上电复位电路和高频通信装置的制作方法

本公开涉及上电复位电路(poweronresetcircuit)和高频通信装置。

背景技术：

各种电子装置被设置有上电复位电路，上电复位电路监控电源电压的上升并且当电源电压达到期望的电压或更大时使期望的电路复位。上电复位电路总体上采用一种系统，在该系统中比较器将通过对电源电压进行电阻分压获得的电压与基准电压进行比较。采用该系统的上电复位电路引起对电源电压低时可能发生故障的关注。

为了在低电源电压下操作期间预防这样的故障，已经设想出在充当比较器的基准输入的基准电压和充当比较输入的比较电压之间建立时间差(timedifference)(例如，参见专利文献1和专利文献2)。

引用列表

专利文献

专利文献1：jp2005-278056a

专利文献2：jp2010-213046a

技术实现要素：

技术问题

然而，即使在上述现有技术中尚不能充分确保其操作。此外，现有技术具有一种配置，在该配置中添加了用于确保操作的冗余电路。具体地，在专利文献1中公开的现有技术中，在低压下操作期间，存在过程的变化可能引起故障的风险。再者，在专利文献2中公开的现有技术中，除了基准电压源和比较器之外，冗余电路(启动电路)被用于在基准电压与比较电压之间建立时间差。

因而，本公开具有的目的是提供上电复位电路和包括上电复位电路的高频通信装置，甚至在低电源电压下进行操作期间，该上电复位电路可以稳定地操作而不用添加冗余电路。

问题的解决方案

为了实现上面的目的，根据本公开的上电复位电路包括：基准电压生成电路，生成基准电压并且还输出在比基准电压的电压上升慢的节点处的电压作为控制电压；比较电压生成电路，响应于从基准电压生成电路输出的控制电压，比较电压生成电路进行操作并且该比较电压生成电路根据电源电压输出比较电压；以及比较电路，将从比较电压生成电路输出的比较电压与从基准电压生成电路输出的基准电压进行比较并且在比较电压超过基准电压期间输出操作信号(operationsignal)。

在如上所述配置的上电复位电路或高频通信装置中，用于引起比较电压生成电路进行操作，在基准电压生成电路中的特定节点处作为控制电压的电压的使用使得时间差被提供在基准电压与比较电压之间，而不用添加冗余电路。在电源电压上升期间，在基准电压稳定之后，比较电压增加，并且在电源电压下降期间，在基准电压变得不稳定之前，比较电压下降。因而，即使当电路在低电源电压下操作时使得能够有稳定的操作。

发明的有益效果

根据本公开，即使在低电源电压下使得能够有稳定的操作而不用添加冗余电路。因而可以充分确保该操作。

注意，本公开完全不局限于呈现本文中所描述的效果，并且本公开可以呈现出本说明书中描述的任何效果。此外，本说明书中描述的效果不是限制性的而仅是示例，并且可以有额外的效果。

附图说明

[图1]图1是根据本公开的实施例指示上电复位电路的配置示例的电路图。

[图2]图2是在构成基准电压生成电路的带隙基准电路的操作原理上的说明图；图2a指示二极管正向电压vd和电流i之间的关系；图2b指示当不同的电流i1和i2流动时相对于温度二极管正向电压vd和电压差δvd的改变；以及图2c指示用于生成不同的电流i1和i2的电路配置。

[图3]图3是示出启动电路的必要性的示图；图3a指示不包括启动电路的带隙基准电路的电路配置；以及图3b指示当电源电压vdd增加时电压va和电压vb之间的差va-vb的改变。

[图4]图4是示出带隙基准电路中运算放大器的输出电压vgp上升的示图。

[图5]图5是根据本公开的实施例例示上电复位电路的电路操作的示图；图5a指示在电源电压的上升期间的电压变化；以及图5b指示在电源电压的下降期间的电压变化。

[图6]图6是根据本公开的实施例示出上电复位电路中的偏置电压的选择的示例的示图。

[图7]图7是根据本公开的实施例指示包括上电复位电路的高频通信装置的示例的示意性配置图；图7a指示高频通信装置的系统配置的示例；以及图7b指示发送单元和接收单元的特定配置的示例。

[图8]图8是根据本公开部分地包含指示被用于高频通信装置中的介质波导管和连接器的配置的示例的横截面的示意平面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述用于实施本公开的技术的优选的实施例(其在下文中将被描述为“实施例”)。本公开的技术不限于实施例，并且在实施例中示出的各种数字值和材料是示例。在下面提供的描述中，用相同的附图标记指称基本上具有相同功能和结构的结构元件，并且省略这些结构元件的重复的解释。注意，将按照以下次序提供描述。

1.本公开的上电复位电路和高频通信装置的整体描述

2.根据本公开的实施例的上电复位电路

2-1.基准电压生成电路

2-1-1.带隙基准电路的操作原理

2-1-2.启动电路

2-2.比较电压生成电路和比较电路

2-3.上电复位电路的电路操作

2-3-1.在电源电压上升期间

2-3-2.在电源电压下降期间

2-4.实施例的作用和效果

2-5.偏置电压的选择

3.高频通信装置

<本公开的上电复位电路和高频通信装置的整体描述>

在根据本公开的上电复位电路和高频通信装置中，基准电压生成电路可以由带隙基准电路(bandgapreferencecircuit)构成。该带隙基准电路可以包括：包括一个二极管元件的第一二极管元件；包括并联连接的多个二极管元件的第二二极管元件；电流源，向第一二极管元件和第二二极管元件提供具有相同电流值的电流；以及运算放大器，控制电流源使得第一二极管元件和第二二极管元件具有相同的端子间电压。在其处比基准电压的电压上升慢的节点可以充当运算放大器的输出节点。

在根据本公开的包含上述优选配置的上电复位电路和高频通信装置中，比较电压生成电路可以由电阻分压电路构成，该电阻分压电路具有：两个电阻元件，该两个电阻元件串联连接在电源电压的电源线与地线(ground)之间；以及开关元件，该开关元件基于从基准电压生成电路输出的控制电压选择性地连接电源线与两个电阻元件。

再者，根据本公开的高频通信装置可以包括：发送单元，该发送单元将传输目标信号转换成高频信号并且发送经转换的信号；波导电缆，该波导电缆传输从发送单元发送的高频信号；以及接收单元，该接收单元将通过波导电缆接收的高频信号恢复为原始传输目标信号。发送单元被安装在连接发送单元与波导电缆的连接器装置的内部，并且接收单元被安装在连接波导电缆与接收单元的连接器装置的内部。发送单元和接收单元中的至少一个可以具有上电复位电路。此外，高频信号可以是毫米波段信号。

<根据本公开的实施例的上电复位电路>

图1是根据本公开的实施例指示上电复位电路的配置示例的电路图。如在图1中指示的，上电复位电路10包括基准电压生成电路1、比较电压生成电路2和比较电路3。上电复位电路10监测电源电压vdd的上升，并且当电源电压vdd达到期望的电压以上时使期望的电路复位。也就是说，还可以说上电复位电路10是电源监测电路。电源电压vdd是近似1.0[v]到1.2[v](例如，1.1[v])的低压。

[基准电压生成电路]

基准电压生成电路1例如由带隙基准电路构成并且生成将在比较电路3中使用的基准电压vref。基准电压生成电路1具有p沟道型场效应晶体管m1到m3、第一二极管元件d1、第二二极管元件d2、电阻元件r1到r4、电容元件c、运算放大器op和启动电路11。第一二极管元件d1包括一个二极管元件。第二二极管元件d2包括并联连接的多个二极管元件(k个二极管元件)。

场效应晶体管m1和第一二极管元件d1串联连接在电源电压vdd的电源线l和地线(gnd)之间。第一二极管元件d1由具有其中基极和集电极共通连接的二极管连接配置的pnp双极型晶体管构成。场效应晶体管m2、电阻元件r1和第二二极管元件d2串联连接在电源线l与地线之间。第二二极管元件d2由具有并联连接的二极管连接配置的k个pnp双极型晶体管构成。场效应晶体管m1和场效应晶体管m2充当将相同的电流分别提供给第一二极管元件d1和第二二极管元件d2的电流源。

场效应晶体管m1和场效应晶体管m2充当将具有相同电流值的电流分别提供给第一二极管元件d1和第二二极管元件d2的电流源。这里，“相同电流值”不仅仅意味着严格相同的电流值，还意味着基本上相同的电流值。由设计或制造引起的所有变化的存在是容许的。

场效应晶体管m3和电阻元件r2串联连接在电源线l与地线之间。场效应晶体管m3和电阻元件r2之间的共通连接节点变成基准电压生成电路1的输出节点nout。从该输出节点nout，得到基准电压生成电路1的输出电压bgrout。该输出电压bgrout被提供给比较电路3作为基准电压vref。

电阻元件r3被连接在场效应晶体管m1和第一二极管元件d1之间的共通连接节点n1和输出节点nout之间。电阻元件r4被连接在场效应晶体管m2和电阻元件r1之间的共通连接节点n2与输出节点nout之间。电容元件c被连接在输出节点nout与地线之间。

在场效应晶体管m1和二极管元件d1之间的共通连接节点n1处的电压va是第一二极管元件d1的端子间电压，并且变成运算放大器op的反相(-)输入。在场效应晶体管m2和电阻元件r1之间的共通连接节点n2处的电压vb是第二二极管元件d2的端子间电压，并且变成运算放大器op的非反相(+)输入。在电源电压vdd的上升期间，在运算放大器op的输出节点nop处的电压上升慢于基准电压生成电路1的输出电压bgrout(也就是说，基准电压vref)的上升。之后将描述该原因。

在运算放大器op的输出节点nop处的电压(也就是说，运算放大器op的输出电压vgp)被施加到场效应晶体管m1到场效应晶体管m3的栅极电极。因此，运算放大器op控制作为电流源的场效应晶体管m1和场效应晶体管m2的栅极电压(＝输出电压vgp)，使得在节点n1处的电压va、在节点n2处的电压vb和输出电压bgrout增加，并且达到va＝vb。再者，运算放大器op的输出电压vgp被提供给比较电压生成电路2作为用于控制比较电压生成电路2的操作的控制电压。

(带隙基准电路的操作原理)

这里将参考图2描述构成基准电压生成电路1的带隙参考电路的操作原理。带隙基准电路利用二极管的温度特性。其操作原理如下。

如图2a中所指示的，当正向电压vd被施加到二极管的两端时，电流i流过二极管。正向电压vd和电流i之间的关系变成以下公式(1)。

当电流i1从电流源流到二极管时，被施加二极管的两端的电压vd与温度(温度系数是负的(绝对温度互补(ctat)))成比例地减小，如由图2b中的向下的箭头(虚线)所指示的。当彼此不同的电流i1和电流i2从电流源流到二极管时，二极管两端之间的电压差δvd与温度(温度系数是正的(与绝对温度成比例(ptat)))成比例地减小，如由图2b中的向上的箭头(实线)所指示的。通过利用相对于温度的这样的不同的改变，可以制备相对于温度改变恒定的电压源，也就是说，基准电压生成电路1。

为了生成彼此不同的电流i1和电流i2，如图2c中所指示的，制备了来自电流源(m1)的电流i1通过其流到一个二极管元件d1的电路以及来自电流源(m2)的电流i1通过其流到二极管元件d2的电路，二极管元件d2包括并联连接的k个二极管。在分别在二极管元件d1和二极管元件d2的两端上生成的电压vd1和电压vd2之间的电压差δvd(＝vd1-vd2)基于公式(1)由i1＝k×i2形成以下公式(2)(ptat)。

可以如下计算ptat和ctat的温度系数。

可以基于公式(3)和公式(4)，通过设置以下公式(5)中的适当的常数α1和α2，制备独立于温度的电路。

然后，在图1中，选择电阻元件r1到电阻元件r4的电阻值。于是，构成基准电压生成电路1的带隙基准电路形成如在公式(5)中的独立于温度的电路。

(启动电路)

同时，在电源电压vdd上升期间带隙具有多个稳定点。因而，启动电路11有必要包含在带隙基准电路中。下面将更具体地描述该情况。

图3a是指示不包括启动电路的带隙基准电路的电路图。在图3a中指示的带隙基准电路中，当电源电压vdd增加时，节点n1处的电压va和节点n2处的电压vb之间的差va-vb如图3b中所示的改变。具体地，当电源电压vdd是0到v1时，存在有的区域。

由于存在运算放大器op的输入转换偏移量，所以甚至在的区域中，图3a中所指示的带隙基准电路可以稳定地操作。在带隙基准电路中，并且为了防止多个解决方案(干扰解决方案)，通常设置启动电路。将具体描述用于基准电压生成电路1中的启动电路11。

如图1中所指示的，启动电路11包括p沟道型场效应晶体管m4和m5、n沟道型场效应晶体管m6和m7以及电阻元件r5。场效应晶体管m4和电阻元件r5串联连接在电源线l与地线之间。运算放大器op的输出电压vgp被施加到场效应晶体管m4的栅极电极。

场效应晶体管m5和场效应晶体管m6串联连接在电源线l与地线之间。其栅极电极被共通连接从而构成反相电路inv。该反相电路inv的输入端(栅极电极的共通连接节点)与场效应晶体管m4和电阻元件r5之间的共通连接节点n3连接。场效应晶体管m7被连接在电源线l与地线之间。其栅极电极被连接到反相电路inv的输出端(漏极电极的共通连接节点)。

当在如上所述配置的启动电路11中输入电源电压vdd时，电流i5流过场效应晶体管m4，并且在节点n3处生成电压v5。当电源电压vdd是期望的电压值或更小时，在节点n3处的电压v5通过反相电路inv被反相，并且场效应晶体管m7变成处于导通状态。此外，运算放大器op的输出节点nop被固定在接地电平处。

当电源电压vdd变成十分高且超过期望的电压值时，在节点n3处的电压v5通过反相电路inv被反相，并且场效应晶体管m7变成处于非导通状态。此外，运算放大器op的输出节点nop与地线之间的连接被中断，并且带隙基准电路启动。选择在节点n3处的电压v5，使得电源电压vdd引起启动电路11利用大于图3b中的电压v1的电压进行操作。

在启动之后，电流分别从充当电流源的场效应晶体管m1和场效应晶体管m2流到第一二极管元件d1和第二二极管元件d2。再者，在节点n1处的电压va和在节点n2处的电压vb都大于0[v](va和vb＞0)。虽然运算放大器op操作，使得取得va＝vb，但是没有描绘va-vb＝0的解决方案(干扰解决方案)。因而，带隙基准电路稳定地操作。

一旦启动电路11操作并且运算放大器op开始其操作，则运算放大器op调整其输出电压(在输出节点nop处的电压)，使得取得va＝vb。具体地，当电压va和vb变成过高时，作为场效应晶体管m1和场效应晶体管m2的漏源电压vds无效(减少)。因而，随着电源电压vdd增加，运算放大器op调整其输出电压vgp。然后，当电源电压vdd变成恒定的，则运算放大器op的输出电压vgp也变成恒定的。

同时，由于当产生运算放大器op的增益时，电压va和电压vb达到稳定条件，所以它们比运算放大器op的输出电压vgp更早达到恒定值，如图4中指示的。由于基准电压生成电路1的输出电压bgrout与电压va和电压vb成比例，所以输出电压bgrout与电压va和电压vb同时达到恒定值。为此，运算放大器op的输出电压vgp晚于基准电压生成电路1的输出电压bgrout达到恒定值。换句话说，在运算放大器op的输出节点nop处的电压vgp的上升慢于作为基准电压生成电路1的输出电压bgrout的基准电压vref的上升。

[比较电压生成电路和比较电路]

比较电压生成电路2由电阻分压电路构成，电阻分压电路包括反相电路21、p沟道型场效应晶体管m8和电阻元件ra和电阻元件rb。响应于被提供作为来自基准电压生成电路1的控制电压的运算放大器op的输出电压vgp，比较电压生成电路2变成处于操作状态。

在比较电压生成电路2中，反相电路21将从基准电压生成电路1提供的运算放大器op的输出电压vgp的极性反相，并且将反相的输出电压vgp施加到场效应晶体管m8的栅极电极。场效应晶体管m8、电阻元件ra和电阻元件rb串联连接在电源电压vdd的电源线l与地线之间。

当作为开关元件的示例的场效应晶体管m8变成处于导通状态时，其将电源电压vdd施加到电阻元件ra和电阻元件rb，并且还将使能信号en提供给比较电路3。电阻元件ra和电阻元件rb为分压电阻。当场效应晶体管m8处于导通状态时，电阻元件ra和电阻元件rb根据它们的电阻比对电源电压vdd进行分压，并且根据电源电压vdd从它们的共通连接节点n4取得分压的电压。该分压的电压作为比较电压vcomp提供给比较电路3。

由比较器31构成比较电路3。响应于来自比较电压生成电路2的使能信号en的提供，比较器31变成处于操作状态。比较器31将是基准电压生成电路1的输出电压bgrout的基准电压vref看作非反相(+)输入，并且将是比较电压生成电路2的分压的电压的比较电压vcomp看作反相(-)。然后，比较器31将比较电压vcomp与基准电压vref比较，并且当比较电压vcomp大于基准电压vref时，将低电平操作信号por提供给下游逻辑电路(未示出)。再者，当比较电压vcomp是基准电压vref或更小时，比较器31将高电平停止信号提供给下游逻辑电路。

[上电复位电路的电路操作]

接下来，将参考图5描述在电源电压vdd的上升和下降期间具有上述配置的上电复位电路10的电路操作。图5a指示在电源电压vdd的上升期间的电压变化，并且图5b指示在电源电压vdd的下降期间的电压变化。

(在电源电压的上升期间)

由带隙基准电路构成的基准电压生成电路1将其输出电压bgrout作为基准电压vref(bgrout＝vref)提供给比较电路3。在基准电压生成电路1中，存在节点，在电源电压vdd的上升期间在该节点处的电压上升慢于输出电压bgrout(也就是说，基准电压vref)。具体地，运算放大器op的输出节点nop是在其处电压上升慢于基准电压vref的节点。在输出节点nop处的电压的上升慢于基准电压vref的上升的原因为如先前所描述的。

当基准电压vref处于稳定状态时，在运算放大器op的输出节点nop处的电压(也就是说vgp)被用作用于引起比较电压生成电路2进行操作的控制电压。响应于运算放大器op的输出电压vgp，比较电压生成电路2进行操作。具体地，响应于输出电压vgp通过反相电路21被施加到场效应晶体管m8的栅极电极，场效应晶体管m8变成处于导通状态。然后，由于通过电阻元件ra和电阻元件rb的电阻分压，所以比较电压生成电路2生成比较电压vcomp。

因此，如从图5a中所指示的电压变化显而易见的，在电源电压vdd的上升期间，基准电压vref的稳定之后，比较电压vcomp的增加。然后，在比较电路3中，将比较电压vcomp与基准电压vref彼此进行比较。当比较电压vcomp大于基准电压vref时，从比较器31输出低电平操作信号por。当比较电压vcomp是基准电压vref时或在基准电压以下时，从比较器31输出高电平停止信号。

(在电源电压的下降期间)

构成基准电压生成电路1的带隙基准电路是当运算放大器op具有增益时进行操作以维持输出电压bgrout的电路。因而，在电源电压vdd的下降期间，如图5b中所指示的，基准电压vref晚于电源电压vdd的下降而下降。另一方面，比较电压vcomp基本上与电源电压vdd同时开始下降，并且与电源电压vdd成比例地下降(减小)。

也就是说，在基准电压vref变成不稳定的之前，比较电压vcomp下降。然后，在比较电路3中，比较电压vcomp和基准电压vref彼此进行比较。当比较电压vcomp变成基准电压vref或更小时，比较器31停止操作信号por的输出。换句话说，比较器31输出高电平停止信号。

[实施例的作用和效果]

如上所述，在根据本实施例的上电复位电路10中，在电源电压vdd的上升期间，基准电压vref的稳定之后是比较电压vcomp的增加。因而，甚至当电路在低电源电压下操作时，使得能够进行稳定的操作。再者，在电源电压vdd的下降期间，在基准电压vref变成不稳定之前，比较电压vcomp下降。因而，甚至当电路在低电源电压下操作时，使得能够进行稳定的操作。

此外，在根据本实施例的上电复位电路10中，在基准电压生成电路1的特定节点处(例如，在运算放大器op的输出节点nop处)的电压vgp被用作用于控制比较电路生成电压2的操作的控制电压。于是，时间差可以被提供在基准电压vref和比较电压vcomp之间，而不用添加冗余电路诸如延时电路。此外，所添加的冗余电路的消除使得能够减少电路的大小和面积。

[偏置电压的选择]

这里，将参考图6描述根据本实施例的上电复位电路10的偏置电压的选择(也就是说，相对于电源电压vdd，基准电压vref、比较电压vcomp等的选择)的示例。

电源电压vdd是近似1.0[v]到1.2[v]例如1.1[v]的低压。也就是说，根据本实施例的上电复位电路10形成为处于单个低电源电压(其中电源电压vdd是近似1.0[v]到1.2[v])的电源监测电路。

由带隙基准电路生成的基准电压vref被设置处于相对于1.1[v]近似60到70[％]的值。上电复位电路10可以以其进行操作的电压(在下文中，描述为“por操作电压”)vpor形成为下游逻辑电路(未示出)中的操作确保电压。该por操作电压vpor被设置处于相对于1.1[v]近似80到90[％]的值。

比较电压vcomp的选择如下。

-当比较电压vcomp高时，与基准电压vref相交的时间变得更早，在低电源电压下可能引起操作失败。

-当比较电压vcomp低时，过程变化可以引起电压变得低于基准电压vref。

鉴于所述两个情况，选择比较电压vcomp的值，使得不会引起操作失败，同时通过仿真证实变化。具体地，比较电压vcomp优选地被设置处于相对于1.1[v]近似70到75[％]的值。

<高频通信装置>

根据上述实施例的上电复位电路10适合于应用于在近似1.0[v]到1.2[v]的电源电压vdd下操作的各种电子装置(电子设备)。各种电子装置的示例可以包括高频通信装置。在下文中，作为示例，将描述根据本公开的技术所应用于的高频通信装置。

图7是根据本公开的技术应用于的高频通信装置的示例(也就是说，包括根据上述实施例的上电复位电路10的高频通信装置的示例)的示意性配置图。图7a指示高频通信装置的系统配置的示例；并且图7b指示发送单元和接收单元的特定配置的示例。

如图7a中所指示的，根据本申请示例的高频通信装置20包括发送高频信号的发送单元30和接收高频信号的接收单元40，以及在发送单元30和接收单元40之间传输高频信号的介质波导管(介质波导电缆)50。

这里，通过介质波导管传输例如毫米波段信号作为高频信号的传输系统将作为示例进行描述。

附带地，毫米波段信号(毫米波通信)作为高频信号的使用具有以下优点。

a)由于毫米波通信可以具有宽的通信频带，所以可以容易地取得宽的数据速率范围。

b)由于可以维持用于传输的频率远离用于另一个基带信号处理的频率，所以不可能引起毫米波和基带信号之间的频率干扰。

c)由于毫米波段具有短的波长，所以可以减少根据波长确定的波导结构的大小。此外，由于距离衰减很大，并且衍射是最小的，所以很容易实行电磁屏蔽。

d)在通常使用的无线通信中，严格调节载波的稳定性，用于防止干扰等。为了实现具有高稳定性的这样的载波，使用具有高稳定性的外部频率基准部件、乘法电路或锁相环(pll)等。这引起电路大小增加。相反，在毫米波通信中，可以容易地防止外泄漏，并且具有低稳定性的载波可以被用于传输。这可以抑制电路大小的增加。

在根据本申请示例传输毫米波信号的高频通信装置20中，发送单元30实行将传输目标信号转换成毫米波信号且将所转换的信号输出到介质波导管50的处理。接收单元40实行接收通过介质波导管50传输的毫米波信号且将所接收的信号转换(恢复)回到原始传输目标信号的处理。

在本示例中，发送单元30被布置在第一通信设备300的内部，并且接收单元40被布置在第二通信设备400的内部。在该情况下，介质波导管50在第一通信设备300和第二通信设备400之间传输高频信号。在分别通过介质波导管50发送和接收信号的通信设备300和通信设备400中，发送单元30和接收单元40以这样的方式被布置为变成组合地一对。第一通信设备300和第二通信设备400之间的信号的传输系统可以是一个方向(单向)传输系统或双向传输系统。

接下来，将参考图7b描述发送单元30和接收单元40的特定配置示例。

发送单元30包括例如处理传输目标信号以生成毫米波信号的信号生成单元301。信号生成单元301是将传输目标信号转换成毫米波信号的信号转换单元，并且例如由幅移键控(ask)调制电路构成。具体地，配置信号生成单元301，使得乘法器303将由振荡器302提供的毫米波信号与传输目标信号相乘，由此生成毫米波ask调制的波，并且通过缓冲器304输出所生成的波。连接器装置60介于发送单元30与介质波导管50之间。连接器装置60通过电容耦合、电磁感应耦合、磁场耦合、谐振器耦合等连接发送单元30和介质波导管50。

另一方面，接收单元40例如包括处理通过介质波导管50提供的毫米波信号以将毫米波信号恢复为的原始传输目标信号的信号恢复单元401。信号恢复单元401是将接收的毫米波信号转换成原始传输目标信号的信号转换单元，并且由例如方形检测器电路构成。具体地，信号恢复单元401被配置，使得乘法器403求通过缓冲器402提供的毫米波信号(ask调制的波)的平方值，由此将毫米波信号转换成原始传输目标信号，并且通过缓冲器404输出转换的信号。连接器装置70被夹在介质波导管50和接收单元40之间。连接器装置70通过电容耦合、电磁感应耦合、磁场耦合、谐振器耦合等连接介质波导管50和接收单元40。

介质波导管(介质波导电缆)50由波导结构构成，在该波导结构中，毫米波在被封装在电介质中的状态下进行传输并且具有在毫米波段中有效地传输电磁波的属性。例如，该介质波导管50可以包含具有在一定范围内的介电常数和一定范围内的介电正切的介电材料。

图8根据本申请示例指示用于高频通信装置20中的介质波导管50和连接器装置60和连接器装置70的配置的示例。在该示例中，如上所述配置的发送单元30被安装作为连接器装置60内部的ic，并且如上所述配置的接收单元40被安装作为连接器装置70内部的ic。布线80a诸如信号线和电源线连接到发送单元30。耦合器90a介于发送单元30与介质波导管50的一端之间。布线80b诸如信号线和电源线连接到接收单元40。耦合器90b被夹在接收单元40和介质波导管50的另一端之间。

如上所述，根据本申请示例的高频通信装置20是传输系统，该传输系统通过介质波导管50在发送单元30和接收单元40之间传输毫米波信号，其中发送单元30和接收单元40被分别安装作为连接器装置60和连接器装置70内部的ic。安装在连接器装置60内部的发送单元30和安装在连接器装置70内部的接收单元40是信号转换ic。在传输毫米波信号的传输系统中，使用处于近似1.0[v]到1.2[v](例如，1.1[v])的低电源电压的单个电源，并且从该单个电源将电力提供给连接器装置60和连接器装置70。

在根据本申请示例的高频通信装置20中，其中这样的低电压电源被用作操作电源，使用根据上述实施例的上电复位电路10。具体地，安装在连接器装置60内部的发送单元30和安装在连接器装置70内部的接收单元40每个包括上电复位电路10。这确保在电源的上升期间和在甚至在低电源电压下电源下降期间发送单元30和接收单元40的稳定的操作。

再者，为信号转换ic的安装在连接器装置60内部的发送单元30和安装在连接器装置70内部的接收单元40是微小芯片。这里，根据上述实施例的上电复位电路10消除冗余添加的电路，由此使得能够减少电路的大小和面积。因此，上电复位电路10可以被形成为由将被安装在连接器装置60和连接器装置70内部的微小芯片构成的信号转换ic(30和40)。

注意虽然这里发送单元30和接收单元40都包括上电复位电路10，但是发送单元30和接收单元40中的任一个可以包括上电复位电路10。

额外地，本技术还可以如下进行配置。

[1]一种上电复位电路，包括：

基准电压生成电路，生成基准电压并且还输出在比所述基准电压的电压上升慢的节点处的电压作为控制电压；

比较电压生成电路，响应于从所述基准电压生成电路输出的所述控制电压进行操作并且所述比较电压生成电路基于电源电压输出比较电压；以及

比较电路，将从所述比较电压生成电路输出的所述比较电压与从所述基准电压生成电路输出的所述基准电压进行比较并且在所述比较电压超过所述基准电压期间输出操作信号。

[2]根据[1]所述的上电复位电路，其中，

所述基准电压生成电路由带隙基准电路构成。

[3]根据[2]所述的上电复位电路，其中，

所述带隙基准电路包括：

第一二极管元件，包括一个二极管元件；

第二二极管元件，包括并联连接的多个二极管元件；

电流源，向所述第一二极管元件和所述第二二极管元件提供具有相同电流值的电流；以及

运算放大器，控制所述电流源使得所述第一二极管元件和所述第二二极管元件具有相同的端子间电压，

比所述基准电压的电压上升慢的节点是所述运算放大器的输出节点。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的上电复位电路，其中，

所述比较电压生成电路由电阻分压电路构成，所述电阻分压电路包括：

两个电阻元件，串联连接在电源电压的电源线与地线之间；以及

开关元件，基于从所述基准电压生成电路输出的所述控制电压选择性地连接所述电源线与所述两个电阻元件。

[5]一种包括上电复位电路的高频通信装置，所述上电复位电路包括：

基准电压生成电路，生成基准电压并且还输出比所述基准电压的电压上升慢的节点处的电压作为控制电压；

比较电压生成电路，响应于从所述基准电压生成电路输出的所述控制电压进行操作并且所述比较电压生成电路基于电源电压输出比较电压；以及

比较电路，将从所述比较电压生成电路输出的所述比较电压与从所述基准电压生成电路输出的所述基准电压进行比较并且在所述比较电压超过所述基准电压期间输出操作信号。

[6]根据[5]所述的高频通信装置，包括：

发送单元，将传输目标信号转换成高频信号并且发送经转换的信号；

波导电缆，传输从所述发送单元发送的所述高频信号；以及

接收单元，将通过所述波导电缆接收的所述高频信号恢复成原始传输目标信号，

其中，所述发送单元被安装在耦接所述发送单元与所述波导电缆的连接器装置的内部，

所述接收单元被安装在耦接所述波导电缆与所述接收单元的连接器装置的内部，并且

所述发送单元和所述接收单元中的至少一个具有所述上电复位电路。

[7]根据[5]或[6]所述的高频通信装置，其中，所述高频信号是毫米波段信号。

符号说明

1基准电压生成电路(带隙基准电路)

2比较电压生成电路(电阻分压电路)

3比较电路

10上电复位电路

11启动电路

20高频通信装置

30发送单元

40接收单元

50介质波导管(介质波导电缆)