径30的高电位30H侧电连接。电极150b与太阳能电池10的负电极侧电连接，同时与形成于半导体芯片140内的第1传送路径30的低电位30L侧电连接。电极150c 与二次电池20的正电极侧电连接，同时与形成于半导体芯片140内的第1传送路径30的高电位30H侧电连接。电极150d与二次电池20的负电极电连接，同时与形成于半导体芯片 140内的第1传送路径30的低电位30L侧电连接。由上述可知，半导体芯片140和太阳能电池10经由电极150a与电极150b电连接，半导体芯片140和二次电池20经由电极150c 以及电极150d电连接。另外，图5表示了第2传送路径40中采用电阻元件41，第3传送路径60中采用电阻元件61的情况，但是，也可以如图4所示，在该第2传送路径40中，代替电阻元件41，采用P型MOS晶体管43，并且，也可以如图4所示，在第3传送路径60中，代替电阻元件61， 采用P型MOS晶体管63。(第2实施方式)图6是表示本发明所涉及的充电控制系统的第2实施方式的图。在第2实施方式中，在图6中与图1所示的充电控制系统具有相同结构的部分赋予相同的编号，并省略其说明。第2实施方式所涉及的充电控制系统，其特征在于，具有太阳能电池10 ；第1传送路径30，该第1传送路径30与太阳能电池10连接，且传送由太阳能电池10输出的电力； 二次电池20，该二次电池20与第1传送路径30连接，且接收由太阳能电池10输出的电力供给；第2传送路径40，该第2传送路径40与第1传送路径30连接，且与第1传送路径30 和二次电池20 —起构成闭合电路50 ；比较器70，该比较器70作为比较部，对基于上述太阳能电池10的输出的电压和基于与第2传送路径40连接且经由第2传送路径40传送的二次电池20的输出的电压进行比较，第1传送路径30具有作为第1切断部的N型MOS晶体管120a，该N型MOS晶体管120a在比较器70中判定为由太阳能电池10输出的电压为由二次电池20输出的电压以下的情况下，切断第1传送路径30，第2传送路径40具有作为第2切断部的P型MOS晶体管42a，该P型MOS晶体管4 在第1传送路径30被切断后，随着太阳能电池10的电力的降低，切断第2传送路径40。下面，对第2实施方式所涉及的充电控制系统进行详细地说明。第2传送路径40构成为具有作为第1电阻元件的电阻元件41a和作为第2切断部的P型MOS晶体管42a，且在第1传送路径30上与二次电池20并联连接。电阻元件41a 的一端与第1传送路径30的低电位30L侧连接，P型MOS晶体管4 与电阻元件41a串联连接，详细地说，漏极D与电阻元件41a的另一端连接、源极S与第1传送路径30的高电位 30H侧连接。由此，第2传送路径40与二次电池20并联连接，并且，与第1传送路径30和二次电池20 —起构成闭合电路50。另外，在第2传送路径40中，P型MOS晶体管4 利用由恒流偏压生成部80供给的偏压VC，作为恒流源电路而动作，且成为通过电阻元件41a和 P型MOS晶体管4 对二次电池20的电压进行分压的结构。第3传送路径60构成为具有作为第2电阻元件的电阻元件61a和作为第3切断部的P型MOS晶体管62a，且在第1传送路径30的与第2传送路径40相比靠近太阳能电池 10侧，与太阳能电池10并联连接。电阻元件61a的一端与第1传送路径30的低电位30L 侧连接，P型MOS晶体管6 与电阻元件61a串联连接，详细地说，漏极D与电阻元件61a的另一端连接，源极S与第1传送路径30的高电位30H侧连接。由此，第3传送路径60与太阳能电池10并联连接，并且，与第1传送路径30和二次电池10 —起构成闭合电路。另外， 第3传送路径60中，P型MOS晶体管6 利用由恒流偏压生成部80供给的偏压VC，作为恒流源而动作，且成为通过电阻元件61a和P型MOS晶体管6 对太阳能电池10的电压进行分压的结构。比较器70的非反转输入端⑴与构成第2传送路径40的电阻元件41a和P型MOS 晶体管4 的共同连接点连接，反转输入端(-)与构成第3传送路径60的电阻元件61a和 P型MOS晶体管6 的共同连接点连接。由此，利用电阻元件41a和P型MOS晶体管4 分压后的二次电池20的电压输入到比较器70的非反转输入端(+)。并且，利用电阻元件61a 和N型MOS晶体管6 分压后的太阳能电池10的电压输入到比较器70的反转输入端(_)。此处，为了便于说明，与第1实施方式相同，将太阳能电池10的电压定义为VSC，将通过电阻元件61a和P型MOS晶体管6 分压后的太阳能电池10的电压定义为输入太阳能电池电压VSCin，将通过电阻元件41a和P型MOS晶体管4 分压后的二次电池20的电压定义为输入二次电池电压VDDin。比较器70对输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin进行比较，在 "VSCin > VDDin"的情况下输出低电平，在“VSCin ( DDin"的情况下输出高电平。在第2实施方式中，恒流偏压生成部80将偏压VC施加到P型MOS晶体管42a的栅极G。并且，由恒流偏压生成部80生成的偏压VC还施加到P型MOS晶体管62a的栅极 G，即P型MOS晶体管4 和P型MOS晶体管6 为电流镜连接。使用该结构的理由与第1 实施方式所述的一样。并且，在第1实施方式中，由于恒流偏压生成部80利用由太阳能电池10供给的电力向P型MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管62a的栅极G施加偏压VC，所以在充电控制系统例如被配置在暗处等而来自太阳能电池10的电力供给消失的情况下，停止由恒流偏压生成部80向P型MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管6 的栅极G施加偏压VC。并且，若来自恒流偏压生成部80的电压的施加停止，则P型MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管 62a截止，所以第2传送路径40被P型MOS晶体管4 切断，电流不会流向第2传送路径 40，并且，第3传送路径60被P型MOS晶体管6 切断，电流不会流向第3传送路径。作为第3电阻元件的电阻元件90a的一端与第1传送路径30的低电位30L连接。P型MOS晶体管IOOa构成为，作为一端的漏极D与电阻元件90a的另一端连接， 作为另一端的源极S与第1传送路径30的高电位30H侧连接，比较器70的输出施加到栅极G。另外，为了方便起见，将电阻元件90a和P型MOS晶体管IOOa的连接点称为“连接点 110a”。N型MOS晶体管120a在一定条件下，担当切断第1传送路径30的导电路径从而停止由太阳能电池10向二次电池20的电力供给的开关元件的作用。N型MOS晶体管120a与比电阻元件90a和第1传送路径30的连接位置靠向太阳能电池10侧的、且比第3传送路径60和第1传送路径30的连接位置靠向二次电池20侧的第1传送路径30的低电位30L 侧串联连接。换句话说，电阻元件90a连接于在第1传送路径30的低电位30L侧比N型 MOS晶体管120a靠向二次电池20 —侧。N型MOS晶体管120a的源极S与二次电池20侧连接，漏极D与太阳能电池10侧连接，栅极G与P型MOS晶体管IOOa的漏极D和电阻元件 90a的连接点IlOa连接。N型MOS晶体管120a根据比较器70的输出使第1传送路径30 导通或切断。详细地说，N型MOS晶体管120a在来自比较器70的输出为高电平的情况下， P型MOS晶体管IOOa截止，连接点IlOa与第1传送路径30的低电位30L侧的电位几乎相同，由此，栅极G被施加低电平而断开。另一方面，在比较器70的输出为低电平的情况下， P型MOS晶体管IOOa导通，连接点IlOa与二次电池20为同等电位，由此，栅极G被施加高电平而导通。即，N型MOS晶体管120a根据电阻元件90a和P型MOS晶体管IOOa之间的电位进行导通截止动作，该电阻元件90a和P型MOS晶体管IOOa之间的电位根据P型MOS 晶体管IOOa的动作而变动。在N型MOS晶体管120a的导通期间，进行由太阳能电池10向二次电池20的电力的充电，在断开期间不进行该充电。并且，在第2实施方式中，作为第1切断部代替第1实施方式的P型MOS晶体管 120而设置N型MOS晶体管120a。但从减小作为第1切断部而使用的MOS晶体管的元件尺寸这一观点考虑，优选使用N型MOS晶体管。图7表示用于第2实施方式的恒流偏压生成部80的具体的电路结构。用于第2实施方式的恒流偏压生成部80连接于第1传送路径30的高电位30H侧和低电位30L侧之间，且由第1电流镜电路81a、第2电流镜电路8 和电阻Rla构成。第 1电流镜电路81a由P型MOS晶体管P Ia和P型MOS晶体管Ph构成。第2电流镜电路 82a由N型MOS晶体管Nla和N型MOS晶体管N2a构成。电阻Rla的一端与第1传送路径30的高电位30H侧连接。P型MOS晶体管Pla的源极S与第1传送路径30的高电位30H侧连接。并且，P 型MOS晶体管P2a的源极S与电阻Rla的另一端连接，P型MOS晶体管Pla及P型MOS晶体管Ph的各栅极G彼此共同连接。进一步，两者的栅极G与P型MOS晶体管Pl的漏极D 共同连接。并且，P型MOS晶体管Pl和P型MOS晶体管P2与P型MOS晶体管42a以及P型 MOS晶体管62a的各栅极G为电流镜连接。N型MOS晶体管ma的漏极D与P型MOS晶体管Pla的漏极D连接，N型MOS晶体管N2a的漏极D与P型MOS晶体管Ph的漏极D连接。并且，N型MOS晶体管Nla以及N型 MOS晶体管Nh的各源极S与第1传送路径30的低电位30L侧连接。进一步，两晶体管的各栅极G与N型MOS晶体管N2a的漏极D共同连接。此处，再次返回到图6的说明。构成为由具有上述结构的恒流偏压生成部80输出的偏压VC被施加到P型MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管6 的栅极G。被施加到P型 MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管62a的偏压VC的大小，能够根据上述的P型MOS晶体管Pla、P型MOS晶体管P2a、N型MOS晶体管Nla和N型MOS晶体管N2a的电特性以及电阻 Rl进行适宜地设定。下面，使用图3及图6，对第2实施方式所涉及的充电控制系统的动作进行说明。在期间Tl，日照量多，在太阳能电池10中进行一定的发电。因此，由恒流偏压生成部80向P型MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管62a的各栅极G施加恒定的电压，P型 MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管6 分别导通，来自二次电池20的电流流向第2传送路径40，来自太阳能电池10的电流流向第3传送路径60。并且，在期间Tl，在太阳能电池 10的电压VSC和二次电池20的电压VDD之间成立“VSC > VDD”。该情况下，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin > VDDin”。所以，由比较器 70输出低电平，由此，P型MOS晶体管IOOa导通，连接点IlOa的电位与第1传送路径的高电位侧30H侧的电位相同，因此N型MOS晶体管120a的栅极G被施加高电平，N型MOS晶体管120a导通，太阳能电池10的电力经由第1传送路径30向二次电池20供给。在期间T2 T4，处于太阳光未照射到太阳能面板，或由于阴天等几乎未照射到的状态，由此，太阳能电池10的电压VSC随时间降低。若到了时刻F，则到了期间T2，则在太阳能电池10的电压VSC和二次电池20的电压VDD之间成立“VSC > VDD”。该情况下，与期间Tl的情况相同，来自太阳能电池10的电流流向第2传送路径40，来自二次电池20的电流流向第3传送路径60。该情况下，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin > VDDin”。因此，与期间Tl的情况相同，N型MOS晶体管120a导通，太阳能电池10的电力经由第1传送路径30 向二次电池20供给。 另一方面，在时刻S，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin = VDDin”。并且，在时刻S以后的期间T3和T4，在输入太阳能电池电压 VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin < VDDin”。在期间T3，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立 "VSCin ( VDDin”。因此，到了时刻S，即成为"VSCin = VDDin”的时刻上，由比较器70输出高电平，由此，P型MOS晶体管IOOa断开，连接点IlOa的电位与第1传送路径30的低电位30L侧的电位相同，所以，N型MOS晶体管120a的栅极G被施加第1传送路径30的低电位30L侧的电压，从而N型MOS晶体管120a截止，由太阳能电池10向二次电池20的电力的供给路径亦即第1传送路径30被切断。但是，在现有的充电控制电路中，在由太阳能电池10向二次电池20的电力的供给路径亦即第1传送路径30被切断的时刻S以后，二次电池20和第2传送路径40经由第1 传送路径30构成闭合电路，所以，存在二次电池20的电流流出到第2传送路径40的问题。 因此，在太阳光未照射到太阳能面板的期间，即在时刻S后，二次电池20的电力被白白地持续消耗，导致二次电池20的电力的损耗。对此，在第2实施方式所涉及的充电控制系统中，在第1传送路径30随着太阳能电池10的电力的降低而被切断后，太阳能电池10的电力进一步降低，而电压VSC为OV的时刻TH以及该时刻以后的期间T4，由与第1传送路径30连接且利用太阳能电池10的电力而动作的恒流偏压生成部80向第2传送路径40的P型MOS晶体管42a以及第3传送路径 60的P型MOS晶体管6 的各栅极G的电力供给停止。并且，若来自恒流偏压生成部80的电力的供给停止，则P型MOS晶体管42a以及N型MOS晶体管6 都断开。由此，第2传送路径40被P型MOS晶体管4 切断，第3传送路径60被P型MOS晶体管6 切断。因此， 二次电池20和第2传送路径40不再构成闭合电路，二次电池20的电力不会流向第2传送路径40，所以能够抑制二次电池20的电力的消耗。并且，在时刻S以后且在时刻TH以前的期间T3，与期间T2的情况相同，在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin < VDDin”。此时，N型 MOS晶体管120a截止，由太阳能电池10向二次电池20的电力的供给路径亦即第1传送路径30被切断。该情况下，在期间T3，由于太阳能电池10未变为0V，所以P型MOS晶体管 42a导通，二次电池20的电力流向第2传送路径40。但是，从时刻S至时刻TH的期间，即从太阳光不再照射太阳能面板至太阳能电池10的电压VSC变为OV的时间不足1秒，所以该期间的二次电池20的电力的损耗实际上为可忽略的程度。到时刻F0，太阳光再次照射太阳板。因此，由恒流偏压生成部80向P型MOS晶体管42a以及P型MOS晶体管62a的各栅极G施加恒定的电压，P型MOS晶体管42a以及P 型MOS晶体管6 分别导通，来自太阳能电池10的电流流向第2传送路径40，来自二次电池20的电流流向第3传送路径60。并且，经过期间T5到了时刻FI后，再次在输入太阳能电池电压VSCin和输入二次电池电压VDDin之间成立“VSCin > VDDin”。因此，N型MOS晶体管120a再次导通，太阳能电池10的电力经由第1传送路径30向二次电池20供给。如以上说明，根据第2实施方式所涉及的充电控制系统，在由太阳能电池10向二次电池20供给电力的第1传送路径30被切断的情况下，通过随着太阳能电池10的电力的降低，切断与第1传送路径30和二次电池20 —起构成闭合电路50的第2传送路径40来解决如下问题，即，在切断第1传送路径30的情况下，二次电池20的电流持续流向由第1 传送路径、二次电池和第2传送路径构成的闭合电路，因此，能够抑制二次电池20的电力的损耗。并且，如图6所示，优选由太阳能电池10经由与第1传送路径30连接的第4传送路径130a供给比较器70的驱动电力。优选该结构的理由与第1实施方式所述相同。并且，优选电阻元件41a以及电阻元件61a以相同的电阻值形成，并且，P型MOS晶体管4 和P型MOS晶体管62a以相同的特性形成。这是因为，能够以相同的比例提供对经由第2传送路径40向比较器70供给的二次电池20的电压、和经由第3传送路径60向比较器70供给的太阳能电池10的电压被分压后的电压。另外，优选电阻元件41a或电阻元件61a为可变电阻。这是因为，由于至少一方为可变电阻，即便在电阻元件41a和电阻元件61a形成为具有不同电阻的情况下，通过调整一方电阻值，可以使电阻元件41a和电阻元件61a具有相同的电阻值。并且，即便在比较器70 存在输入偏移电压的情况下，也能够调整一方电阻值变更分压比，而抵消比较器70的输入
17偏移电压。另外，N型MOS晶体管120a不设置在第1传送路径30的高电位30H侧，而设置在低电位30L侧。这是因为，如上述，在由太阳能电池10供给比较器70的驱动电力的情况下， 将N型MOS晶体管120a设置在第1传送路径30的高电位30H侧时，相对于N型MOS晶体管120a的漏极D与太阳能电池10为同电位，被施加到N型MOS晶体管120a的栅极G的电压也成为太阳能电池10的电压，所以，不能够进行正常的导通截止动作。并且，在第2实施方式中，经由电阻元件90a以及P型MOS晶体管IOOa对N型MOS 晶体管120a的导通截止进行控制。这是因为，在采用单纯地将比较器70的输出直接输入到N型MOS晶体管120a的栅极G的结构的情况下，不能够实现N型MOS晶体管120a的正常的断开动作。作为其理由，在采用将比较器70的输出直接输入到N型MOS晶体管120a 的栅极G的结构的情况下，采用由太阳能电池10经由与第1传送路径30并联连接的第4 传送路径130a供给的结构时，由比较器70向N型MOS晶体管120a的栅极G供给的电压成为太阳能电池10的电压，且向N型MOS晶体管120a的源极S供给的电压将太阳能电池10 的电压作为基准OV而成为负电位，所以，即便太阳能电池10为0V，栅极G的电位也依然会超过源极S的电位，N型MOS晶体管120a不能够断开，发生从二次电池20向太阳能电池10 的电流的逆流，导致二次电池的电力的损耗。图8表示第2实施方式所涉及的充电控制系统的变形例。在本变形例中，在图8 中与图6所示的充电控制系统具有相同结构的部分赋予相同的编号，并省略其说明。图8所示的充电控制系统与图6所示的充电控制系统在以下两点不同第1，代替与第2传送路径40连接的电阻元件41a，设置作为第IMOS晶体管的N型MOS晶体管43a， 第2，代替与第3传送路径60连接的电阻元件61a，设置作为第2M0S晶体管的N型MOS晶体管63a。N型MOS晶体管43a在第2传送路径40中与P型MOS晶体管42a串联连接。详细地说，N型MOS晶体管43a的漏极D和栅极G与P型MOS晶体管42a的漏极D共同连接，N 型MOS晶体管43a的栅极G与P型MOS晶体管42a的漏极D形成为同电位。通过使用N型 MOS晶体管43a，与使用电阻元件41a的情况相比，能够用更小的恒流对二次电池20进行更大的分压。并且，代替电阻元件41a而使用N型MOS晶体管43a的优点与第1实施方式中的代替电阻元件41而使用P型MOS晶体管43的优点相同。N型MOS晶体管63a在第3传送路径60中与P型MOS晶体管62a串联连接。详细地说，N型MOS晶体管63a的漏极D和栅极G与P型MOS晶体管62a的漏极D共同连接， N型MOS晶体管63a的栅极G与P型MOS晶体管62a的漏极D形成为同电位。并且，在第3 传送路径60中，代替电阻元件61a而使用N型MOS晶体管63a的优点与在第2传送路径40 中代替电阻元件41a而使用N型MOS晶体管43a的情况相同。图9是表示第2实施方式所涉及的充电控制系统的其他的变形例的图。在本变形例中，在图9中与图6或图8所示的充电控制系统具有相同结构的地方赋予相同的编号，并省略其说明。本变形例所涉及的充电控制系统由太阳能电池10、二次电池20以及半导体芯片 140a构成。半导体芯片140a形成为至少具有第1传送路径30、第2传送路径40、第3传送路径60，比较器70、恒流偏压生成部80以及N型MOS晶体管120a。详细地说，半导体芯片 140a具有与太阳能电池10电连接且作为第1电极的电极150aa以及电极150ab ；与二次电池20电连接且作为第2电极的电极150ac以及150ad ；与电极150aa、电极150ab、电极 150ac以及电极150ad电连接，并将由太阳能电池10输出的电力传送到二次电池20的第1 传送路径；与第1传送路径30连接，并与第1传送路径30和二次电池20 —起构成闭合电路50的第2传送路径40 ；对基于太阳能电池10的输出的电压和基于与第2传送路径40连接且经由第2传送路径40传送的二次电池20的输出的电压进行比较的比较器70，第1传送路径30具有N型MOS晶体管120a，在比较器70中判定为由太阳能电池10输出的电压为由二次电池20输出的电压以下的情况下，该N型MOS晶体管120a切断第1传送路径30，第 2传送路径40具有N型MOS晶体管42a，该N型MOS晶体管4 在第1传送路径30被切断后，随着太阳能电池10的电力的降低，切断第2传送路径40。电极150aa与太阳能电池10的正电极侧电连接，且与形成于半导体芯片140a内的第1传送路径30的高电位30H侧电连接。电极150ab与太阳能电池10的负电极侧电连接，且与形成于半导体芯片140a内的第1传送路径30的低电位30L侧电连接。电极150ac 与二次电池20的正电极侧电连接，且与形成于半导体芯片140a内的第1传送路径30的高电位30H侧电连接。电极150ad与二次电池20的负电极侧电连接，且与形成于半导体芯片 140a内的第1传送路径30的低电位30L侧电连接。根据以上所述，半导体芯片140a与太阳能电池10经由电极150aa以及电极150ab电连接，半导体芯片140a以及二次电池20经由电极150ac以及电极150ad电连接。并且，图9表示了第2传送路径40中采用电阻元件41a，第3传送路径60中采用电阻元件61a的情况，但是如图8所示，也可以在该第2传送路径40中代替电阻元件41a 而采用N型MOS晶体管43a，并且，如图8所示，第3传送路径60中代替电阻元件61a而采用N型MOS晶体管63a。
权利要求
1.一种充电控制系统，其特征在于，具备 太阳能电池；第1传送路径，该第1传送路径与上述太阳能电池连接，并传送由上述太阳能电池输出的电力；二次电池，该二次电池与上述第1传送路径连接，并接收由上述太阳能电池输出的电力的供给；第2传送路径，该第2传送路径与上述第1传送路径连接，并与上述第1传送路径和上述二次电池一起构成闭合电路；以及比较部，该比较部对基于上述太阳能电池的输出的电压和基于与上述第2传送路径连接且经由上述第2传送路径传送的来自上述二次电池的输出的电压进行比较，上述第1传送路径具有第1切断部，该第1切断部在上述比较部判定为由上述太阳能电池输出的电压为由上述二次电池输出的电压以下的情况下，切断上述第1传送路径，上述第2传送路径具有第2切断部，该第2切断部在上述第1传送路径被切断后，随着上述太阳能电池的电力的降低，切断上述第2传送路径。
2.根据权利要求1所述的充电控制系统，其特征在于，上述第2切断部是接收来自用于生成恒流偏压的恒流偏压生成部的上述恒流偏压的供给而动作的第1恒流源，通过停止上述恒流偏压对上述第1恒流源的供给而进行上述第2传送路径的切断。
3.根据权利要求2所述的充电控制系统，其特征在于，上述第2传送路径具有与上述第1恒流源串联连接的第1电阻元件， 在上述比较部的比较中使用了利用上述第1电阻元件和上述第1恒流源分压后的上述二次电池的电压。
4.根据权利要求3所述的充电控制系统，其特征在于， 上述第1电阻元件为可变电阻。
5.根据权利要求2所述的充电控制系统，其特征在于，上述第2传送路径具有与上述第1恒流源串联连接的第IMOS晶体管， 在上述比较部的比较中使用了利用上述第IMOS晶体管和上述第1恒流源分压后的上述二次电池的电压。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的充电控制系统，其特征在于，具有第3传送路径，该第3传送路径与比上述第1切断部靠向上述太阳能电池侧的上述第1传送路径连接，且与上述第1传送路径和上述太阳能电池一起构成闭合电路，并与上述比较部连接，上述第3传送路径具有第3切断部，该第3切断部在上述第1传送路径被切断后，随着上述太阳能电池的电力的降低，切断上述第3传送路径。
7.根据权利要求6所述的充电控制系统，其特征在于，上述第3切断部是接收来自上述恒流偏压生成部的上述恒流偏压的供给而动作的第2 恒流源，上述第3传送路径的切断通过停止上述恒流偏压对上述第2恒流源的供给而进行。
8.根据权利要求7所述的充电控制系统，其特征在于，上述第3传送路径具有与上述第2恒流源串联连接的第2电阻元件， 在上述比较部的比较中使用了利用上述第2电子元件和上述第2恒流源分压后的上述太阳能电池的电压。
9.根据权利要求8所述的充电控制系统，其特征在于， 上述第2电阻元件为可变电阻。
10.根据权利要求7所述的充电控制系统，其特征在于，上述第3传送路径具有与上述第2恒流源串联连接的第2M0S晶体管， 在上述比较部的比较中使用了利用上述第2M0S晶体管和上述第2恒流源分压后的上述太阳能电池的电压。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的充电控制系统，其特征在于， 上述第1切断部由开关元件构成。
12.根据权利要求11所述的充电控制系统，其特征在于， 上述开关元件是MOS晶体管，上述比较部由比较器构成，上述开关元件根据上述比较器的输出进行上述切断。
13.根据权利要求12所述的充电控制系统，其特征在于，上述第1传送路径分为连接上述太阳能电池的正电极和上述二次电池的正电极的高电位侧及连接上述太阳能电池的负电极和上述二次电池的负电极的低电位侧， 上述开关元件是P型MOS晶体管， 上述开关元件与上述第1传送路径的高电位侧串联连接。
14.根据权利要求13所述的充电控制系统，其特征在于，具有第3电阻元件，该第3电阻元件的一端与上述第1传送路径的高电位侧且比上述开关元件靠向上述二次电池侧连接；N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管的一端与上述第3电阻元件的另一端连接，该N型 MOS晶体管的另一端与上述第1传送路径的低电位侧连接， 上述比较器的输出施加到上述N型MOS晶体管的栅极，上述开关元件根据上述第3电阻元件和上述N型MOS晶体管之间的电位进行导通截止动作，上述第3电阻元件和上述N型MOS晶体管之间的电位根据上述N型MOS晶体管的动作而变动。
15.根据权利要求12所述的充电控制系统，其特征在于，上述第1传送路径分为连接上述太阳能电池的正电极和上述二次电池的正电极的高电位侧及连接上述太阳能电池的负电极和上述二次电池的负电极的低电位侧， 上述开关元件是N型MOS晶体管， 上述开关元件与上述第1传送路径的低电位侧串联连接。
16.根据权利要求15所述的充电控制系统，其特征在于，具有第4电阻元件，该第4电阻元件的一端与上述第1传送路径的低电位侧且比上述开关元件靠向上述二次电池侧连接；P型MOS晶体管，该P型MOS晶体管的一端与上述第4电阻元件的另一端连接，该P型 MOS晶体管的另一端与上述第1传送路径的高电位侧连接，上述比较器的输出被施加在上述P型MOS晶体管的栅极，上述开关元件根据上述第4电阻元件和上述P型MOS晶体管之间的电位进行导通截止动作，上述第4电阻元件和上述P型MOS晶体管之间的电位根据上述P型MOS晶体管的动作而变动。
17.根据权利要求1至16中任意一项所述的充电控制系统，其特征在于， 上述比较部根据由上述太阳能电池供给的电力进行动作。
18.一种充电控制装置，其特征在于，具有 与太阳能电池电连接的第1电极；与二次电池电连接的第2电极；第1传送路径，该第1传送路径与上述第1电极以及第2电极电连接，且将由上述太阳能电池输出的电力传送到二次电池；第2传送路径，该第2传送路径与上述第1传送路径连接，且与上述第1传送路径和上述二次电池一起构成闭合电路；比较部，该比较部对基于上述太阳能电池的输出的电压和基于与上述第2传送路径连接且经由上述第2传送路径传送的来自上述二次电池的输出的电压进行比较，上述第1传送路径具有第1切断部，该第1切断部在上述比较部判定为由上述太阳能电池输出的电压为由上述二次电池输出的电压以下的情况下，切断上述第1传送路径，上述第2传送路径具有第2切断部，该第2切断部在上述第1传送路径被切断后，随着上述太阳能电池的电力的降低，切断上述第2传送路径。
19.根据权利要求18所述的充电控制装置，其特征在于，上述第2切断部是接收来自用于生成恒流偏压的恒流偏压生成部的上述恒流偏压的供给而动作的第1恒流源，通过停止上述恒流偏压对上述第1恒流源的供给而进行上述第2传送路径的切断。
全文摘要
本发明涉及充电控制系统以及充电控制装置。其具有太阳能电池(10)；接收由太阳能电池(10)输出的电力的二次电池(20)；与二次电池(20)一起构成闭合电路的第2传送路径(40)；对基于太阳能电池(10)的输出电压和基于与第2传送路径(40)连接且经由第2传送路径(40)传送的二次电池(20)的输出电压进行比较的比较器(70)，第1传送路径(30)具有P型MOS晶体管(120)，该P型MOS晶体管(120)在判定为太阳能电池(10)的电压为二次电池(20)的电压以下的情况下，切断第1传送路径(30)，第2传送路径(40)具有N型MOS晶体管(42)，其在第1传送路径(30)被切断后，随着太阳能电池(10)的电力的降低而切断第2传送路径(40)。
文档编号H02J7/00GK102447282SQ20111029039
公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月21日 优先权日2010年10月12日
发明者宇都野纪久生 申请人:Oki半导体株式会社