负载调制电路、半导体装置及无线供电系统的制作方法

本申请享受以日本专利申请2015-166573号(申请日：2015年8月26日)为基础申请的优先权。本申请是通过参照此基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种负载调制电路、半导体装置及无线供电系统。

背景技术：

近年来，利用线圈间的电磁耦合以非接触的方式进行电力输送的所谓无线供电技术得到普及。作为以无线的方式输送电力的方法，先前以来提出多种方法，但近年来所谓“电磁感应方式”的无线供电技术受到关注，且搭载着电磁感应式无线供电系统的产品也开始实用化，所述“电磁感应方式”中运用了将电流流过两个邻接线圈中的一个线圈时产生的磁束作为媒介，使邻接线圈中的另一个线圈产生电动势的电磁感应原理。

电磁感应方式的无线供电系统中，是从受电侧向送电侧进行单向通信。通过将负载调制电路连接于受电侧的天线线圈，改变此电路的负载，而使受电侧的负载电容变化。由此，使送电侧的线圈电压的振幅变化，实现二进制ASK(Amplitude shift keying，幅移键控)。一般而言，在使用电容器的负载调制电路中，将晶体管用作开关元件，控制此电容器中的电荷的储存与释放，由此使受电侧的总的负载电容变化。

作为用作开关元件的晶体管，通常使用C-DMOS(Complementary and Doublediffused MOS，互补双扩散金属氧化物半导体晶体管)制程而与周边电路併入至同一芯片，所以是由高耐压的LDMOS(Laterally Diffused MOS，横向扩散金属氧化物半导体晶体管)构成。在这种构成中，当用于负载调制的电容器处于蓄电状态且此晶体管处于非导通状态、漏极电压从标准电压(GND)下降至顺向电压以上时，形成于衬底与该晶体管的阱扩散区域之间的寄生二极管成为电容器的放电路径。

然而，当使用C-DMOS(Complementary and Doublediffused MOS)制程形成晶体管时，该晶体管与周边电路未完全电分离，所以，根据寄生二极管的放电电流，使将与衬底相 接的近旁的扩散区域(于阱扩散区域为相同导电型的扩散区域)作为集电极的寄生双极性晶体管动作。因此，存在使用作为集电极电流的供给源的近旁的扩散区域的周边电路进行误动作的可能性高的问题。而且，当对该扩散区域施加高电位时，存在寄生双极性晶体管的集电极电流下的消耗电力变得极大，而令发热量增加的问题。

技术实现要素：

本发明的实施方式提供一种能抑制周边电路产生误动作的负载调制电路、半导体装置及无线供电系统。

实施方式的负载调制电路具有电容器、将所述电容器连接于接收以无线方式供给的电力的线圈的端部的开关、控制所述开关的动作的第一控制部、及控制所述电容器内储存的电荷量的第二控制部，所述第二控制部是当所述开关切换为断开时使所述电容器内储存的电荷放电。

附图说明

图1是说明使用本实施方式的负载调制电路的无线供电天线装置的构成的概略框图。

图2是表示图1所示的无线供电天线装置的各点处的信号波形的图。

图3是说明负载调制控制用晶体管M5及周边电路的构造的截面图。

图4是说明使用本实施方式的负载调制电路的无线供电天线装置的另一构成的概略框图。

具体实施方式

以下，参照图式说明实施方式。

图1是说明使用本发明的实施方式的负载调制电路的无线供电天线装置的构成的概略框图。无线供电天线装置主要包括受电天线线圈L1、串联共振电容C1、并联负载电容C2、同步整流电路2、负载调制电路1及全波整流平滑电容C3。同步整流电路2是使由受电天线线圈L1接收的交流电压的负侧的电压反转，且输出输入电压的绝对值的电路。负载调制电路1是改变受电天线线圈L1的阻抗的电路，其改变由受电天线线圈L1接收的交流电压的振幅。全波整流平滑电容C3是用于减少利用同步整流电路2进行全波整流后的脉流电压的脉动成分且取出直流电压的电容。

受电天线线圈L1的一端连接于同步整流电路2的一输入端子LX1。而且，受电天线线圈L1的另一端经由串联共振电容C1而连接于同步整流电路2的另一输入端子LX2。而且，并联负载电容C2并联连接于彼此串联连接的受电天线线圈L1与串联共振电容C1。也就是说，并联负载电容C2的一端连接于同步整流电路2的一输入端子LX1，另一端连接于整流电路2的另一输入端子LX2。

同步整流电路2是包括四个同步整流用晶体管M1、M2、M3、M4、四个比较器21、22、31、32、两个反相器INV1、INV2、及两个电平移位电路11、12的全桥同步整流电路。高侧开关即同步整流用晶体管M1、M3是由P型MOS晶体管构成，低侧开关即同步整流用晶体管M2、M4是由N型MOS晶体管构成。

同步整流用晶体管M1、M2各自的漏极连接于输入端子LX1。同步整流用晶体管M3、M4各自的漏极连接于输入端子LX2。而且，同步整流用晶体管M1、M3各自的源极连接于全波整流平滑电容C3的一端。同步整流用晶体管M2、M4各自的源极连接于GND(接地)。

比较器21的反转输入连接于同步整流电路2的一输入端子LX1，而非反转输入连接于GND。而且，比较器21的输出是经由电平移位电路12、反相器INV2而被输入至同步整流用晶体管M3的栅极。也就是说，同步整流用晶体管M3是以当输入端子LX1的电位低于GND时成为导通的方式受比较器21控制。

比较器22的反转输入连接于同步整流电路2的一输入端子LX2，而非反转输入连接于GND。而且，比较器22的输出经由电平移位电路11、反相器INV1而输入至同步整流用晶体管M1的栅极。也就是说，同步整流用晶体管M1是以当输入端子LX2的电位低于GND时成为导通的方式受比较器22控制。

比较器31的反转输入连接于同步整流电路2的一输入端子LX1，而反转输入连接于GND。而且，比较器31的输出被输入至同步整流用晶体管M2的栅极。也就是说，同步整流用晶体管M2是以当输入端子LX1的电位低于GND时成为导通的方式受比较器31控制。

比较器32的反转输入连接于同步整流电路2的另一输入端子LX2，而非反转输入连接于GND。而且，比较器32的输出被输入至同步整流用晶体管M4的栅极。也就是说，同步整流用晶体管M4是以当输入端子LX2的电位低于GND时成为导通的方式受比较器32控制。

如此，比较器21、22、31、32将输入端子LX1与LX2的电位进行比较，以在从GND经过受电天线线圈L1到达全波整流平滑电容C3的路径中的、沿由受电天线线圈 L1接收的交流电流的流动方向的路径上的阻抗成为最小的方式，控制同步整流用晶体管M1、M2、M3、M4的导通、非导通的定时。

也就是说，当输入端子LX1的电位高于输入端子LX2的电位时，通过将同步整流用晶体管M1、M4控制为导通、将同步整流用晶体管M2、M3控制为非导通，而从连接于同步整流用晶体管M4的源极的GND，经由同步整流用晶体管M4、串联共振电容C1、受电天线线圈L1、同步整流用晶体管M1将电荷储存于全波整流平滑电容C3。而且，当输入端子LX2的电位高于输入端子LX1的电位时，通过将同步整流用晶体管M2、M3控制为导通、将同步整流用晶体管M1、M4控制为非导通，而从连接于同步整流用晶体管M2的源极的GND，经由同步整流用晶体管M2、受电天线线圈L1、串联共振电容C1、同步整流用晶体管M3将电荷储存于全波整流平滑电容C3。

另外，比较器21、22、31、32的各个输入设定有偏移电压，调整同步整流用晶体管M1、M2、M3、M4的导通、非导通的定时。

全波整流平滑电容C3的一端连接有同步整流用晶体管M1、M3的源极，另一端连接有GND。受电天线线圈L1上感应的交流电流由同步整流电路2进行全波整流，且蓄积于全波整流平滑电容C3。

负载调制电路1包含作为改变受电天线线圈L1的阻抗的电容器的两个负载调整用电容C4、C5、与负载调制控制电路。负载调制控制电路包含两个负载调制控制用晶体管M5、M6、与两个或电路OR1、OR2。作为将负载调整用电容C4、C5与受电天线线圈L1连接的开关的负载调制控制用晶体管M5、M6，是由N型MOS晶体管构成。

负载调整用电容C4的一端连接于同步整流电路2的一输入端子LX1。而且，负载调整用电容C4的另一端连接于负载调制控制用晶体管M5的漏极。

负载调整用电容C5的一端连接于同步整流电路2的另一输入端子LX2。而且，负载调整用电容C5的另一端连接于负载调制控制用晶体管M6的漏极。

负载调制控制用晶体管M5、M6的源极连接于GND。另外，也可在负载调制控制用晶体管M5、M6的源极与GND之间插入下拉电阻。

作为第一及第二控制部的或电路OR1输入有比较器31的输出及负载调制控制信号COM。或电路OR1的输出被输入至负载调制控制用晶体管M5的栅极。另外，负载调制控制信号COM是对于负载调制电路的受电天线线圈L1的并联负载电容值的控制的导通、非导通进行切换的信号。当负载调制控制信号COM＝“H”时进行负载调制，当负载调制控制信号COM＝“L”不进行负载调制。

同样，作为第一及第二控制部的或电路OR2输入有比较器32的输出及负载调制控 制信号COM。或电路OR2的输出被输入至负载调制控制用晶体管M6的栅极。

当负载调制控制信号COM＝“H”时，或电路OR1、OR2的输出成为“H”，因此负载调制控制用晶体管M5、M6导通。于是，负载调整用电容C4、C5与并联负载电容C2并联连接，所以受电天线线圈L1的并联负载电容值变化。也就是说，当负载调制控制用晶体管M5、M6非导通时，受电天线线圈L1的并联负载电容值为C2。另一方面，当负载调制控制用晶体管M5、M6导通时，受电天线线圈L1的并联负载电容值成为C2+(C4+C5)/(C4×C5)，电容值按(C4+C5)/(C4×C5)发生变化。如此，因受电天线线圈L1的并联负载电容值变化，使得受电天线线圈L1接收的交流信号的振幅变化，因此，能向电磁耦合的送电天线线圈侧进行ASK通信。

另一方面，当负载调制控制信号COM＝“L”时，或电路OR1、OR2的输出与比较器31、32的输出同步。也就是说，负载调制控制用晶体管M5是与连接于输入端子LX1侧的同步整流用晶体管M2同步地导通、非导通，负载调制控制用晶体管M6是与连接于输入端子LX2侧的同步整流用晶体管M4同步地导通、非导通。

接着，对负载调制时负载调整用电容C4、C5的充放电动作进行说明。另外，负载调整用电容C5及负载调制控制用晶体管M6的动作与负载调整用电容C4及负载调制控制用晶体管M5的动作相同，因此，此处对于负载调整用电容C4的充放电动作进行说明。图2是表示图1所示的无线供电天线装置的各点处的信号波形的图。图2中表示输入端子LX1的电位、负载调制控制信号COM、比较器31的输出信号、或电路OR1的输出信号、负载调制控制用晶体管M5的漏极电位的各波形。

1)当负载调制控制信号COM＝“L”时(进行负载调制前的状态)

a)当从输入端子LX1流出电流时

输入端子LX1的电位VLX1(L)是由以下所示的(1)式表示。

VLX1(L)＝GND-Ichg×Ron(M2) (1)式

(1)式中，Ichg表示充电电流，Ron(M2)表示同步整流用晶体管M2的导通电阻。因负载调制控制信号COM＝“L”，所以控制负载调制控制用晶体管M5的导通、非导通的或电路OR1的输出值、及、输出值切换为“H”→“L”、“L”→“H”的定时相当于比较器31的输出值、及、输出值切换为“H”→“L”、“L”→“H”的定时。也就是说，负载调制控制用晶体管M5是与同步整流用晶体管M2同步地导通、非导通。

当从输入端子LX1流出电流时，比较器31的输出成为“H”，同步整流用晶体管M2成为导通状态。或电路OR1的输出也成为“H”，负载调制控制用晶体管M5成为导通状态，因此，负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)降为0V。因此，负载调 整用电容C4的充电电压VC4由以下所示的(2)式表示。

VC4＝GND-VLX1(L)＝Ichg×Ron(M2) (2)式

b)当电流流入至输入端子LX1时

输入端子LX1的电位VLX1(H)由以下所示的(3)式表示。

VLX1(H)＝VC3+Ichg×Ron(M1) (3)式

(3)式中，VC3表示全波整流平滑电容C3内充入的电压，Ron(M1)表示同步整流用晶体管M1的导通电阻。当电流流入至输入端子LX1时，比较器31的输出成为“L”，同步整流用晶体管M2成为非导通的状态。或电路OR1的输出也成为“L”，负载调制控制用晶体管M5成为非导通的状态，因此负载调整用电容C4不放电而维持(2)式所示的充电电压VC4。也就是说，在负载调制控制信号COM＝“L”期间，一旦充电达到Ichg×Ron(M2)，负载调整用电容C4继续维持该充电电压。

另外，此时，负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)为VLX1(H)+VC4，因此，维持比VLX1(H)高Ichg×Ron(M2)的电位。

2)当负载调制控制信号COM＝“L”→“H”时(切换为有负载调制的状态)

若负载调制控制信号COM＝“H”，则控制负载调制控制用晶体管M5的导通、非导通的或电路OR1的输出不论比较器31的输出如何均始终为“H”，负载调制控制用晶体管M5始终为导通的状态，因此，负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)降为0V。

a)当电流流入至输入端子LX1时

此时，输入端子LX1的电位为VLX1(H)，因此负载调整用电容C4开始充电，其充电电压VC4降为由以下所示的(4)式表示的值。

VC4＝VLX1(H)-VD(M5)＝VLX1(H) (4)式

b)当从输入端子LX1流出电流时

此时，输入端子LX1的电位为VLX1(L)，因此负载调整用电容C4开始放电，其充电电压VC4降为由以下所示的(5)式表示的值。

VC4＝VD(M5))-VLX1(L)＝-VLX1(L) (5)式

如此，根据输入端子LX1的电流方向，使负载调整用电容C4反复充放电。此时，负载调制控制用晶体管M5始终为导通的状态，因此，负载调整用电容C4的充放电电流IC4受负载调制控制用晶体管M5的导通电阻限制。

3)当负载调制控制信号COM＝“H”→“L”时(切换为无负载调制的状态)

若负载调制控制信号COM＝“L”，则控制负载调制控制用晶体管M5的导通、非导 通的或电路OR1的输出相当于比较器31的输出。也就是说，负载调制控制用晶体管M5与同步整流用晶体管M2同步地导通、非导通。当负载调制控制信号COM从“H”切换为“L”时，在电流流入至输入端子LX1的情况下，比较器31的输出成为“L”，同步整流用晶体管M2成为非导通的状态。因此，或电路OR1的输出也成为“L”，负载调制控制用晶体管M5成为非导通的状态。

此时，输入端子LX1的电位为VLX1(H)，因此负载调整用电容C4的充电电压VC4如(4)式所示，为VLX1(H)。

之后，若从输入端子LX1流出电流，则输入端子LX1的电位变为VLX1(L)，因此负载调整用电容C4开始放电。

现有的负载调制电路中，在负载调制控制信号COM＝“L”期间，负载调制控制用晶体管M5为非导通。因此，负载调整用电容C4无法放电，负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)下降至VLX1(L)-VLX1(H)。

此处，负载调制控制用晶体管M5通常使用C-DMOS制程而与周边电路併入至至同一芯片，因此，由高耐压的LDMOS构成。图3是对负载调制控制用晶体管M5及周边电路的构造进行说明的截面图。如图3所示，负载调制控制用晶体管M5形成于注入至p型半导体衬底(Psub)100的n型阱(Deep Nwell)101。

在n型阱(Deep Nwell)101的上部，p型主扩散区域(Pwell)102与n型扩散区域(Nwell)103形成于相隔规定距离的位置。在p型主扩散区域(Pwell)102的上部，高浓度的p型后栅极扩散区域(P+)104与高浓度的n型源极扩散区域(N+)105彼此相接地形成。p型后栅极扩散区域(P+)104连接于后栅极电极(BG)106，n型源极扩散区域(N+)105连接于源极电极107。在n型扩散区域(Nwell)103的上部形成有高浓度的n型漏极扩散区域(N+)108，在n型漏极扩散区域(N+)108连接有漏极电极(D)109。在半导体衬底100的表面，以覆盖p型主扩散区域(Pwell)102的一部分与n型阱(Deep Nwell)101、及n型扩散区域(Nwell)103的一部分的方式，经由未图示的栅极氧化膜形成有栅极电极(G)110。

源极电极107与后栅极电极106连接于GND。漏极电极109连接于负载调整用电容C4的一端。负载调整用电容C4的另一端连接于输入端子LX1。栅极电极110连接于或电路OR1，且输入有来自或电路OR1的输出信号。

在这种构成中，在从n型漏极扩散区域(N+)108连至n型扩散区域(Nwell)103、n型阱(Deep Nwell)101的n型扩散区域、与半导体衬底100之间形成有寄生二极管，且在用于负载调制的负载调整用电容C4为已蓄电的状态、且负载调制控制用晶体管M5为非导通状态、漏极电压从标准电压(GND)下降至顺向电压以上时，该寄生二极管成为负载 调整用电容C4的放电路径。

此时的负载调整用电容C4的放电电流IC4由以下所示的(6)式表示。

(6)式中，VF表示形成于半导体衬底100与n型漏极扩散区域(N+)108之间的寄生二极管的顺向电压，Rp表示从GND至负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)之间的寄生电阻。

此时的放电电流IC4仅受寄生电阻限制，可能达到形成于从n型漏极扩散区域(N+)108连至n型扩散区域(Nwell)103、n型阱(Deep Nwell)101的n型扩散区域、与半导体衬底100之间的寄生二极管的电流能力临界值。

若根据负载调整用电容C4的放电而令负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)达到GND-VF，则放电路径消失，所以负载调整用电容C4的充电电压VC4固定为以下所示的(7)式的值。

VC4＝VLX1(L)-VD(M5)

＝GND-Ichg×Ron(M2)-(GND-VF)

＝VF-Ichg×Ron(M2) (7)式

如图3所示，通常，负载调制控制用晶体管M5是使用C-DMOS制程而由高耐压的LDMOS构成。因此，未与高电位电源Pa或周边晶体管Ma等周边电路完全电分离，在半导体衬底100的深部区域可能导通。

如上所述，当负载调制控制信号COM从“H”切换为”L”时，根据形成于从n型漏极扩散区域(N+)108连至n型扩散区域(Nwell)103、n型阱(Deep Nwell)101的n型扩散区域、与半导体衬底100之间的寄生二极管的放电电流，而使将n型阱(Deep Nwell)101作为发射极、将半导体衬底100作为基极、将与半导体衬底100相接且位于负载调制控制用晶体管M5近旁的周边电路的n型扩散区域(Deep Nwell)111、112作为集电极的寄生双极性晶体管动作。因此，就高电位电源Pa而言，当向n型扩散区域(Deep Nwell)111施加高电位时，寄生双极性晶体管的集电极电流Ic1下的消耗电力可能变得极大，且令发热量增大。而且，供给寄生双极性晶体管的集电极电流Ic2的周边晶体管Ma也可能误动作。

另一方面，本实施方式的负载调制电路中，若从输入端子LX1流出电流，则输入端子LX1的电位变化为VLX1(L)，所以负载调整用电容C4开始放电。此时，同步整流用晶体管M2导通，因此负载调制控制用晶体管M5也与其同步地导通。因此，负载调整 用电容C4的放电电流IC4受负载调制控制用晶体管M5的导通电阻的限制，且由以下所示的(8)表示。

最终，负载调制控制用晶体管M5的漏极电位VD(M5)降为0V，之后反复呈现1)～3)各状态。

如此，根据本实施方式，负载调整用电容C4的放电电流IC4成为受负载调制控制用晶体管M5的导通电阻限制的电流值。也就是说，负载调整用电容C4开始放电，并且负载调制控制用晶体管M5与同步整流用晶体管M2同步地导通，因此，能经由负载调制控制用晶体管M5确保向GND的放电路径。同样，负载调整用电容C5开始放电，并且负载调制控制用晶体管M6与同步整流用晶体管M4同步地导通，因此，能经由负载调制控制用晶体管M6确保向GND的放电路径。

因此，能避免形成于从n型漏极扩散区域(N+)108连至n型扩散区域(Nwell)103、n型阱(Deep Nwell)101的n型扩散区域、与半导体衬底100之间的寄生二极管的放电。由此，将n型阱(Deep Nwell)101作为发射极、将半导体衬底100作为基极、将位于负载调制控制用晶体管M5近旁的周边电路的n型扩散区域(Deep Nwell)111、112作为集电极的寄生双极性晶体管并不动作，所以，能防止使用作为集电极电流的供给源的近旁的扩散区域的周边电路进行误动作，而令发热量增加。

另外，同步整流电路2可包含四个二极管D1、D2、D3、D4来代替四个同步整流用晶体管M1、M2、M3、M4。图4是对使用本发明的实施方式的负载调制电路的无线供电天线装置的另一构成进行说明的概略框图。如图4所示，同步整流电路2'是包含四个二极管D1、D2、D3、D4的全桥同步整流电路。在图1所示的同步整流电路2中，为了切换四个同步整流用晶体管M1、M2、M3、M4的导通、非导通，具有包含四个比较器21、22、31、32、两个反相器INV1、INV2、两个电平移位电路11、12的栅极电压调整电路，但在图4所示的二极管型同步整流电路2'中则无需该电路。

同步整流用二极管D1的阳极与同步整流用二极管D2的阴极连接于输入端子LX1。同步整流用二极管D3的阳极与同步整流用二极管D4的阴极连接于输入端子LX2。而且，同步整流用二极管D1、D3各自的阴极连接于全波整流平滑电容C3的一端。同步整流用二极管D2、D4各自的阳极连接于GND(接地)。

也就是说，当输入端子LX1的电位高于输入端子LX2的电位时，电荷从连接于二极管D4的阳极的GND，经由二极管D4、串联共振电容C1、受电天线线圈L1、二极管 D1而储存至全波整流平滑电容C3。而且，当输入端子LX2的电位高于输入端子LX1的电位时，电荷从连接于二极管D2的阳极的GND，经由二极管D2、受电天线线圈L1、串联共振电容C1、二极管D3而储存至全波整流平滑电容C3。

或电路OR1输入有负载调制控制信号COM与控制信号COM2。作为控制信号COM2，当从输入端子LX1流出电流时输出“H”，当电流流入至输入端子LX1时输出“L”。或电路OR2输入有负载调制控制信号COM与控制信号COM3。作为控制信号COM2，当从输入端子LX2流出电流时输出“H”，当电流流入至输入端子LX2时输出“L”。

也就是说，当为无负载调制的状态、且从输入端子LX1流出电流时，为了确保负载调整用电容C4的放电路径，将使负载调制控制用晶体管M5导通的控制信号COM2输入至或电路OR1。同样，当为无负载调制的状态、且从输入端子LX2流出电流时，为了确保负载调整用电容C5的放电路径，将使负载调制控制用晶体管M6导通的控制信号COM3输入至或电路OR2。

就负载调制时的负载调整用电容C4、C5的充放电动作而言，若在图2中将比较器31的输出波形转换为控制信号COM2的输出波形，则与图1所示的使用负载调制电路的无线供电天线装置的动作相同。

如此，当全波整流电路使用二极管时，也是负载调整用电容C4开始放电，并且当从输入端子LX1流出电流时负载调制控制用晶体管M5成为导通，因此能确保经由负载调制控制用晶体管M5而向GND的放电路径。

同样，负载调整用电容C5开始放电，并且当从输入端子LX2流出电流时负载调制控制用晶体管M6成为导通，因此能确保经由负载调制控制用晶体管M6向GND的放电路径。因此，能避免形成于从n型漏极扩散区域(N+)108连至n型扩散区域(Nwell)103、n型阱(Deep Nwell)101的n型扩散区域、与半导体衬底100之间的寄生二极管的放电。

由此，将n型阱(Deep Nwell)101作为发射极、将半导体衬底100作为基极、将位于负载调制控制用晶体管M5近旁的周边电路的n型扩散区域(Deep Nwell)111、112作为集电极的寄生双极性晶体管并不动作，因此，能防止使用作为集电极电流的供给源的近旁的扩散区域的周边电路误动作，而令发热量增加。

本说明书中的各“部”是对应于实施方式的各功能的概念性表述，因此，未必一对一地对应于特定的硬件或软件、程序。因此，本说明书中，是假设具有实施方式的各功能的假想电路区块(部)而进行说明。

已对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例提出，并非旨在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他多种形态实施，能在不脱离发明宗旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形属于发明的范围或宗旨，且属于权利要求书中记载的发明及与其同等的范围。