专利名称：电子元器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元器件，更特定而言，涉及具备多个绝缘体层层叠而成的层叠体的电子元器件。
背景技术：
作为现有电子元器件，已知有例如专利文献I揭示的表面安装元器件。图11是具备专利文献I揭示的表面安装元器件510的电子装置500的剖面构造图。图11的电子装置500具备表面安装元器件510及母基板523。表面安装元器件510包含模块基板521、连接盘导体522及内部电极526。模块基板521呈将导电体与非导电体层叠的层叠结构。连接盘导体522设在模块基板521的底面。内部电极526设在模块基板521内，隔着非导电体与连接盘导体522相对。母基板523为包含对应电极524且安装有表面安装元器件510的基板。对应电极524设在母基板523的上表面。在电子装置500，连接盘导体522与对应电极524通过焊料等相连接，藉此将表面安装元器件510安装在母基板523。在以上的表面安装元器件510，连接盘导体522与内部电极526相对，从而构成电容器。因此，模块基板521的内部的电路与母基板523经由该电容器电连接。然而，如以下说明，表面安装元器件510具有以下问题，即在由连接盘导体522及内部电极526构成的电容器中，不易获得期望电容值。更详细而言，在从上侧俯视时，连接盘导体522与内部电极526呈一致的状态且相对。因此，若印刷连接盘导体522或内部电极526的位置稍有偏移，则连接盘导体522与内部电极526相对的部分的面积变化。其结果，由连接盘导体522及内部电极526构成的电容器的电容值变动。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2003-68569号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题因此，本发明的目的在于提供一种内设有具有期望电容值的电容器的电子元器件。用于解决技术问题的技术方案本发明的一方式所涉及的电子元器件，其特征在于，包括层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而成；连接盘电极，该连接盘电极设在所述层叠体的底面；第I电容器导体，该第I电容器导体在所述层叠体内隔着所述绝缘体层与所述连接盘电极相对，该第I电容器导体具有比该连接盘电极的面积要大的面积且从层叠方向俯视时，该第I电容器导体包含该连接盘电极；以及第2电容器导体，该第2电容器导体比所述第I电容器导体更靠层叠方向的上侧而设置，且与该第I电容器导体相对，第3电容器导体,该第3电容器导体比所述第2电容器导体更靠层叠方向的上侧而设置，且与该第2电容器导体相对；以及第I通孔导体，该第I通孔导体将所述第I电容器导体与所述第3电容器导体相连接；在所述第2电容器导体设有从外缘朝向规定方向凹陷的缺口 ；所述第I通孔导体通过所述缺口内；所述缺口在规定方向的深度大于所述第3电容器导体中的与该缺口重叠的部分在规定方向的宽度。发明效果根据本发明，可获得内设有电容器的电子元器件，该电容器即使在层叠时产生重叠偏移也具有期望电容值。
图1是本发明第I实施方式的电子元器件的外观立体图。图2是本发明第I实施方式的电子元器件的分解立体图。图3是本发明第I实施方式的电子元器件的等效电路图。图4是第2实施方式的电子元器件的分解立体图。图5是第2实施方式的电子元器件的等效电路图。图6是层叠有绝缘体层的图。图7是表示实验结果的曲线图。图8是层叠有绝缘体层的图。图9是第3实施方式的电子元器件的分解立体图。图10是第3实施方式的电子元器件的等效电路图。图11是专利文献I揭示的、具备表面安装元器件的电子装置的剖面构造图。
具体实施例方式以下，参照
本发明的一实施方式所涉及的电子元器件。(第I实施方式)(电子元器件的结构)以下，参照
本发明的第I实施方式所涉及的电子元器件的结构。图1是本发明第I实施方式的电子元器件10的外观立体图。图2是本发明第I实施方式的电子元器件10的分解立体图。图3是本发明第I实施方式的电子元器件10的等效电路图。以下，将电子元器件10的层叠方向定义成z轴方向。又，从z轴方向俯视时，将沿着电子元器件10的长边的方向定义成X轴方向，将沿着电子元器件10的短边的方向定义成y轴方向。如图1及图2所示，电子元器件10具备层叠体12、连接盘电极14 (14a 14c)、内部导体18 (18a 18m)、接地导体19及通孔导体b (bl b41)。如图2所示，层叠体12通过层叠长方形的多个绝缘体层16(16a 16i)来构成，呈长方体状。绝缘体层16呈长方形，由例如Ba-Al-Si类的陶瓷电介质构成。绝缘体层16a 16i，在z轴方向从正方向侧往负方向侧依次排列层叠。以下，将绝缘体层16的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将绝缘体层16的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。连接盘电极14a 14c设在绝缘体层16i的背面(层叠体12的底面)，呈在y轴方向延伸的长方形。即，电子元器件10呈所谓LGA(Land Grid Array :触点阵列封装)结构。此外，为了容易理解，图2中，连接盘电极14a 14c以从绝缘体层16i的背面分离开的状态记载。连接盘电极14a"l4c从X轴方向的负方向侧往正方向侧依次排列。连接盘电极14a用作输入端子。连接盘电极14b用作接地端子。连接盘电极14c用作输出端子。内部导体18及接地导体19由以Cu为主成分的导电性材料构成，设在绝缘体层16的表面上。通孔导体b通过在z轴方向贯通绝缘体层16的通孔中填充以Cu为主成分的导电性材料而构成。如以下说明，连接盘电极14、内部导体18、接地导体19及通孔导体b构成内设在层叠体12中的线圈LsfLs3及电容器CsfCs3、Cml、Cm2、Cpl(参照图3)。如图2及图3所示，线圈Lsl由内部导体18a、18d及通孔导体bl b3、b8 bl3构成。更详细而言，内部导体18a、18d分别设在绝缘体层16b、16c的表面上，在y轴方向延伸，呈在I轴方向的正方向侧的端部往X轴方向的正方向侧折曲的L字状。内部导体18a与内部导体18d呈相同形状，从z轴方向俯视时，以一致的状态重叠。又，通孔导体bl在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18a的一端与内部导体18d的一端相连接。通孔导体b8在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18a的另一端与内部导体18d的另一端相连接。藉此，内部导体18a、18d彼此连接。通孔导体b2、b3分别在z轴方向贯通绝缘体层16c、16d。通孔导体b2、b3串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b2在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18d的一端。通孔导体b3在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18h的一端。通孔导体b9飞13在z轴方向贯通绝缘体层16C 16g。通孔导体b9飞13串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b9在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18d的另一端。如上所述，从X轴方向的正方向侧俯视时，线圈Lsl呈构成“3”字状的环型线圈。内部导体181设在绝缘体层16i的表面上，呈在y轴方向延伸的长方形。内部导体181在层叠体12内隔着绝缘体层16i与连接盘电极14a相对，具有比连接盘电极14a要大的面积，且从z轴方向的正方向侧(层叠方向)观察时，包含连接盘电极14a。电容器Csl由内部导体18h、181及接地导体19构成。内部导体18h设在绝缘体层16e的表面上，呈由在y轴方向延伸部分与在该部分的y轴方向的中央部往X轴方向的正方向侧突出部分构成的T字状。接地导体19设在绝缘体层16h上，呈十字型。接地导体19比内部导体18h更靠z轴方向的负方向侧(积层方向的下侧)而设置且比内部导体181更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。内部导体18h与接地导体19隔着绝缘体层16e、16f、16g彼此相对，内部导体181与接地导体19隔着绝缘体层16h彼此相对。藉此，在内部导体18h、181与接地导体19之间形成有电容器Csl。通孔导体b4 b7在z轴方向贯通绝缘体层16e 16h。通孔导体b4 b7串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b4在z轴方向的正方向侧的端部连接于通孔导体b3在z轴方向的负方向侧的端部。通孔导体b7在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体181。又，通孔导体b 13在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体19。藉此，线圈Lsl与电容器Csl并联连接，从而构成LC并联谐振器LCl。
又，通孔导体bl4在z轴方向贯通绝缘体层16i。通孔导体bl4在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体181。通孔导体bl4在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14a。藉此，由线圈Lsl与电容器Csl构成的LC并联谐振器LCl经由通孔导体bl4连接于连接盘电极14a。又，通孔导体bl5、bl6在z轴方向贯通绝缘体层16h、16i。通孔导体bl5、bl6串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体bl5在z轴方向的正方向侧的端部连接于接地导体19。通孔导体bl6在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14b。藉此，由线圈Lsl与电容器Csl构成的LC并联谐振器LCl经由通孔导体bl5、bl6连接于连接盘电极14b。如图2及图3所示,线圈Ls2由内部导体18b、18e及通孔导体b31 b34、b36 b41构成。更详细而言，内部导体18b、18e分别在绝缘体层16b、16c的表面设在内部导体18a、18d在X轴方向的正方向侧，呈在y轴方向延伸的长方形。内部导体18b与内部导体18e呈 相同形状，从z轴方向俯视时，以一致的状态重叠。又，通孔导体b31在z轴方向贯通绝缘体层16b,将内部导体18b的一端与内部导体18e的一端相连接。通孔导体b36在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18b的另一端与内部导体18e的另一端相连接。藉此，内部导体18b、18e彼此连接。通孔导体b32飞34分别在z轴方向贯通绝缘体层16C 16e。通孔导体b32飞34串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b32在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18e的一端。通孔导体b37飞41在z轴方向贯通绝缘体层16C 16g。通孔导体b37飞41串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b37在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18e的另一端。如上所述，从X轴方向的正方向侧俯视时，线圈Ls2呈构成字状的环型线圈。电容器Cs2由内部导体18j、18k及接地导体19构成。内部导体18j、18k分别设在绝缘体层16f、16g的表面上，呈长方形。通孔导体b35在z轴方向贯通绝缘体层16f。通孔导体b35在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18j。通孔导体b35在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18k。内部导体18j与接地导体19隔着绝缘体层16f、16g彼此相对。内部导体18k与接地导体19隔着绝缘体层16g彼此相对。藉此，在内部导体18j、18k与接地导体19之间形成有电容器Cs2。通孔导体b34在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18j。又，通孔导体b41在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体19。藉此，线圈Ls2与电容器Cs2并联连接，从而构成LC并联谐振器LC2。又，由线圈Ls2与电容器Cs2构成的LC并联谐振器LC2经由通孔导体bl5、bl6连接于连接盘电极14b。如图2及图3所示，线圈Ls3由内部导体18c、18f 及通孔导体bl7 bl9、b24 b29构成。更详细而言，内部导体18c、18f分别设在绝缘体层16b、16c的表面上，在y轴方向延伸，呈在I轴方向的正方向侧的端部往X轴方向的负方向侧折曲的L字状。内部导体18c与内部导体18f呈相同形状，从z轴方向俯视时，以一致的状态重叠。又，通孔导体b 17在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18c的一端与内部导体18f的一端相连接。通孔导体b24在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18c的另一端与内部导体18f的另一端相连接。藉此，内部导体18c、18f彼此连接。通孔导体bl8、bl9分别在z轴方向贯通绝缘体层16c、16d。通孔导体bl8、bl9串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体bl8在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18f的一端。通孔导体bl9在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18i的一端。通孔导体b25飞29在z轴方向贯通绝缘体层16c 16g。通孔导体b25飞29串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b25在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18f的另一端。如上所述，从X轴方向的正方向侧俯视时，线圈Ls3呈构成字状的环型线圈。内部导体18m设在绝缘体层16i的表面上，呈在y轴方向延伸的长方形。内部导体18m在层叠体12内隔着绝缘体层16i与连接盘电极14c相对，具有比连接盘电极14c要大的面积，且从z轴方向的正方向侧(层叠方向)观察时，包含连接盘电极14c。电容器Cs3由内部导体181、18m及接地导体19构成。内部导体18i设在绝缘体层16e的表面上，呈由在I轴方向延伸部分与在该部分的I轴方向的中央部往X轴方向的负方向侧突出部分构成的T字状。接地导体19比内部导体18i更靠z轴方向的负方向侧(层叠方向的下侧)而设置且比内部导体18m更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。内部导体18i与接地导体19隔着绝缘体层16e、16f、16g彼此相对，内部导体18m与接地导体19隔着绝缘体层16h彼此相对。藉此，在内部导体181、18m与接地导体19之间形成有电容器Cs3。通孔导体b20 b23在z轴方向贯通绝缘体层16e 16h。通孔导体b20 b23串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b20在z轴方向的正方向侧的端部连接于通孔导体bl9在z轴方向的负方向侧的端部。通孔导体b23在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18m。又，通孔导体b29在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体19。藉此，线圈Ls3与电容器Cs3并联连接，从而构成LC并联谐振器LC3。又，通孔导体b30在z轴方向贯通绝缘体层16i。通孔导体b30在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18m。通孔导体b30在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14c。藉此，由线圈Ls3与电容器Cs3构成的LC并联谐振器LC3经由通孔导体b30连接于连接盘电极14c。又，由线圈Ls3与电容器Cs3构成的LC并联谐振器LC3经由通孔导体bl5、bl6连接于连接盘电极14b。电容器Cml由内部导体18h及内部导体18j构成。内部导体18h及内部导体18j隔着绝缘体层16e彼此相对。藉此，在内部导体18h、18j间形成有电容器Cml。电容器Cm2由内部导体18i及内部导体18j构成。内部导体18i及内部导体18j隔着绝缘体层16e彼此相对。藉此，在内部导体181、18j间形成有电容器Cm2。电容器Cpl由内部导体18g及内部导体18h、18i构成。内部导体18g设在绝缘体层16d的表面上，呈在X轴方向延伸的长方形。内部导体18g与内部导体18h、18i隔着绝缘体层16d彼此相对。藉此，在内部导体18h、18g之间及内部导体18g、18i之间形成二个电容器。这二个电容器串联连接以构成电容器Cpl。以上述方式构成的电子元器件10例如被用作带通滤波器。更详细而言，LC并联谐振器LCf LC3的阻抗在它们的谐振频率下会最大。因此，LC并联谐振器LCf LC3使具有它们的谐振频率附近的频率的高频信号不通过。即，具有LC并联谐振器LCf LC3的谐振频率附近的频率的高频信号不会从外部电极14a流向外部电极14b，而从外部电极14a流向外部电极14c。另一方面，在LC并联谐振器LCf LC3的谐振频率附近的频率外的频率下，LC并联谐振器LCf LC3的阻抗较低。因此，LC并联谐振器LCf LC3的谐振频率附近的频率外的频率通过LC并联谐振器LCf LC3，经由外部电极14b流向接地。如上所述，在电子元器件10，作为仅使LC并联谐振器LCf LC3的谐振频率附近的频率的高频信号通过的带通滤波器起作用。(效果)在上述电子元器件10，在具有期望电容值的电容器Csl，Cs3可获得期望电容值。更详细而言，内部导体181、18m分别在层叠体12内隔着绝缘体层16i与连接盘电极14a, 14c相对，具有比连接盘电极14a、14c要大的面积，且从z轴方向的正方向侧(层叠方向)观察时包含连接盘电极14a、14c。因此，即使印刷构成电容器Csl、Cs3的内部导体181、18m、18h、18i或连接盘电极14a、14c的位置稍微偏移，从z轴方向俯视时，也维持连接盘电 极14a、14c包含在内部导体181、18m内的状态。因此，在电子元器件10，可抑制连接盘电极14a、14c从内部导体181、18m露出以与接地电极19相对从而形成电容。因而，可抑制电容器Csl, Cs3从期望电容值偏移。又，在电子元器件10，即使在获得了具有期望电容值的电容器Csl、Cs3的情况下，也能维持连接盘电极14a 14c间的绝缘性。更详细而言，为了获得期望电容值而加大连接盘电极14a、14c的面积的情况下，连接盘电极14a 14c间的间隔变小。另一方面，将电子元器件10安装在基板时，利用焊料将连接盘电极14a 14c与基板的连接盘相连接。因此，若连接盘电极14a 14c间的间隔变小，则在焊料安装时，会有连接盘电极14a 14c之间因焊料而连接的风险。即，无法维持连接盘电极14a 14c间的绝缘性。因此，在电子元器件10，内部导体181、18m的面积比连接盘电极14a、14c的面积要大。由于内部导体181、18m内设在电子元器件10中，因此无法如连接盘电极14a 14c那样进行焊料安装。因此，将电子元器件10安装到基板时，没有在内部导体181、18m间产生短路的风险。因此，内部导体181、18m之间相比于连接盘电极14a 14c容易接近。S卩，内部导体181、18m相比于连接盘电极14a 14c容易大型化。根据以上说明，在电子元器件10，即使在获得了具有期望电容值的电容器Csl、Cs3的情况下，也能维持连接盘电极14a 14c间的绝缘性。(第2实施方式)(电子元器件的结构)以下，参照
第2实施方式的电子元器件IOa的结构。图4是第2实施方式的电子元器件IOa的分解立体图。图5是第2实施方式的电子元器件IOa的等效电路图。此外，电子元器件IOa的外观立体图援弓丨图1。此外，对电子元器件IOa的结构内的、与电子元器件10相同的结构标注相同参照标号。如图4所示，电子元器件IOa具备层叠体12、连接盘电极14 (14a 14c)、内部导体18 (18a 18g、181、18m)、38 (38a 38h)、接地导体 39 (39a,39b)及通孔导体 b (b51 b97)。如图4所示，层叠体12通过层叠多个长方形绝缘体层16(16a 16j)而构成，呈长方体状。绝缘体层16呈长方形，由例如Ba-Al-Si类的陶瓷电介质构成。绝缘体层16a 16j在z轴方向从正方向侧往负方向侧依次排列层叠。以下，将绝缘体层16的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将绝缘体层16的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。连接盘电极14a 14c设在绝缘体层16 j的背面(层叠体12的底面)，呈在y轴方向延伸的长方形。S卩，电子元器件IOa呈所谓LGA(Land Grid Array)结构。此外，为了容易理解，图4中，连接盘电极14a 14c以从绝缘体层16j的背面分离开的状态记载。连接盘电极14a 14c从X轴方向的负方向侧往正方向侧依次排列。连接盘电极14a用作输入端子。连接盘电极14b用作接地端子。连接盘电极14c用作输出端子。内部导体18、38及接地导体39由以Cu为主成分的导电性材料构成，设在绝缘体层16的表面上。通孔导体b通过在z轴方向贯通绝缘体层16的通孔中填充以Cu为主成分的导电性材料而构成。连接盘电极14、内部导体18、38、接地导体39及通孔导体b，如以下说明，构成内设在层叠体12的线圈Lsf Ls3及电容器CsfCs3、Cml、Cm2、Cpl(参照图5)。如图4及图5所示，线圈Lsl由内部导体18a、18d及通孔导体b51 b53、b57 b61·构成。更详细而言，内部导体18a、18d分别设在绝缘体层16b、16c的表面上，在y轴方向延伸，呈在I轴方向的正方向侧的端部往X轴方向的正方向侧折曲的L字状。内部导体18a与内部导体18d呈相同形状，从z轴方向俯视时，以一致的状态重叠。又，通孔导体b51在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18a的一端与内部导体18d的一端相连接。通孔导体b57在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18a的另一端与内部导体18d的另一端相连接。藉此，内部导体18a、18d彼此连接。通孔导体b52、b53分别在z轴方向贯通绝缘体层16c、16d。通孔导体b52、b53串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b52在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18d的一端。通孔导体b58飞61在z轴方向贯通绝缘体层16c 16f。通孔导体b58飞61串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b58在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18d的另一端。如上所述，从X轴方向的正方向侧俯视时，线圈Lsl呈构成“3”字状的环型线圈。内部导体181设在绝缘体层16j的表面上，呈在y轴方向延伸的长方形。内部导体181在层叠体12内隔着绝缘体层16 j与连接盘电极14a相对，具有比连接盘电极14a要大的面积，且从z轴方向的正方向侧(层叠方向)观察时，包含连接盘电极14a。在内部导体181与连接盘电极14a之间未设有导体层。电容器Csl由内部导体181、38c、38f及接地导体39a、39b构成。内部导体38c、38f 分别设在绝缘体层16f、16h的表面上，呈在y轴方向延伸的长方形。接地导体39a设在绝缘体层16g的表面上，呈由在X轴方向延伸部分与在该部分的X轴方向的中央部往y轴方向的负方向侧突出部分构成的T字状。接地导体39b设在绝缘体层16i的表面上，呈长方形。然而，在接地导体39b设有缺口 Al及缺口 A2，该缺口 Al从X轴方向的负方向侧的边(外缘)朝向X轴方向的正方向侧凹陷，该缺口 A2从X轴方向的正方向侧的边(外缘)朝向X轴方向的负方向侧凹陷。此处，参照
电子元器件IOa的缺口 Al、A2的形状。图6是层叠有绝缘体层16h 16j的图。但,为了易于理解,省略内部导体38g。缺口 Al、A2在X轴方向的深度Dl、D2分别比内部导体181、18m、38f、38h与缺口A1、A2重叠的部分在x轴方向的宽度D3、D4要大。
再者，接地导体39b比内部导体181更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。又，内部导体38f比接地导体39b更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。藉此，内部导体181与接地导体39b隔着绝缘体层16i彼此相对。同样地，内部导体38f与接地导体39b隔着绝缘体层16h彼此相对。即，在内部导体181、38f与接地导体39b之间分别形成有电容。再者，接地导体39a比内部导体38f更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。又，内部导体38c比接地导体39a更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。藉此，内部导体38f与接地导体39a隔着绝缘体层16g彼此相对。同样地，内部导体38c与接地导体39a隔着绝缘体层16f彼此相对。即，在内部导体38c、38f与接地导体39a之间分别形成有电容。
又,通孔导体b54 b56在z轴方向贯通绝缘体层16e 16g。通孔导体b54 b56串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b54在z轴方向的正方向侧的端部连接于通孔导体b53在z轴方向的负方向侧的端部。通孔导体b54在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体38c。通孔导体b56在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体38f。又,通孔导体b64、b65在z轴方向贯通绝缘体层16h、16i。通孔导体b64、b65串联连接，从而构成一条通孔导体，且通过缺口 Al内。通孔导体b64在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体38f。通孔导体b65在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体181。S卩，通孔导体b64、b65将内部导体181与内部导体38f相连接。通过按以上述方式连接内部导体181、38c、38f，从而将由内部导体181、38c、38f及接地导体39a、39b构成的四个电容器相连接。此外，利用四个电容器形成有电容器Csl。又，如上所述，通孔导体b65在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体181。再者，通孔导体b62、b63在z轴方向贯通绝缘体层16g、16h。通孔导体b62、b63串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b62在z轴方向的正方向侧的端部连接于通孔导体b61在z轴方向的负方向侧的端部。通孔导体b63在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体39b。藉此，线圈Lsl与电容器Csl并联连接，从而构成LC并联谐振器LCl。又，通孔导体b66在z轴方向贯通绝缘体层16j。通孔导体b66在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体181。通孔导体b66在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14a。藉此，由线圈Lsl与电容器Csl构成的LC并联谐振器LCl经由通孔导体b66连接于连接盘电极14a。又，通孔导体b67、b68在z轴方向贯通绝缘体层161、16j。通孔导体b67、b68串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b67在z轴方向的正方向侧的端部连接于接地导体39b。通孔导体b68在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14b。藉此，由线圈Lsl与电容器Csl构成的LC并联谐振器LCl经由通孔导体b67、b68连接于连接盘电极14b。如图4及图5所示，线圈Ls2由内部导体18b、18e及通孔导体b85 b88、b9Tb95构成。更详细而言，内部导体18b、18e分别在绝缘体层16b、16c的表面设在内部导体18a、18d在X轴方向的正方向侧，呈在y轴方向延伸的长方形。内部导体18b与内部导体18e呈相同形状，从z轴方向俯视时，以一致的状态重叠。又，通孔导体b85在z轴方向贯通绝缘体层16b,将内部导体18b的一端与内部导体18e的一端相连接。通孔导体b91在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18b的另一端与内部导体18e的另一端相连接。藉此，内部导体18b、18e并联连接。通孔导体b86飞88分别在z轴方向贯通绝缘体层16c 16e。通孔导体b86飞88串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b86在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18e的一端。通孔导体b92飞95在z轴方向贯通绝缘体层16c 16f。通孔导体b92飞95串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b92在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18e的另一端。如上所述，从X轴方向的正方向侧俯视时，线圈Ls2呈构成字状的环型线圈。电容器Cs2由内部导体38d、38g及接地导体39a、39b构成。内部导体38d、38g分别设在绝缘体层16f、16h的表面上，呈T字状。通孔导体b89、b90在z轴方向贯通绝缘体层16f、16g。通孔导体b89、b90串联连接,从而构成一条通孔导体。通孔导体b89在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体38d。通孔导体b90在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体38g。内部导体38d、38g与接地导体39a隔着绝缘体层16f、16g相对。内部导体38g与接地导体39b隔着绝缘体层16h彼此相对。藉此，在内部导体38d、38g与接地导体39a、39b之间形成有电容器Cs2。通孔导体b88在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体38d。又，通孔导体b95在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体39a。再者，通孔导体b96、b97在z轴方向贯通绝缘体层16g、16h。通孔导体b96、b97串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b96在z轴方向的正方向侧的端部连接于接地导体39a。通孔导体b97在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体39b。藉此，线圈Ls2与电容器Cs2并联连接，从而构成LC并联谐振器LC2。又，由线圈Ls2与电容器Cs2构成的LC并联谐振器LC2经由通孔导体b67、b68连接于连接盘电极14b。如图4及图5所示，线圈Ls3由内部导体18c、18f及通孔导体b69 b71、b75 b79构成。更详细而言，内部导体18c、18f分别设在绝缘体层16b、16c的表面上，在y轴方向延伸，呈在I轴方向的正方向侧的端部往X轴方向的负方向侧折曲的L字状。内部导体18c与内部导体18f呈相同形状，从z轴方向俯视时，以一致的状态重叠。又，通孔导体b69在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18c的一端与内部导体18f的一端相连接。通孔导体b75在z轴方向贯通绝缘体层16b，将内部导体18c的另一端与内部导体18f的另一端相连接。藉此，内部导体18c、18f彼此连接。通孔导体b70、b71分别在z轴方向贯通绝缘体层16c、16d。通孔导体b70、b71串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b70在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18f的一端。通孔导体b76 b79在z轴方向贯通绝缘体层16c 16f。通孔导体b76 b79串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b76在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18f的另一端。如上所述，从X轴方向的正方向侧俯视时，线圈Ls3呈构成字状的环型线圈。内部导体18m设在绝缘体层16j的表面上，呈在y轴方向延伸的长方形。内部导体18m在层叠体12内隔着绝缘体层16 j与连接盘电极14c相对，具有比连接盘电极14c要大的面积，且从Z轴方向的正方向侧(层叠方向)观察时，包含连接盘电极14c。在内部导体18m与连接盘电极14c之间未设有导体层。电容器Cs3由内部导体18m、38e、38h及接地导体39a、39b构成。内部导体38e、38h分别设在绝缘体层16f、16h的表面上，呈在y轴方向延伸的长方形。再者，接地导体39b比内部导体18m更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。又，内部导体38h比接地导体39b更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。藉此，内部导体18m与接地导体39b隔着绝缘体层16i彼此相对。同样地，内部导体38h与接地导体39b隔着绝缘体层16h彼此相对。即，在内部导体18m、38h与接地导体39b之间分别形成有电容。
再者，接地导体39a比内部导体38h更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。又，内部导体38e比接地导体39a更靠z轴方向的正方向侧(层叠方向的上侧)而设置。藉此，内部导体38h与接地导体39a隔着绝缘体层16g彼此相对。同样地，内部导体38e与接地导体39a隔着绝缘体层16f彼此相对。即，在内部导体38e、38h与接地导体39a之间分别形成有电容。又，通孔导体b72飞74在z轴方向贯通绝缘体层16e 16g。通孔导体b72飞74串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b72在z轴方向的正方向侧的端部连接于通孔导体b71的负方向侧的端部。通孔导体b72在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体38e。通孔导体b74在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体38h。又，通孔导体b82、b83在z轴方向贯通绝缘体层16h、16i。通孔导体b82、b83串联连接，从而构成一条通孔导体，且通过缺口 A2内。通孔导体b82在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体38h。通孔导体b83在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18m。S卩，通孔导体b82、b83将内部导体18m与内部导体38h相连接。通过按以上述方式连接内部导体18m、38e、38h，将由内部导体18m、38e、38h及接地导体39a、39b构成的四个电容器相连接。此外，利用四个电容器形成有电容器Cs3。又，如上所述，通孔导体b83在z轴方向的负方向侧的端部连接于内部导体18m。再者，通孔导体b80、b81在z轴方向贯通绝缘体层16g、16h。通孔导体b80、b81串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b80在z轴方向的正方向侧的端部连接于通孔导体b79在z轴方向的负方向侧的端部。通孔导体b81在z轴方向的负方向侧的端部连接于接地导体39b。藉此，线圈Ls3与电容器Cs3并联连接，从而构成LC并联谐振器LC3。又，通孔导体b84在z轴方向贯通绝缘体层16j。通孔导体b84在z轴方向的正方向侧的端部连接于内部导体18m。通孔导体b84在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14c。藉此，由线圈Ls3与电容器Cs3构成的LC并联谐振器LC3经由通孔导体b84连接于连接盘电极14c。又，通孔导体b67、b68在z轴方向贯通绝缘体层161、16j。通孔导体b67、b68串联连接，从而构成一条通孔导体。通孔导体b67在z轴方向的正方向侧的端部连接于接地导体39b。通孔导体b68在z轴方向的负方向侧的端部连接于连接盘电极14b。藉此，由线圈Ls3与电容器Cs3构成的LC并联谐振器LC3经由通孔导体b67、b68连接于连接盘电极14b。电容器Cml由内部导体38a及内部导体38d构成。内部导体38a设在绝缘体层16e的表面上，在y轴方向延伸，呈在I轴方向的正方向侧的端部往X轴方向的正方向侧折曲的L字状。又，内部导体38a连接于通孔导体b53、b54。如上所述，内部导体38d设在绝缘体层16f的表面上，呈T字状。又，内部导体38d连接于通孔导体b88、b89。内部导体38a及内部导体38d隔着绝缘体层16e彼此相对。藉此，在内部导体38a、38d间形成有电容器Cmlo电容器Cm2由内部导体38b及内部导体38d构成。内部导体38b设在绝缘体层16e的表面上，在y轴方向延伸，呈在I轴方向的正方向侧的端部往X轴方向的负方向侧折曲的L字状。又，内部导体38b连接于通孔导体b71、b72。如上所述，内部导体38d设在绝缘体层16f的表面上，呈T字状。内部导体38b及内部导体38d隔着绝缘体层16e彼此相对。藉此，在内部导体38b、38d间形成有电容器Cm2。电容器Cpl由内部导体18g及内部导体38a、38b构成。内部导体18g设在绝缘体层16d的表面上，呈在X轴方向延伸的长方形。内部导体18g及内部导体38a、38b隔着绝缘体层16d彼此相对。藉此，在内部导体38a、18g之间及内部导体18g、38b之间形成二个电容器。这二个电容器串联连接，从而构成电容器Cpl。以上述方式构成的电子元器件IOa例如被用作带通滤波器。但由于电子元器件IOa的动作与电子元器件10的动作相同，因此省略说明。(效果)在上述电子元器件10a，与电子元器件10同样地，在具有期望电容值的电容器Cs1、Cs3可获得期望电容值。再者，在电子元器件10a，与电子元器件10同样地，即使在获得了具有期望电容值的电容器Csl、Cs3的情况下，也能维持连接盘电极14a 14c间的绝缘性。又，根据电子元器件10a，在层叠绝缘体层16h 16j时，即使绝缘体层16h 16j在x轴方向偏移，电容器Csl、Cs3的电容值也不易变动。更详细而言，如图6所示，缺口 Al、A2在X轴方向的深度D1、D2分别比内部导体181、18m、38f、38h与缺口 A1、A2重叠的部分在x轴方向的宽度D3、D4要大。因此，即使绝缘体层16tTl6j在X轴方向偏移，内部导体181、18m、38f、38h与接地导体39b相对的部分的面积也不会变化。其结果，根据电子元器件10a，在层叠绝缘体层16tTl6j时，即使绝缘体层16tTl6j在X轴方向偏移，电容器Csl、Cs3的电容值也不易变动。本申请的发明人为了使能抑制电容器Csl、Cs3的电容值变动的情况更明确，进行了以下说明的实验。具体而言，将电子元器件IOa制作成第I样本，将未设置缺口 A1、A2的电子元器件制作成第2样本。第2样本中缺口 Al、A2以外的结构与第I样本相同。接着，使用第I样本及第2样本调查频率与插入损耗之间的关系。图7是表示实验结果的曲线图。纵轴表示插入损耗，横轴表示频率。根据图7，在第2样本，可知在高频信号的通带中，插入损耗比第I样本大。认为其原因在于，在第2样本中产生层叠偏移,从而电容器Csl、Cs3的电容值变小。因此,可知若采用电子元器件10a，电容器Csl、Cs3的电容值不易变动。又，在电子元器件10a，可抑制电容器Csf Cs3的电容值变动。更详细而言，电容器Csf Cs3分别通过将多个电容器并联连接来构成，该多个电容器由多个内部导体18、38与多个接地导体39所形成。因此，构成各电容器Csf Cs3的多个电容器的电容值较小。因此，即使多个电容器中任一个电容器的电容值因层叠偏移等而变动，电容器Csl Cs3的电容值变动量也较小。因此，在电子元器件10a，可抑制电容器Csf Cs3的电容值变动。(变形例)以下，参照
变形例的内部导体18’1、18’ m、38’ f、38’ h及接地导体39’ b。图8是层叠有绝缘体层16tTl6j的图。如图8所示，缺口 Al、A2在X轴方向的深度Dl、D2分别比内部导体18’ 1、18’ m、38’f、38’h与缺口 A1/A2重叠的部分在X轴方向的宽度D3、D4要大。然而，内部导体18’1、18’ m、38’ f、38’ h与缺口 Al、A2重叠的部分在x轴方向的宽度D3、D4比内部导体18’1、18，m、38，f、38’ h的其他部分在x轴方向的宽度D5、D6小。藉此，能使缺口 A1、A2在x轴方向的深度D1、D2变小。(第3实施方式)(电子元器件的结构)以下，参照
第3实施方式的电子元器件IOb的结构。图9是第3实施方式的电子元器件IOb的分解立体图。图10是第3实施方式的电子元器件IOb的等效电路图。此外，电子元器件IOb的外观立体图援引图1。此外，对电子元器件IOb的结构内的、与电子元器件10相同的结构标注相同参照标号。电子元器件IOb与电子元器件10的不同点在于是否有通孔导体bl4、b30。更详细而言，如图9所示，在电子元器件10b，在连接盘电极14a与内部电极181之间未设置通孔导体。因此，连接盘电极14a与内部电极181在彼此绝缘的状态下隔着绝缘体层16i彼此相对。藉此，在连接盘电极14a与内部电极181之间形成有电容器Cxi。又，在连接盘电极14c与内部电极18m之间也未设置通孔导体。因此，连接盘电极14c与内部电极18m在彼此绝缘的状态下隔着绝缘体层16i彼此相对。藉此，在连接盘电极14c与内部电极18m之间形成有电容器Cx2。以上述方式构成的电子元器件IOb例如被用作带通滤波器。但由于电子元器件IOb的动作与电子元器件10的动作相同，因此省略说明。(效果)在上述电子元器件10b，与电子元器件10同样地，在电容器Csl、Cs3可获得期望电容值。又,根据电子元器件IOb,在印刷连接盘电极14a、14c时，即使连接盘电极14a、14c稍微偏移，电容器Cxl、Cx2的电容值也不易变动。更详细而言，内部导体181、18m分别在层叠体12内隔着绝缘体层16i与连接盘电极14a、14c相对，具有比连接盘电极14a、14c要大的面积，且从z轴方向的正方向侧(层叠方向)俯视时，包含连接盘电极14a、14c。因此，即使构成电容器Cx1、Cx2的内部导体181、18m或连接盘电极14a、14c稍微偏移，内部导体181、18m与连接盘电极14a、14c相对的部分的面积也不会变化。其结果,在电子元器件IOb,在印刷连接盘电极14a、14c时，即使连接盘电极14a、14c稍微偏移，电容器Cxl、Cx2的电容值也不易变动。再者，根据电子元器件10b，即使印刷连接盘电极14a、14c的位置稍微偏移，从z轴方向俯视时，也会维持连接盘电极14a、14c包含在内部导体181、18m内的状态。因此，在电子元器件10，可抑制连接盘电极14a、14c从内部导体181、18m露出并与接地导体19相对从而形成电容。因而，可抑制电容器Cxl、Cx2从期望电容值偏离，且能防止电子元器件IOb的特性因不需要的电容而变化。如上所述，本发明对于电子元器件有用，尤其在可获得具有期望电容值的电容器的方面较优异。标号说明10、10a、IOb 电子元器件12层叠体14(14a 14c) 连接盘电极16 (16a 16 j)绝缘体层18 (18a 18m)、38 (38a 38h)内部导体19,39 (39a, 39b)接地导体b (bl b41、b51 b97)通孔导体Lsl Ls3 线圈Csl Cs3、Cml、Cm2、Cpl、Cxl、Cx2 电容器
权利要求
1.一种电子元器件，其特征在于，包括 层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而成； 连接盘电极，该连接盘电极设在所述层叠体的底面； 第I电容器导体，该第一电容器导体在所述层叠体内隔着所述绝缘体层与所述连接盘电极相对，该第一电容器导体具有比该连接盘电极的面积要大的面积且从层叠方向俯视时，该第一电容器导体包含该连接盘电极；以及 第2电容器导体，该第2电容器导体比所述第I电容器导体更靠层叠方向的上侧而设置，且与该第I电容器导体相对；以及 第3电容器导体，该第3电容器导体比所述第2电容器导体更靠层叠方向的上侧而设置，且与该第2电容器导体相对；以及 第I通孔导体，该第I通孔导体将所述第I电容器导体与所述第3电容器导体相连接； 在所述第2电容器导体设有从外缘朝向规定方向凹陷的缺口 ； 所述第I通孔导体通过所述缺口内； 所述缺口在规定方向的深度大于所述第3电容器导体中的与该缺口重叠的部分在规定方向的宽度。
2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，在所述连接盘电极与所述第I电容器导体之间设有导体层。
3.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于， 所述第2电容器导体是接地导体。
4.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于， 所述第I电容器导体及所述第2电容器导体形成电容器； 所述电容器构成内设在所述层叠体的LC滤波器的一部分。
5.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于，还包括将所述连接盘电极与所述第I电容器导体相连接的第2通孔导体。
全文摘要
提供一种内设有具有期望电容值的电容器的电子元器件。层叠体(12)由多个绝缘体层(16)层叠而成。连接盘电极(14a、14c)设在层叠体(12)的底面。内部导体(18l、18m)分别在层叠体(12)内隔着绝缘体层(16i)与连接盘电极(14a、14c)相对，具有比连接盘电极(14a、14c)的面积要大的面积且从z轴方向俯视时，包含连接盘电极(14a、14c)。电容器导体(19)比电容器导体(18l、18m)更靠z轴方向的正方向侧而设置，且与电容器导体(18l、18m)相对。
文档编号H03H7/12GK103023450SQ20121039273
公开日2013年4月3日 申请日期2012年1月16日 优先权日2011年2月16日
发明者佐佐木宏幸, 田丸育生 申请人:株式会社村田制作所