本发明涉及具有表面处理层的物品、特别是具有由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂得到的表面处理层的物品的制造方法。
背景技术：
：已知某种含氟化合物用于基材的表面处理时，能够提供优异的拨水性、拨油性、防污性等。由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂得到的层(以下，也称为“表面处理层”)作为所谓的功能性薄膜，施于例如玻璃、塑料、纤维、建筑材料等多种多样的基材。作为这样的含氟硅烷化合物，已知在分子主链具有全氟聚醚基、在分子末端或末端部具有与si原子结合的能够水解的基团的含全氟聚醚基的硅烷化合物。例如，在专利文献1中，记载了在分子末端或末端部具有与si原子结合的能够水解的基团的含全氟聚醚基的硅烷化合物。在专利文献1中，在基材的最外表面形成sio2层，在该sio2层上应用含有含氟硅烷化合物的表面处理剂，形成表面处理层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-117012号公报技术实现要素：发明所要解决的课题表面处理层需要能够长期地对基材提供所期望的功能，要求高的耐久性。由含有含全氟聚醚基的硅烷化合物的表面处理剂得到的层即使是薄膜也能够发挥如上所述的功能，因此，适用于要求光透过性甚至是透明性的眼镜、触摸面板等的光学部件，特别是在这些用途中，要求进一步提高摩擦耐久性。如专利文献1所述，作为形成表面处理层时的前处理，已知在基材的最外表面形成sio2层、接着在其上应用表面处理剂的方法，但是，本发明的发明人注意到，上述sio2层在由物理气相沉积法(pvd法：physicalvapordeposition)形成时，有时摩擦耐久性和汗耐久性不充分。因此，本发明的目的在于提供能够制造具有更优异的摩擦耐久性和汗耐久性(即，酸、碱耐性)的表面处理层的物品的方法。用于解决课题的方法本发明的发明人进行了深入研究，结果发现，通过将形成于基材的最外层的硅氧化物层不利用真空蒸镀等的pvd法而是利用化学气相沉积法(cvd法：chemicalvapordeposition)形成，能够提供具有更优异的摩擦耐久性和汗耐久性的表面处理层的物品。根据本发明的第一要旨，提供一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品的制造方法，其包括：利用化学气相沉积法，形成硅氧化物层的步骤；和在所得到的硅氧化物层上使用含有含氟硅烷化合物的表面处理剂，形成表面处理层的步骤。根据本发明的第二要旨，提供由上述的制造方法得到的物品。发明的效果根据本发明，通过利用cvd法形成硅氧化物层、在其上形成表面处理层，能够制造包括具有拨水性、拨油性、防污性并且具有优异的摩擦耐久性和汗耐久性的表面处理层而成的物品。具体实施方式以下，对本发明的制造方法进行说明。由本发明的制造方法制造的物品具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层。首先，准备基材。在本发明中能够使用的基材，例如，可以由玻璃、蓝宝石玻璃、树脂(天然或合成树脂，例如可以为一般的塑料材料，可以为板状、膜、其它的形态)、金属(可以为铝、铜、铁等的金属单体或合金等的复合体)、陶瓷、半导体(硅、锗等)、纤维(织物、无纺布等)、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建筑部件等、任意的适当材料构成。优选基材为玻璃。作为上述玻璃，优选为钠钙玻璃、碱铝硅酸盐玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃、结晶玻璃、石英玻璃，特别优选为化学强化的钠钙玻璃、化学强化的碱铝硅酸盐玻璃、和化学结合的硼硅酸玻璃。基材的形状没有特别限定。另外，需要形成硅氧化物层和表面处理层的基材的表面区域只要是基材表面的至少一部分即可，可以根据所要制造的物品的用途和具体的式样等来适当确定。在基材的表面可以形成有某些层(或膜)、例如硬涂层、防反射层等。防反射层可以使用单层防反射层和多层防反射层中的任一种。作为在防反射层能够使用的无机物的例子，可以列举sio2、sio、zro2、tio2、tio、ti2o3、ti2o5、al2o3、ta2o5、ceo2、mgo、y2o3、sno2、mgf2、wo3等。这些无机物可以单独使用或组合这些的2种以上(例如作为混合物)使用。所要制造的物品为触摸面板用的光学玻璃部品时，可以在基材(玻璃)的表面的一部分具有透明电极、例如使用氧化铟锡(ito)、氧化铟锌等的薄膜。另外，基材可以根据其具体的式样等具有绝缘层、粘接层、保护层、装饰框层(i-con)、雾化膜层、硬涂膜层、偏光膜、相位差膜和液晶显示模块等。在一个方式中，可以在基材上形成硅氧化物层之前，对基材进行前处理。通过进行前处理，提高基材与硅氧化物层的密合性，能够得到更高的摩擦耐久性。作为前处理，没有特别限定，可以列举用h2o2、h2so4等的氧化剂溶液、或乙醇等的醇进行的清洗。优选用h2o2/h2so4/h2o混合溶液(1～5﹕1～5﹕1～20)或乙醇进行的清洗，更优选用h2o2/h2so4/h2o混合溶液进行的清洗。接着，在该基材的表面形成硅氧化物(siox)层。硅氧化物层通过cvd法形成。cvd法是指将成为原料的物质以气体状态供给，使其在基材表面反应，形成非挥发性膜的方法。作为cvd法的具体例，可以列举等离子体cvd、光学cvd、热cvd以及类似的方法。优选使用等离子体cvd。作为cvd法中的硅源，可以使用硅化合物。作为硅化合物的例子，可以列举sih4、si2h6等的硅烷化合物、三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷等的有机硅化合物等。优选使用sih4。作为cvd法中的氧源，优选使用氧气。cvd法中的载气根据cvd法的种类适当选择，例如可以使用氮气、氩气、氦气等不活泼气体、或氢气等。利用cvd法形成硅氧化物层的条件根据所使用的cvd法的种类、硅氧化物层的膜厚等适当设定。例如，在利用等离子体cvd形成硅氧化物层时，优选以下述条件进行。rf(射频，radiofrequency)功率密度：0.5～2.0w/cm2、优选为0.7～1.5w/cm2、例如1.0w/cm2；基板温度：100～400℃、优选为150～300℃、例如200℃；工艺压力：50～500pa、优选为100～300pa、例如150～200pa；材料气体流量比(体积比)：sih4﹕n2o＝1﹕10～1﹕100、优选为1﹕20～1﹕50、例如1﹕25～1﹕35；sih4﹕h2＝1﹕50～1﹕500、优选为1﹕80～1﹕300、例如1﹕100～1﹕200。利用上述cvd法形成的硅氧化物层的膜厚没有特别限定，优选为5～100nm、更优选为5～70nm、进一步优选为10～40nm、更进一步优选为10～20nm。通过使硅氧化物层的膜厚处于上述的范围，能够在硅氧化物层上形成具有更高的摩擦耐久性的表面处理层。另外，在本说明书中，硅氧化物层的膜厚为通过偏振光椭圆率测量仪(ellipsometer)测得的值。利用上述cvd法形成的硅氧化物层的表面粗糙度(ra：中心线平均粗糙度)优选为0.2nm以下、更优选可以为0.15nm以下。另外，上述ra由jisb0601：1982规定。利用上述cvd法形成的硅氧化物层优选至少一部分、更优选硅氧化物层整体的50％以上、进一步优选硅氧化物层整体的80％以上为无定形的。硅氧化物层中的无定形能够通过由x射线衍射法(xrd：x-raydiffraction)测定结晶引起的衍射峰的强度来确认。利用上述cvd法形成的硅氧化物层优选具有2.25g/cm3～2.60g/cm3的密度，更优选具有2.30g/cm3～2.50g/cm3、进一步优选具有2.35g/cm3～2.45g/cm3的密度、例如具有2.38g/cm3～2.42g/cm3的密度。硅氧化物层的密度能够通过x射线反射率法(xrr：x-rayreflectometry)来测定。利用上述cvd法形成的硅氧化物层的膜中氢浓度优选为1at％以上、例如为2at％以上、3at％以上、4at％以上或5at％以上、优选为10at％以下、例如为9at％以下、8at％以下、7at％以下或6at％以下。例如，膜中氢浓度可以为1～10at％、2～10at％、3～10at％、4～10at％或5～10at％、或者1～9at％、1～8at％、1～7at％或1～6at％、或者2～9at％、3～8at％、4～7at％、或5～6at％。硅氧化物层的膜中氢浓度能够通过卢瑟福背散射能谱法(rbs：rutherfordbackscatteringspectrometry)来测定。利用上述cvd法形成的硅氧化物层中的si/o组成比(mol比)可以为1.5以下、优选大于0.5。si/o组成比优选为0.6～1.5、更优选为0.7～1.3、例如为0.7～1.2、0.8～1.3或0.8～1.2。硅氧化物层中的si/o组成比能够通过卢瑟福背散射能谱法(rbs：rutherfordbackscatteringspectrometry)法来测定。在一个方式中，在所得到的硅氧化物层上形成表面处理层之前，可以对硅氧化物层进行前处理。通过进行前处理，硅氧化物层与表面处理层的密合性提高，能够得到更高的摩擦耐久性。作为前处理，例如可以列举离子清洁。作为离子清洁，没有特别限定，优选氧离子清洁和氩离子清洁，更优选氧离子清洁。离子清洁的条件可以根据所使用的气体的种类变化，在氧离子清洁的情况下，在以下的条件下进行。其中，离子清洁只要能够除去硅氧化物层上的杂质即可，不限定于下述条件。(氧离子清洁条件)·加速电压：500～1500v、优选为800～1200v、代表性为1000v·加速电流：100～1000ma、优选为300～700ma、代表性为500ma·气体量：10～100sccm、优选为30～70sccm、代表性为50sccm·压力：1×10-3pa～1×10-1pa、优选为1×10-2pa～5×10-2pa、代表性为2×10-2pa接着，在通过上述操作得到的硅氧化物层上，使用含有含氟硅烷化合物的表面处理剂，形成表面处理层。上述含氟硅烷化合物优选含有全氟聚醚基，例如为下述通式(a1)、(a2)、(b1)、(b2)、(c1)、(c2)、(d1)和(d2)所示的1种或1种以上的化合物。(rf-pfpe)β-x5-(sir1nr23-n)β…(b1)(r23-nr1nsi)β-x5-pfpe-x5-(sir1nr23-n)β…(b2)(rf-pfpe)γ’-x7(sirakrb1rcm)γ…(c1)(rcmrb1raksi)γ-x7-pfpe-x7-(sirakrb1rcm)γ…(c2)(rf-pfpe)δ’-x9-(crdk2re12rfm2)δ…(d1)(rfm2re12rdk2c)δ-x9-pfpe-x-(crdk2re12rfm2)δ…(d2)[式中：pfpe在每次出现时分别独立，为下式所示的基团：-(oc4f8)a-(oc3f6)b-(oc2f4)c-(ocf2)d-(式中，a、b、c和d分别独立，为0～200的整数，a、b、c和d之和至少为1，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。)；rf在每次出现时分别独立，表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；r1在每次出现时分别独立，表示氢原子或碳原子数1～22的烷基；r2在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；r11在每次出现时分别独立，表示氢原子或卤素原子；r12在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；n在每个(－sir1nr23-n)单元中独立地为0～3的整数；其中，在式(a1)、(a2)、(b1)和(b2)中至少存在1个r2；x1分别独立，表示单键或2～10价的有机基团；x2在每次出现时分别独立，表示单键或2价的有机基团；t在每次出现时分别独立，为1～10的整数；α分别独立，为1～9的整数；α’分别独立，为1～9的整数；x5分别独立，表示单键或2～10价的有机基团；β分别独立，为1～9的整数；β’分别独立，为1～9的整数；x7分别独立，表示单键或2～10价的有机基团；γ分别独立，为1～9的整数；γ’分别独立，为1～9的整数；ra在每次出现时分别独立，表示－z－sir71pr72qr73r；z在每次出现时分别独立，表示氧原子或2价的有机基团；r71在每次出现时分别独立，表示ra’；ra’与ra意义相同；ra中，经由z基连结为直链状的si最多为5个；r72在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；r73在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；p在每次出现时分别独立，为0～3的整数；q在每次出现时分别独立，为0～3的整数；r在每次出现时分别独立，为0～3的整数；其中，在每个(z－sir71pr72qr73r)单元中，p、q和r之和为3，在式(c1)和(c2)中，至少存在1个r72；rb在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；rc在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；k在每次出现时分别独立，为1～3的整数；l在每次出现时分别独立，为0～2的整数；m在每次出现时分别独立，为0～2的整数；其中，带有γ并被括号括起来的单位中，k、l和m之和为3；x9分别独立，表示单键或2～10价的有机基团；δ分别独立，为1～9的整数；δ’分别独立，为1～9的整数；rd在每次出现时分别独立，表示－z2－cr81p2r82q2r83r2；z2在每次出现时分别独立，表示氧原子或2价的有机基团；r81在每次出现时分别独立，表示rd’；rd’与rd意义相同；rd中，经由z2基连结为直链状的c最多为5个；r82在每次出现时分别独立，表示－y－sir85n2r863-n2；y在每次出现时分别独立，表示2价的有机基团；r85在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；r86在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；n2在每个(－y－sir85n2r863-n2)单元中独立地表示0～3的整数；r83在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；p2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；q2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；r2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；re在每次出现时分别独立，表示－y－sir85n2r863-n2；rf在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；k2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；l2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；m2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；其中，在式(d1)和(d2)中，至少存在1个r85。]在本说明书中使用时，“烃基”是指含有碳和氢的基团，是指从烃脱离了1个氢原子的基团。作为这样的烃基，没有特别限定，可以列举可以被1个或1个以上的取代基取代的、碳原子数1～20的烃基、例如，脂肪族烃基、芳香族烃基等。上述“脂肪族烃基”可以为直链状、支链状或环状的任意种，可以为饱和或不饱和的任意种。另外，烃基也可以含有1个或1个以上的环结构。另外，这样的烃基可以在其末端或分子链中具有1个或1个以上的n、o、s、si、酰胺、磺酰基、硅氧烷基、羰基、羰氧基等。在本说明书中使用时，作为“烃基”的取代基，没有特别限定，例如，可以列举卤素原子；选自可以被1个或1个以上的卤素原子取代的、c1-6烷基、c2-6烯基、c2-6炔基、c3-10环烷基、c3-10不饱和环烷基、5～10元的杂环基、5～10元的不饱和杂环基、c6-10芳基和5～10元的杂芳基中的1个或1个以上的基团。在本说明书中使用时，“2～10价的有机基团”是指含有碳的2～10价的基团。作为这样的2～10价的有机基团，没有特别限定，可以列举从烃基进一步脱离了1～9个氢原子的2～10价的基团。例如，作为2价的有机基团，没有特别限定，可以列举从烃基进一步脱离了1个氢原子的2价基团。以下，对上述式(a1)、(a2)、(b1)、(b2)、(c1)、(c2)、(d1)和(d2)所示的含全氟聚醚基的硅烷化合物进行说明。式(a1)和(a2)：上述式中，pfpe为－(oc4f8)a－(oc3f6)b－(oc2f4)c－(ocf2)d－，相当于全氟聚醚基。其中，a、b、c和d分别独立，为0或1以上的整数，a、b、c和d之和至少为1。优选a、b、c和d分别独立，为0以上200以下的整数、例如1～200的整数，更优选分别独立，为0以上100以下的整数。另外，优选a、b、c和d之和为5以上、更优选为10以上、例如10以上100以下。另外，带有a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。这些单元中，－(oc4f8)－可以为－(ocf2cf2cf2cf2)－、－(ocf(cf3)cf2cf2)－、－(ocf2cf(cf3)cf2)－、－(ocf2cf2cf(cf3))－、－(oc(cf3)2cf2)－、－(ocf2c(cf3)2)－、－(ocf(cf3)cf(cf3))－、－(ocf(c2f5)cf2)－和－(ocf2cf(c2f5))－中的任意种，优选为－(ocf2cf2cf2cf2)－。－(oc3f6)－可以为－(ocf2cf2cf2)－、－(ocf(cf3)cf2)－和－(ocf2cf(cf3))－中的任意种，优选为－(ocf2cf2cf2)－。另外，－(oc2f4)－为－(ocf2cf2)－和－(ocf(cf3))－中的任意种，优选为－(ocf2cf2)－。在一个方式中，pfpe为－(oc3f6)b－(式中，b为1以上200以下、优选为5以上200以下、更优选为10以上200以下的整数)，优选为－(ocf2cf2cf2)b－(式中，b为1以上200以下、优选为5以上200以下、更优选为10以上200以下的整数)或－(ocf(cf3)cf2)b－(式中，b为1以上200以下、优选为5以上200以下、更优选为10以上200以下的整数)，更优选为－(ocf2cf2cf2)b－(式中，b为1以上200以下、优选为5以上200以下、更优选为10以上200以下的整数)。在其它方式中，pfpe为－(oc4f8)a－(oc3f6)b－(oc2f4)c－(ocf2)d－(式中，a和b分别独立，为0以上30以下的整数，c和d分别独立，为1以上200以下、优选为5以上200以下、更优选为10以上200以下的整数，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的)，优选为－(ocf2cf2cf2cf2)a－(ocf2cf2cf2)b－(ocf2cf2)c－(ocf2)d－。在一个方式中，pfpe为－(oc2f4)c－(ocf2)d－(式中，c和d分别独立，为1以上200以下、优选为5以上200以下、更优选为10以上200以下的整数，带有下标c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的)。在另外的其它方式中，pfpe为－(oc2f4－r15)n”－所示的基团。式中，r15为选自oc2f4、oc3f6和oc4f8中的基团或者从这些基团独立选择的2个或3个基团的组合。作为从oc2f4、oc3f6和oc4f8中独立选择的2个或3个基团的组合，没有特别限定，例如，可以列举－oc2f4oc3f6－、－oc2f4oc4f8－、－oc3f6oc2f4－、－oc3f6oc3f6－、－oc3f6oc4f8－、－oc4f8oc4f8－、－oc4f8oc3f6－、－oc4f8oc2f4－、－oc2f4oc2f4oc3f6－、－oc2f4oc2f4oc4f8－、－oc2f4oc3f6oc2f4－、－oc2f4oc3f6oc3f6－、－oc2f4oc4f8oc2f4－、－oc3f6oc2f4oc2f4－、－oc3f6oc2f4oc3f6－、－oc3f6oc3f6oc2f4－和－oc4f8oc2f4oc2f4－等。上述n”为2～100的整数、优选为2～50的整数。上述式中，oc2f4、oc3f6和oc4f8可以为直链或支链的任一种，优选为直链。在该方式中，pfpe优选为－(oc2f4－oc3f6)n”－或－(oc2f4－oc4f8)n”－。上述式中，rf表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基。上述可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基中的“碳原子数1～16的烷基”可以为直链也可以为支链，优选为直链或支链的碳原子数1～6、特别是碳原子数1～3的烷基、更优选为直链的碳原子数1～3的烷基。上述rf优选为被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基、更优选为cf2h－c1-15氟亚烷基、进一步优选为碳原子数1～16的全氟烷基。该碳原子数1～16的全氟烷基可以是直链的也可以是支链的，优选为直链或支链的碳原子数1～6、特别是碳原子数1～3的全氟烷基、更优选为直链的碳原子数1～3的全氟烷基、具体而言为－cf3、－cf2cf3、或－cf2cf2cf3。上述式中，r1在每次出现时分别独立，表示氢原子或碳原子数1～22的烷基、优选表示碳原子数1～4的烷基。上述式中，r2在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团。在本说明书中使用时，上述“能够水解的基团”是指能够通过水解反应从化合物的主骨架脱离的基团。作为能够水解的基团的例子，可以列举－or、－ocor、－o－n＝cr2、－nr2、－nhr、卤素(这些式中，r表示取代或非取代的碳原子数1～4的烷基)等，优选为－or(即，烷氧基)。r的例子中，包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等的取代烷基。这些之中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。羟基没有特别限定，可以为能够水解的基团水解产生的基团。上述式中，r11在每次出现时分别独立，表示氢原子或卤素原子。卤素原子优选为碘原子、氯原子或氟原子，更优选为氟原子。上述式中，r12在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。低级烷基优选为碳原子数1～20的烷基，更优选为碳原子数1～6的烷基，例如，可以列举甲基、乙基、丙基等。上述式中，n在每个(－sir1nr23-n)单元中独立地为0～3的整数、优选为0～2、更优选为0。其中，式中，全部n不同时为0。换而言之，式中，至少存在一个r2。上述式中，x1分别独立，表示单键或2～10价的有机基团。该x1理解为在式(a1)和(a2)所示的化合物中连结主要提供拨水性和表面滑性等的全氟聚醚部(即，rf－pfpe部或－pfpe－部)与提供和基材的结合能的硅烷部(即，带有α并被括号括起来的基团)的接头。因此，该x1只要使式(a1)和(a2)所示的化合物能够稳定存在即可，可以为任意的有机基团。上述式中，α为1～9的整数，α’为1～9的整数。这些α和α’可以根据x1的价数变化。在式(a1)中α和α’之和与x1的价数相同。例如，x1为10价的有机基团时，α和α’之和为10，例如可以是α为9且α’为1、α为5且α’为5、或α为1且α’为9。另外，x1为2价的有机基团时，α和α’为1。式(a2)中，α为从x1的价数减去1得到的值。上述x1优选为2～7价、更优选为2～4价、进一步优选为2价的有机基团。在一个方式中，x1为2～4价的有机基团，α为1～3，α’为1。在其它方式中，x1为2价的有机基团，α为1，α’为1。此时，式(a1)和(a2)以下述式(a1’)和(a2’)表示。作为上述x1的例，没有特别限定，例如，可以列举下述式所示的2价基团：－(r31)p’－(xa)q’－[式中：r31表示单键、－(ch2)s’－或者邻、间或对－亚苯基，优选为－(ch2)s’－，s’为1～20的整数、优选为1～6的整数、更优选为1～3的整数、更进一步优选为1或2，xa表示－(xb)l’－，xb在每次出现时分别独立，表示选自－o－、－s－、邻、间或对－亚苯基、－c(o)o－、－si(r33)2－、－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－、－conr34－、－o－conr34－、－nr34－和－(ch2)n’－中的基团，r33在每次出现时分别独立，表示苯基、c1-6烷基或c1-6烷氧基，优选为苯基或c1-6烷基，更优选为甲基，r34在每次出现时分别独立，表示氢原子、苯基或c1-6烷基(优选为甲基)，m’在每次出现时分别独立，为1～100的整数、优选为1～20的整数，n’在每次出现时分别独立，为1～20的整数、优选为1～6的整数、更优选为1～3的整数，l’为1～10的整数、优选为1～5的整数、更优选为1～3的整数，p’为0或1，q’为0或1，这里，p’和q’中的至少一个为1，带有p’或q’并被括号括起来的各重复单元的存在顺序是任意的]。这里，r31和xa(典型而言为r31和xa的氢原子)可以被选自氟原子、c1-3烷基和c1-3氟烷基中的1个或1个以上的取代基取代。优选上述x1为－(r31)p’－(xa)q’－r32－。r32表示单键、－(ch2)t’－或者邻、间或对－亚苯基，优选为－(ch2)t’－。t’为1～20的整数、优选为2～6的整数、更优选为2～3的整数。这里，r32(典型而言为r32的氢原子)可以被选自氟原子、c1-3烷基和c1-3氟烷基中的1个或1个以上的取代基取代。优选上述x1可以为c1-20亚烷基、－r31－xc－r32－、或－xd－r32－[式中，r31和r32与上述意义相同。]。更优选上述x1为c1－20亚烷基、－(ch2)s’－xc－、－(ch2)s’－xc－(ch2)t’－－xd－、或－xd－(ch2)t’－[式中，s’和t’与上述意义相同。]。上述式中，xc表示－o－、－s－、－c(o)o－、－conr34－、－o－conr34－、－si(r33)2－、－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－、－o－(ch2)u’－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－、－o－(ch2)u’－si(r33)2－o－si(r33)2－ch2ch2－si(r33)2－o－si(r33)2－、－o－(ch2)u’－si(och3)2osi(och3)2－、－conr34－(ch2)u’－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－、－conr34－(ch2)u’－n(r34)－、或－conr34－(邻、间或对－亚苯基)－si(r33)2－[式中，r33、r34和m’与上述意义相同，u’为1～20的整数、优选为2～6的整数、更优选为2～3的整数。]。xc优选为－o－。上述式中，xd表示－s－、－c(o)o－、－conr34－、－conr34－(ch2)u’－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－、－conr34－(ch2)u’－n(r34)－、或－conr34－(邻、间或对－亚苯基)－si(r33)2－[式中，各符号与上述意义相同。]。更优选上述x1可以为c1－20亚烷基、－(ch2)s’－xc－(ch2)t’－、或－xd－(ch2)t’－[式中，各符号与上述意义相同。]。更进一步优选上述x1为c1－20亚烷基、－(ch2)s’－o－(ch2)t’－、－(ch2)s’－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－(ch2)t’－、－(ch2)s’－o－(ch2)u’－(si(r33)2o)m’－si(r33)2－(ch2)t’－、或－(ch2)s’－o－(ch2)t’－si(r33)2－(ch2)u’－si(r33)2－(cvh2v)－[式中，r33、m’、s’、t’和u’与上述意义相同，v为1～20的整数、优选为2～6的整数、更优选为2～3的整数。]。上述式中，－(cvh2v)－可以是直链的也可以是支链的，例如，可以为－ch2ch2－、－ch2ch2ch2－、－ch(ch3)－、－ch(ch3)ch2－。上述x1基可以被选自氟原子、c1-3烷基和c1-3氟烷基(优选c1-3全氟烷基)中的1个或1个以上的取代基取代。在一个方式中，x1基可以为－o－c1-6亚烷基以外。在其它方式中，作为x1基，例如，可以列举下述的基团：[式中，r41分别独立，为氢原子、苯基、碳原子数1～6的烷基、或c1-6烷氧基、优选为甲基；d选自以下基团：－ch2o(ch2)2－、－ch2o(ch2)3－、－cf2o(ch2)3－、－(ch2)2－、－(ch2)3－、－(ch2)4－、－conh－(ch2)3－、－con(ch3)－(ch2)3－、－con(ph)－(ch2)3－(式中，ph是指苯基)、和(式中，r42分别独立，表示氢原子、c1-6的烷基或c1-6的烷氧基、优选表示甲基或甲氧基、更优选表示甲基。)，e为－(ch2)n－(n为2～6的整数)，d与分子主链的pfpe结合，e与和pfpe相反侧的基团结合。]作为上述x1的具体的例子，例如，可以列举：－ch2o(ch2)2－、－ch2o(ch2)3－、－ch2o(ch2)6－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－、－ch2ocf2chfocf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－－ch2och2(ch2)7ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)2－、－(ch2)2－、－(ch2)3－、－(ch2)4－、－(ch2)5－、－(ch2)6－、－conh－(ch2)3－、－con(ch3)－(ch2)3－、－con(ph)－(ch2)3－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)6－、－con(ch3)－(ch2)6－、－con(ph)－(ch2)6－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)2nh(ch2)3－、－conh－(ch2)6nh(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)6－、－s－(ch2)3－、－(ch2)2s(ch2)3－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－－c(o)o－(ch2)3－、－c(o)o－(ch2)6－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)2－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)3－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－ch2－、－och2－、－o(ch2)3－、－ocfhcf2－、等。另外，在其它方式中，x1为式：－(r16)x－(cfr17)y－(ch2)z－所示的基团。式中，x、y和z分别独立，为0～10的整数，x、y和z之和为1以上，被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。上述式中，r16在每次出现时分别独立，为氧原子、亚苯基、亚咔唑基、－nr26－(式中，r26表示氢原子或有机基团)或2价的有机基团。优选r16为氧原子或2价的极性基团。作为上述“2价的极性基团”，没有特别限定，可以列举－c(o)－、－c(＝nr27)－和－c(o)nr27－(这些式中，r27表示氢原子或低级烷基)。该“低级烷基”例如为碳原子数1～6的烷基，例如为甲基、乙基、正丙基，它们可以被1个或1个以上的氟原子取代。上述式中，r17在每次出现时分别独立，为氢原子、氟原子或低级氟烷基，优选为氟原子。该“低级氟烷基”例如为碳原子数1～6、优选为碳原子数1～3的氟烷基、优选为碳原子数1～3的全氟烷基、更优选为三氟甲基、五氟乙基、进一步优选为三氟甲基。该方式中，x1优选为式：－(o)x－(cf2)y－(ch2)z－(式中，x、y和z与上述意义相同，被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的)所示的基团。作为上述式：－(o)x－(cf2)y－(ch2)z－所示的基团，例如可以列举－(o)x’－(ch2)z”－o－[(ch2)z”’－o－]z””和－(o)x’－(cf2)y”－(ch2)z”－o－[(ch2)z”’－o－]z””(式中，x’为0或1，y”、z”和z”’分别独立，为1～10的整数，z””为0或1)所示的基团。此外，这些基团的左端与pfpe侧结合。其它的优选方式中，x1为－o－cfr13－(cf2)e－。上述r13分别独立，表示氟原子或低级氟烷基。低级氟烷基例如为碳原子数1～3的氟烷基、优选为碳原子数1～3的全氟烷基、更优选为三氟甲基、五氟乙基、更加优选为三氟甲基。上述e分别独立，为0或1。一个具体例中，r13为氟原子，e为1。另外，在其它方式中，作为x1基的例子，可以列举下述的基团：[式中，r41分别独立，为氢原子、苯基、碳原子数1～6的烷基或c1-6烷氧基，优选为甲基；各x1基中，t之中的任意几个为与分子主链的pfpe结合的以下基团：－ch2o(ch2)2－、－ch2o(ch2)3－、－cf2o(ch2)3－、－(ch2)2－、－(ch2)3－、－(ch2)4－、－conh－(ch2)3－、－con(ch3)－(ch2)3－、－con(ph)－(ch2)3－(式中，ph是指苯基)、或[式中，r42分别独立，表示氢原子、c1-6的烷基或c1-6的烷氧基，优选表示甲基或甲氧基，更优选表示甲基。]，其它的t的几个为与分子主链的和pfpe相反侧的基团(即，在式(a1)、(a2)、(d1)和(d2)中为碳原子，另外，在下述的式(b1)、(b2)、(c1)和(c2)中为si原子)结合的－(ch2)n”－(n”为2～6的整数)，在存在时，剩余部分分别独立，为甲基、苯基或c1-6烷氧基。该方式中，x1、x5、x7和x9分别独立，可以为3～10价的有机基团。上述式中，t分别独立，为1～10的整数。优选的方式中，t为1～6的整数。其它优选的方式中，t为2～10的整数，优选为2～6的整数。上述式中，x2在每次出现时分别独立，表示单键或2价的有机基团。x2优选为碳原子数1～20的亚烷基，更优选为－(ch2)u－(式中，u为0～2的整数)。优选的式(a1)和(a2)所示的化合物为下述式(a1’)和(a2’)所示的化合物：[式中：pfpe分别独立，为下式所示的基团：－(oc4f8)a－(oc3f6)b－(oc2f4)c－(ocf2)d－(式中，a、b、c和d分别独立，为0～200的整数，a、b、c和d之和至少为1，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。)；rf在每次出现时分别独立，表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；r1在每次出现时分别独立，表示氢原子或碳原子数1～22的烷基；r2在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；r11在每次出现时分别独立，表示氢原子或卤素原子；r12在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；n为0～2的整数，优选为0；x1为－o－cfr13－(cf2)e－；r13为氟原子或低级氟烷基；e为0或1；x2为－(ch2)u－；u为0～2的整数；t为1～10的整数。]。上述式(a1)和(a2)所示的化合物例如能够通过将对应于rf－pfpe－部分的全氟聚醚衍生物作为原料，在末端导入碘之后，使对应于－ch2cr12(x2－sir1nr23-n)－的乙烯基单体反应来得到。式(b1)和(b2)：(rf-pfpe)β’-x5(sir1nr23-n)β…(b1)(r23-nr1nsi)β-x5-pfpe-x5-(sir1nr23-n)β…(b2)上述式(b1)和(b2)中，rf、pfpe、r1、r2和n与上述式(a1)和(a2)的相关记载的意义相同。上述式中，x5分别独立，表示单键或2～10价的有机基团。该x5理解为在式(b1)和(b2)所示的化合物中连结主要提供拨水性和表面滑性等的全氟聚醚部(rf-pfpe部或-pfpe-部)与提供和基材的结合能的硅烷部(具体而言，-sir1nr23-n)的接头。因此，该x5只要使式(b1)和(b2)所示的化合物能够稳定存在即可，可以为任意的有机基团。上述式中的β为1～9的整数，β’为1～9的整数。这些β和β’根据x3的价数确定，在式(b1)中，β和β’之和与x5的价数相同。例如，x5为10价的有机基团时，β和β’之和为10，例如可以是β为9且β’为1、β为5且β’为5、或β为1且β’为9。另外，x5为2价的有机基团时，β和β’为1。式(b2)中，β为从x5的价数的值减去1的值。上述x5优选为2～7价、更优选为2～4价、进一步优选为2价的有机基团。在一个方式中，x5为2～4价的有机基团，β为1～3，β’为1。在其它方式中，x5为2价的有机基团，β为1，β’为1。此时，式(b1)和(b2)以下述式(b1’)和(b2’)表示。rf-pfpe-x5sir1nr23-n…(b1’)r23-nr1nsi-x5-pfpe-x5-sir1nr23-n…(b2’)作为上述x5的例子，没有特别限定，例如，可以列举与x1的相关记载相同的基团。其中，优选的具体的x5可以列举：-ch2o(ch2)2-、-ch2o(ch2)3-、－ch2o(ch2)6－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－、－ch2ocf2chfocf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－－ch2och2(ch2)7ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)2－、－(ch2)2－、－(ch2)3－、－(ch2)4－、－(ch2)5－、－(ch2)6－、－conh－(ch2)3－、－con(ch3)－(ch2)3－、－con(ph)－(ch2)3－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)6－、－con(ch3)－(ch2)6－、－con(ph)－(ch2)6－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)2nh(ch2)3－、－conh－(ch2)6nh(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)6－、－s－(ch2)3－、－(ch2)2s(ch2)3－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－－c(o)o－(ch2)3－、－c(o)o－(ch2)6－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)2－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)3－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－ch2－、－och2－、－o(ch2)3－、－ocfhcf2－、等。优选的式(b1)和(b2)所示的化合物为下述式(b1’)和(b2’)所示的化合物：rf-pfpe-x5-sir1nr23-n…(b1’)r23-nr1nsi-x5-pfpe-x5-sir1nr23-n…(b2’)[式中：pfpe分别独立，为下式所示的基团：-(oc4f8)a-(oc3f6)b-(oc2f4)c-(ocf2)d-(式中，a、b、c和d分别独立，为0～200的整数，a、b、c和d之和至少为1，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。)；rf在每次出现时分别独立，表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；r1在每次出现时分别独立，表示氢原子或碳原子数1～22的烷基；r2在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；n为0～2的整数、优选为0；x5为-ch2o(ch2)2-、-ch2o(ch2)3-或-ch2o(ch2)6-]。上述式(b1)和(b2)所示的化合物能够通过公知的方法、例如专利文献1所述的方法或其改良方法来制造。例如，式(b1)和(b2)所示的化合物能够通过将下述式(b1-4)或(b2-4)所示的化合物与hsim3(式中，m分别独立，为卤素原子、r1或r2，r1在每次出现时分别独立，为氢原子或碳原子数1～22的烷基，r2在每次出现时分别独立，为羟基或能够水解的基团)反应、根据需要将上述卤素原子变换为r1或r2，作为式(b1”)或(b2”)得到：(rf-pfpe)β’-x5’-(r82-ch＝ch2)β…(b1-4)(ch2＝ch-r82)β-x5’-pfpe-x5’-(r82-ch＝ch2)β…(b2-4)[式中：pfpe分别独立，为下式所示的基团：-(oc4f8)a-(oc3f6)b-(oc2f4)c-(ocf2)d-(式中，a、b、c和d分别独立，为0～200的整数，a、b、c和d之和至少为1，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。)；rf在每次出现时分别独立，表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；x5’分别独立，表示单键或2～10价的有机基团；β分别独立，为1～9的整数；β’分别独立，为1～9的整数；r82为单键或2价的有机基团。]，(rf-pfpe)β’-x5’-(r82-ch2ch2-sir1nr23-n)β…(b1”)(r1nr23-nsi-ch2ch2-r82)β-x5’-pepe-x5’-**(r82-ch2ch2-sir1nr23-n)β…(b2”)[式中，pfpe、rf、x5’、β、β’和r82与上述意义相同；n为0～3的整数。]。式(b1”)或(b2”)中，从x5’至r82-ch2ch2-的部分对应于式(b1)或(b2)中的x5。式(c1)和(c2)：(rf-pfpe)γ’-x7-(sirakrblrcm)γ…(c1)(rcmrb1raksi)γ-x7-pfpe-x7-(sirakrblrcm)γ…(c2)上述式(c1)和(c2)中，rf和pfpe与上述式(a1)和(a2)的相关记载的意义相同。上述式中，x7分别独立，表示单键或2～10价的有机基团。该x7理解为在式(c1)和(c2)所示的化合物中连结主要提供拨水性和表面滑性等的全氟聚醚部(rf－pfpe部或－pfpe－部)与提供和基材的结合能的硅烷部(具体而言，－sirakrblrcm基)的接头。因此，该x7只要使式(c1)和(c2)所示的化合物能够稳定存在即可，可以为任意的有机基团。上述式中的γ为1～9的整数，γ’为1～9的整数。这些γ和γ’可以根据x7的价数确定，式(c1)中，γ和γ’之和与x7的价数相同。例如，x7为10价的有机基团时，γ和γ’之和为10，例如可以是γ为9且γ’为1、γ为5且γ’为5、或γ为1且γ’为9。另外，x7为2价的有机基团时，γ和γ’为1。式(c1)中，γ为从x7的价数的值减去1的值。上述x7优选为2～7价、更优选为2～4价、进一步优选为2价的有机基团。在一个方式中，x7为2～4价的有机基团，γ为1～3，γ’为1。在其它方式中，x7为2价的有机基团，γ为1，γ’为1。此时，式(c1)和(c2)以下述式(c1’)和(c2’)表示。rf-pfpe-x7-sirakrb1rcm…(c1’)rcmrb1raksi-x7-pfpe-x7-sirakrb1rcm…(c2’)作为上述x7的例子，没有特别限定，例如，可以列举与x1的相关记载相同的基团。其中，优选的具体的x5可以列举：－ch2o(ch2)2－、－ch2o(ch2)3－、－ch2o(ch2)6－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－、－ch2ocf2chfocf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－－ch2och2(ch2)7ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)2－、－(ch2)2－、－(ch2)3－、－(ch2)4－、－(ch2)5－、－(ch2)6－、－conh－(ch2)3－、－con(ch3)－(ch2)3－、－con(ph)－(ch2)3－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)6－、－con(ch3)－(ch2)6－、－con(ph)－(ch2)6－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)2nh(ch2)3－、－conh－(ch2)6nh(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)6－、－s－(ch2)3－、－(ch2)2s(ch2)3－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－－c(o)o－(ch2)3－、－c(o)o－(ch2)6－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)2－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)3－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－ch2－、－och2－、－o(ch2)3－、－ocfhcf2－、等。上述式中，ra在每次出现时分别独立，表示－z－sir71pr72qr73r。式中，z在每次出现时分别独立，表示氧原子或2价的有机基团。上述z优选为2价的有机基团，不包括与式(c1)或式(c2)中的分子主链的末端的si原子(结合有ra的si原子)形成硅氧烷键的基团。上述z优选为c1－6亚烷基、－(ch2)g－o－(ch2)h－(式中，g为1～6的整数，h为1～6的整数)或－亚苯基－(ch2)i－(式中，i为0～6的整数)，更优选为c1-3亚烷基。这些基团可以被例如选自氟原子、c1-6烷基、c2-6烯基和c2-6炔基中的1个或1个以上的取代基取代。式中，r71在每次出现时分别独立，表示ra’。ra’与ra意义相同。ra中，经由z基连结为直链状的si最多为5个。即，上述ra中，r71至少存在一个时，ra中的经由z基连结为直链状的si原子存在2个以上，这样的经由z基连结为直链状的si原子的数最多为5个。此外，“ra中的经由z基连结为直链状的si原子的数”与ra中连结为直链状的－z－si－的重复数相等。例如，在下述例示ra中经由z基连结有si原子的一例。上述式中，*是指与主链的si结合的部位，…是指结合有zsi以外和规定的基团、即si原子的3个结合键全部为…时，意味着为zsi的重复结束的部位。另外，si的右上角的数字是指从*开始数的经由z基连结为直链状的si的出现次数。即，以si2结束zsi的重复的链中，“ra中的经由z基连结为直链状的si原子个数”为2个，同样地，以si3、si4和si5结束zsi的重复的链中，各个“ra中的经由z基连结为直链状的si原子个数”为3、4和5个。此外，如从上述的式可知，在ra中，zsi链存在多个，但是这些不需要全部为相同长度，可以分别为任意的长度。优选的方式中，如下所述，“ra中的经由z基连结为直链状的si原子个数”在全部链中，为1个(左式)或2个(右式)。在一个方式中，ra中的经由z基连结为直链状的si原子个数为1个或2个，优选为1个。式中，r72在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团。在本说明书中使用时，上述“能够水解的基团”是指可以发生水解反应的基团。作为能够水解的基团的例子，可以列举－or、－ocor、－o－n＝c(r)2、－n(r)2、－nhr、卤素(这些式中，r表示取代或非取代的碳原子数1～4的烷基)等，优选为－or(烷氧基)。r的例子包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等的非取代烷基；氯甲基等的取代烷基。这些之中，优选为烷基、特别是非取代烷基、更优选为甲基或乙基。羟基没有特别限定，可以为能够水解的基团水解产生的羟基。优选r72为－or(式中，r表示取代或非取代的c1-3烷基、更优选为甲基)。式中，r73在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。该低级烷基优选为碳原子数1～20的烷基，更优选为碳原子数1～6的烷基，进一步优选为甲基。式中，p在每次出现时分别独立，为0～3的整数；q在每次出现时分别独立，为0～3的整数；r在每次出现时分别独立，0～3的整数。其中，p、q和r之和为3。优选的方式中，ra中的末端的ra’(ra’不存在时，为ra)中，上述q优选为2以上，例如2或3，更优选为3。上述式(c1)和(c2)中，存在至少一个r72。上述式中，rb在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团。上述rb优选为羟基、－or、－ocor、－o－n＝c(r)2、－n(r)2、－nhr、卤素(这些式中，r表示取代或非取代的碳原子数1～4的烷基)，优选为－or。r包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等的非取代烷基；氯甲基等的取代烷基。这些之中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。羟基没有特别限定，可以是能够水解的基团水解产生的羟基。更优选rc为－or(式中，r表示取代或非取代的c1-3烷基，更优选表示甲基)。上述式中，rc在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。该低级烷基优选为碳原子数1～20的烷基，更优选为碳原子数1～6的烷基，进一步优选为甲基。式中，k在每次出现时分别独立，为0～3的整数；l在每次出现时分别独立，为0～3的整数；m在每次出现时分别独立，0～3的整数。其中，k、l和m之和为3。上述式(c1)和(c2)所示的化合物例如能够通过以对应于rf－pfpe－部分的全氟聚醚衍生物为原料，在末端导入羟基之后，在末端导入具有不饱和键的基团，使该具有不饱和键的基团与具有卤素原子的甲硅烷衍生物反应，进一步对该甲硅烷基在末端导入羟基，使导入的具有不饱和键的基团与甲硅烷衍生物反应来得到。例如，能够如下所述操作来得到。优选的式(c1)和(c2)所示的化合物为下述式(c1”)和(c2”)所示的化合物：rf-pfpe-x7-sira3…(c1”)ra3si-x7-pfpe-x7-sira3…(c2”)[式中：pfpe分别独立，为下式所示的基团；-(oc4f8)a-(oc3f6)b-(oc2f4)c-(ocf2)d-(式中，a、b、c和d分别独立，为0～200的整数，a、b、c和d之和至少为1，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。)；rf在每次出现时分别独立，表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；x7表示-ch2o(ch2)2-、-ch2o(ch2)3-或-ch2o(ch2)6-；ra在每次出现时分别独立，表示-z-sir71pr72qr73r；z表示c1-6亚烷基；r71在每次出现时分别独立，表示ra’；ra’与ra意义相同；ra中，经由z基连结为直链状的si最多为5个；r72在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团；r73在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基；p在每次出现时分别独立，为0～2的整数；q在每次出现时分别独立，为1～3的整数、优选为3；r在每次出现时分别独立，为0～2的整数；其中，一个ra中，p、q和r之和为3。]。上述式(c1)和(c2)所示的化合物例如能够如下所述操作来制造。将下述式(c1-4)或(c2-4)所示的化合物与hsir83krb1rcm(式中，r83为卤素原子、例如氟原子、氯原子、溴原子或碘原子、优选为氯原子，rb在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团，rc在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基，k为1～3的整数，1和m分别独立，为0～2的整数，k、l和m之和为3。)所示的化合物反应，得到式(c1-5)或(c2-5)所示的化合物，(rf-pfpe)γ’-x7’-(r82-ch＝ch2)γ…(c1-4)(ch2＝ch-r82)γ-x7’-pfpe-x7’-(r82-ch＝ch2)γ…(c2-4)[式中：pfpe分别独立，为下式所示的基团；-(oc4f8)a-(oc3f6)b-(oc2f4)c-(ocf2)d-(式中，a、b、c和d分别独立，为0～200的整数，a、b、c和d之和至少为1，带有下标a、b、c或d并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。)；rf在每次出现时分别独立，表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16的烷基；x7’分别独立，表示单键或2～10价的有机基团；γ分别独立，为1～9的整数；γ’分别独立，为1～9的整数；r82为单键或2价的有机基团。]，(rf-pfpe)γ’-x7’-(r82-ch2ch2-sir83krb1rcm)γ…(c1-5)(rcmrb1r83ksi-ch2ch2-r82)γ-x7’-pfpe-**x7’-(r82-ch2ch2-sir83krb1rcm)γ…(c2-5)[式中，rf、pfpe、r82、r83、rb、rc、γ、γ’、x7’、k、l和m与上述意义相同。]。将所得到的式(c1-5)或(c2-5)所示的化合物与hal-j-r84-ch＝ch2(式中，hal表示卤素原子(例如，i、br、cl、f等)，j表示mg、cu、pd或zn，r84表示单键或2价的有机基团。)所示的化合物反应，得到式(c1-6)或(c2-6)所示的化合物：(rf-pfpe)γ’-x7’-(r82-ch2ch2-sirb1rcm(r84-ch＝ch2)k)γ…(c1-6)((ch＝ch2-r84)krcmrb1si-ch2ch2-r82)γ-x7’-pfpe-**x7’-(r82-ch2ch2-sirblrcm，(r84-ch＝ch2)k)γ…(c2-6)[式中，rf、pfpe、r82、r84、rb、rc、γ、γ’、x7’、k、l和m与上述意义相同。]。将所得到的式(c1-6)或(c2-6)所示的化合物与hsim3(式中，m分别独立，为卤素原子、r72或r73，r72在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团，r73在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。)反应，根据需要，将上述卤素原子转变为r72或r73，能够得到式(c1”’)或(c2”’)所示的化合物：(rf-pfpe)γ’-x7’-(r82-ch2ch2-sirb1rcm(r84-ch2ch2-sir72qr73r)k)γ…(c1”’)((r72qr73rsi-ch2ch2-r84)krcmrb1si-ch2ch2-r82)γ-x7’-pfpe-**x7’-(r82-ch2ch2-sirb1rcm(r84-ch2ch2-sir72qr73r)k)γ…(c2”’)[式中，rf、pfpe、r72、r73、r82、r84、rb、rc、γ、γ’、x7’、k、l和m与上述意义相同；q在每次出现时分别独立，为1～3的整数；r在每次出现时分别独立，为0～2的整数。]。式(c1”’)或(c2”’)中，x7’直至r82-ch2ch2-的部分对应于式(c1)或(c2)中的x7，-r84-ch2ch2-对应于式(c1)或(c2)中的z。式(d1)和(d2)：(rf-pfpe)δ’-x9-(crdk2re12rfm2)δ…(d1)(rfm2re12rdk2c)δ-x9-pfpe-x-(crdk2re12rfm2)δ…(d2)上述式(d1)和(d2)中，rf和pfpe与上述式(a1)和(a2)的相关记载的意义相同。上述式中，x9分别独立，表示单键或2～10价的有机基团。该x9理解为在式(d1)和(d2)所示的化合物中连结主要提供拨水性和表面滑性等的全氟聚醚部(即，rf-pfpe部或-pfpe-部)与提供和基材的结合能的部分(即，带有δ并被括号括起来的基团)的接头。因此，该x9只要使式(d1)和(d2)所示的化合物能够稳定存在即可，可以为任意的有机基团。上述式中，δ为1～9的整数，δ’为1～9的整数。这些δ和δ’可以根据x9的价数而变化。式(d1)中，δ和δ’之和与x9的价数相同。例如，x为10价的有机基团时，δ和δ’之和为10，例如可以是δ为9且δ’为1、δ为5且δ’为5、或δ为1且δ’为9。另外，x9为2价的有机基团时，δ和δ’为1。式(d2)中，δ为从x9的价数减去1的值。上述x9优选为2～7价，更优选为2～4价，进一步优选为2价的有机基团。在一个方式中，x9为2～4价的有机基团，δ为1～3，δ’为1。在其它方式中，x9为2价的有机基团，δ为1，δ’为1。此时，式(d1)和(d2)以下述式(d1’)和(d2’)表示。rf-pfpe-x9-crdk2re12rfm2…(d1’)rfm2re12rdk2c-x9-pfpe-x9-crdk2re12rfm2…(d2’)作为上述x9的例子，没有特别限定，例如可以列举与x1相关的记载的基团相同的基团。其中，优选的具体的x9可以列举－ch2o(ch2)2－、－ch2o(ch2)3－、－ch2o(ch2)6－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－ch2o(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－、－ch2ocf2chfocf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2－、－ch2ocf2chfocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf2cf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2－、－ch2och2chfcf2ocf(cf3)cf2ocf2cf2cf2－－ch2och2(ch2)7ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)3－、－ch2och2ch2ch2si(och3)2osi(och3)2(ch2)2－、－ch2och2ch2ch2si(och2ch3)2osi(och2ch3)2(ch2)2－、－(ch2)2－、－(ch2)3－、－(ch2)4－、－(ch2)5－、－(ch2)6－、－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)2－－conh－(ch2)3－、－con(ch3)－(ch2)3－、－con(ph)－(ch2)3－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)6－、－con(ch3)－(ch2)6－、－con(ph)－(ch2)6－(式中，ph是指苯基)、－conh－(ch2)2nh(ch2)3－、－conh－(ch2)6nh(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)3－、－ch2o－conh－(ch2)6－、－s－(ch2)3－、－(ch2)2s(ch2)3－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2osi(ch3)2osi(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)2si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)3si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)10si(ch3)2(ch2)2－、－conh－(ch2)3si(ch3)2o(si(ch3)2o)20si(ch3)2(ch2)2－－c(o)o－(ch2)3－、－c(o)o－(ch2)6－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)2－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－(ch2)3－、－ch2－o－(ch2)3－si(ch3)2－(ch2)2－si(ch3)2－ch(ch3)－ch2－、－och2－、－o(ch2)3－、－ocfhcf2－、等。上述式中，rd在每次出现时分别独立，表示－z2－cr81p2r82q2r83r2。式中，z2在每次出现时分别独立，表示氧原子或2价的有机基团。上述z2优选为c1-6亚烷基、－(ch2)g－o－(ch2)h－(式中，g为0～6的整数、例如为1～6的整数，h为0～6的整数、例如为1～6的整数)或－亚苯基－(ch2)i－(式中，i为0～6的整数)，更优选为c1-3亚烷基。这些基团例如可以被选自氟原子、c1-6烷基、c2-6烯基和c2-6炔基中的1个或1个以上的取代基取代。式中，r81在每次出现时分别独立，表示rd’。rd’与rd意义相同。rd中，经由z2基连结为直链状的c最多为5个。即，上述rd中，r81至少存在一个时，在rd中经由z2基连结为直链状的si原子存在2个以上，这样经由z2基连结为直链状的c原子的个数最多为5个。此外，“rd中经由z2基连结为直链状的c原子的个数”与在rd中连结为直链状的－z2－c－的重复数相等。这与式(c1)和(c2)中的ra相关的记载相同。优选的方式中，“rd中经由z2基连结为直链状的c原子的个数”在全部链中为1个(左式)或2个(右式)。在一个方式中rd中经由z2基连结为直链状的c原子的个数为1个或2个、优选为1个。式中，r82表示－y－sir85n2r863-2n。y在每次出现时分别独立，表示2价的有机基团。优选的方式中，y为c1-6亚烷基、－(ch2)g’－o－(ch2)h’－(式中，g’为0～6的整数、例如为1～6的整数，h’为0～6的整数、例如为1～6的整数)、或－亚苯基－(ch2)i’－(式中，i’为0～6的整数)。这些基团例如可以被选自氟原子、c1-6烷基、c2-6烯基和c2-6炔基中的1个或1个以上的取代基取代。在一个方式中，y可以为c1-6亚烷基、－o－(ch2)h’－或－亚苯基－(ch2)i’－。y为上述的基团时，光耐性、特别是紫外线耐性可以变得更高。上述r5在每次出现时分别独立，表示羟基或能够水解的基团。在本说明书中使用时，上述“能够水解的基团”是指可以发生水解反应的基团。作为能够水解的基团的例子，可以列举－or、－ocor、－o－n＝c(r)2、－n(r)2、－nhr、卤素(这些式中，r表示取代或非取代的碳原子数1～4的烷基)等，优选为－or(烷氧基)。r的例子包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等的非取代烷基；氯甲基等的取代烷基。这些之中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。羟基没有特别限定，可以是能够水解的基团水解产生的羟基。优选r85为－or(式中，r表示取代或非取代的c1-3烷基、更优选表示乙基或甲基、特别是甲基)。上述r86在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。该低级烷基优选为碳原子数1～20的烷基、更优选为碳原子数1～6的烷基、进一步优选为甲基。n2在每个(－y－sir85n2r863-n2)单位中独立地表示0～3的整数，优选为1～3的整数、更优选为2或3、更进一步优选为3。上述r83在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。该低级烷基优选为碳原子数1～20的烷基、更优选为碳原子数1～6的烷基、进一步优选为甲基。式中，p2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；q2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；r2在每次出现时分别独立，为0～3的整数。其中，p2、q2和r2之和为3。优选的方式中，rd中的末端的rd’(不存在rd’时，为rd)中，上述q2优选为2以上、例如2或3，更优选为3。优选的方式中，rd的末端部的至少一个可以为－c(－y－sir85q2r86r2)2或－c(－y－sir85q2r86r2)3、优选为－c(－y－sir85q2r86r2)3。式中，(－y－sir85q2r86r2)的单元优选为(－y－sir853)。更优选的方式中，rd的末端部可以全部为－c(－y－sir85q2r86r2)3、优选为－c(－y－sir853)3。上述式中，re在每次出现时分别独立，表示－y－sir85n2r863-n2。这里，y、r85、r86和n2与上述r82中的记载意义相同。上述式中，rf在每次出现时分别独立，表示氢原子或低级烷基。该低级烷基优选为碳原子数1～20的烷基、更优选为碳原子数1～6的烷基、进一步优选为甲基。式中，k2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；l2在每次出现时分别独立，为0～3的整数；m2在每次出现时分别独立，为0～3的整数。其中，k2、l2和m2之和为3。在一个方式中，至少一个k2为2或3，优选为3。在一个方式中，k2为2或3，优选为3。在一个方式中，l2为2或3，优选为3。上述式(d1)和(d2)中，至少一个q2为1～3的整数，或者至少一个l为1～3的整数3。即，至少存在一个－y－sir85n2r863－n2基。优选至少一个q2为2或3，或者至少一个l为2或3。即，式中，至少存在2个－y－sir85n2r863－n2基。另外，上述式(d1)和(d2)中，至少一个n2为1～3的整数。即，至少存在一个r85。式(d1)或式(d2)所示的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物能够通过组合公知的方法来制造。例如，x为2价的式(d1’)所示的化合物没有限定，能够如下所述操作来制造。在ho－x－c(yoh)3(式中，x和y分别独立，为2价的有机基团。)所示的多元醇中导入含有双键的基团(优选为烯丙基)、和卤素(优选为溴)，得到hal－x－c(y－o－r－ch＝ch2)3(式中，hal为卤素、例如br，r为二价的有机基团、例如亚烷基。)所示的含有双键的卤化物。接着，使末端的卤素与rpfpe－oh(式中，rpfpe为含全氟聚醚基的基团。)所示的含全氟聚醚基的醇反应，得到rpfpe－o－x－c(y－o－r－ch＝ch2)3。接着，使末端的－ch＝ch2与hsicl3和醇或hsir853反应，能够得到rpfpe－o－x－c(y－o－r－ch2－ch2－sir853)3。本发明中使用的表面处理剂所含的含全氟聚醚基的硅烷化合物的数均分子量优选为5,000以上，更优选为6,000以上，优选为100,000以下，更优选为30,000以下，进一步优选为10,000以下。本发明中使用的表面处理剂所含的含全氟聚醚基的硅烷化合物中的pfpe部分的数均分子量没有特别限定，可以优选为4,000～30,000、更优选为5,000～10,000。本发明中，“数均分子量”通过gpc(凝胶渗透色谱)分析测定。本发明中使用的表面处理剂可以用溶剂稀释。作为这样的溶剂，没有特别限定，例如可以列举选自全氟己烷、cf3cf2chcl2、cf3ch2cf2ch3、cf3chfchfc2f5、1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6－十三氟辛烷、1,1,2,2,3,3,4－七氟环戊烷((zeororah(商品名)等)、c4f9och3、c4f9oc2h5、cf3ch2ocf2chf2、c6f13ch＝ch2、六氟二甲苯、全氟苯、甲基十五氟庚酮、三氟乙醇、五氟丙醇、六氟异丙醇、hcf2cf2ch2oh、甲基三氟甲磺酸酯、三氟乙酸和cf3o(cf2cf2o)m(cf2o)ncf2cf3[式中，m和n分别独立，为0以上1000以下的整数，带有m或n并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的，其中m和n之和为1以上。]、1,1－二氯－2,3,3,3－四氟－1－丙烯、1,2－二氯－1,3,3,3－四氟－1－丙烯、1,2－二氯－3,3,3－三氟－1－丙烯、1,1－二氯－3,3,3－三氟－1－丙烯、1,1,2－三氯―3,3,3－三氟－1－丙烯、1,1,1,4,4,4－六氟－2－丁烯中的溶剂。这些溶剂能够单独使用或作为2种以上的混合物使用。本发明中使用的表面处理剂除了含全氟聚醚基的硅烷化合物以外，可以还含有其它成分。作为这样的其它成分，没有特别限定，例如，可以列举可以理解为含氟油的(非反应性的)氟聚醚化合物、优选为全氟聚醚化合物(以下，称为“含氟油”)、可以理解为硅油的(非反应性的)有机硅化合物(以下，称为“硅油”)、催化剂等。作为上述含氟油，没有特别限定，例如可以列举以下通式(3)所示的化合物(全氟聚醚化合物)。rf1－(oc4f8)a’－(oc3f6)b’－(oc2f4)c’－(ocf2)d’－rf2…(3)式中，rf1表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的c1-16的烷基(优选为c1―16的全氟烷基)，rf2表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的c1-16的烷基(优选为c1-16的全氟烷基)、氟原子或氢原子，更优选rf1和rf2分别独立，为c1-3的全氟烷基。a’、b’、c’和d’分别表示构成聚合物的主骨架的4种全氟聚醚的重复单元数，相互独立为0以上300以下的整数，a’、b’、c’和d’之和至少为1、优选为1～300、更优选为20～300。带有下标a’、b’、c’或d’并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。这些重复单元之中－(oc4f8)－可以为－(ocf2cf2cf2cf2)－、－(ocf(cf3)cf2cf2)－、－(ocf2cf(cf3)cf2)－、－(ocf2cf2cf(cf3))－、－(oc(cf3)2cf2)－、－(ocf2c(cf3)2)－、－(ocf(cf3)cf(cf3))－、－(ocf(c2f5)cf2)－和－(ocf2cf(c2f5))－中的任意种，优选为－(ocf2cf2cf2cf2)－。－(oc3f6)－可以为－(ocf2cf2cf2)－、－(ocf(cf3)cf2)－和－(ocf2cf(cf3))－中的任意种，优选为－(ocf2cf2cf2)－。－(oc2f4)－可以为－(ocf2cf2)－和－(ocf(cf3))－中的任意种，优选为－(ocf2cf2)－。作为上述通式(3)所示的全氟聚醚化合物的例子，可以列举以下通式(3a)和(3b)的任一种所示的化合物(可以为1种或2种以上的混合物)。rf1－(ocf2cf2cf2)b”－rf2…(3a)rf1－(ocf2cf2cf2cf2)a”－(ocf2cf2cf2)b”－(ocf2cf2)c”－(ocf2)d”－rf2…(3b)这些式中，rf1和rf2如上所述；式(3a)中，b”为1以上100以下的整数；式(3b)中，a”和b”分别独立，为0以上30以下、例如1以上30以下的整数，c”和d”分别独立，为1以上300以下的整数。带有下标a”、b”、c”、d”并被括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。上述含氟油可以具有1,000～30,000的平均分子量。由此，能够得到高的表面滑性。本发明中使用的表面处理剂中，相对于上述含全氟聚醚基的硅烷化合物的合计100质量份(分别为2种以上时，为它们的合计，以下也相同)，例如可以含有含氟油0～500质量份、优选为0～400质量份、更优选为5～300质量份。通式(3a)所示的化合物和通式(3b)所示的化合物分别可以单独使用，也可以组合使用。与通式(3a)所示的化合物相比，使用通式(3b)所示的化合物时可以得到更高的表面滑性，故而优选。将这些组合使用时，通式(3a)所示的化合物与通式(3b)所示的化合物的质量比优选为1﹕1～1﹕30，更优选为1﹕1～1﹕10。采用这样的质量比，能够得到表面滑性和摩擦耐久性的平衡优异的表面处理层。在一个方式中，含氟油含有通式(3b)所示的1种或1种以上的化合物。这样的方式中，表面处理剂中的含全氟聚醚基的硅烷化合物的合计与式(3b)所示的化合物的质量比优选为10﹕1～1﹕10，更优选为4﹕1～1﹕4。在一个方式中，式(3a)所示的化合物的平均分子量优选为2,000～8,000。在一个方式中，式(3b)所示的化合物的平均分子量优选为8,000～30,000。在其它方式中，式(3b)所示的化合物的平均分子量优选为3,000～8,000。优选的方式中，在通过真空蒸镀法形成表面处理层时，可以使含氟油的平均分子量大于含全氟聚醚基的硅烷化合物的平均分子量。通过设为这样的平均分子量，能够得到更优异的摩擦耐久性和表面滑性。另外，根据其它的观点，含氟油可以为通式rf3－f(式中，rf3为c5-16全氟烷基。)所示的化合物。另外，可以为氯三氟乙烯寡聚物。从得到与在末端为c1-16全氟烷基的上述分子末端具有碳-碳不饱和键的含氟化合物所示的化合物的高亲和性的方面考虑，优选rf3－f所示的化合物和氯三氟乙烯寡聚物。含氟油有助于使表面处理层的表面滑性提高。作为上述硅油，例如，可以使用硅氧烷键为2,000以下的直链状或环状的硅油。直链状的硅油可以为所谓的普通硅油和改性硅油。作为普通硅油，可以列举二甲基硅油、甲基苯基硅油、甲基氢化硅油。作为改性硅油，可以列举将普通硅油用烷基、芳烷基、聚醚、高级脂肪酸酯、氟烷基、氨基、环氧、羧基、醇等进行了改性的硅油。环状的硅油例如可以列举环状二甲基硅氧烷油等。本发明中使用的表面处理剂中，相对于含全氟聚醚基的硅烷化合物的合计100质量份(为2种以上时，为它们的合计，以下也同样)，这样的硅油例如可以含有0～300质量份，优选含有0～200质量份。硅油有助于使表面处理层的表面滑性提高。作为上述催化剂，可以列举酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、碱(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、过渡金属(例如ti、ni、sn等)等。催化剂促进含全氟聚醚基的硅烷化合物的水解和脱水缩合，促进表面处理层的形成。作为形成表面处理层的方法，例如，可以列举在硅氧化物层的表面形成含有含氟硅烷化合物的表面处理剂的膜，根据需要对该膜进行后处理，由此形成表面处理层的方法。上述表面处理剂的膜形成能够通过对硅氧化物层的表面以覆盖该表面的方式应用表面处理剂来实施。覆盖方法没有特别限定。例如，能够使用湿润覆盖法和干燥覆盖法。作为湿润覆盖法的例子，可以列举浸渍涂敷、旋涂、流涂、喷涂、辊涂、凹版涂敷和类似的方法。作为干燥覆盖法的例子，可以列举pvd法、cvd法和类似的方法。pvd法是指将固体原料在真空中进行加热(真空蒸镀)或者照射高速的电子、离子来对固体表面的原子赋予物理能量使其气化，使其在基材上再结合，从而形成薄膜的方法。作为pvd法，没有特别限定，例如可以列举蒸镀法(通常为真空蒸镀法)和溅射等。作为蒸镀法(通常为真空蒸镀法)的具体例，可以列举电阻加热、电子束、使用微波等的高频加热、离子束和类似的方法。作为cvd方法的具体例，可以列举等离子体-cvd、光学cvd、热cvd和类似的方法。其中，优选pvd法，特别是蒸镀法、例如电阻加热蒸镀或电子束蒸镀，更优选电子束蒸镀。通过使用pvd法，能够得到具有更高的摩擦耐久性的表面处理层。另外，也能够进行利用常压等离子体法的覆盖。使用湿润覆盖法时，本发明中使用的表面处理剂可以用溶剂稀释之后应用于基材表面。从本发明中使用的表面处理剂的稳定性和溶剂的挥发性的观点考虑，优选使用如下的溶剂：c5-12的全氟脂肪族烃(例如，全氟己烷、全氟甲基环己烷和全氟－1,3－二甲基环己烷)；聚氟芳香族烃(例如，双(三氟甲基)苯)；聚氟脂肪族烃(例如，c6f13ch2ch3(例如，旭硝子株式会社制的asahiklin(注册商标)ac-6000)、1,1,2,2,3,3,4－七氟环戊烷(例如，日本zeon株式会社制的zeorora(注册商标)h)；氢氟烃(hfc)(例如，1,1,1,3,3－五氟丁烷(hfc-365mfc))；氢氯氟烃(例如，hcfc-225(asahiklin(注册商标)ak225))；氢氟醚(hfe)(例如，全氟丙基甲醚(c3f7och3)(例如，住友3m株式会社制的novec(商标名)7000)、全氟丁基甲醚(c4f9och3)(例如，住友3m株式会社制的novec(商标名)7100)、全氟丁基乙醚(c4f9oc2h5)(例如，住友3m株式会社制的novec(商标名)7200)、全氟己基甲醚(c2f5cf(och3)c3f7)(例如，住友3m株式会社制的novec(商标名)7300)等的烷基全氟烷基醚(全氟烷基和烷基可以为直链或支链状)、或者cf3ch2ocf2chf2(例如，旭硝子株式会社制的asahiklin(注册商标)ae-3000))、1,2－二氯－1,3,3,3－四氟－1－丙烯(例如，dupont-mitsuifluorochemicals公司制的vertrel(注册商标)sion)等。这些溶剂能够单独使用或组合2种以上作为混合物使用。另外，例如为了调整含全氟聚醚基的硅烷化合物的溶解性等，也能够与其它溶剂混合。使用干燥覆盖法时，本发明中使用的表面处理剂可以直接实施干燥覆盖法，或者也可以用上述的溶剂稀释之后实施干燥覆盖法。干燥覆盖法中使用的表面处理剂含有溶剂时，可以预先除去表面处理剂中的溶剂。通过除去溶剂，能够得到具有更高的摩擦耐久性的表面处理层。除去溶剂的方法例如可以列举减压蒸馏除去。减压蒸馏除去时的温度优选为0～200℃，更优选为10～80℃。另外，减压蒸馏除去时的压力优选为1×10-4pa～1×103pa，更优选为1×10-2pa～1×102pa。例如，使用含有溶剂的表面处理剂进行pvd处理时，能够先在其它装置等将溶剂减压蒸馏除去，将作为其残渣的含全氟聚醚基的硅烷化合物(和存在时的含氟油、硅油等其它成分)提供至pvd装置内，进行真空蒸镀。膜形成优选以在膜中表面处理剂与用于水解和脱水缩合的催化剂共同存在的方式实施。简单而言，利用湿润覆盖法时，在将表面处理剂用溶剂稀释后、在即将应用于基材表面之前，可以在表面处理剂的稀释液中添加催化剂。利用干燥覆盖法时，可以将添加了催化剂的表面处理剂直接进行蒸镀(通常为真空蒸镀)处理，或者使用在铁或铜等的金属多孔体含浸有添加了催化剂的表面处理剂的粒料状物质进行蒸镀(通常为真空蒸镀)。催化剂能够使用任意的适当的酸或碱。作为酸催化剂，例如能够使用乙酸、甲酸、三氟乙酸等。另外，作为碱催化剂，例如能够使用氨、有机胺类等。接着，根据需要，对膜进行后处理。该后处理没有特别限定，例如，可以依次实施水分供给和干燥加热，更详细而言，可以如下所述实施。如上所述操作，在硅氧化物的表面形成表面处理剂的膜之后，对该膜(以下也称为“前体膜”)供给水分。水分的供给方法没有特别限定，例如可以使用利用前体膜(和基材)与周围气氛的温度差的结露、喷水蒸气(steam)等的方法。对前体膜供给水分时，可以认为水与表面处理剂中的含全氟聚醚基的硅烷化合物的与si结合的能够水解的基团发生作用，使该化合物迅速水解。水分的供给可以在例如0～250℃、优选为60℃以上、进一步优选为100℃以上、优选为180℃以下、进一步优选为150℃以下的气氛下实施。通过在这样的温度范围供给水分，能够进行水解。此时的压力没有特别限定，简单而言可以为常压。接着，将该前体膜在该基材的表面在超过60℃的干燥气氛下进行加热。干燥加热方法没有特别限定，将前体膜与基材一起配置于超过60℃、优选超过100℃的温度且例如250℃以下、优选为180℃以下的温度、且不饱和水蒸气压的气氛下即可。此时的压力没有特别限定，简单而言可以为常压。在这样的气氛下，在本发明的含有pfpe的硅烷化合物之间，水解后的与si结合的基团彼此迅速地脱水缩合。另外，这样的化合物与基材之间，该化合物的水解后的与si结合的基团与存在于基材表面的反应性基团之间迅速地发生反应，在存在于基材表面的反应性基团为羟基时，进行脱水缩合。其结果，在含全氟聚醚基的硅烷化合物与基材之间形成价键。上述的水分供给和干燥加热可以通过使用过热水蒸气连续地实施。过热水蒸气是将饱和水蒸气加热到高于沸点的温度得到的气体，在常压下为通过加热至超过100℃、一般而言500℃以下、例如300℃以下的温度、且超过沸点的温度来形成为不饱和水蒸气压的气体。本发明中，从抑制含全氟聚醚基的硅烷化合物的分解的观点考虑，优选在水分供给和干燥加热时使用250℃以下、优选为180℃以下的过热水蒸气。将形成了前体膜的基材暴露于过热水蒸气时，首先，由于过热水蒸气与比较低温的前体膜之间的温度差，在前体膜表面产生结露，由此对前体膜供给水分。接着，随着过热水蒸气与前体膜之间的温度差变小，前体膜表面的水分由于过热水蒸气在干燥气氛中气化，前体膜表面的水分量逐渐降低。前体膜表面的水分量降低期间、即前体膜处于干燥气氛期间，基材表面的前体膜通过与过热水蒸气接触，加热为该过热水蒸气的温度(常压下为超过100℃的温度)。因此，如果采用过热水蒸气，则仅通过将形成有前体膜的基材暴露于过热水蒸气，能够连续地实施水分供给和干燥加热。可以如上所述操作来实施后处理。这样的后处理可以是为了进一步提高摩擦耐久性而实施的，但需要注意，并不是制造本发明的物品所必须的。例如，对基材表面应用表面处理剂之后，可以仅直接进行静置。如上所述操作，在基材的表面形成来源于本发明的表面处理剂的膜的表面处理层，制造本发明的物品。由此得到的表面处理层具有高的摩擦耐久性。另外，该表面处理层除了具有高的摩擦耐久性以外，根据所使用的表面处理剂的组成，可以具有拨水性、拨油性、防污性(例如防止指纹等污渍的附着)、防水性(防止水向电子部件等的浸入)、表面滑性(或润滑性、例如指纹等的污渍的擦拭性、对手指的优异的触感)等，可以作为功能性薄膜合适地利用。由本发明得到的物品没有特别限定，可以为光学部件。作为光学部件，例如，可以列举下述的光学部件：例如，阴极射线管(crt：例如，tv、电脑监视器)、液晶显示器、等离子体显示器、有机el显示器、无机薄膜el点阵显示器、背投型显示器、荧光显示管(vfd)、场发射显示器(fed：fieldemissiondisplay)等的显示器或这些显示器和前表面保护板、防反射板、偏光板、防眩板、或者对这些的表面实施了防反射膜处理得到的部件；眼镜等的透镜；便携电话、便携信息终端等的机器的触摸面板片；蓝光(blu-ray(注册商标))盘、dvd盘、cd-r、mo等的光盘的盘面；光纤；时钟的显示面等。通过本发明得到的物品还能够列举陶瓷制品、涂面、布制品、皮革制品、医疗品和石膏等。另外，通过本发明得到的物品也可以是医疗机器或医疗材料。表面处理层的厚度没有特别限定。为光学部件时，从光学性能、表面滑性、摩擦耐久性和防污性的观点考虑，表面处理层的厚度优选为1～50nm、优选为1～30nm、更优选为1～15nm的范围，。上述的本发明的物品具有高的摩擦耐久性和高的酸碱耐性，根据所使用的表面处理剂的组成，可以具有拨水性、拨油性、防污性(例如防止指纹等污渍的附着)、防水性(防止水向电子部件等的浸入)、表面滑性(或润滑性、例如指纹等的污渍的擦拭性、对手指的优异的触感)。本发明的物品的特征在于在其上形成有表面处理层的硅氧化物层通过化学气相沉积法形成，由于该特征而具有优异的表面滑性和酸碱耐性。通过利用cvd法形成硅氧化物层，能够形成具有特定的ra的硅氧化物层、具有无定形结构的硅氧化物层、具有特定的密度的硅氧化物层、或具有特定的膜中氢浓度的硅氧化物层。因此，在一个方式中，本发明提供一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品，其特征在于，硅氧化物层的表面粗糙度(ra：中心线平均粗糙度)为0.2nm以下。优选的方式中，ra可以为0.15nm以下。在其它方式中，本发明提供一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品，其特征在于，硅氧化物层的至少一部分为无定形的。优选的方式中，硅氧化物层中，硅氧化物层整体的50％以上、进一步优选为硅氧化物层整体的80％以上为无定形的。在其它方式中，本发明提供一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品，其特征在于，硅氧化物层具有2.25g/cm3～2.60g/cm3的密度。优选的方式中，硅氧化物层的密度为2.30g/cm3～2.50g/cm3、优选为2.35g/cm3～2.45g/cm3的密度、例如可以为2.38g/cm3～2.42g/cm3。在其它方式中，本发明提供一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品，其特征在于，硅氧化物层的膜中氢浓度为1～10at％。优选的方式中，硅氧化物层的膜中氢浓度可以为2at％以上、3at％以上、4at％以上或5at％以上，可以为9at％以下、8at％以下、7at％以下或6at％以下。例如，硅氧化物层的膜中氢浓度可以为1～10at％、2～10at％、3～10at％、4～10at％或5～10at％、或者1～9at％、1～8at％、1～7at％或1～6at％、或者2～9at％、3～8at％、4～7at％、或5～6at％。在其它方式中，本发明提供一种具有基材、位于该基材上的硅氧化物层和形成于该硅氧化物层上的表面处理层而成的物品，其特征在于，硅氧化物层中的si/o组成比(mol比)为0.6～1.5。优选的方式中，硅氧化物层中的si/o组成比可以为1.5以下，优选为大于0.5。si/o组成比优选为0.6～1.5、更优选为0.7～1.3、例如可以为0.7～1.2、0.8～1.3或0.8～1.2。实施例关于本发明的物品，通过以下的实施例进行具体的说明，本发明并不限定于实施例。实施例1·硅氧化物层的形成作为基材，准备化学强化玻璃(corning公司制、“gorilla”玻璃、厚度0.7mm)。用h2so4/h2o2/h2o(1﹕1﹕5)的混合溶液清洗基材的表面，作为硅源使用sih4气体，作为氧源使用n2o气体，利用东京毅力科创制triascvd装置进行等离子体cvd，在基材表面形成硅氧化物(sio)层。(等离子体cvd成膜条件)rf功率密度：1.0w/cm2基板温度：200℃工艺压力：150pa材料气体流量比(体积比)：sih4﹕n2o﹕h2＝1﹕30﹕100成膜速度：0.7nm/秒处理时间：100秒利用偏振光椭圆率测量仪(ellipsometer；horibajobinyvon社制)测定所得到的硅氧化物层的膜厚。硅氧化物层的膜厚为70nm。·表面处理材的制备将下述式(平均组成)所示的含氟化合物溶解于氢氟醚(3m公司制、novechfe7200)使浓度成为20wt％，制备表面处理剂。cf3cf2cf2o(cf2cf2cf2o)mcf2cf2ch2och2ch2ch2si[ch2ch2ch2si(och3)3]3(m＝21、mn＝3980)*m的值为由19f-nmr测得的值，mn为由gpc测得的值。·表面处理层的形成将上述得到的硅氧化物层在加速电压1000v、加速电流500ma、压力2×10-2pa下实施o2离子清洁。接着，将上述制备的表面处理剂在硅氧化物层上真空蒸镀。将真空蒸镀的处理条件设为压力3.0×10-3pa，对于每1片化学强化玻璃(55mm×100mm)蒸镀表面处理剂2mg(即，含有0.4mg含全氟聚醚基的硅烷化合物)。此后，将带有蒸镀膜的化学强化玻璃在温度20℃和湿度65％的气氛下静置24小时，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。实施例2除了改变等离子体膜条件以外，与实施例1同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为30nm。(等离子体cvd成膜条件)rf功率密度：1.0w/cm2基板温度：200℃工艺压力：150pa材料气体流量比(体积比)：sih4﹕n2o﹕h2＝1﹕30﹕180成膜速度：0.5nm/秒处理时间：60秒实施例3除了将cvd的处理时间改变为30秒以外，与实施例2同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为15nm。比较例1除了代替cvd法形成硅氧化物层，利用pvd法(电子束(eb)蒸镀)进行以外，与实施例1同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为70nm。(eb蒸镀条件)·压力：2×10-2pa·基板温度：室温(约25℃)·原料：sio2结晶·蒸镀处理时间：230秒比较例2除了将pvd法(电子束(eb)蒸镀)的蒸镀处理时间改变为80秒以外，与比较例1同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为30nm。比较例3除了将pvd法(电子束(eb)蒸镀)的蒸镀处理时间改变为50秒以外，与比较例1同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为15nm。在下述表中表示上述得到的基材的特征。[表1](评价)·摩擦耐久性评价对上述的实施例1～3和比较例1～3的表面处理层测定水的静态接触角。水的静态接触角使用接触角测定装置(协和界面科学社制)，以水1μl实施。首先，作为初期评价，以表面处理层形成后、在表面未有任何接触的状态，测定水的静态接触角(摩擦次数0次)。此后，作为摩擦耐久性评价，实施钢丝绵摩擦耐久性评价。具体而言，将形成有表面处理层的基材水平配置，使钢丝绵(支数#0000、尺寸5mm×10mm×10mm)与表面处理层的露出上表面接触，在其上施加1,000gf的负重，此后，以施加有负重的状态使钢丝绵往返(距离：120mm(往返)、速度：60rpm)。在每一定的往返次数测定水的静态接触角(度)。在接触角的测定值低于100度的时刻中止评价。在下述表中表示结果。[表2]往返次数实施例1实施例2实施例3比较例1比较例2比较例30115115114113114114250011111111382971085000104111112－－1047500105113112－－10210000103113112－－9612500102113113－－－15000100112109－－－17500100112109－－－2000094107107－－－22500－61105－－－25000－－105－－－27500－－40－－－实施例4对于每1片化学强化玻璃(55mm×100mm)蒸镀表面处理剂0.25mg(即，含有0.05mg含全氟聚醚基的硅烷化合物)，除此以外，与实施例3同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为15nm。比较例4对于每1片化学强化玻璃(55mm×100mm)蒸镀表面处理剂0.25mg(即，含有0.05mg含全氟聚醚基的硅烷化合物)，除此以外，与比较例3同样操作，得到在基材上具有硅氧化物和表面处理层的物品。另外，利用偏振光椭圆率测量仪测得的硅氧化物层的膜厚为15nm。·耐汗试验(酸、碱耐久试验)对于上述的实施例4和比较例4的表面处理层，评价人工汗液耐久性。具体而言，在实施例4和比较例4中得到的物品的表面使具有下述组成的ph8.7和ph4.5的人工汗液约50μl静置，在60℃·90rh％的加温加湿条件下，放置规定的时间。此后，擦去表面的人工汗液，进一步对表面用蒸馏水、乙醇清洗，此后，测定水的静态接触角(度)。在下述表中表示结果。·ph8.7的人工汗液的组成对nacl：10g、na2hpo4·12h2o：2.5g、(nh4)2co3：4g添加纯水，使其合计1000ml。·ph4.5的人工汗液的组成对nacl：10g、na2hpo4·12h2o：2.5g、ch3ch(oh)cooh：1g添加纯水，使其合计1000ml。[表3]根据上述的表2和表3的结果，确认了使用cvd法形成硅氧化物层的实施例1～3与使用pvd法的比较例1～3相比，摩擦耐久性优异，实施例4与比较例4相比，酸、碱耐久性优异。即，确认了通过在利用cvd法形成的硅氧化物层上形成表面处理层，具有更优异的摩擦耐久性，进而能够形成具有更优异的酸、碱耐性的表面处理层。工业上的可利用性本发明可以适用于制造在表面含有具有高的摩擦耐久性、耐酸和耐碱耐性的表面处理层而成的物品。当前第1页12