专利名称：咔唑衍生物,以及使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及咔唑衍生物、使用咔唑衍生物的发光元件、发光器件和电子器件。
背景技术：
近年来，对于用电致发光的发光元件的研究和开发非常活跃。作为这些发光元件 的基本结构，将含发光物质的层插入电极对之间。通过向该元件施加电压，可由发光物质得 到光发射。因为这种发光元件是自发光类型，它具有比液晶显示元件更优的优点，例如高可 见度的像素且不需要背光源(backlight)，因此认为适用于平板显示元件。另外，可将这种 发光元件制成薄和重量轻的元件，这也是重要优点。另外，极高反应速度也为其特征。另外，因为可将这种发光元件形成膜形式，可通过形成大面积元件，容易的得到平 面光发射。难以通过使用由白炽灯或LED代表的点光源或通过使用由荧光灯代表的线光源 得到该特性。因此，上述发光元件还具有作为适用于照明等的平面光源的高实用性价值。根据发光物质是有机化合物还是无机化合物，将此类用电致发光的发光元件粗略 分类。当有机化合物用于发光物质时，通过向发光元件施加电压，然后电流通过其中，将电 极对中的电子和空穴注入含发光有机化合物的层。然后通过将这些载体(电子和空穴)重 组，发光有机化合物形成激发态，当激发态返回基态时则发射光。因为这种机理，这种发光元件称为电流激励发光元件。注意，有机化合物的激发态 可为单重激发态或三重激发态。由单重激发态发射的光称为荧光，由三重激发态发射的光 称为磷光。在改善这种发光元件的元件特性中，存在取决于物质的很多问题，为解决这些 问题，已进行了元件结构改善、物质开发等方面的工作(例如非专利文件1 =Meng-Huan Ho, Yao-Shan Wu and Chin H. Chen,2005 SID International Symposium Digest of Technical Papers，第 XXXVI 卷·第 802-805 页)。在非专利文件1中所述发光元件中，4，4' -二 [N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯 (缩写NPB)用作与发光层接触的层。但是，NPB具有低的单态激发能，且存在能量可从处 于激发态的发光材料转移的可能性。因为在发射具有短波长的蓝光的发光材料的情况中， 激发态的能量水平特别高，能量转移到NPB的可能性更高。因为能量转移到NPB，存在发光 元件的发光效率降低的问题。
发明内容
因此。本发明的目的是通过提供新的咔唑衍生物提供具有高发光效率的发光元 件。另外，本发明的另一个目的是提供能耗低并在低电压下驱动的发光器件和电子器件。本发明的一个特征是由以下通式(1)代表的咔唑衍生物
权利要求
一种由通式(1)代表的咔唑衍生物，其中α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13个碳原子的亚芳基，其中Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13个碳原子的芳基，其中R1代表氢原子、具有1 6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的联苯基中的任何基团，其中R2代表具有1 6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的联苯基中的任何基团，其中l、m和n各自独立为0或1。FPA00001190559400011.tif
2.权利要求1的咔唑衍生物，其中通式(1)中α L α 4由通式(2_1)_(2_12)中任何式代表，
3.权利要求2的咔唑衍生物，其中R46和R47相互连接。
4.权利要求1-3中任一项的咔唑衍生物，其中通式(1)中Ar1和Ar2由通式 (3-1)-(3-6)中任何式代表，CN 101952250 A权禾丨J 要求书2/6页 ■">11(2-1)(2-2)(2-3)R2s^R23 R21R24 R23R2nVR23 \ R21-q—o-"^^r3。R2SaR27 R28 R29R2SaR27 R28 R29R26 R27 R28 R29(2-4)(2-5)(2-6)R31Rf/R3R34p35 r36(2-9)3
5.权利要求4的咔唑衍生物，其中R86和R87相互连接。
6.权利要求1-3中任一项的咔唑衍生物，其中通式(1)中R1由通式(4-1)-(4-9)中任 何式代表，且通式(1)中R2由通式(4-2)-(4-9)中任何式代表，
7.权利要求1的咔唑衍生物，其中所述咔唑衍生物由结构式(5)代表
8.
9.权利要求1的咔唑衍生物，其中所述咔唑衍生物由结构式(7)代表
10.权利要求1的咔唑衍生物，其中所述咔唑衍生物由结构式(8)代表
11. 一种发光元件，所述元件包含 一对电极；和 含咔唑衍生物的EL层， 其中所述咔唑衍生物由通式(1)代表，
12.权利要求11的发光元件，其中所述EL层至少包括发光层和空穴_传输层，和 其中所述咔唑衍生物包含在所述空穴_传输层中。
13.权利要求11的发光元件，其中所述电极对由阳极和阴极组成，其中所述EL层至少包括发光层、空穴_传输层和空穴_注入层， 其中形成的空穴_注入层与阳极接触，和 其中所述咔唑衍生物包含在所述空穴_注入层中。
14.权利要求13的发光元件，其中所述空穴-注入层还包含无机化合物，该无机化合物 相对于所述咔唑衍生物显示电子接收性质。
15.权利要求14的发光元件，其中所述无机化合物为过渡金属的氧化物。
16.权利要求14或15的发光元件，其中所述无机化合物为氧化钛、氧化钒、氧化钼、氧 化钨、氧化铼、氧化钌、氧化铬、氧化锆、氧化铪、氧化钽和氧化银中的一种或多种。
17.一种发光器件，所述发光器件用权利要求11-15中任一项的发光元件形成。
18.一种电子器件，所述电子器件用权利要求17的发光器件形成。
全文摘要
为提供具有高发光效率的发光元件和提供功耗低且在低电压下驱动的发光器件和电子器件，提供由通式(1)代表的咔唑衍生物。在该式中，α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13个碳原子的亚芳基；Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13个碳原子的芳基；R1代表氢原子、具有1-6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的联苯基中的任何基团；R2代表具有1-6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的联苯基中的任何基团。另外，l、m和n各自独立为0或1。
文档编号H05B33/14GK101952250SQ200880126449
公开日2011年1月19日 申请日期2008年11月28日 优先权日2007年12月3日
发明者下垣智子, 尾坂晴惠, 川上祥子, 濑尾哲史, 牛洼孝洋, 野村洸子 申请人:株式会社半导体能源研究所