一种电平移位电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及高压器件的控制技术领域，具体地，涉及一种适用于浮动电源轨中的电平移位电路。
【背景技术】
[0002]电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号，实现低压逻辑对高压功率输出级的控制，应用于高压器件的控制技术领域，在电机驱动、等离子显示(PDP)、有机发光二极管显示(OLED)和FLASH存储器电路等方面得到了广泛应用。在高压器件的控制技术领域，可将控制电路和高压输出驱动电路集成在一起，实现高耐压、大电流、高精度。
[0003]常规的电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号用于驱动高压下工作的输出级NMOS (应该是NMOS)管。电平移位电路作为连接控制电路和输出驱动级的关键电路，既需要快速的响应能力，又需要较低的静态电流，同时还需要保证较高的稳定性和可靠性。现有技术中通常采用稳压管作为电平移位电路中的钳位元器件，这种结构具有成本高、工艺要求高的问题。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种电平移位电路。
[0005]根据本发明提供的一种电平移位电路，用于控制功率管的通断，包括:窄脉冲发生器、电平移位模块、信号锁存器、驱动级电路；
[0006]所述窄脉冲发生器用于根据低压占空比信号的上升沿输出第一窄脉冲信号，和根据输入的所述低压占空比信号的下降沿输出第二窄脉冲信号，所述第一窄脉冲信号和第二窄脉冲信号的翻转速度都大于所述低压占空比信号，所述窄脉冲发生器的供电端连接至低压供电电源，所述窄脉冲发生器的输入端接入所述低压占空比信号；
[0007]所述电平移位模块用于将所述第一窄脉冲信号反向并提升电位至浮动电源正-地之间获得第一高电平反向信号，和将所述第二窄脉冲信号反向并提升电位至所述浮动电源正-地之间获得第二高电平反向信号，所述电平移位模块的第一输入端接入所述第一窄脉冲信号，所述电平移位模块的第二输入端接入所述第二窄脉冲信号；
[0008]所述信号锁存器用于根据所述第一高电平反向信号和第二高电平反向信号输出高压占空比信号，所述信号锁存器的置位输入端接入所述第一高电平反向信号，置零输入端接入所述第二高电平反向信号；
[0009]所述驱动级电路用于根据所述高压占空比信号控制功率管的打开和关断，所述驱动级电路的输入端接入所述高压占空比信号，输出端连接所述功率管的栅极。
[0010]作为一种优化方案，所述电平移位模块包括第一高压MOS场效应管、第二高压MOS场效应管、第一钳位MOS场效应管、第二钳位MOS场效应管、第一电阻、第二电阻；
[0011]所述第一高压MOS场效应管的栅极为所述第一输入端，接入所述第一窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第一钳位MOS场效应管的源极，
[0012]所述第一钳位MOS场效应管的栅极连接所述浮动电源的地，漏极连接所述浮动电源的正极，漏极与源极之间接入所述第一电阻，所述信号锁存器的置位输入端接入所述第一高压MOS场效应管的漏极与所述第一钳位MOS场效应管的源极之间；
[0013]所述第二高压MOS场效应管的栅极为所述第二输入端，接入所述第二窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第二钳位MOS场效应管的源极，
[0014]所述第二钳位MOS场效应管的栅极连接所述浮动电源的地，漏极连接所述浮动电源的正极，漏极与源极之间接入所述第二电阻，所述信号锁存器的置零输入端接入所述第二高压MOS场效应管的漏极与所述第二钳位MOS场效应管的源极之间。
[0015]作为一种优化方案，所述第一电阻和第二电阻的阻值都是在IkQ?1kQ范围内。
[0016]作为一种优化方案，所述第一高压MOS场效应管和第二高压MOS场效应管的阈值电压都大于所述第一钳位MOS场效应管和第二钳位MOS场效应管的阈值电压。
[0017]作为一种优化方案，所述电平移位模块包括第一高压MOS场效应管、第二高压MOS场效应管、第一钳位三极管、第二钳位三极管、第一二极管、第二二极管；
[0018]所述第一高压MOS场效应管的栅极为所述第一输入端，接入所述第一窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第一钳位三极管的发射极，
[0019]所述第一钳位三极管的基极连接所述浮动电源的地，集电极连接所述浮动电源的正极，所述信号锁存器的置位输入端接入所述第一高压MOS场效应管的漏极与所述第一钳位三极管的发射极之间，
[0020]所述第一二极管的负极连接所述第一钳位三极管的集电极，正极连接所述第一钳位三极管的发射极；
[0021 ]所述第二高压MOS场效应管的栅极为所述第二输入端，接入所述第二窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第二钳位三极管的发射极，
[0022]所述第二钳位三极管的基极连接所述浮动电源的地，集电极连接所述浮动电源的正极，所述信号锁存器的置零输入端接入所述第二高压MOS场效应管的漏极与所述第二钳位三极管的发射极之间，
[0023]所述第二二极管的负极连接所述第二钳位三极管的集电极，正极连接所述第二钳位三极管的发射极。
[0024]作为一种优化方案，所述第一二极管和第二二极管的阻值都是在IkQ?1kQ范围内。
[0025]作为一种优化方案，所述第一高压MOS场效应管和第二高压MOS场效应管的阈值电压都大于所述第一钳位三极管和第二钳位三极管的阈值电压。
[0026]作为一种优化方案，所述浮动电源正地之间的电位差为1?20V。
[0027]作为一种优化方案，还包括噪声过滤电路；
[0028]所述电平移位模块输出的所述第一高电平反向信号通过所述噪声过滤电路接入所述信号锁存器的置位输入端，
[0029]所述电平移位模块输出的所述第二高电平反向信号通过所述噪声过滤电路接入所述信号锁存器的置零输入端。
[0030]作为一种优化方案，所述噪声过滤电路由两组RC滤波器组成；一组所述RC滤波器用于将所述第一高电平反向信号滤波后输出至所述信号锁存器的置位输入端，另一组所述RC滤波器用于将所述第二高电平反向信号滤波后输出至所述信号锁存器的置零输入端。
[0031]与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果:
[0032]本发明结构简单，电平移位模块将窄脉冲发生器获得的窄脉冲信号进行电平移位，这种短脉冲方式因为驱动能力大，可以快速的实现电平移位，从而可以提高工作频率。另外，窄脉冲方式使得电平移位电路短时间工作，节约了功耗。电平移位模块通过第一二极管dl、第二二极管d2、第一钳位三极管Q1、第二钳位三极管Q2构成的结构，或第一钳位MOS场效应管匪3和第二钳位MOS场效应管匪4的钳位作用，防止电位过低导致的信号锁存器损坏问题。相对于现有技术中的方案，本发明降低对成产工艺的要求，也降低了制造成本，提高了电路的稳定性和可靠性，有利于推广应用。
【附图说明】
[0033]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的