1.一种负载调制电路，其特征在于，包括：
第1元件；
开关元件，将所述第1元件连接于线圈的端部；
第一控制部，控制所述开关元件的动作；及
第二控制部，控制所述第1元件内储存的电荷量；
所述第二控制部是当所述开关元件切换为断开时使所述第1元件内储存的电荷放电。
2.根据权利要求1所述的负载调制电路，其特征在于：
所述电力是以无线的方式供给至所述线圈，所述开关元件为第一MOS晶体管，所述第二控制部将所述第一MOS晶体管切换为导通而使所述第1元件内储存的电荷放电。
3.根据权利要求2所述的负载调制电路，其特征在于：
所述第一MOS晶体管是横向扩散型MOS晶体管。
4.根据权利要求2所述的负载调制电路，其特征在于：
所述第二控制部是当所述开关元件切换为断开时，与同步整流电路的低侧开关导通的定时同步地将所述第一MOS晶体管切换为导通。
5.根据权利要求4所述的负载调制电路，其特征在于：
所述低侧开关为第二MOS晶体管，所述第二控制部生成第三控制信号且将其输入至所述第一MOS晶体管，该第三控制信号包括切换负载调制的有无的第一控制信号、与切换所述第二MOS晶体管的动作的第二控制信号的逻辑或。
6.根据权利要求3所述的负载调制电路，其特征在于：
所述第二控制部是在所述负载调制结束之后，与同步整流电路的低侧开关导通的定时同步地将所述第一MOS晶体管切换为导通。
7.根据权利要求6所述的负载调制电路，其特征在于：
所述低侧开关为第二MOS晶体管，所述第二控制部生成第三控制信号且将其输入至所述第一MOS晶体管，该第三控制信号包括切换负载调制的有无的第一控制信号、与切换所述第二MOS晶体管的动作的第二控制信号的逻辑或。
8.根据权利要求1所述的负载调制电路，其特征在于：
经由所述开关元件将所述第1元件分别连接于所述线圈的两端。
9.根据权利要求8所述的负载调制电路，其特征在于：
所述第二控制部是与设于同步整流电路的两个低侧开关导通的定时同步地，使一端连接有各个所述低侧开关的所述第1元件内储存的电荷放电。
10.根据权利要求9所述的负载调制电路，其特征在于：
所述开关元件为第一MOS晶体管，所述第二控制部将所述第一MOS晶体管切换为导通而使所述第1元件内储存的电荷放电。
11.根据权利要求10所述的负载调制电路，其特征在于：
所述第一MOS晶体管为横向扩散型MOS晶体管。
12.一种半导体装置，其特征在于具有：
第一MOS晶体管，将电容器连接于线圈的端部；及
或电路，输入有控制所述线圈的阻抗的第一控制信号、与和将所述线圈上流动的交流电流进行整流且予以输出的同步整流电路的低侧开关的动作同步的第二控制信号，且输出连接于所述第一MOS晶体管的栅极电极。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一MOS晶体管为横向扩散型MOS晶体管。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：
所述同步整流电路的低侧开关为第二MOS晶体管。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一MOS晶体管为横向扩散型MOS晶体管。
16.一种无线供电系统，其特征在于，包括：
天线线圈，接收以无线的方式供给的电力；
同步整流电路，对所述天线线圈上流动的交流电流进行整流且予以输出；
电容器；
开关，当改变所述天线线圈的阻抗而进行负载调制时，将所述电容器连接于所述天线线圈的端部；
第一控制部，控制所述开关的动作；及
第二控制部，控制所述电容器内储存的电荷量；
所述第二控制部是在所述负载调制结束后使所述电容器内储存的电荷放电。
17.根据权利要求16所述的无线供电系，其特征在于：
所述开关为第一MOS晶体管，所述第二控制部将所述第一MOS晶体管切换为导通而使所述电容器内储存的电荷放电。
18.根据权利要求17所述的无线供电系统，其特征在于：
所述第一MOS晶体管为横向扩散型MOS晶体管。
19.根据权利要求17所述的无线供电系统，其特征在于：
所述第二控制部是在所述负载调制结束后，与所述同步整流电路的低侧开关接通的定时同步地将所述第一MOS晶体管切换为导通。
20.根据权利要求19所述的无线供电系统，其特征在于：
所述低侧开关为第二MOS晶体管，所述第二控制部生成第三控制信号且将其输入至所述第一MOS晶体管，该第三控制信号包括切换负载调制的有无的第一控制信号、与切换所述第二MOS晶体管的动作的第二控制信号的逻辑或。