二集热图案302、362、372。第一接触部71通过第一集热图案301、361和371连接到检测电源91，第二接触部72通过第二集热图案302、362和372与地94连接。
[0084]在这种情况下，连接在第二集热图案302、362和372与地94之间的连接部分34的宽度Wc小于第二集热图案302、362和372的宽度Wb。在这种情况下，可以限制通过连接部分34从集热图案302、362和372到地94的热辐射即所谓“热耗散”的发生。因此，可以进一步准确地检测热生成元件8的温度。
[0085]例如，温度检测元件7被设置在第一集热图案361、371与第二集热图案362、372之间，并且第一集热图案361、371与第二集热图案362、372中的至少一个的轮廓包括至少在远离温度检测元件7的一个方向上向外凸出的曲线。
[0086]在这种情况下，在每个集热图案的内部，在曲线的边缘处反射的热流可以被导向温度检测元件7。因此，可以进一步准确地检测热生成元件8的温度。
[0087]例如，热生成元件8是具有引线部分81的半导体开关元件。热生成元件8被安装在电子装置的安装表面61上，以使得可以对应于漏极端子和源极端子的引线部分81面对安装表面61。热生成元件8被设置为从后表面82将热辐射到散热器11，该后表面82可以提供与引线部分81相对的源电极。
[0088]在例如从半导体开关元件生成的热量较大并且仅从引线部分81不能充分地进行热辐射的情况下采用这种“后表面热辐射结构”。因此，非常需要更准确地检测温度以适当地对过热进行限制。因此，当采用包括直下层图案41和层间连接柱5的结构时，可以有效地实现温度检测准确度的改进的效果。
[0089](a)考虑尺寸和到衬底上的可安装性，芯片型热敏电阻作为本公开内容的“温度检测元件”是最现实的。然而，在本公开内容的技术理念中，除了芯片型热敏电阻之外，温度检测元件可以包括引线式热敏电阻、热电偶、电阻温度计管等。例如，实际上，在试生产的测试阶段中，完全可以假设使用热电偶等来检测集热图案。
[0090](b)本公开内容的“热生成元件”包括可能生成热的一般元件，如除了 MOSFET之夕卜，可以是IGBT等半导体开关元件、集成IC如晶闸管、IC以及微型计算机。
[0091]如上所述，本公开内容可以不限于这些实施方式，而可以在不脱离本公开内容的主旨的情况下以任何其他方式来实现。
[0092]如上所述，示出了每个实施方式的附图示意性地示出了本公开内容的本质部分，而并不完全反映实际的电子装置的形式。应该基于产品的结构是否满足结构性元件如直下层图案和层间连接柱而不是根据整个产品的外观来判断市场上实际出售的产品是否属于本公开内容的技术范围。
[0093]虽然仅选择了所选择的示例性实施方式和示例来对本公开内容进行说明，但是从本公开内容对于本领域普通技术人员来说明显的是，可以在不脱离如所附权利要求所限定的本公开内容的范围的情况下对本公开内容进行各种变化和修改。而且，提供以上对根据本公开内容的示例性实施方式和示例的描述仅用于说明，而不意在对由所附权利要求及其等同方案所限定的本公开内容进行限制。
【主权项】
1.一种电子装置，包括: 衬底(21)； 热生成元件(8)； 热生成部图案￠)，所述热生成部图案(6)被连接到所述热生成元件(8)并且从所述热生成元件(8)接收热； 温度检测元件(7)，所述温度检测元件(7)被设置成与所述衬底(21)的第一表面邻近并且检测所述热生成元件(8)的温度； 直下层图案(41)，所述直下层图案(41)被设置在所述衬底(21)的与所述温度检测元件(7)相对的第二表面上并且在包括与所述温度检测元件(7)对应的部分的区域中；以及层间连接柱(5)，所述层间连接柱(5)在所述热生成部图案(6)与所述直下层图案(41)之间进行连接以传导热。
2.根据权利要求1所述的电子装置，包括 集热图案(301、302、361、362、371、372)，所述集热图案被连接到所述衬底(21)的第一表面上的所述温度检测元件(7)，其中 所述集热图案(301、302、361、362、371、372)具有宽度(Wb)，该宽度(Wb)大于所述温度检测元件(7)的宽度(Wa)，并且所述集热图案通过所述衬底(21)与所述直下层图案(41)相对。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中 所述温度检测元件(7)具有第一接触部(71)和第二接触部(72)， 所述温度检测元件(7)感测所述第一接触部(71)与所述第二接触部(72)之间的电压以检测所述温度， 所述集热图案(301、302、361、362、371、372)包括处于高电势侧的第一集热图案(301、361,371)以及处于低电势侧的第二集热图案(302、362、372)， 所述第一接触部(71)通过所述第一集热图案(301、361、371)而被连接到检测电源(91)，以及 所述第二接触部(72)通过所述第二集热图案(302、362、372)而被连接到地(94)。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中 在所述第二集热图案(302、362、372)与所述地(94)之间进行连接的连接部(34)具有宽度(Wc)，该宽度(Wc)小于所述第二集热图案(302,362,372)的宽度(Wb)。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的电子装置，其中 所述温度检测元件(7)被设置在所述第一集热图案(361、371)与所述第二集热图案(362,372)之间，以及 所述第一集热图案(361、371)与所述第二集热图案(362、372)中的至少一个集热图案具有如下轮廓，所述轮廓包括至少在远离所述温度检测元件(7)的一个方向上向外凸出的曲线。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的电子装置，还包括: 安装表面(61)，所述安装表面(61)在与所述温度检测元件(7)相对的侧上，其中 所述热生成元件(8)是具有引线部分(81)的半导体开关元件， 所述热生成元件(8)被安装在所述安装表面(61)上，以使得所述引线部分(81)面对所述安装表面(61)，以及 所述热生成元件(8)被设置成通过与所述引线部分(81)相对的后表面(82)将热辐射到散热器(11)。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的电子装置，其中 所述热生成图案(6)被设置在所述衬底(21)的所述第一表面上，并且通过所述层间连接柱(5)、所述直下层图案(41)以及所述衬底(21)而被热连接到所述集热图案(301、302、361、362、371、372)。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的电子装置，其中 所述衬底(21)是第一衬底，所述第一衬底是多层板的多个衬底(21、22、23)中的一个衬底。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其中: 所述热生成图案(6)通过所述多层板中的至少另一个衬底(22、23)与所述第一衬底(21)隔开。
【专利摘要】本公开涉及一种具有温度检测元件的电子装置。在该电子装置中，热生成部图案(6)被连接到热生成元件(8)以从热生成元件(8)接收热。温度检测元件(7)被设置成与衬底(21)的第一表面邻近。直下层图案(41)在包括与温度检测元件(7)对应的部分的区域中被设置在衬底(21)的与温度检测元件(7)相对的第二表面上。层间连接柱(5)在热生成部图案(6)与直下层图案(41)之间进行连接以传导热。从热生成元件(8)生成的热通过热生成部图案(6)、层间连接柱(5)以及直下层图案(41)被有效地传导到温度检测元件(7)，从而温度检测元件(7)准确地检测热生成元件(8)的温度。
【IPC分类】H05K7-20, H01L23-34
【公开号】CN104754919
【申请号】CN201410828148
【发明人】大越润一, 川田裕之, 筒井敏雄, 大多信介
【申请人】株式会社电装
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月26日
【公告号】US20150185087