Mems元件的制作方法
【专利摘要】本发明提供MEMS元件，其是能够抑制保持部的延伸的方向中的收缩振动所导致的电阻值的变动并且实现高精度的振荡器的MEMS元件。MEMS元件10由框11、接收驱动信号的输入的矩形板12以及将该矩形板12固定于框11的保持部13构成。框11与矩形板12均以具有短边与长边的矩形构成。保持部13被设置为从矩形板12的对置的短边的中央部分向框11侧延伸，并且将矩形板12相对于框11进行固定。矩形板12的长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)为1.3～1.6，优选为1.46。电阻膜19是沿着连接将矩形板12固定于框11的保持部13的直线上的区域，根据振动分布形成于最大位移的一半以下的区域。
【专利说明】
MEMS元件
技术领域
[0001 ]本发明涉及将矩形板通过保持部固定于框的MEMS元件。
【背景技术】
[0002]以往，开发出应用了在硅半导体层上构成有包含压电薄膜的振动部的MEMS(MicroElectro Mechanical Systems:微机电系统)技术的振荡器。要求振荡器具有即便周围温度变动振荡频率的变动也少的特性，作为使用MEMS构造的振荡器，公开了以下那样的技术。
[0003]例如，公开了如下振荡器:在将压电薄膜形成于硅基板上的兰姆波模式的MEMS元件，形成由电阻体构成的加热器与温度传感器，通过在压电薄膜的上下形成的电极被激励(例如参照专利文献I)。该振荡器整体以矩形板状通过从对置的2边的中央延伸突出的I型的保持部被保持。该振荡器作为通过对MEMS元件的压电薄膜施加电压而以与矩形板的形状对应的频率进行振动的振荡子来使用。通过以利用在矩形板的振动体上的边附近形成的温度传感器测定振动体本身的温度并且利用加热器保持为恒定温度的方式进行控制，构成有即便周围温度变动振荡频率的变动也较少的高精度的温度补偿型振荡器。
[0004]另外，作为其它例子公开了如下振荡器，其使用具备从矩形板的对置的2边的中央部延伸突出的2个T字型保持部的轮郭振动(呼吸振动)模式的静电MEMS元件(例如参照专利文献2)。在该文献中示出在连接保持部的线上一体形成有2个电阻膜的MEMS元件。该MEMS元件通过在振动体形成的电极与在固定部形成的电极间的静电力以轮郭模式进行振动。在该振荡器中，通过电阻膜测定谐振器的温度，并且以修正在该温度的频率与基准频率的偏差的方式控制DC偏压来调整振荡频率或者以通过加热器保持为恒定温度的方式进行控制，从而构成高精度的温度补偿型振荡器。
[0005]专利文献1:美国专利第8410868号说明书
[0006]专利文献2:欧州专利申请公开第2530836号说明书
[0007]然而，专利文献I的振荡器在兰姆波模式中，矩形板的周边部的振动振幅较大，伴随着振动，薄膜电阻进行收缩变形。因此，伴随着振动的电阻变动作为噪声重叠于伴随着温度的电阻变动，无法进行高精度的温度测定，无法实现高精度的振荡器。另外，由于变形收缩大，所以存在产生剥离等可靠性的课题。
[0008]另一方面，若如专利文献2的振荡器那样，以在连接保持部的直线方向与垂直方向伸缩的方式施加静电力，则在振动模式为轮郭振动的情况下，与直线方向的耦合大，在连接保持部的直线上，也是在直线方向(保持部的延伸方向)伸缩很多。因此，在该振荡器中，伴随着直线方向的伸缩，电阻膜的电阻值变动，无法获得高精度的温度测定，无法实现高精度的温度修正。此外，在专利文献2中，为了缓和在连接保持部的直线上的伸缩，保持部构成为T字型。
【发明内容】
[0009]本发明是鉴于这种情况完成的，其目的在于提供一种能够抑制保持部的延伸的方向的收缩振动所导致的电阻值的变动并且实现高精度的振荡器的MEMS元件。
[0010]本发明的一个侧面的MEMS元件具备:基板;在上述基板上具备压电层、在上述压电层的上下具备电极膜并且接收来自外部的驱动信号的输入的由短边与长边构成的矩形板；以及在上述基板上将上述矩形板经由一对保持部进行固定的固定部，在上述MEMS元件中，在上述矩形板上形成有覆盖上述电极膜的一部分的绝缘层，在上述绝缘层上形成有电阻膜，上述保持部从上述矩形板的对置的短边的中央向上述固定部延伸而形成，上述电阻膜被形成于沿着连接成为扩展振动的节点的上述保持部的直线上的区域。
[0011]根据本发明，将矩形板由短边与长边构成，成为宽度扩展振动模式。由此，振动的振幅大致与短边方向平行，能够缩小在短边中央部的向长边方向的振幅。在该矩形板上，电阻膜被形成于沿着连接成为扩展振动的节点的保持部的直线状的区域，因此振动所导致的电阻值的变动被抑制，能够进行高精度的温度测定。其结果是，能够实现高精度的振荡器。
【附图说明】
[0012]图1是表示第I实施方式的MEMS元件的整体结构的立体图。
[0013]图2是图1的X—X'剖视图。
[0014]图3是表示矩形板的长边与短边之比的模拟结果的图。
[0015]图4是使矩形板以宽度扩展振动模式振动的情况下的图像视图(a)与俯视图(b)。
[0016]图5是表示第I实施方式的MEMS元件中的电阻膜的配置结构的另一个例子的立体图。
[0017]图6是表示第I实施方式的MEMS元件中的电阻膜的配置结构的另一个例子的立体图。
[0018]图7是表示第2实施方式的MEMS元件的结构的剖视图。
[0019]图8是表示将第2实施方式的MEMS元件中除去了露出的电极的情况下的频率变动的图(a)以及图像视图(b)。
[0020]图9是表示其他实施方式的MEMS元件的结构的立体图(a)以及(b)。
【具体实施方式】
[0021 ]以下，参照【附图说明】本发明的一个实施方式。
[0022][1.第I实施方式]
[0023]图1是表示本发明的第I实施方式(以下，在该项中称为“本实施方式”。)的MEMS元件10的整体结构的立体图，图2是图1的X—X'剖视图。
[0024](简要结构)
[0025]如图1所示，MEMS元件10在中央具备凹状的空腔C的基板B之上，由框11、接收来自外部电源S的驱动信号的输入的矩形板12以及将该矩形板12固定于框11的保持部13构成。由此，被保持于框11的矩形板12构成为在空腔C上能够振动。框11与矩形板12均是具有短边与长边的矩形。保持部13以从矩形板12的对置的短边的中央部分向框11侧延伸的方式被设置，并且将矩形板12固定于框11。此外，在图1中，矩形板12的短边长边与框11的短边长边平行，但不必一定成为平行。即，也包含矩形板12相对于框11倾斜配置的结构。
[0026]这里，矩形板12由短边(Wp)与长边(Lp)构成，成为宽度扩展振动模式。具体而言，矩形板12以长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)成为1.3?1.6、优选成为1.46的方式形成，例如形成为长边(Lp)为0.22mm、短边(Wp)为0.15mm。另外，保持部例如形成为宽度为2μηι、长度为2μπι。此外，框11、矩形板12以及保持部13从相同的硅晶片通过光刻工序一体形成。
[0027](层叠构造)
[0028]参照图2详细说明MEMS元件10的层叠构造。MEMS元件10在中央具备凹状的空腔C的基板B上，形成有硅层14，在硅层14上氧化形成有硅氧化膜15。另外，在硅氧化膜15上形成有上下配置有下激励电极17a与上激励电极17b的压电层16。在上激励电极17b的上层形成有绝缘层18，并且在其上层形成有电阻膜19。此外，在硅层14上，硅氧化膜15、压电层16以及上下的激励电极17a、17b被形成于矩形板12的大致整面。其中，框11的一部分(这里，框11的一个角部)接收来自外部电源S的驱动信号，因此设置有从上激励电极17b以及压电层16使下激励电极17a露出的露出部17c。此外，被形成于框11的激励电极17a、17b通过保持部13与被形成于矩形板12的激励电极17a、17b连接。
[0029]另外，电阻膜19具有从矩形板12的一部分通过保持部13上的直线部19a、与在框11上被引出的引出部19b以及19c。若电流从外部向该电阻膜19流动，则产生与电阻值对应的电压，根据该电压值测定温度。绝缘层18配合电阻膜19的配置而被形成于框11上以及矩形板12上的一部分。此外，针对绝缘层18以及电阻膜19的配置结构，之后详细叙述。
[°03°](层叠材料)
[0031 ] 娃层14例如以ΙΟμπι厚形成，娃氧化膜15以0.48μηι形成。通过形成氧化娃(Si02)，能够抑制MEMS元件的共振频率的相对于温度的变动量。另外，通过对硅层14进行掺杂，也能够有效地抑制MEMS元件的共振频率的相对于温度的变动量。此外，硅氧化膜15在图2所示的例子中被形成于硅层14的压电层16侧的面，但也可以被形成于硅层14的空腔C侧的面。
[0032]压电层16由氮化铝(AlN)形成，例如以0.8μπι厚形成。压电层16以及上下的激励电极17&、1713由溅射等的成膜装置形成。上下的激励电极17&、1713使用钼(10)电极，例如以0.1Mi厚形成。此外，压电层并不限定于氮化铝，也可以使用氧化锌(ΖηΟ)、锆钛酸铅(ΡΖΤ)、铌酸钾钠(KNN)等陶瓷材料。它们能够根据需要实施用于使压电层内的极化方向一致的极化处理来利用。
[0033]绝缘层18进行基于光刻工序的刻画图案。在本实施方式中，由氮化铝(AlN)形成绝缘层18，例如以0.Ιμπι厚形成。通过将绝缘层18由与压电层16相同的氮化铝形成，能够减少温度变化等的应力，相对于反复的热应力，能够获得劣化少的高稳定的构造。此外，也能够将绝缘层18由氧化硅(S12)形成。在将绝缘层18由氧化硅形成的情况下，具有抑制MEMS元件的共振频率的相对于温度的变动量的效果。在该情况下，例如，将绝缘层18以0.8μπι厚形成。另外，电阻膜19由钼(Mo)膜形成，例如以0.Ιμπι厚形成。
[0034](详细结构)
[0035]这里，本实施方式的MEMS元件10的一个特征在于，矩形板12的长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)为1.3?1.6，优选为1.45?1.50。
[0036]另外，另一个特征在于，电阻膜19被形成于矩形板12的规定区域，伴随于此，绝缘层18被形成于在矩形板12所形成的上激励电极17b的一部分。即，如图1所示，电阻膜19是沿着连接在框11固定矩形板12的保持部13的直线上(将其称为“节点”。)的区域，根据振动分布被形成于最大位移的一半以下的区域。电阻膜也可以通过光刻等进行刻画图案。
[0037]在本实施方式中，特别是，电阻膜19以从与矩形板12的一方(X侧)的短边对置的框
11上经由保持部13a上通过节点从而经由另一方的保持部13b上到达与另一方(X,侧)的短边相对的外框上的方式被形成。即，电阻膜19具有相对于节点上的直线部19a在框11上相互向相反方向弯折90度的引出部19b、19c，作为整体大致被形成为S字状。
[0038](模拟结果)针对将矩形板12的长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)大致设定为1.46的理由、与如上述那样经由在框11固定矩形板12的保持部13在沿着节点的区域形成电阻膜19的理由，使用图3以及图4的模拟结果进行说明。
[0039]图3是表示对使矩形板12的长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)变化至1.0?1.8的情况下的、使矩形板12以宽度扩展振动模式振动时的振荡性能(k2Q)进行了模拟的结果的图表，该图的(a)表示模拟结果整体，该图的(b)是对振荡性能(k2Q)成为峰值的部分进行了放大的图。
[0040]此外，如图3的(a)所示，该模拟通过固定部F固定保持部13的两端，针对以宽度扩展振动模式振动的情况进行。另外，在该模拟时，虽然已经示出，但针对MEMS元件10，设置以下的条件。
[0041 ] 短边(Wp): 0.15mm(以短边为基准值使长边(Lp)变化。)
[0042]硅层14 的厚:10μπι
[0043]硅氧化膜15的厚:0.484!11
[0044]压电层16的厚:0.8μπι
[0045]上下激励电极17a、17b的厚:0.Ιμπι
[0046]绝缘层18的厚:0.1μπι
[0047]电阻膜19的厚:0.1μπι
[0048]如图3的(a)以及(b)所示，长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)为1.3?1.6，优选为1.45?1.50，表不了振荡特性表现良好的结果。
[0049]另外，图4示出此时的矩形板12的振动位移的分布。图4表示将矩形板12的长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)大致设为1.46并将保持部13的两端通过固定部F固定而以宽度扩展振动模式振动的情况下的透视图像视图(a)与将矩形板12部分取出的俯视图(b)。
[0050]该图是附图上置换为灰度表现从蓝色(振幅小)至红色(振幅大)以色调的变化对振幅的位移进行了表示的情况的图。由于通过灰度表现位移，所以位移不一定清楚，但在固定部F以及节点N表现的深色是将以表示振幅小的情况的蓝色表现的部位在附图上置换为深灰的情况。另外，伴随着从节点N远离，在附图上，从该深灰逐渐向浅灰变化的情形是置换了本来从绿色向黄色色调变浅的情形的情况，示出伴随着灰色调变浅而振幅变大。并且，随着到达矩形板12的四角，在附图上从浅灰向深灰变化的情形是置换了本来色调从黄色向深红变化的情形的情况，示出伴随着灰色调变深而振幅进一步变大。
[0051]根据图4的(a)可清楚地知道，沿着短边中央部的节点N的区域中的振幅小。图4的(b)根据振动分布以点划线L1、L2示出最大位移的一半以下的区域。可知优选在包含节点的该点划线的范围内的区域配置电阻膜19。
[0052](电阻膜的其他配置例)如以上所述可知，在本实施方式的MEMS元件10中，电阻膜是沿着位于连接将矩形板12固定于框11的保持部13的直线上亦即节点N的区域，且在矩形板12的振动分布中的最大位移的一半以下的区域形成即可。
[0053]因此，针对MEMS元件10中的电阻膜的其他配置例，如图5以及6所示。图5是表示在绝缘层18上配置有电阻膜29的例子的图。在该图中，在电阻膜29，且在矩形板12的短边一端侧的框11上形成有引出部29b、29c，主体29a以在绝缘层18上绕一周折回的方式被形成。
[0054]图6是表示在绝缘层18上配置有电阻膜39的例子的图。在该图中，在电阻膜39，且在矩形板12的短边两端侧的框11上，引出部39b、39c分别从连接保持部13的直线朝向90度不同的方向形成，连接引出部39b、39c的主体39a大致N字状地在绝缘层18上折回从而被形成。
[0055]在这些例子中，电阻膜能够在沿着节点的区域并且根据振动分布在最大位移的一半以下的区域形成，并且能够将电阻膜的电阻路径较长地形成。
[0056](作用效果)
[0057]根据以上那样的本实施方式的MEMS元件10，将矩形板12由短边(Wp)与长边(Lp)构成，成为宽度扩展振动模式。由此，振动的振幅大致与短边方向成为平行，能够将在短边中央部的向长边方向的振幅缩小。
[0058]这里，在轮郭振动中，通过耦合短边与长边的振动，能够获得振动振幅大的振动。然而，若在振动体上形成电阻膜，则伴随着振动的电阻膜的伸缩也变大。若电阻膜伸缩，则电阻值变动，无法获得高精度的温度测定精度。特别是，Pt膜等的温度特性表现为线性并且为高精度，但在伴随着温度的电阻变化率小的膜中，其影响较大。
[0059]因此，对于将温度传感器与振动体一体化的高精度的振荡器，优选宽度扩展振动。另外，由于矩形板12中的宽度中央部的振幅小，所以即便将保持部13的长度较短地构成，也能够抑制振动泄漏所导致的在框11的振动。因此，能够实现谐振器10整体的小型化。
[0060]这样，在本实施方式的MEMS元件10中，能够在矩形板12的短边中央部周边确保位移小的区域，通过在该范围形成电阻膜，能够使振动所导致的电阻变动较小而获得温度测定精度良好的振荡器。另外，在MEMS元件10中，由于振动所导致的位移小，所以能够相对于振动的应力较小而抑制绝缘层18从下层剥离。
[0061 ] 特别是，在本实施方式的MEMS元件10中，通过长边(Lp)与短边(Wp)之比(Lp/Wp)为
1.3?1.6，优选以1.45?1.50的矩形类型成为宽度扩展模式的基本波谐振器，能够使矩形板12的在短边中央部的收缩位移绝大多数消失。另外，能够在矩形板12的中央的节点N周边的宽范围确保位移小的区域。因此，通过将电阻膜19根据矩形板12的振动分布在最大位移的一半以下的区域形成，振动所导致的电阻膜19的电阻变动被抑制，能够进行MEMS元件10中的高精度的温度测定。
[0062]另外，电阻膜若膜厚薄则特性不稳定，因此需要某种程度以上的厚度，存在电阻值变低的趋势。若电阻变低，则在温度测定时，电流量增大，另外，伴随着电流的发热增大。与此相对，根据图5以及图6所示的电阻膜29或者电阻膜39的配置，能够使电阻路径变长，增大电阻值。能够进行这样的电阻膜的配置是因为在本实施方式的MEMS元件10中采用能够在宽范围确保位移小的区域的宽度扩展模式，即便在宽范围形成电阻膜，也能够抑制伴随着收缩的电阻变动。
[0063]另外，在本实施方式的MEMS元件10中，将在绝缘层18使用AlN的例子作为基本例子进行了示出的基础上，也能够将其由基于热氧化的S12形成。作为用于抑制MEMS元件的共振频率的相对于温度的变动量的膜，若使用S12等泊松比比硅低的膜，则作为整体的泊松比变低。因此，一般而言，用于成为在短边中央的位移小的宽度扩展振动的长边与短边之比增加，相对于相同频率即相同宽度尺寸的长边尺寸增大，导致谐振器10的大型化。然而，在本实施方式中，由于使硅层14的厚度为整体厚度的80%以上，所以长边与短边之比不会增大，在该形态下，也能够获得小型且在短边中央部的长边方向的振动小的谐振器。此外，这里的整体厚度是指从硅层14的下表面至被层叠于矩形板12上的薄膜的最上部的层的上表面的厚度(在本实施方式中，至电阻膜19的上表面的厚度)。
[0064][2.第2实施方式]
[0065]第2实施方式是对第I实施方式的MEMS元件10的制造方法的一部分进行改进形成MEMS元件20。以下，仅对与第I实施方式不同的部分进行说明。此外，对与第I实施方式相同的结构标注相同的附图标记，除特别不同的情况以外，省略说明。
[0066]图7是表示第2实施方式中的MEMS元件20的剖视图。此外，MEMS元件20的基本结构与图1所不的例子相同，本图是图1中的X—V剖面。
[0067]在MEMS元件20中，与第I实施方式相同，作为压电层16上的上激励电极17b，大致在矩形板12整面形成密度大的Mo电极，并且在其上层形成比Mo密度低的由AlN构成的绝缘层
18。然后，通过光刻除去绝缘层18的一部分，如在第I实施方式中所示那样，使矩形板12的位移成为最大位移的50 %以上的区域的上激励电极17b露出。
[0068]在本实施方式中，在上述处理之后，首先，在绝缘层18上形成电阻膜19。与实施例1相同，电阻膜19具有从矩形板12的一部分通过保持部13上的直线部19a与在框11上被引出的引出部19b以及19c。并且，以覆盖电阻膜19的方式形成第2绝缘层21。优选第2绝缘层21的密度较低。然后，第2绝缘层21也通过光刻除去一部分，使矩形板12的位移成为最大位移的50%以上的区域的上激励电极17b露出。以该状态对上激励电极17b、下激励电极17a施加驱动信号，测定元件的共振频率。而且，根据与成为目标的共振频率之差，通过离子束调整除去露出的上激励电极17b的一部分的量、或者使露出的上激励电极17b的厚度薄化的量，获得频率的偏差小的MEMS元件20。
[0069]接下来，说明使露出的上激励电极17b的一部分除去或者薄化的效果。在如本实施方式那样利用了宽度扩展的振动模式的谐振器中，矩形板12的位移大的外周区域通过电极等的除去或薄化，频率上升，在包含节点的中央部，频率降低。该情况如图8所示。
[0070]图8的(a)是调整绝缘层18以及第2绝缘层21的形成区域并且相对于在MEMS元件20的矩形板12露出的上激励电极17b对整面、长边侧(参照图1的Lp)的两端部(参照图8的(b))、包含节点的中央部(参照该图8的(b))分别例如照射离子束而在横轴示出使露出的上激励电极17b薄化的厚度(修剪量)、在纵轴示出该情况下的频率的变动的图。此外，如图8的(b)所示，上述两端部与中央部是指在平面上沿节点方向将MEMS元件20的矩形板12进行了 4等分的情况下将位于两侧端的2个区域作为两端部、将位于节点两侧的2个区域作为中央部进行了定义的部分。
[0071]根据该图，如图右栏的参照例所示，在对矩形板12的整面照射了离子束的情况下，观察到修剪量每Inm，上升63ppm的频率，在对包含矩形板12的节点的中央部进行了照射的情况下，观察到修剪量每lnm，降低44ppm的频率。另一方面，在对矩形板12的长边侧的两端部进行了照射的情况下，观察到修剪量每I nm，上升8 3ppm的频率。
[0072]由此可知，在MEMS元件20中，通过使矩形板12的位移成为最大位移的50%以上的范围的上激励电极17b薄化，能够使谐振器的共振频率高效地上升。特别是，由于中央部形成有密度低的绝缘膜，所以即便对元件整体进行离子照射，也能够减小中央部的低密度膜被除去所导致的频率降低的效果。另外，在除去露出的上激励电极17b时，通过设置保护电阻膜19的第2绝缘层21，能够在除去上激励电极17b时对电阻膜19进行保护。这里，对使露出的上激励电极17b的厚度薄化的情况进行了说明，但通过除去露出的上激励电极17b的一部分，也能够获得相同的作用效果。
[0073]此外，在本第2实施方式中，未将第2绝缘层21形成于矩形板12的位移成为最大位移的50%以上的区域，但也可以构成为，将第2绝缘层21形成于矩形板12的大致整面，并且在其上的矩形板12的位移成为最大位移的50%以上的区域形成密度高的膜例如AlN膜。在该情况下，也能够成为中央部密度低、在中央部的周围配置有密度高的膜的构造，并且能够高效地使频率上升。并且，在该情况下，通过减少剖面的阶梯差，也能够减少振动的损失。
[0074][3.其他实施方式]
[0075]本发明并不限定于上述实施方式，例如也包含以下所示那样的其他实施方式。在上述实施方式中，示出相对于框11经由保持部13使矩形板12保持为I个的例子，但本发明并不限定于这样的例子，如图9所示，也能够构成为作为矩形板32在框31使3个上述实施方式的矩形板12连续的MEMS元件30，以3倍波进行驱动。在该情况下，如图9的(a)所示，保持部33从中央延伸突出，与图1所示的例子相同，能够以通过该保持部33上的方式形成电阻膜19。另外，如图9的(b)所示，也能够将保持部33相对于连续有3个上述实施方式的矩形板12的矩形板32分别设置为共计6个，以均通过该6个保持部33上的方式形成电阻膜19。在该情况下，矩形板32例如优选将设置有保持部33的保持方向亦即短边方向作为0.3mm、将与其垂直的长边方向作为0.4mm而形成。
[0076]此外，矩形板并不限定于如上述那样形成有3个的例子，也能够使η个连续从而以η倍波(η = 1，3，5，7，...，η:奇数)进行驱动。另外，在图9的例子中，除图5或者图6所示的图案之外，理所当然，电阻膜19的配置也能够由其他图案构成。
[0077]附图标记说明:
[0078]10、20、30."]\^]\^元件；11、3卜.框；12、32-矩形板；13、13&、131^"保持部；14".硅层；15...娃氧化膜；16...压电层；17a、17b...上下激励电极；17c…露出部；18、21…绝缘层；
19、29、39 …电阻膜；19a …直线部；1沘、19(:、2913、29(3、3913、39(^"引出部；29&、39&丨主体；
B…基板;C…空腔;F…固定部;N…节点；S…外部电源。
【主权项】
1.一种MEMS元件，其具备: 基板； 在所述基板上， 具备压电层、在所述压电层的上下具备电极膜并且接收来自外部的驱动信号的输入的由短边与长边构成的矩形板；以及 经由一对保持部对所述矩形板进行固定的固定部，其中， 在所述矩形板上形成有覆盖所述电极膜的一部分的绝缘层，在所述绝缘层上形成有电阻膜， 所述保持部从所述矩形板的对置的短边的中央向所述固定部延伸而形成， 所述电阻膜被形成于沿着连接成为宽度扩展振动的节点的所述保持部的直线上的区域。2.根据权利要求1所述的MEMS元件，其中， 所述矩形板的长边是短边的1.3?1.6倍。3.根据权利要求1或2所述的MEMS元件，其中， 所述电阻膜被形成于所述矩形板的振动分布中的最大位移的一半以下的区域。4.根据权利要求1?3中任一项所述的MEMS元件，其中， 所述电阻膜以在所述绝缘层上使电阻路径往复的方式形成。5.根据权利要求1?4中任一项所述的MEMS元件，其中， 所述基板具有整体厚的80%以上的厚度。6.根据权利要求1?5中任一项所述的MEMS元件，其中， 所述基板至少具有硅层。
【文档编号】H03H9/17GK105874708SQ201580003444
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年1月15日
【发明人】开田弘明, 龟田英太郎, 竹山佳介, 中村大佐
【申请人】株式会社村田制作所