操作电路与rc校准方法

文档序号:7535854阅读:173来源:国知局
专利名称:操作电路与rc校准方法
技术领域
本发明有关于一种操作电路与RC校准方法。
背景技术
当集成电路中制作有电阻或电容等被动元件时,半导体工艺流程的变化会严重影 响到被动元件的电特性(electrical characteristic) 0举例而言,滤波器包含电阻与电 容,所述滤波器的角频率(corner frequency)与时间常数由电阻的电阻值与电容的电容值 确定。当工艺流程变化发生时,滤波器的角频率会改变。因此,滤波器的频带可能会与电路 系统所需的频带相偏离(deviate),而导致影响到电路系统的效率。为了克服上述问题,可 在集成电路中建构校准机制,以对电阻的电阻值以及电容的电容值进行校准,所述电阻与 电容制作于集成电路中。然而,传统的校准机制也可能会大幅增加集成电路的面积与成本。 因此,为了对集成电路中的电阻与电容进行校准,提供一种有效并且低成本的校准机制已 成为电路设计领域中的重要课题。

发明内容
为了解决上述半导体工艺流程变化导致被动元件电特性改变,而影响电路系统效 率的问题,本发明提供一种操作电路与RC校准方法。根据本发明的一个实施例,提供一种操作电路,包含放大器,具有耦接于参考电 压的第一输入端;第一跨导元件,耦接于所述放大器的输出端,用以根据所述放大器的输出 选择性产生第一电流;第二跨导元件,耦接于所述放大器的所述输出端,用以根据所述放大 器的所述输出选择性产生第二电流;电阻性元件,具有耦接于所述第一跨导元件的第一端; 电容性元件,具有耦接于所述第二跨导元件的第一端,其中所述电阻性元件与所述电容性 元件中的至少一个是可调元件;以及切换装置,在所述操作电路的第一模式下具有第一配 置,在第一配置下将所述电容性元件的第一端与所述第二跨导元件相连接,以及将所述电 阻性元件的第一端与所述放大器的第二输入端相连接,以及在所述操作电路的第二模式下 具有第二配置,在第二配置下将所述电容性元件的第一端与所述第二跨导元件断开连接, 以及将所述放大器的第二输入端与所述电阻性元件的第一端断开连接,而将所述放大器的 第二输入端与所述电容性元件的第一端相连接。根据本发明的一个实施例,提供一种RC校准方法,包含提供放大器,所述放大器 具有耦接于参考电压的第一输入端;根据所述放大器的输出选择性产生第一电流;根据所 述放大器的所述输出选择性产生第二电流;提供电阻性元件,所述电阻性元件具有耦接于 所述第电流的第一端;提供电容性元件,所述电容性元件具有选择性耦接于所述第二电流 的第一端,其中,所述电阻性元件与所述电容性元件中的至少一个为可调元件;在第一模式 下,将所述电容性元件的第一端与所述第二电流相连接,以及将所述电阻性元件的第一端 与所述放大器的第二输入端相连接;以及在第二模式下,将所述电容性元件的第一端与所 述第二电流断开连接,将所述放大器的所述第二输入端与所述电阻性元件的第一端断开连接,而将所述放大器的所述第二输入端与所述电容性元件的第一端相连接。藉此,本发明提供的操作电路与RC校准方法可对集成电路中的电阻与电容进行有效校准,同时能够节约集成电路的面积与成本。


图1显示的是根据本发明的一个实施例的操作电路的示意图。图2显示的是操作电路的参考频率信号、第一频率信号以及第二频率信号的时序 示意图。图3显示的是操作于充电模式下的操作电路的示意图。图4显示的是操作于比较模式下的操作电路的示意图。图5显示的是操作于放电模式下的操作电路的示意图。图6显示的是根据本发明第二实施例的操作电路的示意图。图7显示的是根据本发明实施例的RC校准方法的示意图。
具体实施例方式在说明书及前述的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中 普通技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及 前述的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来 作为区分的准则。在通篇说明书及前述的权利要求当中所提及的“包含”为一开放式的用 语,故应解释成“包含但不限定于”。以外,“耦接” 一词在此包含任何直接及间接的电气连 接手段。因此,若文中描述第一装置耦接于第二装置,则代表该第一装置可直接电气连接于 该第二装置,或透过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。请参照图1。图1显示的是根据本发明的一个实施例的操作电路100的示意图。 其中,操作电路100可操作(operable)为用于对操作电路100中的电容性元件102的电容 值进行校准。需要注意,尽管在本实施例中,操作电路100与电容性元件102制作于同一 集成电路中,但并非用以限定本发明。本领域技术人员应可了解,通过修改操作电路100, 可校准设置于操作电路100外部的电容的电容值。操作电路100包含放大器104、第一跨 导(transconducting)元件106、第二跨导元件108、电阻性(resistive)元件110、电容性 (capacitive)元件102、切换装置112以及控制装置114。放大器104具有耦接于参考电压Vref的第一输入端Ni、第二输入端N5以及输出 端N2。第一跨导元件106可包含场效晶体管M1,其中场效晶体管Ml具有耦接于放大器104 的输出端N2的栅极端以及耦接于供应电压VDD的源极端,场效晶体管Ml用于根据放大器 104的输出Vo选择性产生第一电流II。第二跨导元件108可包含场效晶体管M2,其中场效 晶体管Ml具有耦接于放大器104的输出端N2的栅极端以及耦接于供应电压VDD的源极端, 场效晶体管Ml用于根据放大器104的输出Vo选择性产生第二电流12。晶体管Ml与晶体 管M2配置为具有镜比(mirroring ratio)为M:1的电流镜(current mirror);换言之,P 型场效晶体管Ml的大小(宽/长)为P型场效晶体管M2的大小的M倍。电阻性元件110 具有耦接于第一跨导元件106的第一端N3,以及耦接于另一供应电压(本实施例中为接地 电压GND)的第二端附3。电容性元件102具有选择性耦接于第二跨导元件108的第一端N4,以及耦接于上述另一供应电压(本实施例中为接地电压GND)的第二端附2。在本实施 例中,电容性元件102为可调的电容性元件。操作电路100操作于三种模式下充电模式、比较模式以及放电模式。切换装置 112还具有三种相应的配置。在相应于充电模式的第一配置中,第三切换器S3将电容性元 件102的第一端N4与第二跨导元件108相连接,第一切换器Sl将电阻性元件110的第一 端N3与放大器104的第二输入端N5相连接,第二切换器S2将电容性元件102 的第一端N4 与放大器的第二输入端N5断开连接,第四切换器S4将电容性元件102的第一端N4与接地 端GND断开连接。在相应于比较模式的第二配置中,第三切换器S3将电容性元件102的第 一端N4与第二跨导元件108断开连接,第二切换器S2将放大器的第二输入端N5与电容性 元件102的第一端N4相连接,第一切换器Sl将放大器104的第二输入端N5与电阻性元件 110的第一端N3断开连接。在相应于放电模式的第三配置中,第四切换器S4将电容性元件 102的第一端N4与接地端GND相连接,第一切换器Sl将电阻性元件110的第一端N3与放 大器104的第二输入端N5相连接,第二切换器S2将电容性元件102的第一端N4与放大器 的第二输入端N5断开连接。因此,在充电模式下,操作电路100、放大器104、第一跨导元件106、第二跨导元件 108以及电阻性元件110用于驱动电容性元件102,以在电容性元件102的第一端N4产生电 压电平。在操作电路100的比较模式下,放大器104用于将电容性元件102的第一端N4的 电压电平与参考电压Vref进行比较,以产生比较信号Sc。须注意,为了更加清楚的说明操 作电路100的操作,在充电模式下,放大器104的输出表示为Vo,在比较模式下放大器104 的输出表示为Sc。控制装置114耦接于放大器104的输出端N2,以在比较模式下接收比较信号Sc, 并且至少根据比较信号Sc选择性产生调整信号Sa以便调整可调的电容性元件102的电容 值。当比较信号Sc指示N4端的电压电平大于参考电压Vref时,控制装置114产生调整信 号Sa以增加电容性元件102的电容值。另一方面,当比较信号Sc指示N4端的电压电平小 于参考电压Vref时,控制装置114产生调整信号Sa以降低电容性元件102的电容值。为 了稳定上述的调整,在一个实施例中,控制装置114包含计数器1142,以对数据进行平均 (average),所述数据是在比较模式下产生的比较信号Sc中包含的数据。在一个实施例中, 当放大器104的比较结果在若干连续的周期(cycles)中指示N4端的电压电平低于(或高 于)参考电压Vref时,计数器1142发送调整信号Sa。计数器1142具有第一端N6、第二端N7 以及第三端N8,其中第一端N6耦接于或门(OR gate)以接收锁定信号(latching signal), 第二端Ν7用于接收参考频率信号Fclk,以及第三端N8用于接收重置信号F_reSet。或门 1141具有三个输入端N9、N10、N11,其中第一输入端N9耦接于赋能信号(enablingsignal) F_EN_bar以赋能计数器1142,第二输入端Nll耦接于第一频率信号CLK2,以及第三输入端 NlO耦接于第二频率信号CLK3。根据第一频率信号CLK2以及第二频率信号CLK3,切换控制器1122控制第一切换 器Si、第二切换器S2、第三切换器S3以及第四切换器S4。请参照图2。图2显示的是操作 电路100的参考频率信号Fclk、第一频率信号CLK2以及第二频率信号CLK3的时序示意图。 参考频率信号Fclk具有实质上(substantially)等于50%的工作周期(duty cycle),参考 频率信号Fclk输入至计数器1142作为计数器1142的操作频率。此外,如图2中所示的,参考频率信号Fclk与第一频率信号CLK2以及第二频率信号CLK3进行同步(synchronize)。在本实施例中,当第一频率信号CLK2处于高电压电平,而第二频率信号CLK3处于低电压电 平时(如tl-t2),操作电路100进入充电模式;当第一频率信号CLK2处于低电压电平,且第 二频率信号CLK3也处于低电压电平时(如t2-t3),操作电路100进入比较模式;当第一频 率信号CLK2处于低电压电平,且第二频率信号CLK3处于高电压电平时(如t3-t4),操作电 路100进入放电模式。因此,第一切换器S 1的控制信号Scl可为第一频率信号CLK2与第 二频率信号CLK3的或(OR)操作。第二切换器S2的控制信号Sc2可为第一频率信号CLK2 与第二频率信号CLK3的异或(XOR)操作。第三切换器S3的控制信号Sc3可对应于第一频 率信号CLK2。第四切换器S4的控制信号Sc4可对应于第二频率信号CLK3。请再次参照图2。第一频率信号CLK2的高电压电平时间间隔Tf定义为目标时间 常数,所述目标时间常数由电阻性元件110的电阻值以及电容性元件102的目标电容值构 成。时间间隔Tf为默认值。如图3所示的,在时间tl处,在赋能操作电路100并重置计数 器1142之后,切换控制器1122输出第一控制信号Scl以开启(即闭合)第一切换器Si,输 出第二控制信号Sc2以关闭(即断开)第二切换器S2,输出第三控制信号Sc3以开启第三 切换器S3,输出第四控制信号Sc4以关闭第四切换器S4。图3显示的是操作于充电模式下 的操作电路100。那么,由第二跨导元件108产生的第二电流12在时间Tf内对电容性元件 102进行充电,其中假定在电容性元件102中不存在电荷,而电容性元件102的电容值是由 调整信号Sa所初始确定的预设电容值。须注意,在充电模式下,放大器104、P型场效晶体 管Ml以及电阻性元件110用于形成反馈环(feedback loop),第一电流Il等于Vref/r,其 中r为电阻性元件110的电阻值。第一电流Il则镜射(mirrored)至P型场效晶体管M2, 在M:1的镜比下产生第二电流12。如图4中所示,在时间t2处(即经过Tf后),切换控制器1122关闭第一切换器 Si,开启第二切换器S2,关闭第三切换器S3以及关闭第四切换器S4。图4显示的是操作 于比较模式下的操作电路100。在比较模式下,放大器104操作为一比较器,以将参考电压 Vref与电容性元件102的第一端N4处的电压电平Vc进行比较,其中电压电平Vc是在充电 模式下产生的。当电压电平Vc高于参考电压Vref时,由放大器104产生的比较信号Sc指 示电容性元件102的当前电容值小于所需的目标电容值,反之,当电压电平Vc小于参考电 压Vref时,由放大器104产生的比较信号Sc指示电容性元件102的当前电容值大于所需 的目标电容值。那么,控制装置114产生调整信号Sa以调整电容性元件102的电容值。在比较模式之后,操作电路100进入放电模式。如图5中所示的,在时间t3与t4 之间的时间间隔内,切换控制器1122开启第一切换器Si,关闭第二切换器S2,关闭第三切 换器S3以及开启第四切换器S4。图5显示的是操作于放电模式下的操作电路100的示意 图。在放电模式下,通过第四切换器S4将电容性元件102的电荷释放至接地端,即接地电 压GND ;同时,通过第一切换器Sl建立起由放大器104、P型场效晶体管Ml以及电阻性元件 110形成的反馈环。在放电模式之后,操作电路100再次进入充电模式。须注意,为了稳定上述调整以及精确地确定电容性元件102的当前电容值是否大 于或小于目标电容值,根据自多个比较信号Sc产生的统计结果,控制装置114可产生调整 信号Sa。例如,当操作电路进入充电模式的次数达到预设数量时,控制装置114可产生调整 信号Sa。须注意,本发明并不限定于上述获取统计结果的方式。在本发明的一个实施例中,统计结果可以是比较信号Sc的预设数量的平均结果。计数器1142可对电容性元件102的当前电容值大于目标电容值的出现次数(假设为η)进行计数,以及对电容性元件102的当 前电容值小于目标电容值的出现次数(假设为m)进行计数。当显示电容性元件102的当 前电容值大于目标电容值的出现次数大于电容性元件102的当前电容值小于目标电容值 的出现次数时(即η > m时),控制装置114可输出调整信号Sa以减少电容性元件102的 电容值,反之亦然。更进一步地,当显示电容性元件102的当前电容值大于目标电容值的出 现次数等于电容性元件102的当前电容值小于目标电容值的出现次数时(即η = m时),控 制装置114可确定电容性元件102的当前电容值等于目标电容值,并锁定电容性元件102 的当前设定。当控制装置114确定电容性元件102的当前电容值等于目标电容值时,由电阻性 元件Iio的电阻值以及电容性元件102的电容值构成的时间常数等于Tf,即第一频率信号 CLK2的高电压电平时间Tf。因此,时间常数可校准为默认值,即Tf。请参照图6。图6显示的是根据本发明第二实施例的操作电路200的示意图。其 中,可对操作电路200进行操作,以校准操作电路200中的可调的电阻性元件210的电阻 值。操作电路200包含放大器204、第一跨导元件206、第二跨导元件208、电阻性元件210、 电容性元件202、切换装置212以及控制装置214。相似于操作电路100,操作电路200具有充电模式、比较模式以及放电模式,并且 切换装置212具有相应于上述三种模式的三种配置。在相应于充电模式的第一配置中,切 换装置212将电容性元件202的第一端N4’与第二跨导元件208相连接,将电阻性元件210 的第一端N3’与放大器204的第二输入端N5’相连接。在比较模式下的第二配置中,切换 装置212将电容性元件202的第一端N4,与第二跨导元件208的连接断开,并将放大器204 的第二输入端N5’与电容性元件202的第一端N4’(而非电阻性元件210的第一端N3’ ) 相连接。在放电模式下的第三配置中,切换装置212将电容性元件202的第一端N4’与接 地电压GND ’相连接。因此,在充电模式下,操作电路200、放大器204、第一跨导元件206、第二跨导元件 208以及电阻性元件210用于驱动电容性元件202,以在电容性元件202的第一端N4,产生 电压电平。在操作电路200的比较模式下,放大器204用于将电容性元件202的第一端N4’ 的电压电平与参考电压Vref’进行比较,以产生比较信号Sc’。须注意,为了更加清楚的说 明操作电路200的操作,在充电模式下,放大器204的输出表示为Vo’,在比较模式下放大器 204的输出表示为Sc,。本实施例中没有提及的其它元件与图1所示的元件相同或相似,例 如图6中的第一切换器Si,对应于图1中的第一切换器Si,为简洁起见,对于此类元件则不 再赘述。在本实施例中,控制装置214耦接于放大器204的输出端N2’,以在比较模式下接 收比较信号Sc’,并且至少根据比较信号Sc,选择性产生调整信号Sa’以便调整电阻性元 件210。与图1中所示的实施例相似,控制装置214进一步耦接于参考频率信号Fclk’、第 一频率信号CLK2’、第二频率信号CLK3’、重置信号F_reSet,以及赋能信号F_EN_bar’。与图1中所示的实施例比较,控制装置214调整电阻性元件210而非电容性元件 202,以将时间常数(由电阻性元件210的电阻值以及电容性元件202的电容值构成)校准 为预设时间常数。通过参考如揭示于操作电路100中的充电模式、比较模式以及放电模式,根据比较信号Sc’,控制装置214调整电阻性元件210的电阻值以改变第一电流ΙΓ与第 二电流12’,其中第二电流12’用以对电容性元件202进行充电。相似于操作电路100,操 作电路200的目标时间常数是预设的,因此在操作电路200的充电模式下的充电时间也是 预设的。通过改变第二电流12’,电容性元件202的第一端N4’处的电压(在充电时间内 充电得到)最终会校准为参考电压Vref’。当电容性元件202的第一端N4’处的电压(在 充电时间内充电得到)等于参考电压Vref’时,由电阻性元件210的电阻值以及电容性元 件202的电容值构成的时间常数则确定为等于预设时间常数。因此,电阻性元件210的电 阻值以及电容性元件202的电容值构 成的时间常数可得到校准。请参照图7。图7显示的是根据本发明实施例的RC校准方法700的示意图。RC 校准方法700可应用于上述操作电路100,因此结合操作电路100来描述RC校准方法700。 如果能够达到实质上相同的结果,图7中所示的流程图的步骤并不需要完全按照所示的顺 序,也不需要连续,换言之,其它的步骤可以间插(intermediate)于其中。RC校准方法700 包含以下步骤步骤702 提供放大器104,所述放大器具有耦接于参考电压Vref的第一输入端 Nl ;步骤704 根据放大器104的输出,选择性产生第一电流Il与第二电流12 ;步骤706 提供电阻性元件110,电阻性元件110具有耦接第一电流Il的第一端 N3 ;步骤708 提供电容性元件102,电容性元件102具有选择性耦接于第二电流12的 第一端N4,其中电容性元件102为可调的被动元件;步骤710 设置放大器104、第一跨导元件106、第二跨导元件108、电阻性元件110 用于产生第二电流12,以对电容性元件102进行充电,以在充电模式下产生电压电平Vc ;步骤712 设置放大器104以将参考电压Vref与电压电平进行比较,以在比较模 式下产生比较信号Sc;步骤714 确定电容性元件的电容值;举例而言,根据比较信号Sc,产生统计结果 来确定电容性元件的电容值;如果统计结果显示电容性元件102的电容值大于目标电容 值,转至步骤716,如果统计结果显示电容性元件102的电容值小于目标电容值,转至步骤 718,如果统计结果显示电容性元件102的电容值等于目标电容值,转至步骤720 ;步骤716 调整电容性元件102以减少电容性元件102的电容值,并转至步骤722 ;步骤718 调整电容性元件102以增加电容性元件102的电容值,并转至步骤722 ;步骤720 结束校准,并确定由电阻性元件110的电阻值以及电容性元件102的电 容值构成的时间常数等于预设时间常数,即Tf ;步骤722 设置操作电路100以对电容性元件102的电荷进行放电,并转至步骤 710。根据本发明,在充电模式下,设置操作电路100、放大器104、第一跨导元件106、第 二跨导元件108以及电阻性元件110用于驱动电容性元件102,以在电容性元件102的第一 端N4产生电压电平。在操作电路100的比较模式下,设置放大器104以将电容性元件102 的第一端N4的电压电平与参考电压Vref进行比较,以产生比较信号Sc。在步骤714中,可根据比较信号Sc的预设数目产生统计结果。在本实施例中,计数器用于在比较信号Sc的预设数目范围内,对电容性元件102的当前电容值大于目标电容 值的出现次数进行计数,以及用于在比较信号Sc的预设数目范围内,对电容性元件102的 当前电容值小于目标电容值 的出现次数进行计数。根据上述内容,本领域技术人员应可结合操作电路200 (其中电阻性元件210为可 调元件)而设计出另一种RC校准方法,此处为简洁起见不再赘述。简而言之,本发明利用一个放大器104以在充电模式下产生充电电流,并且利用 放大器104以作为比较器,用以在比较模式下将参考电压Vref与电压电平Vc进行比较。通 过调整电阻性元件110的电阻值或电容性元件102的电容值,由电阻性元件110的电阻值 与电容性元件102的电容值构成的时间常数可校准为预设时间常数。虽然本发明已就较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。本发明所属技 术领域中普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的变更和润饰。因 此,本发明的保护范围当视之前的权利要求书所界定者为准。
权利要求
一种操作电路,包含放大器,具有耦接于参考电压的第一输入端;第一跨导元件,耦接于所述放大器的输出端,用以根据所述放大器的输出选择性产生第一电流;第二跨导元件,耦接于所述放大器的输出端,用以根据所述放大器的所述输出选择性产生第二电流;电阻性元件,具有耦接于所述第一跨导元件的第一端;电容性元件,具有耦接于所述第二跨导元件的第一端,其中所述电阻性元件与所述电容性元件中的至少一个是可调元件;以及切换装置,在所述操作电路的第一模式下具有第一配置,在所述第一配置下将所述电容性元件的第一端与所述第二跨导元件相连接,以及将所述电阻性元件的第一端与所述放大器的第二输入端相连接;以及在所述操作电路的第二模式下具有第二配置,在所述第二配置下将所述电容性元件的第一端与所述第二跨导元件断开连接,将所述放大器的第二输入端与所述电阻性元件的第一端断开连接,而将所述放大器的第二输入端与所述电容性元件的第一端相连接。
2.根据权利要求1所述的操作电路,其特征在于,所述第一跨导元件包含第一场效晶 体管,所述第一场效晶体管具有耦接于所述放大器的输出端的栅极端、耦接于供应电压的 第一端、以及耦接于所述电阻性元件的第二端;以及所述第二跨导元件包含第二场效晶体 管,所述第二场效晶体管具有耦接于所述放大器的输出端的栅极端、耦接于所述供应电压 的第一端、以及耦接于所述切换装置的第二端。
3.根据权利要求1所述的操作电路,其特征在于,在所述操作电路的所述第一模式下, 所述放大器、所述第一跨导元件、所述第二跨导元件以及所述电阻性元件用于驱动所述电 容性元件,以在所述电容性元件的第一端产生电压电平;在所述操作电路的所述第二模式 下,所述放大器用于将所述电容性元件的第一端的所述电压电平与所述参考电压进行比 较,以产生比较信号,以及所述操作电路进一步包含控制装置,耦接于所述放大器的输出端,用于在所述操作电路的所述第二模式下接收 所述比较信号,以及至少根据所述比较信号选择性产生调整信号以调整所述可调元件。
4.根据权利要求3所述的操作电路,其特征在于,当所述操作电路进入所述第一模式 的次数达到预设数目时,所述控制装置根据所述比较信号的统计结果产生所述调整信号。
5.根据权利要求4所述的操作电路,其特征在于,所述可调元件为所述电阻性元件,当 所述统计结果显示所述参考电压高于所述电容性元件的第一端的所述电压电平时,所述控 制装置输出所述调整信号以减少所述电阻性元件的电阻值,而当所述统计结果显示所述参 考电压低于所述电容性元件的第一端的所述电压电平时,所述控制装置输出所述调整信号 以增加所述电阻性元件的电阻值。
6.根据权利要求4所述的操作电路,其特征在于,所述可调元件为所述电容性元件,当 所述统计结果显示所述参考电压高于所述电容性元件的第一端的所述电压电平时,所述控 制装置输出所述调整信号以减少所述电容性元件的电容值,而当所述统计结果显示所述参 考电压低于所述电容性元件的第一端的所述电压电平时,所述控制装置输出所述调整信号 以增加所述电容性元件的电容值。
7.根据权利要求1所述的操作电路,其特征在于,所述切换装置包含第一切换器,耦接于所述电阻性元件的第一端与所述放大器的第二输入端之间; 第二切换器,耦接于所述电容性元件的第一端与所述放大器的第二输入端之间; 第三切换器,耦接于所述第二跨导元件与所述电容性元件的第一端之间;以及 切换控制器,耦接于所述第一切换器、所述第二切换器以及所述第三切换器,用于在所 述操作电路的所述第一模式下,开启所述第一切换器以及所述第三切换器,而关闭所述第 二切换器,以及用于在所述操作电路的所述第二模式下,关闭所述第一切换器以及所述第 三切换器,而开启所述第二切换器。
8.根据权利要求7所述的操作电路,其特征在于,所述电容性元件的第二端耦接于供 应电压,而所述切换装置进一步包含第四切换器,耦接于所述电容性元件的第一端与所述供应电压之间,其中,在所述操作 电路的第三模式下,所述切换控制器开启所述第四切换器与所述第一切换器,以及关闭所 述第二切换器与所述第三切换器。
9.一种RC校准方法,包含提供放大器,所述放大器具有耦接于参考电压的第一输入端; 根据所述放大器的输出选择性产生第一电流; 根据所述放大器的所述输出选择性产生第二电流; 提供电阻性元件,所述电阻性元件具有耦接于所述第一电流的第一端; 提供电容性元件,所述电容性元件具有选择性耦接于所述第二电流的第一端,其中,所 述电阻性元件与所述电容性元件中的至少一个为可调元件;在第一模式下,将所述电容性元件的第一端与所述第二电流相连接,以及将所述电阻 性元件的第一端与所述放大器的第二输入端相连接;以及在第二模式下,将所述电容性元件的第一端与所述第二电流断开连接,将所述放大器 的所述第二输入端与所述电阻性元件的第一端断开连接,而将所述放大器的所述第二输入 端与所述电容性元件的第一端相连接。
10.根据权利要求9所述的RC校准方法,其特征在于,进一步包含在所述第一模式下,设置所述第二电流以驱动所述电容性元件,以在所述电容性元件 的第一端产生电压电平;在所述第二模式下,设置所述放大器以将所述电容性元件的第一端的所述电压电平与 所述参考电压进行比较,以产生比较信号;在所述第二模式下接收所述比较信号;以及至少根据所述比较信号选择性产生调整信号以调整所述可调元件。
11.根据权利要求10所述的RC校准方法,其特征在于,当进入所述第一模式的次数达 到预设数目时,根据所述比较信号的统计结果产生所述调整信号。
12.根据权利要求11所述的RC校准方法,其特征在于,所述可调元件为所述电阻性 元件,当所述统计结果显示所述参考电压高于所述电容性元件的第一端处的所述电压电平 时,输出所述调整信号以减少所述电阻性元件的电阻值,而当所述统计结果显示所述参考 电压低于所述电容性元件的第一端处的所述电压电平时,输出所述调整信号以增加所述电 阻性元件的电阻值。
13.根据权利要求11所述的RC校准方法,其特征在于,所述可调元件为所述电容性 元件,当所述统计结果显示所述参考电压高于所述电容性元件的第一端处的所述电压电平 时,输出所述调整信号以减少所述电容性元件的电容值,而当所述统计结果显示所述参考 电压低于所述电容性元件的第一端处的所述电压电平时,输出所述调整信号以增加所述电 容性元件的电容值。
14.根据权利要求9所述的RC校准方法,其特征在于,进一步包含提供第一切换器,将所述第一切换器耦接于所述电阻性元件的第一端与所述放大器的 第二输入端之间;提供第二切换器,将所述第二切换器耦接于所述电容性元件的第一端与所述放大器的 第二输入端之间;提供第三切换器,将所述第三切换器耦接于所述第二电流与所述电容性元件的第一端 之间;以及在所述第一模式下,开启所述第一切换器以及所述第三切换器,而关闭所述第二切换 器,以及在所述第二模式下,关闭所述第一切换器以及所述第三切换器,而开启所述第二切换器。
15.根据权利要求14所述的RC校准方法,其特征在于,将所述电容性元件的第二端耦 接于供应电压,而所述RC校准方法进一步包含提供第四切换器,将所述第四切换器耦接于所述电容性元件的第一端与所述供应电压 之间,其中,在第三模式下,开启所述第四切换器与所述第一切换器,以及关闭所述第二切 换器与所述第三切换器。
全文摘要
提供一种操作电路与RC校准方法。操作电路包含放大器,具有耦接参考电压的第一输入端;第一跨导元件,耦接放大器的输出端以选择性产生第一电流;第二跨导元件,耦接放大器的输出端以选择性产生第二电流;电阻性元件,具有耦接第一跨导元件的第一端;电容性元件,具有耦接第二跨导元件的第一端,电阻性电与电容性元件中至少一个是可调元件;切换装置,在第一模式下具有第一配置,将电容性元件连接至第二跨导元件,将电阻性元件连接至放大器,在第二模式下具有第二配置将电容性元件与第二跨导元件的连接断开,将放大器连接至电容性元件。藉此,本发明可对集成电路中的电阻与电容进行有效校准,同时能够节约集成电路的面积与成本。
文档编号H03H1/02GK101958695SQ20091021049
公开日2011年1月26日 申请日期2009年11月3日 优先权日2009年7月20日
发明者罗天佑, 萧全成, 薛康伟 申请人:联发科技股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1