>[0120]第四实施方式制作包括根据第一实施方式和第二实施方式及其变型中的任一个的谐振器的另选的滤波器。图25A和图25B是根据第四实施方式和第七比较例的滤波器芯片的平面图。如图25A和图25B所例示的，滤波器芯片50包括形成在压电衬底18上的串联谐振器SI至S4以及并联谐振器Pl至P3。谐振器SI至S4以及谐振器Pl至P3通过线24电互连。第四实施方式的条件与第三实施方式的那些条件相同。第七比较例与第四实施方式的不同之处在于角度Θ2是0°。谐振器中的每一个的其它条件在第四实施方式和第七比较例这二者中被优化。
[0121]如上所述，在第四实施方式中，中心区域30中的电极指12的宽度方向40对应于X轴取向，而在第七比较例中，边缘区域32中的电极指12的宽度方向42对应于X轴取向并且中心区域30中的电极指12的宽度方向40从X轴取向以5°的角度Θ2倾斜。
[0122]图26是第四实施方式和第七比较例的通过特性的曲线图。如图26所例示的，在第七比较例中，在通带中观察到从0.5dB到2dB变动的由于不期望的波而导致的响应。在第四实施方式中，不期望的波减少了。
[0123]如第三实施方式和第四实施方式所描述的，边缘区域32中的电极指12相对于中心区域30中的电极指12倾斜，使得在边缘区域32中的电极指12的宽度方向42上的节距大于在中心区域30中的电极指12的宽度方向42上的节距。中心区域30中的电极指12的宽度方向40被调整为比边缘区域32中的电极指12的宽度方向42更靠近X轴取向。这个结构使得能够如图24A、图24B和图26所例示的那样减少不期望的波。
[0124]在第三实施方式和第四实施方式中，包括在滤波器中的所有谐振器是第一实施方式的第一变型的谐振器，但是需要该滤波器包括根据第一实施方式和第二实施方式及其变型中的任一个的至少一个谐振器。图27A、27B、27C、28A、28B和28C是包括在第三实施方式的滤波器中的示例性谐振器的平面图。如图27A所例示的，滤波器中的谐振器中的一个或更多个可以是其中汇流条14的延伸方向对应于X轴取向并且电极指12的延伸方向与汇流条14的延伸方向垂直的切趾型谐振器。如图27B所例示的，滤波器中的这些谐振器中的一个或更多个可以是其中汇流条14的延伸方向对应于X轴取向并且电极指12的延伸方向从与汇流条14的延伸方向垂直的方向倾斜的切趾型谐振器。如图27C所例示的，滤波器中的这些谐振器中的一个或更多个可以是其中汇流条14的延伸方向从X轴取向倾斜并且电极指12的延伸方向从与汇流条14的延伸方向垂直的方向倾斜的切趾型谐振器。
[0125]如图28A所例示的，滤波器中的这些谐振器中的一个或更多个可以是其中汇流条14的延伸方向对应于X轴取向并且电极指12的延伸方向与汇流条14的延伸方向垂直的谐振器。如图28B所例示的，滤波器中的这些谐振器中的一个或更多个可以是其中汇流条14的延伸方向对应于X轴取向并且边缘区域32中的电极指12的延伸方向从中心区域30中的电极指12的延伸方向倾斜的谐振器。如图28C所例示的，滤波器中的这些谐振器中的一个或更多个可以是其中汇流条14的延伸方向从X轴取向倾斜并且边缘区域32中的电极指12的延伸方向从中心区域30中的电极指12的延伸方向倾斜的谐振器。
[0126]梯式滤波器中的串联谐振器和并联谐振器的数量被自由地选择。这些实施方式使用梯式滤波器作为滤波器的示例，但是滤波器可以是多模式滤波器。此外，包括根据第一实施方式和第二实施方式及其变型中的任一个的谐振器的滤波器可以被用于双工器的发送滤波器和接收滤波器中的至少一个。此外，包括根据第一实施方式和第二实施方式及其变型中的任一个的谐振器的滤波器可以被用于通信模块。
[0127]实施方式将包括形成在压电衬底18上的介电膜22的瑞利式声波器件用于说明，但是声波器件可以是其中除保护膜之外未形成介电膜22的漏式声波器件。介电膜22可以是单层的或多层的。包括单层介电膜的声波器件包括漏式表面声波器件、乐甫波器件和边界声波器件。包括多层介电膜22的声波器件包括漏式表面声波器件、瑞利式表面声波器件、乐甫波器件和边界声波器件。
[0128]包括结合在蓝宝石衬底上的钽酸锂衬底的声波器件或包括覆盖压电衬底的第一表面或第二表面的介电膜(诸如氧化硅膜)的声波器件具有极好的温度特性。然而，在这样的声波器件中，容易地生成新的体波和/或不期望的横向模式波。因此，优选对这样的声波器件应用第一至第四实施方式及其变型。
[0129]尽管已经详细地描述了本发明的实施方式，但是应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，能够对其做出各种改变、替换和变更。
【主权项】
1.一种声波器件，该声波器件包括: 压电衬底；以及 叉指换能器IDT，该IDT形成在所述压电衬底上，包括电极指并且激发声波， 其中，各向异性系数是正的， 所述IDT的所述电极指彼此交叠的交叠区域包括在所述电极指的延伸方向上位于所述交叠区域的中心的中心区域以及在所述延伸方向上位于所述交叠区域的边缘的边缘区域，所述中心区域中的所述电极指和所述边缘区域中的所述电极指被连续地形成， 所述边缘区域中的所述电极指相对于所述中心区域中的所述电极指倾斜，使得所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向上的节距大于所述中心区域中的所述电极指的宽度方向上的节距，并且 所述中心区域中的所述电极指的宽度方向与所述压电衬底的晶轴取向之间的角度小于所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向与所述晶轴取向之间的角度。2.根据权利要求1所述的声波器件，其中 所述边缘区域与所述中心区域之间的边界与所述边缘区域中的电极指的宽度方向平行。3.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中 所述中心区域中的电极指的所述宽度方向与所述晶轴取向平行。4.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中 位于所述中心区域的两侧的所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向彼此平行。5.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中 所述IDT包括汇流条，并且 所述汇流条的延伸方向与所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向平行。6.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中 所述边缘区域中的所述电极指的占空比等于所述中心区域中的所述电极指的占空比。7.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中 所述边缘区域中的所述电极指的占空比大于所述中心区域中的所述电极指的占空比。8.根据权利要求1或2所述的声波器件，其中 所述压电衬底是旋转的Y切割X传播铌酸锂衬底，并且 所述晶轴取向是所述压电衬底的X轴取向。9.根据权利要求8所述的声波器件，该声波器件还包括: 氧化硅膜，该氧化硅膜形成在所述压电衬底上以覆盖所述IDT。10.一种声波器件，该声波器件包括: 压电衬底；以及 叉指换能器IDT，该IDT形成在所述压电衬底上，包括电极指并且激发声波， 其中，各向异性系数是负的， 所述IDT的所述电极指彼此交叠的交叠区域包括在所述电极指的延伸方向上位于所述交叠区域的中心的中心区域以及在所述延伸方向上位于所述中心区域的两侧的边缘区域，所述中心区域中的所述电极指和所述边缘区域中的所述电极指被连续地形成， 所述边缘区域中的所述电极指相对于所述中心区域中的所述电极指倾斜，使得所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向上的节距小于所述中心区域中的所述电极指的宽度方向上的节距， 所述中心区域中的所述电极指的宽度方向与所述压电衬底的晶轴取向之间的角度小于所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向与所述晶轴取向之间的角度，并且 位于所述中心区域的两侧的所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向彼此平行。11.根据权利要求10所述的声波器件，其中 所述边缘区域与所述中心区域之间的边界与所述中心区域中的所述电极指的宽度方向平行。12.根据权利要求10或11所述的声波器件，其中 所述边缘区域中的所述电极指的占空比小于所述中心区域中的所述电极指的占空比。13.根据权利要求1、2、10和11中的任一项所述的声波器件，该声波器件还包括: 滤波器，该滤波器包括所述IDT。
【专利摘要】一种声波器件包括：压电衬底；以及IDT，该IDT形成在所述压电衬底上，其中各向异性系数是正的，所述IDT的电极指彼此交叠所在的交叠区域包括中心区域和边缘区域，所述中心区域和所述边缘区域中的所述电极指被连续地形成，所述边缘区域中的所述电极指相对于所述中心区域中的所述电极指倾斜，使得在所述边缘区域中的所述电极指的宽度方向上的节距大于在所述中心区域中的所述电极指的宽度方向上的节距，并且所述中心区域中的所述宽度方向与所述压电衬底的晶轴取向之间的角度小于所述边缘区域中的所述宽度方向与所述晶轴取向之间的角度。
【IPC分类】H03H9/64, H03H9/145, H03H9/02, H03H9/25
【公开号】CN105720941
【申请号】CN201510954604
【发明人】中村健太郎, 堤润, 佐藤良夫, 田中旅人, 松田隆志
【申请人】太阳诱电株式会社
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月17日
【公告号】US20160182010