1.一种具有绝缘过孔的金属基板(MSIV)，包括：
金属层，所述金属层具有通过所述金属层的第一表面与第二表面之间的所述金属层的厚度限定的通孔；
介电层，所述介电层至少部分地通过所述金属层的氧化来形成，所述介电层被形成为所述金属层的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上以及所述通孔的内壁上的连续层；
导电金属过孔，所述导电金属过孔延伸通过在所述金属物中限定的所述通孔，所述导电金属过孔通过所述介电层与所述金属层电绝缘；以及
电路，所述电路形成在所述介电层的一部分上，所述电路与所述导电金属过孔电接触和/或热接触，
其中，所述介电层是介电纳米陶瓷层，所述介电纳米陶瓷层具有平均晶粒大小为500纳米或更小的等轴晶体结构、介于0.1与100微米之间的厚度、大于20KV mm-1的介电强度以及大于3W/mK的导热率。
2.根据权利要求1所述的MSIV，其中，介电纳米陶瓷层包括具有100纳米或更小的平均晶粒大小的晶粒。
3.根据权利要求1或2所述的MSIV，其中，所述介电纳米陶瓷层具有介于1微米与50微米之间的厚度。
4.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，所述金属层具有介于5微米与5000微米之间的厚度。
5.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，所述介电层被形成为所述金属层的所述第一表面和所述第二表面上以及所述通孔的所述内壁上的连续层，并且其中，第一电路和第二电路分别形成在所述介电层的部分上，其中所述介电层的所述部分形成在所述金属层的第一表面和第二表面两者上，所述第一电路和所述第二电路通过所述导电金属过孔电连接和/或热连接。
6.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，所述金属层具有多个通孔，所述多个通孔通过其厚度来限定，所述多个通孔中的每个通孔的内壁涂覆有所述介电纳米陶瓷层的一部分。
7.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，所述通孔具有介于20微米与2000微米之间的直径。
8.根据任一前述权利要求所述的MSIV，包括直径介于50与200微米之间的多个通孔，其中，通孔之间的间距介于50与200微米之间。
9.根据任一前述权利要求所述的MSIV，包括多于一个的金属层，每个金属层具有至少一个通孔，其中，所述至少一个通孔的内壁涂覆有如权利要求1中所限定的介电纳米陶瓷材料。
10.根据任一前述权利要求所述的MSIV，所述MSIV是具有低于25cm的最小弯曲半径的柔性电子基板(FES)。
11.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，所述金属层是从包括铝、镁、钛、锆、钽、铍或者这些金属中的任何金属的合金或金属互化物的组中选择的金属。
12.根据任一前述权利要求所述的MSIV，所述MSIV完全由无机材料制成。
13.根据任一前述权利要求所述的MSIV，所述MSIV具有超过200℃的最大工作温度。
14.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，所述介电纳米陶瓷层具有大于7的介电常数。
15.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，通过所述金属层在碱性胶体电解液中的电化学氧化来形成介电纳米陶瓷层。
16.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，通过从包括丝网印刷术、导电油墨喷墨印刷、无电镀金属化、电镀金属化、金属箔的粘接、预制柔性电路的接合、金属溅射、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)金属化的列表中选择的工艺来形成所述电路。
17.根据任一前述权利要求所述的MSIV，其中，用有机或无机材料浸渍所述介电纳米陶瓷层的至少一部分，例如，用聚酰亚胺、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、丙烯酸树脂或溶胶凝胶材料浸渍。
18.一种形成如在任一前述权利要求中所限定的具有绝缘过孔的金属基板(MSIV)的方法，包括以下步骤：
提供金属层，
通过所述金属层的第一表面与第二表面之间的所述金属层的厚度来限定通孔，
在所述金属层的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上以及在所述通孔的内壁上形成介电层，所述介电层至少部分地通过所述金属层的氧化来形成，
用导电材料填充所述通孔以形成导电过孔，以及
在所述介电层的一部分上形成电路，所述电路与所述导电过孔电接触和/或热接触。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，通过所述金属层在碱性胶体电解液中的电化学氧化来形成介电层。
20.根据任一前述方法权利要求所述的方法，其中，通过从包括丝网印刷术、导电油墨喷墨印刷、无电镀金属化、电镀金属化、金属箔的粘接、预制柔性电路的接合、金属溅射、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)金属化的列表中选择的工艺来形成所述电路。
21.根据任一前述方法权利要求所述的方法，其中，用有机或无机材料浸渍所述介电纳米陶瓷层的至少一部分，例如，用聚酰亚胺、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、丙烯酸树脂或溶胶凝胶材料浸渍。
22.一种多层基板，包括根据权利要求1至17中的任一权利要求所述的MSIV。
23.根据权利要求1至17中的任一权利要求所述的MSIV，用于支持从包括电子芯片或模片、电子装置、显示器、电池、光电子装置、RF装置、微波装置、热电装置或电气装置的列表中选择的一个或更多个装置或部件。
24.一种基本上如本文所描述并参考附图所描述的MSIV。