本申请根据35u.s.c.§119(e)要求于2016年2月1日提交的题为“open-passivationballgridarraypads(开口钝化球栅阵列焊盘)”的美国临时专利申请no.62/289,636的权益，该临时申请的公开通过援引被明确地整体纳入于此。
本公开一般涉及集成电路(ic)。更具体而言，本公开涉及开口钝化球栅阵列焊盘。
背景
用于集成电路(ic)的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(feol)、中部制程(mol)和后端制程(beol)工艺。前端制程工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、分隔件、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力内衬形成。中部制程工艺可包括栅极触点形成。中部制程层可包括但不限于：中部制程触点、通孔或者非常靠近半导体器件晶体管或其他有源器件的其他层。后端制程工艺可包括用于互连在前端制程和中部制程工艺期间创建的半导体器件的一系列晶片处理步骤。
现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。具体地，用于后端制程工艺中的半导体制造的导电材料镀敷的形成是工艺流程中日益挑战的部分。这在保持小特征大小方面尤其正确。保持小特征大小的同样挑战也适用于玻璃基无源(pog)技术，其中高性能组件(诸如，电感器和电容器)被构建在也可具有非常低损耗的高度绝缘基板上。
玻璃基无源器件涉及与其他技术相比具有多种优点的高性能电感器和电容器组件，诸如，通常用于移动射频(rf)芯片设计(例如，移动rf收发机)的制造的表面安装技术或多层陶瓷芯片。由于成本和功耗的考量，迁移到深亚微米工艺节点使得移动rf收发机的设计复杂性变得复杂。间隔考虑也影响移动rf收发机设计深亚微米工艺节点。例如，移动rf收发机的制造可包括在管芯区域边界处占据浪费空间并涉及增加成本的虚区域。
概述
导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括导电凸块焊盘上的导电凸块。
一种用于制造导电凸块组装件的方法可包括在支撑导电凸块组装件的无源基板的边缘处制造导电凸块焊盘。该方法还可包括
将包围导电凸块焊盘的第一钝化层开口与第二钝化层开口相归并。第二钝化层开口可包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘。该方法可进一步包括将导电材料沉积在导电凸块焊盘上。
导电凸块组装件可包括无源基板。导电凸块组装件还可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括无源基板上的第二钝化层开口。第二钝化层开口可以与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并。导电凸块组装件还可包括用于组装在导电凸块焊盘上的装置。
这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。
附图简述
为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。
图1解说了本公开的一方面中的半导体晶片的立体视图。
图2a解说了在晶片上制造玻璃基无源器件之后该晶片的玻璃管芯。
图2b提供了图2a的玻璃管芯的一角的放大视图。
图3a示出了根据本公开的一方面的包括开口钝化导电焊盘的导电凸块组装件的布局图和截面图。
图3b示出了图2a和2b中示出的玻璃管芯的导电凸块组装件的截面图和布局图。
图4a示出了根据本公开的一方面的包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的截面图。
图4b进一步解说了图3b中示出的导电凸块组装件的截面图。
图5是解说了根据本公开的各方面的构造包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的方法的工艺流程图。
图6是根据本公开的一方面的采用共用器的射频(rf)前端(rffe)模块的示意图。
图7是根据本公开的各方面的将共用器用于芯片集以提供载波聚集的wifi模块和射频(rf)前端(rffe)模块的示意图。
图8是示出其中可有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。
图9是解说根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局、以及逻辑设计的设计工作站的框图。
详细描述
以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。如本文所述的，术语“和/或”的使用旨在代表“可兼性或”，而术语“或”的使用旨在代表“排他性或”。
现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。具体地，用于后端制程(beol)工艺中的半导体制造的导电材料镀敷的形成是工艺流程中日益挑战的部分。这在保持小特征大小方面尤其正确。保持小特征大小的同样挑战也适用于玻璃基无源(pog)技术，其中高性能组件(诸如，电感器和电容器)被构建在也可具有非常低损耗的高度绝缘基板上。
玻璃基无源器件涉及与其他技术相比具有多种优点的高性能电感器和电容器组件，诸如通常用于移动射频(rf)芯片设计(例如，移动rf收发机)的制造的表面安装技术或多层陶瓷芯片。由于成本和功耗的考量，通过迁移到深亚微米工艺节点而使得移动rf收发机的设计复杂性复杂化。间隔考虑也影响移动rf收发机设计深亚微米工艺节点。例如，移动rf收发机的制造可包括在管芯区域边界处占据浪费空间并涉及增加成本的虚区域。
本公开的各方面提供了用于开口钝化球栅阵列焊盘的技术。用于开口钝化球栅阵列焊盘的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(feol)工艺、中部制程(mol)工艺和后端制程(beol)工艺。将理解，术语“层”包括膜且不应被解读为指示纵向或横向厚度，除非另外声明。如本文中所描述的，术语“基板”可指代已切割晶片的基板或可指代尚未切割的晶片的基板。类似地，术语芯片和管芯可被可互换地使用，除非这种互换将难以置信。
如本文所描述的，后端制程互连层可以指用于电耦合到集成电路的前端制程有源器件的导电互连层(例如，金属一(m1)、金属二(m2)、金属三(m3)、金属四(m4)等)。该后端制程互连层可以电耦合到中部制程互连层以用于例如将m1连接到集成电路的氧化物扩散(od)层。后端制程第一通孔(v2)可以将m2连接到m3或其他后端制程互连层。
本公开的各方面提供了用于减少管芯区域边界处的虚区域以提供成本降低的技术。一般而言，一旦晶片上的集成电路的制造完成，该晶片就沿切割线(例如，切割道)被分割。切割线指示晶片将在何处被分隔或分离成各个片。切割线可限定已在晶片上制造的各种集成电路的轮廓。一旦限定了切割线，晶片就可被锯成或以其他方式分成各片以形成管芯。在这一工艺之后，根据由切割锯刀造成的槽(切口)和最终钝化层(vp)间隔，管芯区域边界可包括无功能边界区域。在这一示例中，无功能边界区域的宽度导致可以是物理管芯区域的很大百分比的虚区域。
在本公开的一个方面，包括开口钝化球栅阵列焊盘的导电凸块组装件使得能够减少管芯区域边界处的虚区域。导电凸块组装件可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括在无源基板上且与第一钝化层开口归并的第二钝化层开口，该第一钝化层开口包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘。在这一布置中，导电凸块焊盘与切割道之间的第一钝化层块在支撑导电凸块组装件的无源基板的边缘处被移除。一旦被移除，包围导电凸块焊盘的第一钝化层开口就与包围靠近无源基板的边缘处的切割道的导电凸块焊盘的第二钝化层开口相归并。
图1解说了本公开的一方面中的晶片的透视图。晶片100可以是半导体晶片，或者可以是在晶片100的表面上具有一层或多层材料的基板材料。晶片100可以是复合材料，诸如砷化镓(gaas)或氮化镓(gan)、三元材料(诸如砷化铟镓(ingaas))、四元材料、硅、石英、玻璃或者可以是基板材料的任何材料。虽然许多材料本质上可以是晶体，但是多晶或非晶材料也可用于晶片100。例如，用于基板的各种选择包括玻璃基板、半导体基板、核层压基板、无核基板、印刷电路板(pcb)基板或其他类似的基板。
晶片100或耦合至晶片100的各层可提供有使得能够在晶片100之中或之上形成不同类型的电子器件的材料。另外，晶片100可具有指示该晶片100的晶向的取向102。取向102可以是如图1中所示的晶片100的平坦边缘，或者可以是槽口或其他标记以解说晶片100的晶向。在假定是半导体晶片的情况下，取向102可指示晶片100中晶格的平面的米勒指数。
一旦按期望处理了晶片100，就沿着切割线104分割晶片100。例如，一旦在晶片100上集成电路的制造完成，晶片100就沿切割线104(这在本文中可被称为“切割道”)被分割。切割线104指示晶片100将在何处被分隔或分离成多片。切割线104可限定已在晶片100上制造的各种集成电路的轮廓。
一旦限定了切割线104，晶片100就可被锯成或以其他方式分成多片以形成管芯106。每个管芯106可以是具有许多器件的集成电路或者可以是单个电子器件。管芯106(其也可被称为芯片或半导体芯片)的物理尺寸至少部分地取决于将晶片100分成特定大小的能力、以及管芯106被设计成包含的个体器件的数量。
一旦晶片100已被分成一个或多个管芯106，管芯106就可被安装到封装中，以允许访问在管芯106上制造的器件和/或集成电路。封装可包括单列直插封装、双列直插封装、主板封装、倒装芯片封装、铟点/凸点封装、或者提供对管芯106的访问的其他类型的器件。还可通过线焊、探针、或者其他连接来直接访问管芯106，而无需将管芯106安装到分开的封装中。
电感器以及其他无源器件(诸如电容器)可被形成在管芯上。这些组件可被用于形成滤波器、共用器、三工器、低通滤波器、和/或陷波滤波器、或有用于形成射频(rf)前端模块的其他类似的无源电路元件，例如如图6和7中所示使用玻璃基无源技术。
图2a解说了在晶片201(图2b)上制造玻璃基无源器件之后该晶片201的玻璃管芯200。玻璃基无源器件涉及与其他技术相比具有多种优点的高性能电感器和电容器组件，诸如，通常用于移动射频(rf)芯片设计(例如，移动rf收发机)的制造的表面安装技术或多层陶瓷芯片。在这一布置中，玻璃管芯200包括允许放置球栅阵列(bga)组装件的钝化开口210(210-1、210-2、210-3、210-4以及210-4)。在这一示例中，示出了在沿切割线切割之前的玻璃管芯，使得玻璃管芯由切割道220包围。切割道220包括切割线，切割线指示晶片201将在何处被分隔或分离成多片。一旦限定了切割道220，晶片201就可被锯成或以其他方式分成多片以形成玻璃管芯200。不幸的是，钝化开口210的布置导致玻璃管芯200的管芯区域边界处的虚区域，如图2b中进一步解说的。
图2b提供了图2a的玻璃管芯200的一角的放大视图。玻璃基无源器件的制造由于包围玻璃管芯200的无功能边界区域222而是昂贵的。例如，假定玻璃管芯200的物理管芯大小是2.25mm2，管芯区域边界可包括根据由切割锯片造成的槽(切口)(例如，切割道220的一部分)和最终钝化层(vp)间隔212的无功能边界区域。在这一示例中，无功能边界区域222的宽度是0.78mm2，这导致玻璃管芯200的物理管芯区域的约35％的虚区域。在这一布置中，钝化开口与切割道220之间的距离在玻璃管芯的边缘处为约85微米。
图3a示出了根据本公开的一方面的包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的截面图301和布局图303。开口钝化导电凸块焊盘使得能够使用表面安装技术(smt)在rf前端模块中组装玻璃基无源器件。smt组装工艺可包括晶片上的丝网印刷焊膏(例如，印刷电路板(pcb))。在焊膏印刷之后，各组件被置于晶片上。一旦各组件的放置完成，就执行焊料回流，此后移除助焊剂。另外，smt组装工艺一般包括用于表面安装封装的两种类型的焊盘图案。第一类型的焊盘图案是非焊料掩模定义(namd)的焊盘。这些焊盘一般具有比金属焊盘更宽的掩膜开口。第二类型的焊盘图案是焊料掩模定义(smd)的焊盘。这些焊盘具有与金属焊盘相比缩小的焊料掩膜开口。
如在图3a的截面图301中所示，导电凸块组装件300包括玻璃基板302，其支撑多个钝化(例如，介电)层和导电凸块焊盘360。截面图301中示出的导电凸块组装件300可类似于图2a的玻璃管芯200的一角的分解图，如图2b所示。在这一布置中，然而，导电凸块焊盘360通过移除图2b中所示的vp间隔212而被归并到切割道320。结果，布局图303中所示的无功能边界区域322相对于图2b中所示的无功能边界区域222而言被减少。
如在截面图301中所示，第一钝化层350(vp)由第二钝化层340(v3)支撑，第二钝化层由第三钝化层330(v2)支撑。如在布局图303中所示，第二钝化层340(v3)的第二钝化层开口与包围靠近切割道320的导电凸块焊盘360的第一钝化层350(vp)的第一钝化层开口归并。导电凸块焊盘360可通过将后端制程(beol)互连层(例如，金属四(m4))沉积在第二钝化层340上来形成。导电凸块焊盘360可以是非焊料掩膜定义(nsmd)的焊盘。虽然被示为三个钝化层，但导电凸块组装件不限于这一布置，并且可包括包含在晶片制造的不同阶段期间沉积的多个钝化层的任何布置。钝化层可以由聚酰亚胺或其他类似介电材料构成。
图3b示出了图2a和2b中示出的玻璃管芯200的导电凸块组装件的截面图371和布局图373。如在图3b的截面图371中所示，导电凸块组装件370包括玻璃基板302，支撑多个钝化(例如，介电)层和导电凸块焊盘360。截面图301中示出的导电凸块组装件300进一步解说了图2a的玻璃管芯200的一角的分解图，如图2b所示。在这一布置中，根据布局图373中示出的vp间隔212(例如，42.5微米)，导电凸块焊盘360从切割道320偏离达第一钝化层350的vp块352。
如在截面图371中所示，vp块352被布置在导电凸块焊盘360与切割道320之间，这对布局图373中所示的无功能边界区域222作出贡献。具体而言，vp块352对玻璃管芯200的周界处的虚区域作出贡献，如布局图373中所示的由vp间隔212测量的。因此，图3b的布局图373中示出的无功能边界区域222(例如，85微米)相对于图3a中示出的无功能边界区域322(例如，42.5微米)而言更大。在本公开的各方面，通过移除vp块352并将导电凸块焊盘360与切割道320归并，无功能边界区域322根据vp间隔212的宽度而被减少，如在图3a中所示。
图4a示出了根据本公开的一方面的包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的截面图。代表性地，导电凸块组装件400还包括玻璃基板402，支撑钝化(例如，介电)层和导电凸块焊盘460。导电凸块组装件400可类似于图3a中示出的导电凸块组装件300。然而，在这一布置中，导电凸块462被制造在导电凸块焊盘460上以完成导电凸块组装件400。
导电凸块组装件400包括第一钝化层450(vp)，第一钝化层由第二钝化层440(v3)支撑，第二钝化层由第三钝化层430(v2)支撑。在这一布置中，第二钝化层440(v3)的第二钝化层开口也与包围导电凸块焊盘460的第一钝化层450(vp)的第一钝化层开口归并。这一工艺通过将导电凸块焊盘460的位置推得更接近切割道320(图3a)而提供了具有经降低占用面积(例如，1.5x1.5mm2)的导电凸块组装件400。导电凸块组装件400的经降低占用面积包括通过移除vp块452而得到的显著的侧面减少(例如，85微米)，如图4b所示。
图4b进一步解说了图3b中示出的导电凸块组装件的截面图。导电凸块组装件470可类似于图3b中示出的导电凸块组装件370，包括由第二钝化层44(v3)支撑的第一钝化层450(vp)，第二钝化层由玻璃基板402上的第三钝化层430(v2)支撑。然而，在这一布置中，导电凸块462被制造在导电凸块焊盘460上以完成导电凸块组装件470。
在这一布置中，导电凸块焊盘460从切割道220(图3b)偏离达第一钝化层450的vp块452。相对于图4a中所示的导电凸块组装件400的经降低占用面积(例如，1.5x1.5mm2)，vp块452所使用的空间向导电凸块组装件470提供了增加的占用面积(例如，1.6x1.6mm2)。导电凸块组装件400的经降低占用面积包括通过移除vp块452而得到的显著的大小降低(例如，11％)，如图4b所示。移除vp块452还使得能够通过避免导电凸块组装件470的vp到vp间隔规则来制造导电凸块组装件400。
图5是解说了根据本公开的一方面的构造包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件的方法500的工艺流程图。在框502，在支撑导电凸块组装件的无源基板的边缘处制造导电凸块焊盘。例如，如图3a所示，可通过将后端制程(heol)导电互连层(例如，金属四(m4))沉积在第二钝化层340上靠近玻璃基板302的边缘处的切割道320来制造导电凸块焊盘360。在这一布置中，导电凸块焊盘360的位置通过移除图3b中所示的vp块352而被推到切割道320。
再次参考图5，在框504，将包围导电凸块焊盘的第一钝化层开口与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第二钝化层开口相归并。例如，如在图3a的布局图303中所示，将第二钝化层340(v3)的第二钝化层开口与包围靠近切割道320的导电凸块焊盘360的第一钝化层350(vp)的第一钝化层开口归并。在图5的框506，导电材料被沉积在导电凸块焊盘上。
如图4a所示，导电凸块462被制造在导电凸块焊盘460上以完成导电凸块组装件400。在这一布置中，通过将导电凸块焊盘上的焊料材料沉积在导电凸块焊盘460上以将导电凸块462形成为焊球来制造导电凸块462。这一工艺可通过首先使用非焊料掩膜定义(nsmd)的工艺将焊盘图案限定在第二钝化层440上来执行。
根据本公开的进一步方面，描述了一种包括开口钝化导电凸块焊盘的导电凸块组装件。导电凸块组装件包括在无源基板上且与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并的第二钝化层开口。导电凸块组装件还包括用于在导电凸块焊盘上进行组装的装置。组装装置可以是图3中所示的导电凸块462。在另一方面，前述装置可以是被配置成执行由前述装置叙述的功能的任何层、模块或任何设备。
本公开的各方面提供了用于减少管芯区域边界处的虚区域来为rf前端和载波聚集应用启用低成本高性能rf器件技术平台的技术。一般而言，一旦晶片上的集成电路的制造完成，该晶片就沿切割线(例如，切割道)被分割。切割线指示晶片将在何处被分隔或分离成各个片。切割线可限定已在晶片上制造的各种集成电路的轮廓。一旦限定了切割线，晶片就可被锯成或以其他方式分成各片以形成管芯。在这一工艺之后，根据由切割锯刀造成的槽(切口)和最终钝化层(vp)间隔，管芯区域边界可包括非功能边界区域，在这一示例中，无功能边界区域的宽度导致可以是物理管芯面积的很大百分比的虚区域。
在本公开的一个方面，包括开口钝化球栅阵列焊盘的导电凸块组装件使得能够减少管芯区域边界处的虚区域。导电凸块组装件可包括由无源基板支撑且由第一钝化层开口包围的导电凸块焊盘。导电凸块组装件还可包括在无源基板上且与包围靠近无源基板的边缘的导电凸块焊盘的第一钝化层开口归并的第二钝化层开口。在这一布置中，导电凸块焊盘与切割道之间的第一钝化层块在支撑导电凸块组装件的无源基板的边缘处被移除。一旦被移除，就将包围导电凸块焊盘的第一钝化层开口与包围靠近无源基板的边缘处的切割道的导电凸块焊盘的第二钝化层开口相归并。
图6是根据本公开的一方面的采用包括开口钝化球栅阵列焊盘的玻璃基器件的射频(rf)前端(rffe)模块600的示意图。rf前端模块600包括功率放大器602、双工器/滤波器604和射频(rf)开关模块606。功率放大器602将(诸)信号放大到特定功率水平以供传输。双工器/滤波器604根据各种不同参数(包括频率、插入损耗、抑制或其它类似参数等)对输入/输出信号进行滤波。另外，rf开关模块606可选择输入信号的特定部分以传递到rf前端模块600的其余部分上。
rf前端模块600还包括调谐器电路系统612(例如，第一调谐器电路系统612a和第二调谐器电路系统612b)、共用器619、电容器616、电感器618、接地端子615和天线614。调谐器电路系统612(例如，第一调谐器电路系统612a和第二调谐器电路系统612b)包括各种组件，诸如调谐器、便携式数据录入终端(pdet)以及内务模数转换器(hkadc)。调谐器电路系统612可针对天线614执行阻抗调谐(例如，电压驻波比(vswr)优化)。rf前端模块600还包括耦合到无线收发机(wtr)620的无源组合器108。无源组合器608将检测到的来自第一调谐器电路系统612a和第二调谐器电路系统612b的功率组合起来。无线收发机620处理来自无源组合器108的信息，并将该信息提供给调制解调器630(例如，移动站调制解调器(msm))。调制解调器630向应用处理器(ap)640提供数字信号。
如图6中所示，共用器619位于调谐器电路系统612的调谐器组件与电容器616、电感器618及天线614之间。共用器619可被放置在天线614和调谐器电路系统612之间以提供从rf前端模块600到包括无线收发机620、调制解调器630和应用处理器640的芯片组的高系统性能。共用器619还对高频带频率和低频带频率两者执行频域复用。在共用器619对输入信号执行其频率复用功能之后，共用器619的输出被馈送给可任选的lc(电感器/电容器)网络，该lc网络包括电容器616和电感器618。该lc网络可提供针对天线614的额外阻抗匹配组件(在需要的情况下)。随后，具有特定频率的信号由天线614发射或接收。尽管示出了单个电容器和电感器，但也可以构想多个组件。
图7是根据本发明的一方面的用于芯片组760的包括第一共用器790-1的wifi模块770和包括第二共用器790-2的rf前端模块750以提供载波聚集的示意图700。wifi模块770包括可将天线792通信地耦合到无线局域网模块(例如，wlan模块772)的第一共用器790-1。rf前端模块750包括通过双工器780可将天线794通信地耦合到无线收发机(wtr)720的第二共用器790-2。无线收发机720和wifi模块770的wlan模块772被耦合到由电源752通过电源管理集成电路(pmic)756供电的调制解调器(msm，例如，基带调制解调器)730。芯片组760还包括电容器762和764，以及(诸)电感器766以提供信号完整性。pmic756、调制解调器730、无线收发机720和wlan模块772各自包括电容器(例如，758、732、722和774)并且根据时钟754操作。芯片组760中的各种电感器和电容器组件的几何设计和布置可以减少各组件之间的电磁耦合。
图8是示出其中可有利地采用本公开的一方面的示例性无线通信系统800的框图。出于解说目的，图8示出了三个远程单元820、830和850以及两个基站840。将认识到，无线通信系统可具有远多于此的远程单元和基站。远程单元820、830和850包括ic设备825a、825c和825b，这些ic设备包括所公开的开口钝化球栅阵列焊盘。将认识到，其他设备还可包括所公开的开口钝化球栅阵列焊盘，诸如基站、交换设备、和网络装备。图8示出了从基站840到远程单元820、830和850的前向链路信号880，以及从远程单元820、830和850到基站840的反向链路信号890。
在图8中，远程单元820被示为移动电话，远程单元830被示为便携式计算机，而远程单元850被示为无线本地环路系统中的固定位置远程单元。例如，远程单元可以是移动电话、手持式个人通信系统(pcs)单元、便携式数据单元(诸如，个人数据助理(pda))、启用gps的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、固定位置数据单元(诸如仪表读数装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的其他通信设备、或者其组合。尽管图8解说了根据本公开的各方面的远程单元，但本公开不限于所解说的这些示例性单元。本公开的各方面可以合适地在包括所公开的开口钝化球栅阵列焊盘的许多设备中被采用。
图9是解说用于半导体组件(诸如以上公开的开口钝化球栅阵列焊盘)的电路、布局以及逻辑设计的设计工作站的框图。设计工作站900包括硬盘901，该硬盘包含操作系统软件、支持文件、以及设计软件(诸如cadence或orcad)。设计工作站900还包括促成电路910或半导体组件912(诸如开口钝化球栅阵列焊盘)的设计的显示器902。提供存储介质904以用于有形地存储电路设计910或半导体组件912。电路设计910或半导体组件912可以文件格式(诸如gdsii或gerber)存储在存储介质904上。存储介质904可以是cd-rom、dvd、硬盘、闪存、或者其他合适的设备。此外，设计工作站900包括用于从存储介质904接受输入或者将输出写到存储介质904的驱动装置903。
存储介质904上记录的数据可指定逻辑电路配置、用于光刻掩模的图案数据、或者用于串写工具(诸如电子束光刻)的掩模图案数据。该数据可进一步包括与逻辑仿真相关联的逻辑验证数据，诸如时序图或网电路。在存储介质904上提供数据通过减少用于设计半导体晶片的工艺数目来促成电路设计910或半导体组件912的设计。
对于固件和/或软件实现，这些方法体系可以用执行本文中所描述功能的模块(例如，规程、函数等等)来实现。有形地实施指令的机器可读介质可被用来实现本文所描述的方法体系。例如，软件代码可被存储在存储器中并由处理器单元来执行。存储器可以在处理器单元内或在处理器单元外部实现。如本文所用的，术语“存储器”是指长期、短期、易失性、非易失性类型存储器、或其他存储器，而并不限于特定类型的存储器或存储器数目、或记忆存储在其上的介质的类型。
如果以固件和/或软件实现，则功能可作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上。示例包括编码有数据结构的计算机可读介质和编码有计算机程序的计算机可读介质。计算机可读介质包括物理计算机存储介质。存储介质可以是能被计算机存取的可用介质。作为示例而非限定，此类计算机可读介质可包括ram、rom、eeprom、cd-rom或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或能被用来存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的其他介质；如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(cd)、激光碟、光碟、数字多用碟(dvd)、软盘和蓝光碟，其中盘常常磁性地再现数据，而碟用激光光学地再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
除了存储在计算机可读介质上，指令和/或数据还可作为包括在通信装置中的传输介质上的信号来提供。例如，通信装备可包括具有指示指令和数据的信号的收发机。这些指令和数据被配置成使一个或多个处理器实现权利要求中叙述的功能。
尽管已详细描述了本公开及其优势，但是应当理解，可在本文中作出各种改变、替代和变更而不会脱离如由所附权利要求所定义的本公开的技术。例如，诸如“上方”和“下方”之类的关系术语是关于基板或电子器件使用的。当然，如果该基板或电子器件被颠倒，则上方变成下方，反之亦然。此外，如果是侧面取向的，则上方和下方可指代基板或电子器件的侧面。而且，本申请的范围并非旨在被限定于说明书中所描述的过程、机器、制造、以及物质组成、装置、方法以及步骤的特定配置。如本领域的普通技术人员将容易从本公开领会到的，根据本公开，可以利用现存或今后开发的与本文所描述的相应配置执行基本相同的功能或实现基本相同结果的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这样的过程、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤包括在其范围内。