专利名称：用于有机发光二极管装置的基于噻咯的单体类以及聚合物类的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及降冰片烯单体，聚(降冰片烯)均聚物以及聚(降冰片烯)共聚 物化合物，这些化合物包含一种功能化的噻咯(Silole)侧链，涉及一种电子传输层和/或 空穴阻挡层和发光层、有机电子装置、有机电子装置、以及包括这些化合物的物质组合物。
背景技术：
噻咯类或硅杂环戊二烯类具有一个独特的(σ*-π*)共轭，该共轭显著地 降低了它们的最低空余分子轨道能级(LUMO)并且增加了它们的电子亲合性。在Luo，J等 的Chem. Commun. 1740(2001)中，噻咯类显示出具有有趣的聚集诱导发光，因为它们在溶液 几乎不发光，而在固态时高度发光。噻咯类聚集物的光致发光的量子产率可以与它们的分 子溶解的种类相差两个数量级。由于一种噻咯溶液的光致发光随着温度的降低而增强，噻 咯类还显示出冷却增强的发射。此外，与环戊二烯相比，该共轭降低了带隙，使噻 咯类成为荧光材料。因为它们的高电子亲合性和不合激发体的聚集诱导的发光属性，在高效电致发光 装置的制造中，噻咯类已经被用作电子传输和发光层。因为聚合物比起它们的小分子类似 物具有加工优点，所以对将噻咯类掺合到聚合物中已经做了很多努力。这些努力包括了使 用噻咯聚合物类，例如聚(2，5-噻咯)、聚(1，1-噻咯)、噻咯-噻吩共聚物类、噻咯_芴共聚 物类、噻咯-咔唑共聚物类、聚(二噻吩并噻咯)、噻咯-乙炔共聚物类、噻咯_烷共聚物类、 噻咯侧链聚合物类，超支化的聚噻咯类以及噻咯-芯的树枝状化合物类。在Chen J. ,Kwok H. S. , Tang B.Ζ., Journal of Polymer Science Part APolymer Chemistry,2006,44, 2487中，合成了一种噻咯并且评估了它们的发光特性。在该Chen出版物之前，含噻咯的聚 合物类和共聚物类被用于一些装置应用中，例如发光二极管类、光电池类以及场效应晶体 管类。Yamaguchi, S.等 J. Chem. Soc. Dalton Trans. , 1998,3693 ；Luo, J.等 Chem. Commun., 2001，1740，和 Chen，J.等 Chem. Mater.，2003，15，1535。尽管在基于噻咯的聚合物类的合成上已经做出了努力，目前还存在着对络合的聚 合物结构的一种需求，这些结构在有机发光二极管(OLED)装置的制造中可以用作主体材 料，并且这些结构通过溶液处理允许薄膜沉积在OLED装置中。我们已经合成了新颖的络合 的聚合物结构，这些结构与大多数的官能团相容并且具有呈活性(嵌段共聚物类的一个必 要条件)的可能性。发明概述
权利要求
由以下化学式(I)代表的化合物其中X是芳烃二基或烷二基，它们各自是具有C1 20的碳链长度的直链、支链或环状的；L1和L2独立地缺失或代表或＊——O——＊；R1缺失或代表烷二基、烯二基、炔二基、或芳烃二基，它们各自是具有C1 20的碳链长度的直链、支链或环状的；L1 R1 L2作为整体是到该降冰片烯单体的连接，并且通过在该酯上的碳或氧原子、或者通过该醚氧原子来附接；其中当L1和L2缺失时，则在R1和X一起的碳原子数目不能形成直链的戊烷二基；R1′是芳基；并且R2和R3是芳基。FPA00001206490800011.tif,FPA00001206490800012.tif
2.如权利要求1所述的降冰片烯_噻咯化合物，其中R1是烷二基。
3.如权利要求1所述的化合物，其中R1是亚甲基二基、亚乙基二基、亚丙基二基、亚丁 基二基、亚戊基二基、亚己基二基、亚庚基二基、亚辛基二基、亚壬基二基、亚癸基二基或亚 十二碳基二基。
4.如权利要求1所述的化合物，其中X是芳烃二基。
5.如权利要求4所述的化合物，其中X是并且是在由*’所表示的位置连接到该噻咯、Lp RpL2或降冰片烯上。
6.如权利要求4所述的化合物，其中X是并且是在由*’所表示的位置连接到该噻咯、Lp RpL2或降冰片烯上。
7.如权利要求1所述的化合物，其中X是Cp11烷二基。
8.如权利要求1所述的化合物，其中X是亚甲基二基、亚乙基二基、亚丙基二基、亚丁基二基、亚戊基二基、亚己基二基、亚庚基二基、亚辛基二基、亚壬基二基、亚癸基二基或亚 十二碳基二基。
9.如权利要求1所述的化合物，其中存在L1或L2中的至少一个。
10.如权利要求1所述的化合物，其中L1-R1-L2作为整体是
11.如权利要求1所述的化合物，其中L1-R1-L2作为整体是 其中Z和Z，是独立选择的整数0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、或12。
12.如权利要求1所述的降冰片烯-噻咯化合物，其中R/是苯基。
13.如权利要求12所述的化合物，其中R1'被CV11烷基或烷氧基的基团所取代。
14.如权利要求1所述的降冰片烯_噻咯化合物，其中R2和R3均是苯基。
15.如权利要求1所述的化合物，其中R2和R3是由CV11烷基或烷氧基的基团所取代的苯基。
16.由以下化学式(II)代表的化合物
17.如权利要求16所述的化合物，其中R1是烷二基。
18.如权利要求16所述的化合物，其中R1是亚甲基二基、亚乙基二基、亚丙基二基、亚 丁基二基、亚戊基二基、亚己基二基、亚庚基二基、亚辛基二基、亚壬基二基、亚癸基二基或 亚十二碳基二基。
19.如权利要求16所述的化合物，其中X是芳烃二基。
20.如权利要求16所述的化合物，其中X是
21.如权利要求16所述的化合物，其中X是并且是在由*’所表示的位置连接到该噻咯、Lp RpL2或降冰片烯上。
22.如权利要求16所述的化合物，其中X是Cp11的烷二基。
23.如权利要求16所述的化合物，其中X是亚甲基二基、亚乙基二基、亚丙基二基、亚丁基二基、亚戊基二基、亚己基二基、亚庚基二基、亚辛基二基、亚壬基二基、亚癸基二基或亚 十二碳基二基。
24.如权利要求16所述的化合物，其中存在L1或L2中的至少一个。
25.如权利要求16所述的化合物，其中L1-R1-L2作为整体是
26.如权利要求16所述的化合物，其中L1-R1-L2作为整体是、(CH2)Z^(CH2)zZ其中ζ 和 ζ，是独立选择的整数 0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、或 12。
27.如权利要求16所述的化合物，其中R1'是苯基。
28.如权利要求16所述的化合物，其中R1'是由Ch1的烷基或烷氧基的基团所取代的苯基。
29.如权利要求16所述的化合物，其中R2和R3均是苯基。
30.如权利要求16所述的化合物，其中R2和R3均是由CV11烷基或烷氧基的基团所取代的苯基。
31.如权利要求16-30中任一项所述的化合物，其中η是5到2000。
32.装置，包括如权利要求1-31所述的一种或多种化合物。
33.装置的电子传输和/或空穴阻挡层，其包括如权利要求16-31所述的一种或多种化 合物。
34.装置的发光层，其包括如权利要求16-31所述的一种或多种化合物以及磷光掺杂剂。
35.具有以下化学式的化合物
36.具有以下化学式的化合物
全文摘要
本发明总体上涉及有机电致发光降冰片烯-噻咯单体、聚(降冰片烯)均聚物、以及聚(降冰片烯)共聚物，它们包括功能化的芳基和烷基的噻咯侧链，这些侧链具有良好的主体特征和溶液可加工性，并且涉及包括这些化合物的电子传输和/或空穴阻挡层以及发光层、有机电子装置以及物质组合物。
文档编号H05B33/14GK101977917SQ200880127215
公开日2011年2月16日 申请日期2008年12月19日 优先权日2007年12月20日
发明者A·哈尔迪, A·哈耶克, B·基佩伦, B·多默克, S·马德, X·詹 申请人:佐治亚科技研究公司