有机装置的制造方法

专利名称：有机装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机装置的制造方法。
背景技术：
有机电致发光元件会由于空气中的潮湿或者氧化而退化。为了保护元件不 退化，使用密封罐或者密封膜来覆盖元件。在用密封膜覆盖元件的情况下，会
采用例如CVD (化学汽相沉积)、溅射、浸渍涂覆或者喷涂的方法。密封IM 用无mil和有机膜的任何一种或者无纟鹏和有机膜的组合。该组合包括无机膜 和有机膜的复合结构及其层叠结构。
因为有机电致发光元件是由电源驱动的，因此该元件被提供有电连接部， 其用于将该元件与外部电路电连接。当密封膜施加于元件时，连接部也可以被 密封由此将元件电绝缘。为了避免元件的绝缘，连接部应该用遮蔽罩、掩蔽胶 带(masking tape)等覆盖以防止连接部在于元件上形成密封膜时被密封。
该有机电致发光元件是通过下面的步骤制造的。首先，多个有机电致发光 元件以矩阵的形式形 大尺寸脆性基板上并由密封罐或密封膜覆盖。然后， 在脆性繊上通戯麟驢形成多个划线。当沿着划线施加力给脆性繊从而 将大尺寸脆性對反断裂成多个部分时，多个制虫的电发光元件就制造出来了。
日本未审查的专利申请公开号No.2002-151254公开了一种制造有机电致发 光元件的方法。在该方法中， 一对电极和有机层被保护膜覆盖，且电连接部未 被覆盖。该方法提出适当地暴露连接部而不利用用于用金属掩模形成保护膜的 工艺或湿法工艺。更详细地，该方法包括在 ±31^1层叠阳极、有机层和阴 极形成层叠本体。有机层包括发光层并且由有机发光材料制成。阳极和阴极中 的至少一个被提供有电连接部，其与外部电路电连接。该方法包括施加掩蔽胶 带到连接部的另一步骤。该方法进一步包括在层叠本体上形成用于覆盖和保护 该层叠本体的保护膜的步骤。该方法M—步包括通过从连接部去除保护膜和 掩 带*#露连接部的步骤。
根据上述公开物的方法，掩蔽J交带被施加于连接部而不使用金属掩模并且保护膜(或密封膜)形成在层叠本体上。然后，连接部通过从连接部去除保护 膜和掩蔽胶带而被暴露(或露出)。然而，如果密封膜通过干法工艺形成并且连 接部被掩蔽胶带覆盖，夷卩么密封膜容易在它的端部断裂或者在剥离掩蔽胶带时 裂开。干法工艺是在真空状态或者减压下形成薄膜的工艺，并且包括真空沉积
工艺或CVD工艺。
可淑也，如果密封膜M:湿法工艺形成并且连接部用掩蔽胶带覆盖，那么 在剥离掩蔽胶带时仍保留粘性沉积物。这些粘性沉积物，过使密封膜材料和 掩蔽胶带的粘合剂反应形成的化合物。粘性沉积物位于施加于连接部的掩蔽胶 带和密封膜之间的界限处。当有机电致发光元件以矩阵的形式形成于一个大尺 寸脆性繊上时，这些粘性沉积物在大尺寸脆性繊上以线形形状形成，以便 横向地或者纵向地沿该大尺寸脆性 延伸。另一方面，矩阵形式的有机电致 发光元件需要被分成单个的有机电致发光元件。为了分离矩阵形式的有机电致 发光元件，需要在该大尺寸脆性SI反上形成划线以便于横向地或纵向地沿该大 尺寸脆性 延伸。如果在具有粘性沉积物的大尺寸脆性基板的表面上形成划 线，夷P么戈iJ线在与粘性沉积物的交叉中是断断续续的。因此，出现了有缺陷的 划线。在这种情况下，通过随后的断裂步骤断裂的大尺寸脆性基板的一部分也 存在缺陷，相应地，产品产率下降。断裂步骤^M:沿着划线在大尺寸脆性基 板上施加力而将大尺寸脆性SI反断裂的工艺。
如果划线形成在大尺寸脆性基板的具有粘性沉积物的表面的相对的表面 上，夷卩么该大尺寸脆性 将会由于粘性沉积物而膨胀。膨胀的大尺寸脆性基 板将引起划线在深度上变化。在一些情况下，粘性沉积物正上面的划线是断断 续续的，因此出现有缺陷的划线。另外，柔软的粘性沉积物会在形成划线时引 起弹性变形，因此不能继续工作。从而，大尺寸脆性基阪的粘性沉积物的正上 面会出现有缺陷的划线。 :随后的断裂步骤断裂的 的一部分也会存在缺 陷并且相应地，陶氏了产品产率。
不仅有机电致发光元件而且诸如有机晶体管、有机二极管等的有机元件也 受到湿气或氧的不利影响。因此，这类有机元# 纟《过密封膜被密封并且 具有类似的问题。
本发明提出一种制造有机装置的方法。有机元件形成于脆性基板上并且被 提供有至少一个电连接部，其将有机元件和外部电路电连接。有机元件被密封膜密封以便将连接部的至少一部分排出在外。即使多个有机元件以矩阵形式形 皿脆性基板上并且通51湿法工艺形成密封膜，也能减少在划线步骤出现的有 缺陷的划线。这提高了有机元件的产品产率。

发明内容
本发明提供了一种制造有机元件的方法。该方法包括以下步骤。第一步是 在脆性基板上以矩阵的形式形成多个有机元件的步骤。每个有机元件被提供有 电连接部，其将该有机元件电连接至外部电路。第二步是在每个有机元件上通 过湿法工艺形成密封膜且连接部的至少一部分用粘性掩蔽材料覆盖的步骤。第 三步是在剥离掉该粘性掩蔽材料后去除粘性沉积物的步骤。第四步是在脆性基 肚形成多个划线的步骤。第五步是^ 機断裂脆性繊的步骤。
本发明的其它方面和优点将由以下结合附图的描述而变得显而易见，所述 附图借助实例示出了本发明的原理。


被认为新颖的本发明的特征在所附权利要求中被具体阐释。本发明连同其
目的和优点可以M:参考下面的目前优选实施例的描述并结合附图而得到最好
的理解，其中
附图1A是根据本发明的一个实施例的有机电致发光装置的平面示意亂
附图1B是从附图1A中A-A线处看至啲有机电致发光装置的截面示意图； 附图1C是从附图1A中B-B线处看至啲有机电致发光装置的截面示意图； 附图2是说明有丰几电致发光，的制造方法的步骤的流程图； 附图3A是制造中的有机电致发光装置的截面示意图并且示出了施加掩蔽 胶带的位置；
附图3B是帝隨中的有机电致发光體的另一个截面示意图并且示出了施 加掩 带的位置；
附图3C是省略了密封膜的有机电致发光装置的平面示意图，并且示出粘性 沉积物的位置。
附图4是未实施步骤中的划线步骤的有机电致发光装置的示意亂 附图5是实施了划线步骤的有机电致发光装置的示意图。
具体实施例方式
下面将参考图1A到4描述根据本发明的一个实施例的有机电致发光装置的制造方法。如图1A到1C中所示，有机电致发光装置11包括玻璃基板12、有
机电致发光元件i6和密封膜n。有机电致发光装置ii用作有+;i^g。有机电
致发光元件16用作有机元件。注意术语"有机元件"指的是M f柳有机材料形 成并且由电源驱动的任何元件。有机材料包括有机电致发光元件、有机晶体管 和有机二极管。有机电致发光元件16包括第一电极13、有机电致发光层14和 第二电极15。有机电致发光层14用作发光层。第一电极13、有机电致发光层 14和第二电极15按这个"(W被层叠在玻璃基板12上。有机电致发光元件16 由密封膜或者保护膜17密封，以便于有机电致发光层14免受湿气冰蒸汽) 和氧的不利影响。在下面的描述中，术语"有机电致发光"被称为"有机EL"。
图1A到1C示意地示出了有机EL装置11的结构。为了说明方便，夸大地 示出了一些尺寸。从而，例如有机EL装置ll的长度和厚度的尺寸比例与实际 的不同。
在本实施例中，第一电极13为阳极且第二电极15为阴极。第一电极13由
透明材料律喊。注意术语"透明"指的是至少能使可见^iM:。第一电极13由氧
化铟锡(HO)制成，氧化铟锡用作已知有机EL元件的透明电极。第一电极13
由rro膜形成。第二电极15由例如铝的金属材料制成，并用于反射光。有机
EL元件16为底部发射型并且有机EL层14的^il玻璃繊12被提取(射出)。 如图1A中所示，有机EL元件16的水平突出部(projection)基本上形成 矩形。更具体地，第一电极13的水平突出部基本上形成矩形。同样盼瞎况适用 于有机EL层14和第二电极15。第一电极13的矩形的面积大于有机EL层14 的矩形的面积。第二电极15的矩形的面积小于有机EL层14的矩形的面积。第 一电极13被提供有第一电连接部13A，其将第一电极13电连接至外部电路。 第一连接部13A位于邻i^第一电极13或者位于图1A的右侧。第一连接部13A 由与第一电极13相同的材料制成并且与第一电极13 —体形成。
第二电极15被提供有第二电连接部15A，期各第二电极15电连接至外部 电路。第二连接部15A位于邻近第二电极15或者位于图1A的右侧。第二连接 部15A由与第一电极13和第一连接部13A相同的材料制成。第二电极15具有 延伸部15B，其连接至第二连接部15A。
密封膜17由用于至少防止湿气(7K蒸汽)和 入的材料制成。在本实施 例中，密封膜17包括第一密封膜17A和第二密封膜17B,因此形成两层结构。第一密封膜17A M干法工艺形成并且第二密封膜17B通过湿法工艺形成。注 意术语"干法工艺"指的是在真空状态或者减压下形成薄膜的任何工艺。该方法 包括真空沉积工艺、溅射工艺、离子电镀工艺、^ffl离子束的工艺和CVD(化学 汽相沉积)工艺。还要注意术语"湿法工艺"指的是将密封膜材料的溶液施加至煤 物并且然后通过干燥或者使该溶 反应而形成固态密封膜的任何工艺。第一 密封膜17A例如由氮化硅制成。第二密封膜17B例如由二氧化硅制成。硅石(二 氧化硅)是由聚硅M^形成的涂勇爐转化形成的。形成第二密封膜17B以, 第一密封膜17A。
下面将描述制造如上结构的有机EL装置11的方法。通^l行图2中流程 图的步骤而执行制造有机EL装置ll。在制造有机ELCTll之前，参考图3A 到3C，制备用作脆性基板的大尺寸玻璃基板l。在基板清洁步骤S1中，清洁大 尺寸玻璃繊l。在形成有机EL元件16的步骤S2中，如图4所示，在大尺寸 玻璃基板1上按矩阵的形式形成多个有机EL元件16。在本发明中，步骤S2用 作形成有机元件的步骤。在本实施例中，九个有机EL元件16以3x3的矩阵形 式形成于大尺寸玻璃基板1上。
在形成有机EL元件16的步骤S2中，第一电极13、有机EL层14和第二 电极15按这个次序形成。第一电极13按下述形成。M已知的薄膜形成工艺
在大尺寸玻璃基板i上形成rro膜。通过光刻在rro膜中形成抗蚀剂图案后，
将蚀刻应用于ITO膜从而图案化第一电极13。在这种情况下，在大尺寸玻璃基 板1的预定位置处同时形，一连接部13A和第二i^接部15A以及第一电极 13。
{顿等离子体臭氧清洁大尺寸玻璃 i的no表面或邻近第一电极13
的大尺寸玻璃鎌1的表面之后，在第一电极13上形成有机EL层14。借助已 知的真空沉积工艺，通过一个接一个地形成有机EL层14的^构i^l而形成 有机EL层14。在有机EL层14全部形成之后，可以在有机EL层14上ffl31例 如沉积A1来形成第二电极15。在这种情况下，形成延伸部15B以分别连接第 二连接部15A的各部分。有机EL元件16 MM上面的工艺形成。
然后，在有机EL元件16上形成密封膜17以将^连接部13A的至少一 部分和每个连接部15A的至少一部分排出在外。在本实施例中，密封膜17通过 两步形成，其中一步是M干法工艺形成第一密封，莫17A的步骤S3，且另一步Mil湿法工艺形成第二密封膜17B的步骤S4。在本发明中，步骤S3用作通 过干法工艺形成密封膜的步骤且步骤S4用作ffi31湿法工艺形成密封膜的步骤。 步骤S4在步骤S3之后实施。
在S3的干法工艺中，ffiil利用荫罩(shadowmask)的等离子体CVD工艺 形成氮化硅膜，从而形麟一密封膜17A。在S4的湿法工艺中，第二密封膜17B fflil湿法工艺而形成且用粘性掩蔽材料，例如掩蔽胶带18，覆盖每个连接部13A 的至少一部分和^^连接部15A的至少一部分。如图3A所示，当掩蔽胶带18 施加于连接部13A时，没有被第一密封膜17A覆盖的连接部13A的部分被暴露 (或露出)。如图3B所示，当掩蔽胶带18施加于连接部15A时，没有被第一密 封膜17A覆盖的连接部15A的部分被暴露(或露出)。掩蔽胶带18不仅被施力口 到连接部13A和15A的部分，而且还被施加到大尺寸玻璃繊1以便于沿大尺 寸玻璃繊1纵向延伸。在掩M带18施力倒大尺寸玻璃繊1的情况下，通 过喷涂来施加通过在例如二甲苯的疏冰性有机歸仲溶解聚硅氨烷而提供的溶 液。在形jt^夷划莫之后，聚硅，被转化成硅石(二氧化硅)，从而形，二密 封膜17B。
在掩蔽胶带18被剥离后，实施去除粘性沉积物19的步骤S5。在本发明中， 步骤S5用作去除粘性沉积物的步骤。注意有机EL层14和第二电极15厚度一 般小于1 ，并且密封膜17的厚度也小于几 。因此，有机EL层14、第 二电极15和密封膜17缺乏抗冲击性且容易断裂。为了加强它们的抗冲击性， 可以对密封膜17施加保护涂层。
当掩蔽胶带18被剥离时，剩余了掩蔽胶带18的禾占合剂和密封膜17材料的 混合物的一部分，以形成一个或多个粘性沉积物19。如图3C所示，这些粘性 沉积物19在相应于界限20的位置形成，界限20位于施加到大尺寸玻璃SI及1 的掩繊带18和密封膜17之间。更具体地，粘性沉积物19是掩蔽胶带18的 粘合剂和第二密封膜17B的材料(硅化合物)的混合物。粘性沉积物19均具有 可目视确定的尺寸且主要在掩蔽区域的末端生成。这些粘性沉积物19可以用作 微小的杂质粒子，其被包括在第一连接部13A和柔性印刷电路之间的结合区域 中。在下文中柔性印刷电路被称为FPC。
在去除粘性沉积物的步骤S5中，粘性沉积物19 3!51抛光去除。磨光是优 选的抛光。在划线步骤S6中，如图5所示，在大尺寸玻璃SI及1上利用己知的
8戈i践装置形成多个划线22。在本实施例中，在大尺寸玻璃凝反1上形成四条划 线22。戈麟22中的两条沿大尺寸玻璃基板1纵向延伸并朋除的划线22沿大 尺寸玻璃繊l横向延伸。
在断裂步骤S7中，大尺寸玻璃M 1沿着划线22被断裂成九个玻璃基板12。
下面将详细描述去除粘性沉积物19的一个实例。绒面布料(Suede cloth) (Refine Tec公司型号52-108)用于磨光。金刚石膏料(Refine Tec公司型 号41-101，油质)和研磨油(Refine Tec公司型号70401)用作研磨材料。 金刚石膏料是包含有粒子直径为1縣的金刚石颗粒的油性结合剂。研磨油是 合成的油。
ffiil下面的，旨实施抛光。
1、 纟夠开磨油渗透到绒面布料中。
2、 添加金刚石膏料到绒面布料的正面。
3、 保持塑料块紧靠支撑绒面布禾斗的反面，该塑料块的形状 为每个边具有几厘米的正方形。
4、 紧靠合适的玻璃板摩擦绒面布料的正面以便于绒面布料 吸收金刚石膏料。
5、 夂贿机EL驢11安装在水平的硬玻璃板上并且有机EL 装置11的连接部13A、 15A在上面。
6、 用已经很好地吸收了研磨油和金刚石膏料的绒面布料的 正面摩擦界限20和连接部13A、 15A。
7、 对绒面布料施加大约十次冲击，以使得绒面布料的4Tf呈 长度为大约0.02米，且施加在界限20和连接部13A、 15A的负荷 为大约0.02到0.03千克。
8、 如颗有机EL装置11施加了保护涂层，贝U摩擦方向设 定为垂直于有机EL装置11的纵向方向以便于不会将《射户涂层剥 落。
9、 在抛光操作之后，用纱布(waste)从有机EL装置11擦 去研磨液。然后，用在乙醇中浸渍过的纱布清洁连接部13A、 15A， 从而从连接部13A、 15A去除研磨液的油性成分。在上面的程序中，界限20的粘性沉积物19和连接部13A、 15A的污物被 去除。
如果粘性沉积物19只是由掩蔽胶带18的粘合齐啲一部分形成，那么粘性 沉积物19可以舰用有机溶剂麟而除去。然而，由于粘性沉积物19包含硅 化合物，因此粘性沉积物19不育鹏用有机翻l」親而除去。如果划线装置在 具有粘性沉积物19的大尺寸玻璃基片1的表面上形成划线22，那么划线22在 与粘性沉积物19的交叉中是断断续续的。因此，出现了有缺陷的划线。如果划 线，在与大尺寸玻璃基板1的具有粘性沉积物19的表面相对的表面上形成划 线22，那么大尺寸玻璃繊l由于粘性沉积物19而会膨胀。膨胀的大尺寸玻璃 基板1会导致划线22在深度上变化。在一些情况下，在粘性沉积物19正上面 的划线22是断断续续的，从而出现了有缺陷的划线。另外，柔软的粘性沉积物 19会在形成划线22时引起弹性娜，因此不能继续工作。因此，大尺寸脆性玻 璃凝及1的粘性沉积物19的正上面会出现有缺陷的划线。通过随后的断裂步骤 S7断裂的SI反的一部分也会存在缺陷并且相应地降低了产品产率。
另一方面，当在制造有机EL装置11的方法中提供去除粘性沉积物19的步 骤S5时，粘性沉积物19被很好地去除了。当在大尺寸玻璃 1上形成划线 22时，降低了有缺陷的戈機的发生，其提高了有机EL體11的产品产率。在 步骤S5中，抛光连接部13A和15A的表面。这育,在连接部13A、 15A和FPC 之间产生很好的连接。
上面的实施例具有以下有利的效果。
(1)有机EL装置11的制造方法包括步骤S2、步骤S4、步骤S5、 划线步骤S6和断^^步骤S7 。步骤S2是在大尺寸玻璃基板1上以矩阵的 形式形成多个有机EL元件16的工艺。步骤S4是M51湿法工艺形， 二密封膜17B并且^连接部13A的至少一部分和*连接部15A的 至少一部分被掩 带18覆盖的工艺。步骤S5是在剥离掩蔽胶带18 后去除粘性沉积物19的工艺。划线步骤S6是在大尺寸玻璃基板1上形 成多个划线22的工艺。断裂步骤S7是沿着划线22将大尺寸玻璃基板1 断裂成九^璃基板12的工艺。在本实施例中，在剥离掩蔽胶带18时 形成的粘性沉积物19在步骤S5中被去除。粘性沉积物19是掩 带 18的粘合剂和第二密封膜17B的材料的混合物。由于上面的原因，在划线步骤S6中，降低了有缺陷的划线的出现，其提高了有机EL装置ll
的产品产率。
(2) 湿法工艺是在干法工艺之后实施的。在相同膜厚的情况下， 由干法工艺形成的膜一般比由湿法工艺形成的膜在湿气和氧的渗透率 方面要低。由干法工艺形成的膜包括蒸汽沉积膜且由湿法工艺形成的膜 包括涂覆膜。然而，由干法工艺形成的膜易于导致例如由下面层的不均 匀性或外来物质而弓胞的针孔这样的微小缺陷。在本实施例中，由干法 工艺形成的膜与由湿法工艺形成的足够柔性的膜相结合以覆盖微小的 缺陷从而加强密封膜17的密封功能或者密封性能。另外，密封膜17是 由干法工艺形成的第一密封膜17A和由湿法工艺形成的第二密封膜17B 的复合膜。该复合结构增强了密封膜17的密封功能或密封性能。
(3) 除了去除粘性沉积物19的工艺之外，步骤S5还包括抛光连 接部13A和15A的工艺。这使得即使在密封膜17的复合结构盼瞎况下， 连接部13A和15A的表面也可以与FPC进行很好的连接。
(4) 抛光步骤S5 ^il51磨光实施的。该磨光^13il辆开磨齐噘 粒施加在例如绒面布料的软皮(soft buff)上并且 连接部13A和15A 的表面按压该软皮实施的。连接部13A和15A作为被抛光的部分。与例 如喷砂处理(shot blasting)的抛光相比，其中研磨剂颗禾M过干法工艺 被喷射，利用连接部13A和15A的表面的较小的抛光操作容易地除去粘 性沉积物19。
本发明不限于上面描述的实施例，而是可以作如下示例性修改。 在步骤S5中，含水金刚石膏料(41-101，水性的)和含水研磨液(70-501， 含水的液体)可以用作研磨材料。在这种情况下，当用纱布纟铜开磨M^人有机EL 装置ll擦去之后，连接部13A， 15A可以用浸透了纯净水的纱布进^a—步清 洁。
在磨光中使用的研磨齐噘粒的颗粒直径不限于1 ，也可以小于或大于1 綠
抛光步骤S5不限于磨光，也可以是磨料喷砂法(abrasive blasting)。该磨料 喷砂法是在^S模操作提供给除了连接部13A和15A之外的有机EL體11的 状态下，用压縮空气喷射颗粒状的研磨材料。连接部13A和15A作为被抛光部分，且研磨材料包括研磨剂颗粒、OT粒、玻璃颗粒和沙粒。抛光可通别糊 磨齐鹏粒和液体的混合物用压缩空气喷射到被抛光部分的表面上来实施。
抛光步骤S5可以不j顿例如研磨齐噘粒这样的颗粒状研磨材料。在这种情
况下，连接部13A和15A的表面可以通过磨石、砂纸等抛光。
ffl31干法工艺形成的第一密封膜17A不限于氮化硅膜，也可为由另一无机 材料制成的膜。该无机材料包括例如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅和玻璃的硅基 化合物。第一密封膜17A不限于硅基化合物，也可以是例如金属氧化物和金属
氮化物的电绝缘材料。金属氧化物包sm化铝且金属氮化物包皿化铝。
M干法工艺形成的第一密封膜17A不限于单层膜，也可以是多层膜。多 层膜的层叠膜不限于由硅基化合物或者电绝缘材料形成的那些。多层膜可以通 过在具有电绝缘属性的膜上层叠金属膜而形成。金属膜包括铝膜、银膜和铜膜。 层叠膜的数目不限于两层，也可以是三层或者更多层。当第一密封膜17A由单 层或者多层金属膜形成时，难以保证连接部13A和15A之间的电绝缘。然而， 如果第一密封膜17A由多层膜形成并且金属膜形成在多层膜的第一层的上面或 者上方，那么金属膜将不会影响电绝缘。由于在相同膜厚的条件下，金属膜比 陶瓷膜更难产生针孔并且比陶瓷膜有更高的抗冲击性，因此改善了密封膜17的 性能。
当第一密封膜17A通31干法工艺形成时，干法工艺不限于等离子体CVD 工艺，也可以是用于在真空状态或减压下形成薄膜的另一工艺。干法工艺可以 是另外的CVD工艺、真空沉积工艺、M工艺、离子电镀工艺和4顿离子束的 工艺。
第一密封膜17A不限于是由无机材料(无机材料系)制成的膜，也可以是 由低透湿性的有机材料(有机材料系)制成的膜。该有机材料包括环氧树脂、 聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯 (polystylene)和丙烯酸(丙烯酸树脂)。由有机材料形成的膜不限于单层膜，而 可以是多层膜，其中层叠了由不同材料制成的膜。可选地，由有机材料制成的 膜可以是由不同材料的组合形成的复合膜。
第一密封膜17A可以是由无机材料形成的膜和由有机材料形成的膜的层叠 膜。第一密封膜17A也可以是复合膜，其中沉积了无机材料和有机材料的组合。
在上面的实施例中，形麟二密封膜17B以覆識一密封膜17A。然而，在实施例的修改中，由湿法工艺形成的第二密封膜17B与第二电极15接触并且 由干法工艺形成的第一密封膜17A层叠在第二密封膜17B上。也就是，干法工 艺是在湿法工艺之后实施的。
在上面的实施例中，当第二密封膜17B由湿法工艺形成时，Mil喷凃来施 加第二密封膜17B的材料的翻l」。然而，在该实施例的修改中，第二密封膜17B 的材料的翻UM:狭缝^^敷、旋转涂敷或者浸渍涂敷来施加。
密封膜17可以仅由fflil湿法工艺形成的膜构成。例如，密封膜17可以仅 舰由聚硅氨烷翻U形成的第一密封膜17A形成。
当密封膜17仅仅由湿法工艺形成时，除了由聚硅氨烷形成的第二密封膜 17B夕卜，还可以层叠涂敷膜。涂敷膜由透湿性和魏粗氐的另一材料形成。涂 敷膜可以由透湿性低的树脂形成。该树脂包括环氧树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN)、 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯和丙烯酸(丙烯酸树脂)。
密封膜17可以包括在第一密封膜17A下面形成的有机膜，用于提供平坦的 密封膜17的层叠平面。
有机EL装置11不限于底，型，其中光穿过玻璃基板12被提取，也可以 是顶发射型，其中光穿过密封膜17被提取。
形成本发明的有机装置的一部分的基板不限于玻璃基板。只要有机装置的 Sl反是脆性基板，那么该基板的材料可以是硅。在本发明中，脆性基板是能够 被划线和断裂的亂
本发明的有机装置不限于有机EL装置11。仅仅需要在S^反上形成的有机 元件被密封膜密封以将每个连接部的至少一部分排出在外。例如，诸如有机晶 体管、有机二极管等的有机元件可以形皿基板上以形成电路的一部分。
尽管在本实施例中，有机EL元件16被提供有两个连接部，但有机EL元 件16可以只被提供有一个连接部。可选地，有机EL元件16可以被提供有三个 ，多个连接部。
可以形成本发明的有机體以便鎌上的元件包括有机材料系。然而，可 以形成有机装置以便凝反上的元件包括无机材料系以及有机材料系与无机材料 系的复合物。该元件可以作为例如光能产生器、光传感器、运算电路等的电和 电子元件。单个的电和电子元件，或者电和电子元件的复合体可以用于有机装 置。并非必需形成本发明的有机装置以f，自基板上的有机元件被密封膜17 密封。有机装置可以^M示器，其中由有机材料和无机材料制成的驱动电路安
装在繊上。例如，M有机晶体管发射的有机EL元件与由低温多晶硅制成的 驱动电路形皿相同的 ±0
在上面的实施例中，在大尺寸玻璃繊1上以3x3的矩阵形式形成九个有 机EL元件16。然而，大尺寸玻璃基板1上的有机EL元件16的数目和有机EL 元件16的形式不限于上面的实施例。仅仅需要多个有机EL元件16以矩阵形式 形鹏大尺寸玻璃基板1上。
因此，本实例和实施例应被理解为是说明性的，而非限制性的，并且本发 明不限于这里给出的细节，而是^^f附权利要求的范围内可以进行修改。
权利要求
1、一种制造有机元件装置的方法，其中在脆性基板上形成多个有机元件并且每个有机元件被提供有电连接部，其将该有机元件电连接到外部电路，其中该有机元件被密封膜密封以便将连接部的至少一部分排出在外，该方法的特征在于在脆性基板上以矩阵形式形成有机元件；在每个有机元件上通过湿法工艺形成密封膜并且连接部的至少一部分用粘性掩蔽材料覆盖；在剥离该粘性掩蔽材料之后去除粘性沉积物；在脆性基板上形成多个划线；以及沿所述划线断裂该脆性基板。
2、 根据权利要求1的方法，其特征在于利用湿法工艺形成密封膜的步骤是 在利用干法工艺形成密封膜的步mt后实施的。
3、 根据禾又利要求2的方法，其特征在于在利用干法工艺形成密封膜的步骤 中形成的密封膜是由氮化硅制成的。
4、 根据权利要求1的方法，其特征在于去除粘性沉积物的步骤包括抛光连 接部的工艺。
5、 根据权利要求4的方法，其特征在于连接部的抛光为磨光。
6、 根据权利要求5的方法，其中金刚石膏料用于磨光。
7、 根据权利要求1的方法，其特征在于齡有机元件是有机电致发光元件。
8、 根据权利要求1的方法，其特征在于在利用湿法工艺形成密封膜的步骤 中形成的密封膜是由聚硅氨烷的涂敷膜形成的。
9、 根据禾又利要求1的方法，其中该粘性掩蔽材料是掩 带。
全文摘要
一种有机装置的制造方法，包括以下步骤第一步是在脆性基板上以矩阵的形式形成多个有机元件的步骤。每个有机元件被提供有电连接部，其将该有机元件电连接至外部电路。第二步是在每个有机元件上通过湿法工艺形成密封膜并且连接部的至少一部分用粘性掩蔽材料覆盖的步骤。第三步是在剥离掉该粘性掩蔽材料后去除粘性沉积物的步骤。第四步是在脆性基板上形成多个划线的步骤。第五步是沿着所述划线断裂该脆性基板的步骤。
文档编号H05B33/10GK101309531SQ20081012773
公开日2008年11月19日 申请日期2008年4月22日 优先权日2007年4月23日
发明者仁井田英纪, 原田昌幸, 斋藤靖史, 星作太郎, 河内浩康, 筒井雄介 申请人:株式会社丰田自动织机