专利名称：一种晶体炉随炉退火装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种晶体生长炉，具体说就是一种晶体炉随炉退火装置。
背景技术：
在现有的晶体生长炉或冶炼设备(高频或中频感应炉)中，当晶体生长结束后，晶体从坩埚中提出，由于坩埚外温度较低，温度梯度比较大，晶体容易受到很大的热冲击，且晶体的降温过程始终处于一个比较大的温度梯度场中，晶体内部容易集聚比较大的热应力，造成晶体开裂，而且，即使晶体当时没有开裂，由于晶体内部集聚的热应力始终没有释放，晶体的后续加工过程中也很容易碎裂。所以，通常的对晶体处理采取的方式是，努力使晶体在炉内降温过程中不发生破裂，然后取出晶体，将其放置在另外一个专门的晶体退火炉中再进行能够晶体退火处理。这种方法需要专门的晶体退火设备、花费额外的时间对晶体进行退火处理，而且，这种方法本身需要保证从晶体炉内生长后、降温取出来这个过程中晶体的完整性，这对整个设备及工艺都带来很大的挑战。
发明内容
本发明为了克服现有技术的不足，提供了一种设置在晶体炉上方的随炉退火装置。为了实现上述目的，本发明设计了一种晶体炉随炉退火装置，包括晶体生长炉，其特征在于还包括一个位于晶体生长炉顶部的随炉退火装置，所述的随炉退火装置包括一个感应线圈，以及置于感应线圈内的圆柱形后感应保温筒，还包括一个位于圆柱形后感应保温筒上的梯形后感应保温筒，以及一个测温热电偶，测温热电偶的端部插入圆柱形后感应保温筒内。所述感应线圈为中频或高频感应线圈。所述感应线圈的横截面为方形或圆形，壁厚为O. 5-2_。所述梯形后感应保温筒的底面直径与圆柱形后感应保温筒的直径相同。所述圆柱形后感应保温筒与梯形后感应保温筒的壁厚为O. 5_3mm。所述测温热电偶的端部插入圆柱形后感应保温筒内，其插入深度为10mm。本发明同现有技术相比，保证了晶体生长完后、从晶体炉中提拉出来后处于一个和晶体本身温度基本相同的温度场中，而且，这个温度场比较均匀，只有很小的温度梯度，这样，保证了晶体在降温过程中整体处于均匀的温场下均匀降温，最大限度的减少了晶体内部产生的热应力，保证了晶体的完整性，提高了晶体的成品率，减少了后期专门的退火设备和退火时间，提闻了效率。
图I为发明的结构示意图。参见图I，I为晶体生长炉；2为感应线圈；3为圆柱形后感应保温筒；4为梯形后感应保温筒；5为测温热电偶；6为晶体。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步描述。如图I所示，本发明包括晶体生长装炉1，还包括一个位于晶体生长炉I顶部的随炉退火装置，该随炉退火装置包括一个感应线圈2，该感应线圈2为中频或高频感应线圈，其截面为方形或圆形，壁厚为O. 5-2_。以及置于感应线圈2内的圆柱形后感应保温筒3。还包括一个位于圆柱形后感应保温筒3上的梯形后感应保温筒4，梯形后感应保温筒4的底面直径与圆柱形后感应保温筒3的直径相同，且两个感应筒的壁厚为O. 5-3_。以及一个测温热电偶5，测温热电偶5的端部插入圆柱形后感应保温筒3内，其插入深度为10mm。使用时，当晶体生长炉I准备工作完成后，将圆柱形后感应保温筒3以及梯形后感应保温筒4放置在感应线圈2内，且置于炉体上方，开始晶体生长过程。将晶体6向上提
拉，使晶体6脱离炉体液面约5mm。然后启动后感应线圈电源，使测温热电偶5温度较没有启动热感应线圈电源时的温度要高，本实施例中温度高约50 V，然后继续提拉晶体6至圆柱形后感应保温筒3内，此时通过控制感应线圈2使整个筒体开始降温，当筒内温度降到室温后，即可开炉取出晶体5。同现有技术相比，保证了晶体生长完后、从晶体炉中提拉出来后处于一个和晶体本身温度基本相同的温度场中，而且，这个温度场比较均匀，只有很小的温度梯度，这样，保证了晶体在降温过程中整体处于均匀的温场下均匀降温，最大限度的减少了晶体内部产生的热应力，保证了晶体的完整性，提高了晶体的成品率，减少了后期专门的退火设备和退火时间，提闻了效率。
权利要求
1.一种晶体炉随炉退火装置，包括晶体生长炉，其特征在于还包括一个位于晶体生长炉顶部的随炉退火装置，所述的随炉退火装置包括ー个感应线圈，以及置于感应线圈内的圆柱形后感应保温筒，还包括一个位于圆柱形后感应保温筒上的梯形后感应保温筒，以及ー个测温热电偶，测温热电偶的端部插入圆柱形后感应保温筒内。
2.根据权利要求I所述的ー种晶体炉随炉退火装置，其特征在于所述感应线圈为中频或高频感应线圈。
3.根据权利要求I或2所述的ー种晶体炉随炉退火装置，其特征在于所述感应线圈的横截面为方形或圆形，壁厚为0. 5-2mm。
4.根据权利要求I所述的ー种晶体炉随炉退火装置，其特征在于所述梯形后感应保温筒的底面直径与圆柱形后感应保温筒的直径相同。
5.根据权利要求I所述的ー种晶体炉随炉退火装置，其特征在于所述圆柱形后感应保温筒与梯形后感应保温筒的壁厚为0. 5-3mm。
6.根据权利要求I所述的ー种晶体炉随炉退火装置，其特征在于所述测温热电偶的端部插入圆柱形后感应保温筒内，其插入深度为10_。
全文摘要
本发明涉及一种晶体生长炉，具体说就是一种晶体炉随炉退火装置，包括晶体生长炉，其特征在于还包括一个位于晶体生长炉顶部的随炉退火装置，所述的随炉退火装置包括一个感应线圈，以及置于感应线圈内的圆柱形后感应保温筒，还包括一个位于圆柱形后感应保温筒上的梯形后感应保温筒，以及一个测温热电偶，测温热电偶的端部插入圆柱形后感应保温筒内。本发明同现有技术相比，晶体生长完后、从晶体炉中提拉出来后处于一个和晶体本身温度基本相同的温度场中，保证了晶体的完整性，提高了晶体的成品率，减少了后期专门的退火设备和退火时间，提高了效率。
文档编号C30B33/02GK102758257SQ201210010318
公开日2012年10月31日 申请日期2012年1月13日 优先权日2012年1月13日
发明者华伟, 陈伟, 高超 申请人:上海赢奔晶体科技有限公司