技术总结
一种具有绝缘过孔的金属基板(MSIV)具有金属层，该金属层具有通过金属层的厚度限定的通孔；介电层，该介电层形成在金属层的表面的一部分上，并且延伸以覆盖通孔的内壁；导电材料，该导电材料延伸通过绝缘通孔以形成绝缘过孔；以及电路，该电路以与导电过孔热接触和/或电接触的方式形成介电层的一部分上。介电层是介电纳米陶瓷层，该介电纳米陶瓷层具有500纳米或更小的平均晶粒大小的等轴晶体结构、介于0.1与100微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度以及大于3W/mK的导热率。这样的MSIV能够用作支持诸如功率装置、微波装置、光电装置、固态照明装置和热电等装置的电子基板。
技术研发人员：帕维尔·沙什科夫;谢尔盖·乌索夫;史蒂文·柯蒂斯;布雷特·W·基勒亨尼
受保护的技术使用者：康桥纳诺塞姆有限公司;罗杰斯公司
文档号码：201480072811
技术研发日：2014.10.13
技术公布日：2016.11.16