1.一种复合型半导体装置，其包括在第一端子和第二端子之间彼此串联连接的常导通型的第一FET和常截止型的第二FET，所述复合型半导体装置的特征在于：
设置有保护电路，该保护电路包括：与所述第二FET并联连接的放电用开关元件；和配置在所述第一端子和所述第二端子之间，用于在所述第一端子被施加浪涌时使所述放电用开关元件导通的触发电路。
2.如权利要求1所述的复合型半导体装置，其特征在于：
所述触发电路包括：介于所述第一端子与所述放电用开关元件的控制电极之间的电容成分；和配置在所述放电用开关元件的控制电极与所述第二端子之间的电阻元件。
3.如权利要求2所述的复合型半导体装置，其特征在于：
所述保护电路在所述第一端子被施加浪涌时，基于所述电阻元件上产生的电压使所述放电用开关元件导通，使来自所述第一端子的浪涌电流通过所述第一FET和所述放电用开关元件放电至所述第二端子。
4.如权利要求1～3中任一项所述的复合型半导体装置，其特征在于：
将用于形成所述第二FET的常截止型的多个单位FET的一部分转用，形成作为所述放电用开关元件的放电用FET。
5.如权利要求1～4中任一项所述的复合型半导体装置，其特征在于：
使作为所述放电用开关元件的放电用FET的阈值电压比所述第二FET的阈值电压高。