双重模式升压调节器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种集成电路升压调节器设计，所述集成电路升压调节器设计使用同一集成电路装置提供低功率芯片上功率组件升压调节器电路或高功率芯片外功率组件升压调节器电路的选择。
【专利说明】双重模式升压调节器
【技术领域】
[0001]本发明涉及具有升压调节器电路的集成电路装置，且更特定来说涉及一种具有芯片上低功率组件或芯片外高功率组件的选择的集成电路升压调节器。
【背景技术】
[0002]依靠单个电池进行操作的电子装置将具有较小形状因子。然而，为了使电子装置依靠单个电池的原生电压(例如，大约0.9伏到1.8伏)操作，电子装置电路所使用的电压必须增加到大约3.3伏。升压调节器用于将电池电压提高到电子装置中的电路所需要的较高电压。包含功率切换晶体管的完整升压调节器可制作于集成电路(IC)芯片中但限于通常65毫瓦或65毫瓦以下的低功率应用。当需要较高功率时，使用在IC芯片外部的功率晶体管的混合型升压调节器可用于需要较大功率的应用。然而，具有外部功率晶体管的混合型升压调节器花费更大、更复杂且需要印刷电路板上的更多空间，包含散热。迄今为止，具有整体升压调节器控制电路的经不同设计的集成电路用于低功率应用或高功率应用而非低功率应用及高功率应用两者。这需要两种不同集成设计及至少两种极不相同且不可互换类型的集成电路部件。
【发明内容】
[0003]因此，需要一种使用同一集成电路设计及装置提供可用于低功率芯片上功率组件升压调节器电路或高功率芯片外功率组件升压调节器电路的电压调节器拓扑的选择且具有用于低功率应用或高功率应用的电路拓扑的选择的升压调节器集成电路设计。
[0004]根据一实施例，一种在集成电路装置(102)中的双重模式升压调节器可包括:电源端子(134);电源共用端子(142);电感器端子(136);外部晶体管栅极控制端子(138)；电压输出端子(140);升压调节器模式选择端子(126);电压感测端子(141);晶体管切换控制电路(108)，其具有耦合到所述升压调节器模式选择端子(126)的模式选择输入；第一功率晶体管(124)，其耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间，且由所述晶体管切换控制电路(108)控制；电压反馈电路(106)，其耦合于所述电压输出端子(140)与所述晶体管切换控制电路(108)之间，且具有耦合到至少一个电压参考的至少一个输入；启动电路(110);振荡器(112)，其耦合到所述启动电路(110)及所述晶体管切换控制电路(108);第二功率晶体管(116)，其耦合于所述电感器端子(136)与所述电源共用端子(142)之间，且由所述晶体管切换控制电路(108)控制；第一电压测量装置(114)，其具有耦合到所述晶体管切换控制电路(108)的输出；第二电压测量装置(115)，其具有耦合到所述电感器端子(136)的第一差分输入及耦合到所述电压感测端子(141)的第二差分输入；及模式选择开关(I 18)，其具有耦合到所述第一电压测量装置(114)的输入的共用点、耦合到所述电感器端子(136)的第一输入及耦合到所述第二电压测量装置(115)的输出的第二输入；其中当经由所述升压调节器模式选择端子(126)选择低功率升压调节器模式时，所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)为作用的且由所述晶体管切换控制电路(108)控制，且所述电压测量装置(114)的所述输入经由所述模式选择开关(118)耦合到所述电感器端子(136);且当经由所述升压调节器模式选择端子(126)选择高功率升压调节器模式时，所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)为非作用的，且所述第一电压测量装置(114)的所述输入经由所述模式选择开关(118)耦合到所述第二电压测量装置(115)的所述输出。
[0005]根据又一实施例，当在所述低功率升压调节器模式中时，电感器(120)耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间；电源(122)耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间；且滤波电容器(104)耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间。
[0006]根据又一实施例，当在所述高功率升压调节器模式中时，电感器(120)耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间；电源(122)耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间；滤波电容器(104)耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间；肖特基功率二极管耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间；第三功率晶体管(230)具有耦合到所述电源共用端子(142)的源极、耦合到所述外部晶体管栅极控制端子(138)的栅极及耦合到所述电压感测端子(141)的漏极；且电流感测电阻器(228)耦合于所述电压感测端子(141)与所述电感器端子(136)之间。
[0007]根据又一实施例，所述晶体管切换控制电路(108)产生脉冲宽度调制或频率调制控制信号。根据又一实施例，所述振荡器(112)使用电阻-电容电路来确定其振荡器频率。根据又一实施例，所述第一功率晶体管(124)为P通道金属氧化物半导体场效应晶体管。根据又一实施例，所述第二功率晶体管(116)为N通道金属氧化物半导体场效应晶体管。
[0008]根据又一实施例，所述第三功率晶体管(230)为N通道金属氧化物半导体场效应晶体管。根据又一实施例，所述电源(122)为电池。根据又一实施例，所述电池具有从大约
0.9伏到大约1.8伏的电压。
[0009]根据又一实施例，所述第一电压测量装置(114)为差分输入运算放大器。根据又一实施例，所述第二电压测量装置(115)为差分输入运算放大器。根据又一实施例，其中所述集成电路装置(102)为包括模拟与数字电路及数字存储器的微控制器。根据又一实施例，所述升压调节器模式的选择存储于非易失性存储器中。根据又一实施例，所述非易失性存储器选自由熔丝位及电可编程非易失性存储器位组成的群组。
[0010]根据另一实施例，一种在集成电路装置(102)中提供双重模式升压调节器的方法，所述方法包括以下步骤:提供电源端子(134);提供电源共用端子(142);提供电感器端子(136);提供电压输出端子(140);提供升压调节器模式选择端子(126);提供电压感测端子(141);提供具有耦合到所述升压调节器模式选择端子(126)的模式选择输入的晶体管切换控制电路(108);提供耦合到所述晶体管切换控制电路(108)的外部晶体管栅极控制端子(138);提供耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间且由所述晶体管切换控制电路(108)控制的第一功率晶体管(124);提供耦合于所述电压输出端子(140)与所述晶体管切换控制电路(108)之间且具有耦合到至少一个电压参考的至少一个输入的电压反馈电路(106);提供启动电路(110);提供耦合到所述启动电路(110)及所述晶体管切换控制电路(108)的振荡器(112);提供耦合于所述电感器端子(136)与所述电源共用端子(142)之间且由所述晶体管切换控制电路(108)控制的第二功率晶体管(116);提供具有耦合到所述晶体管切换控制电路(108)的输出的第一电压测量装置(114);提供具有耦合到所述电感器端子(136)的第一差分输入及耦合到所述电压感测端子(141)的第二差分输入的第二电压测量装置(115);及提供具有耦合到所述第一电压测量装置(114)的输入的共用点、耦合到所述电感器端子(136)的第一输入及耦合到所述第二电压测量装置(115)的输出的第二输入的模式选择开关(118);选择低功率升压调节器模式包括以下步骤:借助所述晶体管切换控制电路(108)控制所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)，经由所述模式选择开关(118)将所述第一电压测量装置(114)的所述输入耦合到所述电感器端子(136);且选择高功率升压调节器模式包括以下步骤:将所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)去激活；及经由所述模式选择开关(118)将所述第一电压测量装置(114)的所述输入耦合到所述第二电压测量装置(115)的所述输出。
[0011]根据所述方法的又一实施例，所述选择所述低功率升压调节器模式的步骤进一步包括以下步骤:将电感器(120)耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间；将电源(122)耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间；及将滤波电容器(104)耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间。
[0012]根据所述方法的又一实施例，所述选择所述高功率升压调节器模式的步骤进一步包括以下步骤:将电感器(120)耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间；将电源(122)耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间；将滤波电容器(104)耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间；将肖特基功率二极管耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间；将第三功率晶体管(230)的源极耦合到所述电源共用端子(142);将所述第三功率晶体管(230)的栅极耦合到所述外部晶体管栅极控制端子(138);将所述第三功率晶体管(230)的漏极耦合到所述电压感测端子(141);及将电流感测电阻器(228)耦合于所述电压感测端子(141)与所述电感器端子(136)之间。
[0013]根据所述方法的又一实施例，所述选择所述低或高功率升压调节器模式的步骤包括将所述功率升压调节器模式存储于非易失性存储器中的步骤。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]可通过结合随附图式一起参考以下描述来获得对本发明的更全面理解，其中:
[0015]图1是根据本发明的特定实例性实施例的包括可选择双重模式升压调节器拓扑且配置为低功率升压调节器的集成电路装置的示意性电路及框图；及
[0016]图2是根据本发明的另一特定实例性实施例的包括可选择双重模式升压调节器拓扑且配置为高功率升压调节器的集成电路装置的示意性电路及框图。
[0017]尽管易于对本发明作出各种修改及替代形式，但已在图式中展示并在本文中详细描述其特定实例性实施例。然而，应理解，本文对特定实例性实施例的描述并非打算将本发明限制于本文中所揭示的特定形式，而是相反，本发明将涵盖如由所附权利要求书界定的所有修改及等效形式。
【具体实施方式】
[0018]现在参考图式，示意性地图解说明特定实例性实施例的细节。图式中的相同元件将由相同编号表示，且类似元件将由具有不同小写字母后缀的相同编号表示。
[0019]参考图1，其描绘根据本发明的特定实例性实施例的包括可选择双重模式升压调节器拓扑且配置为低功率升压调节器的集成电路装置的示意性电路及框图。集成电路(IC)装置102中的升压调节器电路包括闭环电压反馈电路106、PWM/频率调制器108、启动电路110、电阻器-电容器(RC)振荡器112、运算放大器114及115、分流切换晶体管116、固态开关118及串联功率切换晶体管124。电感器120及滤波电容器104在IC装置102外部，但对低功率升压调节器的操作为必需的。IC装置102的升压调节器从电源122 (例如，电池、交流电(AC)到经整流直流电(DC)(未展示)等)接收电力(电压及电流)。IC装置102可为(举例来说但不限于)混合信号(模拟与数字电路)IC装置，例如，具有程序及数据存储存储器的微控制器。
[0020]图1中所展示的升压调节器为针对低功率应用使用在IC装置102内部的功率开关(晶体管116及124)的DC/DC切换调节器。来自电池122的低电压(例如，0.9伏到1.8伏)供应到IC装置102的电源端子134 (Vbat)及电源共用端子142。PWM/频率调制器108中的控制电路控制内部功率晶体管116 (NMOS-FET)及124 (PMOS-FET)的切换以使连接到滤波电容器104的Vdd端子140处的输出电压升压。此DC/DC切换调节器还具有确定功率晶体管116及124的切换频率的内置振荡器112(例如，电阻器-电容器(RC))。电压反馈电路106以及包括运算放大器114及开关118的电流反馈电路分别监视输出电压Vdd (端子140)及输入电流以控制输出电压VDD。还包含启动电路110以管理输出电压Vdd的初始斜升。开关118可为使用MOSFET及/或CMOS晶体管开关在包括IC装置102的集成电路裸片上制作的固态单刀双掷开关。通过经由模式选择端子126选择低功率模式还是高功率模式来确定开关118的选择位置，且此选择可在非易失性存储器(未展示)中，如下文中更全面地描述。
[0021]当DC/DC切换调节器启动时，端子140处的输出电压Vdd经由PMOS晶体管124缓慢增加。启动电路110限制穿过PMOS晶体管124的电流直到电压Vdd达到大约输入电压Vbat为止。接着，内置振荡器112接通且PWM/频率调制器108中的驱动器电路开始借助非重叠接通信号交替地接通及关断内部功率晶体管116及124，所述非重叠接通信号在切换期间于晶体管116及124中的每一者的接通状态与关断状态之间具有静带。在此启动时间期间，所述切换调节器以固定工作循环操作。
[0022]当输出电压Vdd达到充分高的充足电压时，带隙电压参考VBe及低压降(LDO)电路将接通。接着，PWM/频率调制器108的PWM部分变为作用的且将调整PWM信号的工作循环(接通及关断晶体管116及124)以供应产生及维持经调节输出电压Vdd必需的电流及电压。闭环模拟电压反馈电路106等可用作电压误差反馈电路，其与电压参考Vkef及/或带隙电压参考VBe结合以将误差电压提供到PWM/频率调制器108以便维持实质上恒定的经调节输出电压VDD。为了实施电流模式控制，通过在放大器114及开关118处于图1中所展示的连接位置中的情况下测量跨越处于“接通”饱和的内部NMOS晶体管116的漏极-源极的电压来确定穿过晶体管116的电流。接着使用此电流测量来调整切换调节器的工作循环。可通过模式选择端子126处的模式选择信号执行低功率/高功率模式选择，且选择的模式可存留于非易失性存储器(例如但不限于熔丝位、电可编程非易失性存储器位等)中。预期且在本发明的范围内，可同样成功地使用测量DC/DC切换调节器的操作电流的其它方法及方式，且集成电路及切换调节器设计领域的且受益于本发明的技术人员可容易地创建用于测量此电流的替代设计。
[0023]参考图2，其描绘根据本发明的另一特定实例性实施例的包括可选择双重模式升压调节器拓扑且配置为高功率升压调节器的集成电路装置的示意性电路及框图。集成电路(IC)装置102中的升压调节器电路包括闭环电压反馈电路106、PWM/频率调制器108、启动电路110、电阻器-电容器(RC)振荡器112、运算放大器114及115、分流功率切换晶体管116 (不用于高功率模式中)、固态开关118及串联功率切换晶体管124 (不用于高功率模式中)。电感器120、外部分流功率切换晶体管230、用于测量穿过电感器120的电流的电流感测电阻器228、功率肖特基二极管232及滤波电容器104在IC装置102外部，但对高功率升压调节器的操作是必需的。IC装置102的升压调节器从电源122 (例如，电池、交流电流(AC)到经整流直流电流(DC)(未展示)等)接收电力(电压及电流)。IC装置102可为(举例来说但不限于)混合信号(模拟与数字电路)IC装置，例如，具有程序及数据存储存储器的微处理器。
[0024]高功率升压调节器模式的操作实质上与低功率调节器模式相同，只不过通过检测穿过与NMOS外部分流功率切换晶体管230串联的极小电阻值电流感测电阻器228的电流(例如，测量跨越电阻器228的电压)来实施电流模式控制。可使用此电流测量来调整切换调节器的工作循环。PMOS晶体管124可由外部功率肖特基二极管232替换，这是因为将内部功率晶体管116及124用于较高功率应用将需要使所述内部功率晶体管为极大的。因此，使用外部NMOS功率切换晶体管230及外部功率肖特基二极管232减轻了在将内部功率切换晶体管用于高功率应用的情况下将产生的增加的成本及效率损失。
[0025]当经由模式选择端子126做出高功率模式选择时，选择外部NMOS功率切换晶体管230且取消选择内部切换晶体管116及124。感测端子141及电感器端子136将电流感测电阻器228耦合到差分放大器115的输入。差分放大器115检测表示穿过电流感测电阻器228的电流的电压，且开关118当处于所展示的位置时将差分放大器115的输出耦合到差分放大器114的正输入。放大器115经配置以便提供表示在电流感测电阻器228中流动的电流的输出。因此，电流模式控制可用于具有相同IC装置102的低功率应用及高功率应用两者。此外，当选择高功率模式时，适当调整控制环路电压反馈电路106的补偿网络以实现较高负载电流的电压反馈调节。
[0026]预期且在本发明的范围内，可同样成功地使用测量穿过电流感测电阻器228的操作电流的其它方法及方式，且集成电路及切换调节器设计领域的且受益于本发明的技术人员可容易地创建用于测量此电流的替代设计。
[0027]尽管已参考本发明的实例性实施例来描绘、描述及界定本发明的各实施例，但此些参考并不暗指对本发明的限制，且不应推断出存在此类限制。如相关领域的且受益于本发明的技术人员将会想到，所揭示的标的物能够在形式及功能上具有大量修改、变更及等效形式。本发明的所描绘及所描述实施例仅为实例，且并非是对本发明的范围的穷尽性说明。
【权利要求】
1.一种在集成电路装置(102)中的双重模式升压调节器，其包括: 电源端子(134)； 电源共用端子(142)； 电感器端子(136)； 外部晶体管栅极控制端子(138)； 电压输出端子(140)； 升压调节器模式选择端子(126)； 电压感测端子(141)； 晶体管切换控制电路(108)，其具有耦合到所述升压调节器模式选择端子(126)的模式选择输入； 第一功率晶体管(124)，其耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间，且由所述晶体管切换控制电路(108)控制； 电压反馈电路(106)，其耦合于所述电压输出端子(140)与所述晶体管切换控制电路(108)之间，且具有耦合到至少一个电压参考的至少一个输入； 启动电路(110)； 振荡器(112)，其耦合到所述启动电路(110)及所述晶体管切换控制电路(108)； 第二功率晶体管(116)，其耦合于所述电感器端子(136)与所述电源共用端子(142)之间，且由所述晶体管切换控制电路(108)控制； 第一电压测量装置(114)，其具有耦合到所述晶体管切换控制电路(108)的输出； 第二电压测量装置(115)，其具有耦合到所述电感器端子(136)的第一差分输入及耦合到所述电压感测端子(141)的第二差分输入 '及 模式选择开关(I 18)，其具有耦合到所述第一电压测量装置(114)的输入的共用点、耦合到所述电感器端子(136)的第一输入及耦合到所述第二电压测量装置(115)的输出的第二输入; 其中 当经由所述升压调节器模式选择端子(126)选择低功率升压调节器模式时，所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)为作用的且由所述晶体管切换控制电路(108)控制，且所述电压测量装置(114)的所述输入经由所述模式选择开关(118)耦合到所述电感器端子(136);且 当经由所述升压调节器模式选择端子(126)选择高功率升压调节器模式时，所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)为非作用的，且所述第一电压测量装置(114)的所述输入经由所述模式选择开关(118)耦合到所述第二电压测量装置(115)的所述输出。
2.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，当在所述低功率升压调节器模式中时，其进一步包括: 电感器(120)，其耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间； 电源(122)，其耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间；及 滤波电容器(104)，其耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间。
3.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，当在所述高功率升压调节器模式中时，其进一步包括: 电感器(120)，其耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间； 电源(122)，其耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间； 滤波电容器(104)，其耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间； 肖特基功率二极管，其耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间； 第三功率晶体管(230)，其具有耦合到所述电源共用端子(142)的源极、耦合到所述外部晶体管栅极控制端子(138)的栅极及耦合到所述电压感测端子(141)的漏极；及 电流感测电阻器(228)，其耦合于所述电压感测端子(141)与所述电感器端子(136)之间。
4.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述晶体管切换控制电路(108)产生脉冲宽度调制或频率调制控制信号。
5.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述振荡器(112)使用电阻-电容电路来确定其振荡器频率。
6.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述第一功率晶体管(124)为P通道金属氧化物半导体场效应晶体管。
7.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述第二功率晶体管(116)为N通道金属氧化物半导体场效应晶体管。
8.根据权利要求3所述的双重模式升压调节器，其中所述第三功率晶体管(230)为N通道金属氧化物半导体场效应晶体管。
9.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述电源(122)为电池。
10.根据权利要求9所述的双重模式升压调节器，其中所述电池具有从大约0.9伏到大约1.8伏的电压。
11.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述第一电压测量装置(114)为差分输入运算放大器。
12.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述第二电压测量装置(115)为差分输入运算放大器。
13.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述集成电路装置(102)为包括模拟与数字电路及数字存储器的微控制器。
14.根据权利要求1所述的双重模式升压调节器，其中所述升压调节器模式的选择存储于非易失性存储器中。
15.根据权利要求14所述的双重模式升压调节器，其中所述非易失性存储器选自由熔丝位及电可编程非易失性存储器位组成的群组。
16.一种在集成电路装置(102)中提供双重模式升压调节器的方法，所述方法包括以下步骤: 提供电源端子(134)； 提供电源共用端子(142)； 提供电感器端子(136)； 提供电压输出端子(140)； 提供升压调节器模式选择端子(126)； 提供电压感测端子(141)； 提供具有耦合到所述升压调节器模式选择端子(126)的模式选择输入的晶体管切换控制电路(108)； 提供耦合到所述晶体管切换控制电路(108)的外部晶体管栅极控制端子(138)；提供耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间且由所述晶体管切换控制电路(108)控制的第一功率晶体管(124)； 提供耦合于所述电压输出端子(140)与所述晶体管切换控制电路(108)之间且具有耦合到至少一个电压参考的至少一个输入的电压反馈电路(106)； 提供启动电路(110)； 提供耦合到所述启动电路(110)及所述晶体管切换控制电路(108)的振荡器(112)；提供耦合于所述电感器端子(136)与所述电源共用端子(142)之间且由所述晶体管切换控制电路(108)控制的第二功率晶体管(116)； 提供具有耦合到所述晶体管切换控制电路(108)的输出的第一电压测量装置(114)；提供具有耦合到所述电感器端子(136)的第一差分输入及耦合到所述电压感测端子(141)的第二差分输入的第二电压测量装置(115);及 提供具有耦合到所述第一电压测量装置(114)的输入的共用点、耦合到所述电感器端子(136)的第一输入及耦合到所述第二电压测量装置(115)的输出的第二输入的模式选择开关(118)； 选择低功率升压调节器模式包括以下步骤: 借助所述晶体管切换控制电路(108)控制所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)， 经由所述模式选择开关(118)将所述第一电压测量装置(114)的所述输入耦合到所述电感器端子(136);且 选择高功率升压调节器模式包括以下步骤: 将所述第一功率晶体管(124)及所述第二功率晶体管(116)去激活；及经由所述模式选择开关(118)将所述第一电压测量装置(114)的所述输入耦合到所述第二电压测量装置(115)的所述输出。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述选择所述低功率升压调节器模式的步骤进一步包括以下步骤: 将电感器(120)耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间； 将电源(122)耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间；及 将滤波电容器(104)耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述选择所述高功率升压调节器模式的步骤进一步包括以下步骤: 将电感器(120)耦合于所述电源端子(134)与所述电感器端子(136)之间； 将电源(122)耦合于所述电源端子(134)与所述电源共用端子(142)之间； 将滤波电容器(104)耦合于所述电压输出端子(140)与所述电源共用端子(142)之间； 将肖特基功率二极管耦合于所述电感器端子(136)与所述电压输出端子(140)之间； 将第三功率晶体管(230)的源极耦合到所述电源共用端子(142)； 将所述第三功率晶体管(230)的栅极耦合到所述外部晶体管栅极控制端子(138)； 将所述第三功率晶体管(230)的漏极耦合到所述电压感测端子(141);及 将电流感测电阻器(228)耦合于所述电压感测端子(141)与所述电感器端子(136)之间。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述选择所述低或高功率升压调节器模式的步骤包括将所述功率升压调节器模式存储于非易失性存储器中的步骤。
【文档编号】H02M3/158GK104170228SQ201380014812
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2013年2月12日 优先权日:2012年2月13日
【发明者】尼尔·多伊彻, 陈金辉, 詹姆斯·巴特林 申请人:密克罗奇普技术公司