一种安防用高温稳定型晶体谐振器的制作方法

本实用新型涉及电子元件领域，尤其涉及一种安防用高温稳定型晶体谐振器。

背景技术：

SMD(Surface Mounted Devices，表面贴装器件)型晶体谐振器(以下简称“晶振”)的主体是其中的石英晶片，晶振的主要性能参数，如频率、电阻、温度特性等都是由晶片的尺寸以及切割角度(从晶棒上切割)决定。然后在晶片部分表面镀上一层银，点胶、封装在基座内。

晶振的主要参数分为常温的频率精度和温度特性下频率变化，安防行业的发展，需要在高温区域保持较小的温度特性(±10ppm内)，低温区域保持正常水平(±30ppm内)即可。上述性能，是由晶片切割角度和表面的镀膜面积决定的(两针相匹配)。但晶振制造工艺长期以来，习惯用固定的切割角度(3°09′45″±30″)匹配对应的镀膜电极尺寸(长*宽为1.95*1.282mm，误差在±0.1mm)的电极。这种设计，可以保证晶振在-40℃～+85℃内保持±30ppm的温度特性需求。也是行业内匹配其他客户的常规做法。

然后随着安防行业的使用场合、方案的精度要求的变化，要求+70℃～+85℃内温度特性曲线变化小，则必须重新设计切割角度和尺寸，两者必须设计和匹配。

因此，有必要提供一种能满足在+70℃～+85℃内保持±10ppm的温度特性需求，具有良好温度特性的安防用高温稳定型晶体谐振器。

技术实现要素：

针对上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种具有良好温度特性的安防用高温稳定型晶体谐振器，能满足在+70℃～+85℃内保持±10ppm的温度特性需求。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种安防用高温稳定型晶体谐振器，包括晶片和基座，所述基座上固设有所述晶片；所述晶片上设有长方形镀膜主电极，以及主电极引出端和副电极引出端；所述主电极引出端和副电极引出端位于所述晶片的周边，且所述主电极引出端与所述长方形镀膜主电极相连；

所述晶片的切割角度为3°02′30″±30″；所述长方形镀膜主电极的长度为2.0-2.2mm，宽度为1.335-1.535mm。

进一步的，所述晶片的切割角度为AT切型。

进一步的，所述晶片为SMD型晶片。

进一步的，所述长方形镀膜主电极具有两层镀膜，其中，第一层镀膜为Cr，第二层镀膜为Ag。

进一步的，所述晶片为薄片状二氧化硅。

进一步的，所述晶片以胶粘的方式固定在所述基座上。

进一步的，所述主电极引出端和副电极引出端通过依次粘接有导电面胶和导电底胶与所述基座固定。

本实用新型实施例提供的技术方案中，有益效果在于：本实用新型所提供的一种安防用高温稳定型晶体谐振器，区别于现有技术中的晶体谐振器中切割角度为3°09′45″±30″、镀膜长*宽尺寸为1.95*1.282mm，其虽可保证晶体谐振器在-40℃～+85℃内保持±30ppm的温度特性需求，但却不能满足在+70℃～+85℃内保持±10ppm的温度特性需求。本实用新型提供的一种切割角度为3°02′30″±30″，镀膜主电极的长度为2.0-2.2mm，宽度为1.335-1.535mm范围内的镀膜主电极晶片，在对晶片重新设计切割角度和镀膜电极尺寸能够使得所述安防用高温稳定型晶体谐振器满足在+70℃～+85℃内保持±10ppm的温度特性需求。同时，本实用新型所述的安防用高温稳定型晶体谐振器选取最佳的切割角度和镀膜电极尺寸，降低生成成本，能够很好的提升该安防用高温稳定型晶体谐振器的良品率，更好的适应安防行业电子市场的需求。

附图说明

图1为本实用新型中安防用高温稳定型晶体谐振器结构示意图；

图2为本实用新型中安防用高温稳定型晶体谐振器温度特性曲线图。

标号说明：

1-晶片；2-长方形镀膜主电极；3-副电极引出端；4-主电极引出端。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

本实用新型最关键的构思在于：采用切割角度为3°02′30″±30″，镀膜主电极的长度为2.0-2.2mm，宽度为1.335-1.535mm范围内的镀膜主电极晶片，其最佳的切割角度和镀膜电极尺寸具有在+70℃～+85℃内保持±10ppm的温度特性需求，能够适用于安防行业。

下面参照附图对本实用新型实施例中安防用高温稳定型晶体谐振器进行描述，如图1所示，本实用新型实施例中安防用高温稳定型晶体谐振器一个实施例包括：晶片1和基座，所述基座上固设有所述晶片1；所述晶片1上设有长方形镀膜主电极2，以及主电极引出端4和副电极引出端3；所述主电极引出端4和副电极引出端3位于所述晶片1的周边，且所述主电极引出端4与所述长方形镀膜主电极2相连；

所述晶片1的切割角度为3°02′30″±30″；所述长方形镀膜主电极2的长度为2.0-2.2mm，宽度为1.335-1.535mm，即图1中所示的L*W。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的一种晶片1的切割角度为3°02′30″±30″，长方形镀膜主电极2的长度L为2.0-2.2mm，宽度W为1.335-1.535mm范围内的镀膜主电极晶片，在对晶片1重新设计切割角度和镀膜电极尺寸能够使得所述安防用高温稳定型晶体谐振器满足在+70℃～+85℃内保持±10ppm的温度特性需求。同时，本实用新型所述的安防用高温稳定型晶体谐振器选取最佳的切割角度和镀膜电极尺寸，降低生成成本，能够很好的提升该安防用高温稳定型晶体谐振器的良品率，更好的适应安防行业电子市场的需求。

需要说明的是，晶体谐振器的温度特定主要决定与晶片1本身和晶片1上长方形镀膜主电极2的尺寸两个方面，虽然改变晶片1的切割角度和长方形镀膜主电极2的尺寸，可以在一定程度上改变晶体谐振器温度特性，但是随意的改变切割角度和镀膜电极尺寸，可能会导致晶体谐振器的温度特性严重不达标，影响晶体谐振器的正常使用，本领域技术人员一直不断的钻研以克服上述问题，但都不见很好的成果。现有技术中习惯性选用常规固定的切割角度为3°09′45″±30″、镀膜电极尺寸L*W＝1.95*1.282mm(误差±0.1mm)的晶体谐振器制造工艺。这种设计虽可以保证晶振在-40℃～+85℃内保持±30ppm的温度特性需求，其温度特性曲线如图2所示，图中虚线曲线代表应用现有技术生成的晶体谐振器频率温度特性曲线。然而随着安防行业的使用场合、方案的精度要求的变化，要求其在+70℃～+85℃内温度特性曲线变化小，现有技术中晶体谐振器的温度特性曲线在+70℃～+85℃之间，超过±10ppm的温度特性需求，温度特性不佳，必须重新设计其切割角度和镀膜电极尺寸，两者必须设计和匹配。

而在如图2中所示，实线曲线代表应用本实用新型的安防用高温稳定型晶体谐振器的频率温度特性曲线，可以看出，本实用新型提供的安防用高温稳定型晶体谐振器具有高温区域(+70℃～+85℃)温度特性曲线变化小(即随着温度变化，频率变化小：±10ppm内)的特点。其与虚线曲线所代表的现有技术中晶体谐振器两者比较，可见，本实用新型的安防用高温稳定型晶体谐振器的频率在高温区域温度特性曲线更集中，频率受温度变化影响小，在±10ppm内。

由此可见，本实用新型实施例中，采用切割角度为3°02′30″±30″的晶片1，长度L为2.0-2.2mm、宽度W为1.335-1.535mm范围内的长方形镀膜主电极2，二者所构成的晶体谐振器在温度范围为+70℃～+85℃之间的温度特性曲线趋于平稳，具有优良的温度特性。

进一步的，所述晶片1的切割角度为AT切型，即采用绕X轴旋转的线切割工艺。

进一步的，所述晶片1为SMD型晶片。

进一步的，所述长方形镀膜主电极2具有两层镀膜，其中，第一层镀膜为Cr(铬)，第二层镀膜为Ag(银)。

由于Ag和晶片1的结合度不是很好，特别是在空气湿度较大的情况下进行镀膜时，Ag层的附着力会急剧下降，在加热或震动后很容易发生Ag层脱落的现象，晶片1上的Ag层脱落将导致晶体谐振器的电阻值升高，功耗增加，甚至造成晶体谐振器不工作或工作不稳定的情况。因此，本方案采用先在晶片1上镀金属Cr层，后在Cr层上镀上Ag层，由于Ag层并不是直接镀在晶片1上，而是镀在具有强附着力的Cr层上，因此晶片1上镀层的附着力大大提升，能很好的避免出现脱Ag现象。

进一步的，所述晶片1为薄片状二氧化硅。

进一步的，所述晶片1以胶粘的方式固定在所述基座上。

进一步的，所述主电极引出端4和副电极引出端3通过依次粘接有导电面胶和导电底胶与所述基座固定。

本方案中所述的安防用高温稳定型晶体谐振器中晶片1上的长方形镀膜主电极2优选设置在晶片1的中央，所述长方形镀膜主电极2与所述晶片1的边缘留有一定距离；且所述副电极引出端3和长方形镀膜主电极2的引出端(即主电极引出端4)设于所述晶片1一宽边的两端。

综上所述，本实用新型提供的一种安防用高温稳定型晶体谐振器，不仅具有在+70℃～+85℃内满足±10ppm的温度特性需求，而且选取最佳的切割角度和镀膜电极尺寸，降低生成成本，能够很好的提升该安防用高温稳定型晶体谐振器的良品率，进一步的，还具有良好的电极导电性、高精度和高稳定性，能够更好的符合安防行业电子市场的需求。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。