陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的制作方法

本发明涉及高频电路板技术领域，特别是一种陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板。

背景技术：

聚四氟乙烯具有优异的高频介电性能、耐高温性能和耐辐射性，可应用于航空、航天、卫星、导航、雷达、电子对抗、无线通信等技术领域。但是现有的普通聚四氟乙烯线路板的可靠性仍不理想、成本较高，且膨胀系数较大，导致其布置的金属铜容易拉裂，从而使得电子产品失效。同时采用普通聚四氟乙烯线路板制成多层线路板时，是通过聚四氟乙烯玻璃布高温粘结片进行粘接的，粘接时需要通过工作温度为400摄氏度的高温压合设备，因此消耗的能源较大、设备成本较高。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供了一种降低膨胀系数、提高产品可靠性、粘接温度低、设备成本较低且耗能小的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板，以解决上述问题。

一种陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板，包括上双面镀铜板、下双面镀铜板及粘结片；粘结片位于上双面镀铜板与下双面镀铜板之间；上双面镀铜板包括上基材层、设置于上基材层顶面的第一铜层、设置于上基材层底面的第二铜层；下双面镀铜板包括下基材层、设置于下基材层顶面的第三铜层、设置于下基材层底面的第四铜层；第一铜层、第二铜层、第三铜层及第四铜层上均设置有线路；上基材层及下基材层均为陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布，粘结片为环氧树脂玻璃布粘结片。

进一步地，所述陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板上开设有若干通孔，通孔的内壁上镀有导电层，导电层与第一铜层、第二铜层、第三铜层及第四铜层均连接。

进一步地，所述第一铜层上设置有与第一铜层上的线路连接的第一连接端子。

进一步地，所述第一铜层或第四铜层上设置有若干孤岛，孤岛与第一铜层或第四铜层完全分离，孤岛上设置有若干连接端子，每一连接端子通过一连接带与第二铜层上的线路或第三铜层上的线路连接。

进一步地，所述连接带为镀金铜层。

进一步地，所述第一铜层上设置有第一孤岛，第一孤岛与第一铜层之间设置有第一绝缘隔离带，第一孤岛上设置有若干第二连接端子，第二连接端子通过一第一连接带与第二铜层上的线路连接，第一连接带从侧边绕过上基材层并与第二铜层上的线路连接。

进一步地，所述第一铜层上设置有第二孤岛，第二孤岛与第一铜层之间设置有第二绝缘隔离带，第二孤岛上设置有若干第三连接端子，第三连接端子通过一第二连接带与第三铜层上的线路连接，第二连接带从侧边绕过上基材层、粘结片并与第三铜层上的线路连接；第二铜层的边缘且靠近第二连接带位置设置有第三绝缘隔离带。

进一步地，所述第一铜层上设置有第三孤岛，第三孤岛与第一铜层之间设置有第四绝缘隔离带；第三孤岛上设置有若干第四连接端子，第四连接端子通过一第三连接带与第四铜层上的线路连接；第三连接带从侧边绕过上基材层、粘结片及下基材层，并与第四铜层上的线路连接；第二铜层的边缘且靠近第三连接带位置设置有第五绝缘隔离带，第三铜层的边缘且靠近第三连接带位置设置有第六绝缘隔离带。

与现有技术相比，本发明的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板包括上双面镀铜板、下双面镀铜板及粘结片；粘结片位于上双面镀铜板与下双面镀铜板之间；上双面镀铜板包括上基材层、设置于上基材层顶面的第一铜层、设置于上基材层底面的第二铜层；下双面镀铜板包括下基材层、设置于下基材层顶面的第三铜层、设置于下基材层底面的第四铜层；第一铜层、第二铜层、第三铜层及第四铜层上均设置有线路；上基材层及下基材层均为陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布，粘结片为环氧树脂玻璃布粘结片。如此能够降低膨胀系数、提高产品可靠性、粘接温度低、设备成本较低且耗能小。

附图说明

以下结合附图描述本发明的实施例，其中：

图1为本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的立体示意图。

图2为本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的侧面拆分示意图。

图3为本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的侧面剖视图。

图4为图1中的a部分的放大示意图。

图5为图1中的b部分的放大示意图。

图6为图1中的c部分的放大示意图。

具体实施方式

以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本发明实施例的说明并不用于限定本发明的保护范围。

请参考图1至图3，本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板包括上双面镀铜板10、下双面镀铜板20及粘结片30。粘结片30位于上双面镀铜板10与下双面镀铜板20之间。

粘结片30为环氧树脂玻璃布粘结片。

上双面镀铜板10包括上基材层11、设置于上基材层11顶面的第一铜层12、设置于上基材层11底面的第二铜层13。

下双面镀铜板20包括下基材层21、设置于下基材层21顶面的第三铜层22、设置于下基材层21底面的第四铜层23。

上基材层11及下基材层21均为陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布。陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布具有和环氧树脂玻璃布相近的低膨胀系数和很好的散热效果。

环氧树脂玻璃布粘结片30在温度为250-300摄氏度的环境下，软化并粘接上双面镀铜板10与下双面镀铜板20。环氧树脂玻璃布粘结片的粘接温度较低，设备成本较低且耗能小。

本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板上还开设有若干通孔40，通孔40便于本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的定位、安装及接地连接。

通孔40的内壁上镀有导电层41，如通过镀铜、镀银或镀金等方式形成。导电层41与第一铜层12、第二铜层13、第三铜层22及第四铜层23均连接。

第一铜层12、第二铜层13、第三铜层22及第四铜层23上可根据需要通过蚀刻等方式设置线路。

第一铜层12上设置有与第一铜层12上的线路121连接的第一连接端子122。第一连接端子122用于与外部的导线或电子元件连接。

请参考图4，为了便于第二铜层13上的线路与外部的导线或电子元件连接，在第一铜层12上设置有第一孤岛50，第一孤岛50与第一铜层12之间设置有第一绝缘隔离带51，第一绝缘隔离带51可为通过蚀刻第一铜层12形成的留白区。

第一孤岛50上设置有若干第二连接端子132，第二连接端子132通过第一连接带131与第二铜层13上的线路连接。本实施方式中，第一连接带131从本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的侧边绕过上基材层11并与第二铜层13上的线路连接。

请参考图5，为了便于第三铜层22上的线路与外部的导线或电子元件连接，在第一铜层12上设置有第二孤岛60，第二孤岛60与第一铜层12之间设置有第二绝缘隔离带61，第二绝缘隔离带61可为通过蚀刻第一铜层12形成的留白区。

第二孤岛60上设置有若干第三连接端子222，第三连接端子222通过第二连接带221与第三铜层22上的线路连接。本实施方式中，第二连接带221从本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的侧边绕过上基材层11、环氧树脂玻璃布粘结片30并与第三铜层22上的线路连接。同时，第二铜层13的边缘且靠近第二连接带221位置通过蚀刻形成有第三绝缘隔离带，避免第二连接带221与第二铜层13电性连接。

请参考图6，为了便于第四铜层23上的线路与外部的导线或电子元件连接，在第一铜层12上设置有第三孤岛70，第三孤岛70与第一铜层12之间设置有第四绝缘隔离带71，第四绝缘隔离带71可为通过蚀刻第一铜层12形成的留白区。

第三孤岛70上设置有若干第四连接端子232，第四连接端子232通过第三连接带231与第四铜层23上的线路连接。本实施方式中，第三连接带231从本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的侧边绕过上基材层11、环氧树脂玻璃布粘结片30及下基材层21，并与第四铜层23上的线路连接。同时，第二铜层13的边缘且靠近第三连接带231位置通过蚀刻形成有第五绝缘隔离带，第三铜层22的边缘且靠近第三连接带231位置通过蚀刻形成有第六绝缘隔离带，避免第三连接带231与第二铜层13或第三铜层22电性连接。

上述第一连接带131、第二连接带221及第三连接带231均为镀金铜层，电性传输能力好。

如此使得第一铜层12、第二铜层13、第三铜层22及第四铜层23上的线路的连接端子均位于同一侧，便于焊接及管理。

其他实施方式中，第四铜层23上设置有第五连接端子，第五连接端子与第四铜层23上的线路连接。第二铜层13上的线路通过第一连接带131与第一孤岛50上的第二连接端子132；第四铜层23上设置有第四孤岛，第四孤岛与第四铜层23之间设置有第七绝缘隔离带，第七绝缘隔离带可为通过蚀刻第一铜层12形成的留白区。第四孤岛上设置有若干第六连接端子，第六连接端子通过第四连接带与第三铜层22上的线路连接。本实施方式中，第四连接带从本发明提供的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板的侧边绕过下基材层21并与第三铜层22上的线路连接。如此使得连接端子分布于上下两侧。

与现有技术相比，本发明的陶瓷粉填充聚四氟乙烯玻璃布混压多层功分器线路板包括上双面镀铜板10、下双面镀铜板20及粘结片30；粘结片30位于上双面镀铜板10与下双面镀铜板20之间；上双面镀铜板10包括上基材层11、设置于上基材层11顶面的第一铜层12、设置于上基材层11底面的第二铜层13；下双面镀铜板20包括下基材层21、设置于下基材层21顶面的第三铜层22、设置于下基材层21底面的第四铜层23；第一铜层12、第二铜层13、第三铜层22及第四铜层23上均设置有线路。如此能够降低膨胀系数、提高产品可靠性、粘接温度低、设备成本较低且耗能小。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用于局限本发明的保护范围，任何在本发明精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本发明的权利要求范围内。