本实用新型涉及屏蔽罩设备技术领域，尤其是一种高压开关柜的屏蔽罩。
背景技术：
高压开关柜的长期运行势必会导致其内部温度过高，温度过高则会对元器件造成损伤，影响开关柜的寿命，甚至引起火灾，因此在高压开关柜内安装测温传感器以实现对开关柜内工作温度的实时监测，从而确保开关柜的安全运作。而高压开关柜内的强电场会干扰测温传感器的正常工作，甚至会损害测温传感器测温传感器。因此就需要对测温传感器进行强电场的屏蔽，使其不受强电场的损害和干扰。
高压开关柜内测温传感器的保护研究领域，为了减少强电场对测温传感器的干扰和破坏，大多数研究都旨在提升测温传感器的抗强电场干扰能力，设计出了一些功能强大的数字测温传感器，虽然能在一定程度上提升测温传感器的抗干扰能力，但是依然无法抵抗强电场的长期干扰和侵蚀，而且数字测温传感器通常较昂贵，在实际运用中的成本较高。而屏蔽罩通常为金属，成本较低，可在测温传感器外围添加屏蔽罩以屏蔽强电场从而保护测温传感器，但目前对屏蔽罩的设计研究较单一，对于屏蔽罩的设计，既要考虑到屏蔽电场的能力，同时也要考虑到散热能力，若散热能力差，必然会影响测温传感器的准确度。
因此需要设计一款屏蔽罩，通过屏蔽罩的形状设计、放置的位置、打孔的大小和分布，使其既不会影响到测温传感器的散热，也能良好的屏蔽测温传感器周围的电场。
技术实现要素：
鉴于背景技术所存在的技术问题，本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种屏蔽强电场效果好且散热效果好的高压开关柜的屏蔽罩。
为解决上述技术问题，本实用新型采用了以下技术措施：
一种高压开关柜的屏蔽罩，包括屏蔽罩主体和底板；所述屏蔽罩主体呈圆弧片状，所述屏蔽罩主体长度方向上的两圆弧表面倾斜设置；所述屏蔽罩主体的长度由长度方向两侧向内逐渐递减；所述屏蔽罩主体上沿长度方向开设有若干排散热孔单元；所述散热孔单元包括若干个散热孔。
作为进一步改进，定义所述圆弧表面与所述屏蔽罩主体待固定平面之间的夹角为α，其中α的范围为15°～45°。
作为进一步改进，若干排所述散热孔单元开设于所述屏蔽罩主体中部且与所述屏蔽罩主体四侧边的间距不大于所述屏蔽罩主体长度的八分之一。
作为进一步改进，所述散热孔单元的数量为八排，所述散热孔单元包括十二个散热孔。
作为进一步改进，定义所述散热孔的半径值为r，其中r的范围为0.1mm～0.45mm。
作为进一步改进，所述屏蔽罩主体在长度方向上的最外侧的两排散热孔单元中的散热孔的半径为0.4mm；其余所述散热孔的半径为0.35mm。
作为进一步改进，定义所述屏蔽罩主体长度方向上每相邻两个所述散热孔之间的间距为 d，其中d的范围为3.5mm～4.5mm。
作为进一步改进，定义所述屏蔽罩主体宽度方向上每相邻两个所述散热孔之间的间距为 h，其中h的范围为4.5mm～5.5mm。
作为进一步改进，定义所述屏蔽罩主体的厚度为l，其中l的范围为1.8mm～2.2mm。
作为进一步改进，所述底板的外边缘与所述屏蔽罩下边缘圆弧过渡。
与现有技术相比较，本实用新型具有以下优点：
1、本实用新型一种高压开关柜的屏蔽罩中针对最常使用的12kv高压开关柜进行屏蔽罩的设计，通过散热孔的尺寸和分布设计使其散热效果最好，同时通过将屏蔽罩设计为圆弧状且圆弧表面倾斜的结构来保证屏蔽罩内的测温传感器受到的场强干扰最小，整体结构简单，功能易行。
2、本实用新型一种高压开关柜的屏蔽罩中的场强分布由仿真结果可知测温传感器表面场强最大的地方一般在测温传感器的边缘区域，以此对屏蔽罩的边缘区域孔径做出相应的扩大调整以实现最优的散热效果和场强抗干扰效果。
3、本实用新型一种高压开关柜的屏蔽罩的圆弧表面倾斜角度设计合理以实现场强分布的均匀，夹角太大容易造成场强集中，容易出现对空气放电，干扰测温传感器工作，夹角太小又无法将测温传感器进行合理的覆盖。
附图说明
附图1是本实用新型一种高压开关柜的屏蔽罩的结构示意图；
附图2是本实用新型一种高压开关柜的屏蔽罩的侧视示意图。
主要元件符号说明
屏蔽罩主体10、
圆弧表面11、
散热孔单元12、
散热孔121、
底板20、
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：
请参考图1，实施例中，一种高压开关柜的屏蔽罩，包括屏蔽罩主体10和底板20；所述屏蔽罩主体10呈圆弧片状，所述屏蔽罩主体10长度方向上的两圆弧表面11倾斜设置；所述屏蔽罩主体10的长度由长度方向两侧向内逐渐递减；所述屏蔽罩主体10上沿长度方向开设有若干排散热孔单元12；所述散热孔单元12包括若干个散热孔121。整体高压开关柜的屏蔽罩中针对最常使用的12kv高压开关柜进行屏蔽罩的设计，通过散热孔121的尺寸和分布设计使其散热效果最好，同时通过将屏蔽罩设计为圆弧状且圆弧表面11倾斜的结构来保证屏蔽罩内的测温传感器受到的场强干扰最小，整体结构简单，功能易行。
进一步地，定义所述圆弧表面11与所述屏蔽罩主体10待固定平面之间的夹角为α，其中α的范围为15°～45°，优选的，α的值取30°，采用这样的角度选择可以最大化地保证均匀场强，夹角太大容易造成场强集中干扰测温传感器工作，夹角太小又无法将测温传感器进行合理的覆盖。
除此之外，长度方向横截面上的所述屏蔽罩主体与所述底板20之间的夹角为β，其中β的范围为15°～45°，优选的，α的值取30°；采用这样的角度选择可以最大化地保证均匀场强，夹角太大容易造成场强集中干扰测温传感器工作，夹角太小不利于散热。
请参考图1，实施例中，若干排所述散热孔单元12开设于所述屏蔽罩主体10中部且与所述屏蔽罩主体10四侧边的间距不大于所述屏蔽罩主体10长度的八分之一，采用这样的间距设置可以保证散热的均匀，从而预留一定空间来安装屏蔽罩且一定程度上可以防止屏蔽罩的边缘的温度过高。
进一步地，所述散热孔单元12的数量为八排，所述散热孔单元12包括十二个散热孔121；具体的，定义所述散热孔121的半径值为r，其中r的范围为0.1mm～0.45mm，优选的，其中r的值取0.35mm；根据对12种不同孔径的仿真结果分析，可绘制下述表1-不同孔径散热孔的对其最大场强与最大温度的影响，根据表1中数据可知，屏蔽罩孔的半径从0.05mm到0.30mm逐渐增大时，屏蔽罩内测温传感器的场强也会逐渐增大，说明场强对测温传感器的干扰是逐渐增大的；而屏蔽罩孔的半径从0.30mm增大到0.35mm时，最大场强突然减少至最低，而接下来再继续增大孔径，最大场强呈现持续增大的趋势。而根据温度场的仿真结果可知，测温传感器表面温度是随着孔半径的扩大而降低的，测温传感器表面温度要小于 55℃，才能正常工作，仿真结果都在正常温度范围内，所以场强的大小就是屏蔽效果主要的考虑因素。由此可知当屏蔽罩的孔半径在0.35mm左右时，屏蔽罩内的测温传感器受到的场强干扰最小。
表1不同孔径散热孔的对其最大场强与最大温度的影响
更进一步的，所述屏蔽罩主体10在长度方向上的最外侧的两排散热孔单元12中的散热孔121的半径为0.4mm；其余所述散热孔121的半径为0.35mm；场强分布由仿真结果可知测温传感器表面场强最大的地方一般在测温传感器的边缘区域，以此对屏蔽罩的边缘区域孔径做出相应的扩大调整，比孔半径0.35mm大的孔径中，只有0.4mm的屏蔽罩对应的最大场强较小，因此取屏蔽罩左右两边缘各一列的散热孔121半径扩大到0.4mm以实现最优的散热效果和场强抗干扰效果。
请参考图1，实施例中，定义所述屏蔽罩主体长度方向上每相邻两个所述散热孔121之间的间距为d，其中d的范围为3.5mm～4.5mm。定义所述屏蔽罩主体宽度方向上每相邻两个所述散热孔121之间的间距为h，其中h的范围为4.5mm～5.5mm。采用这样的距离范围设置可以辅助散热孔121半径保证屏蔽罩整体的散热效果最优，结构简单，功能易行。
请参考图1，实施例中，定义所述屏蔽罩主体的厚度为l，其中l的范围为1.8mm～2.2mm，优选的，l的值为2mm，采用这样的厚度设计避免太大散热效果不好，太薄磁场屏蔽效果不好。
请参考图1，实施例中，所述底板20的外边缘与所述屏蔽罩下边缘圆弧过渡，采用这样的方式可以有效保证场强的均匀；所述底板20通过若干个螺栓与待固定平面进行固定，所述测温传感器设置于底板20与屏蔽罩之间并通过螺栓进行固定，将屏蔽罩覆盖测温传感器整体设置，再利用螺栓进行固定连接，结构简单稳固。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型保护的范围之内。