技术总结
复合型半导体装置(1)包括在第一端子和第二端子(17、19)之间彼此串联连接的常导通型的第一FET(11)和常截止型的第二FET(12)。复合型半导体装置(1)还包括保护电路，该保护电路包括：与第二FET并联连接的放电用开关元件(16)；和配置在第一端子和第二端子(17、19)之间，用于在第一端子被施加浪涌时使放电用开关元件导通的触发电路。
技术研发人员：矶部雅哉
受保护的技术使用者：夏普株式会社
文档号码：201580026393
技术研发日：2015.02.12
技术公布日：2017.02.22