一种PTFE基PCB覆铜板的制作方法

本实用新型涉及PCB覆铜板的制备领域，特别是涉及一种PTFE基PCB覆铜板。

背景技术：

印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步，电子设备高频化是发展趋势，尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展，信息产品在不断走向高速与高频化。发展新一代产品都需要高频PCB板，尤其卫星系统、移动电话接收基站等通信产品必须应用高频电路板，随着这些应用在未来几年内迅速发展，会对高频PCB板有大量需求。

聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene,PTFE，但也包括偏氟乙烯)具有优异的介电性能，它是目前为止发现的介电性能最好的有机材料，优异的介电性能有利于信号完整快速地传输。PTFE还有高耐热性和耐气候性能，这些性能保证电子设备可以在较恶劣的环境下长期正常工作，如暴露在户外、温差转换大的地方。所以，PTFE基覆铜板是军事、航天航空等领域不可缺少的材料之一。但是正是由于PTFE高度对称的结构及其F元素的特性使得PTFE基半固化片与铜片的压合非常困难，常规的压合覆铜方法非常容易引起铜片附着不牢固，从而容易脱落或者起泡，影响PTFE基PCB板铜线中信号的传输，尤其是对于高频信息的传输影响更大。因此本领域技术人员致力于开发一种能使铜片与PTFE基半固化片牢固结合的方法，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

技术实现要素：

本实用新型目的是，提出一种PTFE基PCB覆铜板及能使铜片与PTFE基半固化片牢固结合的方法，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的上缓冲层、PTFE基半固化片及下缓冲层对齐压合连接。

对两层PTFE基PCB覆铜板，所述的缓冲层包括设在PTFE基半固化片上下表面的上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板和下铜板，所述上铜板、上缓冲层、PTFE基半固化片、下缓冲层、下铜板从上到下依次对齐压合连接。

三层以上及更多层的PTFE基PCB覆铜板，类似上述，均保证每两层铜板间均设的夹在铜板间的上缓冲层、PTFE基半固化片及下缓冲层对齐(一道)压合连接。所述缓冲层是通过磁控溅射方法溅射的金属铜薄膜，厚度为10-30微米。

通过两步法压合PTFE基半固化片与铜片，包括：包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，所述的缓冲层是通过磁控溅射的方法溅射的金属铜薄膜缓冲层，包括上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板和下铜板。首先在PTFE基半固化片上下溅射上缓冲层后，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，然后进行热压处理。

先将PTFE基半固化片上下表面用磁控溅射的方法溅射一层铜薄膜缓冲层，然后将上铜板和下铜板放置于有缓冲层的PTFE基半固化片的两侧，放于抽真空的热压炉中施以合适的温度和压力进行压合。通过先溅射缓冲层的方法，然后再进行热压覆铜，缓冲层保证了铜片和PTFE基半固化片结合的牢固性。PTFE基半固化片通过缓冲层再与铜板接触压合，所述缓冲层是通过磁控溅射方法溅射的金属铜薄膜，可以保证可靠PTFE基半固化片缓冲层再与铜板的接触强度。

经过大量的实验数据显示，通过先在PTFE基半固化片是溅射铜缓冲层的方法，制备的覆铜板的综合性能更好。

本实用新型提供的一种通过两步方法，先溅射缓冲层的再热压的方法，包括以下步骤：

S1：将PTFE基半固化片放入磁控溅射腔体中，先将PTFE基半固化片的一面进行铜金属的溅射，溅射速率为每秒6-14纳米，溅射厚度为10-30微米，溅射过程中加热温度为120-200℃，然后将半固化片翻面，再对另一面进行铜金属的溅射，溅射厚度与第一面溅射厚度相同；或采用双面磁控溅射设备同时对PTFE基半固化片双面进行溅射，溅射厚度及溅射温度同上述；

S2：将溅射了铜金属薄膜缓冲层的PTFE基半固化片放于两片铜板之间；

S3：将S2所述结构的材料放于真空热压机中，真空度抽到大于5×10^-3mbar，然后开始升温，升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃，然后用80-150分钟时间升温到200-270℃。保温时间为60-120分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为3-4GPa，保温过程施加压力为3.5-4.5Gpa，并保证保温过程中施加压力比升温过程中施加压力大0.3-0.7Gpa。

S4：保温保压时间结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度小于0.1Gpa/s。

S5：将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，然后用裁边机对PTFE基PCB板裁边。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过先对PTFE基半固化片用磁控溅射进行缓冲层溅射，从而避免PTFE基半固化片与铜板直接接触，使铜片与缓冲层接触，更容易键合，保证压合的稳固性和耐压性。同时通过合理的缓冲层厚度、热压温度、热压压力和时间压合覆铜板，使PTFE基半固化片与铜板结合更好，此方法得到PTFE基PCB板材的铜在半固化片上附着更牢固。

附图说明：

图1为本实用新型二层PCB覆铜板截面结构示意图。

具体实施方式：

下面通过具体实施例对本实用新型做进一步的说明。

实施例1：

包括PTFE基半固化片1、缓冲层和铜板，所述的缓冲层包括设在PTFE基半固化片上下表面的上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板31和下铜板32，所述上铜板31、上缓冲层21、PTFE基半固化片1、下缓冲层22、下铜板32从上到下依次对齐压合连接。

S1：将PTFE基半固化片放入磁控溅射腔体中，先将PTFE基半固化片的一面进行铜金属的溅射，溅射速率为每秒10纳米，溅射厚度为22微米，溅射过程中加热温度为125℃，然后将PTFE基半固化片翻面，再对另一面进行铜金属的溅射，溅射厚度与第一面溅射厚度相同。亦可采用双面磁控溅射设备同时对PTFE基半固化片双面进行溅射。构成上缓冲层21、PTFE基半固化片1、下缓冲层22材料。

S2：将溅射了铜金属薄膜缓冲层的PTFE基半固化片放于两片铜板之间。

S3：将S2所述结构放于真空热压机中，真空度抽到3×10^-3mbar，然后开始升温，升温过程为先用40分钟快速升到150℃，然后用100分钟时间升温到220℃。保温时间为90分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为3.5GPa，保温过程施加压力为4Gpa。

S4：保温保压时间结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.1Gpa/s。

S5：将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，然后用裁边机对PTFE基PCB板裁边。多层板制备时一道对齐压合。工艺条件同上。

实施例2：

具体实施步骤如下：

S1：将PTFE基半固化片放入磁控溅射腔体中，先将PTFE基半固化片的一面进行铜金属的溅射，溅射速率为每秒12纳米，溅射厚度为25微米，溅射过程中加热温度为150℃，然后将PTFE基半固化片翻面，再对另一面进行铜金属的溅射，溅射厚度与第一面溅射厚度相同。

S2：将溅射了铜金属薄膜缓冲层的PTFE基半固化片放于两片铜板之间。

S3：将S2所述结构放于真空热压机中，真空度抽到1×10^-3mbar，然后开始升温，升温过程为先用50分钟快速升到170℃，然后用110分钟时间升温到250℃。保温时间为120分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4GPa，保温过程施加压力为4.5Gpa。

S4：保温保压时间结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.1Gpa/s。

S5：将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，然后用裁边机对PTFE基PCB板裁边。

以上所述两个实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述的两个实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此理解为对实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。