玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及玻璃层叠体的制造方法和电子器件的制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(IXD)、有机EL面板(OLED)等器件(电子设备)正在进行薄型化、轻量化，这些器件中使用的玻璃基板在进行薄板化。如果由于薄板化导致玻璃基板的强度不足，则在器件的制造工序中，玻璃基板的处理性会降低。
[0003]最近，为了应对上述问题，提出了下述方法:准备层叠有玻璃基板和增强板的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子器件用构件后，自玻璃基板分离增强板(例如参见专利文献I)。增强板具有支撑基板和固定在该支撑基板上的有机硅树脂层，有机硅树脂层与玻璃基板以可剥离的方式密合。增强板在玻璃层叠体的有机硅树脂层与玻璃基板的界面处被剥离，自玻璃基板分离的增强板可以与新的玻璃基板层叠，作为玻璃层叠体进行再利用。
[0004]另外，对于所形成的玻璃层叠体，有时会为了对玻璃基板的表面进行研磨而实施研磨处理(专利文献2)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开第2007/018028号
[0008]专利文献2:日本特开2013-149713号
【发明内容】
[0009]发明要解决的问题
[0010]另一方面，迄今已知有将其表面配置有涂膜的支撑基板载置于多个支撑销的顶部进行加热干燥的方法。
[0011]本发明人等在按照专利文献I中记载的方法制作增强板时，将表面配置有通过加热而形成有机硅树脂层的涂膜的支撑基板载置于多个支撑销的顶部进行加热干燥，形成有机硅树脂层之后，在有机硅树脂层上层叠玻璃基板来制作玻璃层叠体。然后，使所得玻璃层叠体中的支撑基板侧朝向规定的基板侧，将玻璃层叠体载置于规定的基板上，如专利文献1、2中所述地进行了在玻璃层叠体中的玻璃基板上的电子器件用构件的形成、对玻璃基板表面的研磨处理。然后，想要自规定的基板取下玻璃层叠体时，规定的基板与支撑基板密合，玻璃层叠体会被固定在规定的基板上，未能容易地取下。因此，发生了因工艺时间长期化而导致的生产率降低、电子器件的制造成品率降低。
[0012]本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供玻璃层叠体的制造方法，该方法能够制造在使支撑基板侧朝向各种基板地载置于各种基板上后能够容易地自该基板剥离的玻璃层叠体。
[0013]此外，本发明的目的还在于提供使用玻璃层叠体的电子器件的制造方法，所述玻璃层叠体是通过该玻璃层叠体的制造方法制造的。
_4] 用于解决问题的方案
[0015]本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研宄，从而完成了本发明。
[0016]S卩，本发明的第I发明是一种玻璃层叠体的制造方法，所述玻璃层叠体依次具有支撑基板、有机硅树脂层和玻璃基板，该方法包括下述工序:加热工序，其中，将具备具有第一主面和第二主面的支撑基板以及配置在支撑基板的第一主面上的固化性有机硅组合物层的带固化性层的支撑基板从支撑基板的第二主面侧用多个支撑销进行支撑，对带固化性层的支撑基板实施加热处理，形成有机硅树脂层；层叠工序，其中，在前述加热工序后，在有机硅树脂层上层叠玻璃基板；表面处理工序，其中，在层叠工序后、或者在加热工序后且层叠工序前，至少对支撑基板的第二主面实施选自由电晕处理、等离子体处理和UV臭氧处理组成的组中的至少I种处理。
[0017]在第I发明中，优选的是，固化性有机硅组合物层至少含有具有链烯基的有机链烯基聚硅氧烷和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
[0018]在第I发明中，优选的是，加热工序依次具备在第I温度下实施加热处理的第I加热工序以及在高于第I温度的第2温度下实施加热处理的第2加热工序。
[0019]在第I发明中，优选的是，带固化性层的支撑基板通过将含有固化性有机硅和溶剂的固化性有机硅组合物涂布在支撑基板的第一主面上而形成，
[0020]第I温度满足溶剂的初馏点_30°C <第I温度<溶剂的初馏点+30°C。
[0021]在第I发明中，优选的是，在层叠工序后，实施表面处理工序。
[0022]在第I发明中，优选的是，在表面处理工序中，沿着玻璃层叠体的输送方向排列多个电极对，所述电极对具备隔着输送所述层叠工序中得到的玻璃层叠体的输送路径而相向的高压电极和接地电极，将相邻的电极对中的一个高压电极配置于隔着输送路径的一侧，将另一个高压电极配置于隔着输送路径的另一侧，一边沿着输送路径输送玻璃层叠体，一边对高压电极施加高频电压，对玻璃层叠体实施电晕处理。
[0023]本发明的第2发明是一种电子器件的制造方法，该方法包括下述工序:构件形成工序，其中，在通过上述第I发明的制造方法制造的玻璃层叠体的玻璃基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；分离工序，其中，从带电子器件用构件的层叠体去除具有有机硅树脂层和支撑基板的带树脂层的支撑基板，得到具有玻璃基板和电子器件用构件的电子器件。
[0024]发明的效果
[0025]根据本发明，能够提供玻璃层叠体的制造方法，该方法能够制造在使支撑基板侧朝向各种基板地载置于各种基板上后能够容易地自该基板剥离的玻璃层叠体。
[0026]此外，根据本发明，还能够提供使用玻璃层叠体的电子器件的制造方法，所述玻璃层叠体是通过该玻璃层叠体的制造方法制造的。
【附图说明】
[0027]图1是示出本发明的玻璃层叠体的制造方法的第I发明的制造工序的流程图。
[0028]图2的㈧、⑶和(C)是按工序顺序示出本发明的玻璃层叠体的制造方法的第I实施方式的截面示意图。
[0029]图3是示出加热工序中的带固化性层的支撑基板的配置状态的示意图。
[0030]图4是示出电晕处理装置的一个实施方式的侧面图。
[0031]图5是示出本发明的玻璃层叠体的制造方法的第2发明的制造工序的流程图。
[0032]图6的(A)和(B)是按工序顺序示出本发明的电子器件的制造方法的一个实施方式的截面示意图。
[0033]附图标记说曰月
[0034]10支撑基板
[0035]1a支撑基板的第二主面
[0036]12固化性有机硅组合物层
[0037]14带固化性层的支撑基板
[0038]16有机硅树脂层
[0039]16a有机娃树脂层的与支撑基板侧相反一侧的表面
[0040]18带树脂层的支撑基板
[0041]20玻璃基板
[0042]20a玻璃基板的第一主面
[0043]20b玻璃基板的第二主面
[0044]22电子器件用构件
[0045]24带电子器件用构件的层叠体
[0046]26 电子器件
[0047]50支撑台
[0048]52支撑销
[0049]60电晕处理装置
[0050]62第I高压电极
[0051]64第I接地电极
[0052]66第2高压电极
[0053]68第2接地电极
[0054]70第I电极对
[0055]72第2电极对
[0056]74输送辊
[0057]76第I高频电源
[0058]78第2高频电源
[0059]100玻璃层叠体
[0060]X 玻璃层叠体
【具体实施方式】
[0061]以下参照附图来对本发明的优选实施方式进行说明，但本发明并不受以下实施方式的限制，可以在不脱离本发明的范围的情况下对以下实施方式施以各种变形和置换。
[0062]本发明人等针对上述问题进行了研宄，结果发现原因之一是在加热工序后或玻璃层叠体制作后(层叠工序后)有机硅树脂附着在支撑基板的第二主面(背面)侦U。
[0063]更具体而言，在加热工序时，有机硅树脂或其原料部分挥发，有机硅树脂附着在由支撑销所支撑的支撑基板的第二主面侧。因此，在使玻璃层叠体的支撑基板侧朝向规定的基板侧地将玻璃层叠体载置在规定的基板上时，由于在该规定的基板与玻璃层叠体中的支撑基板之间存在的有机硅树脂导致规定的基板与支撑基板的剥离强度上升，两者变得难以剥离。因而发现，通过在玻璃层叠体制作后对支撑基板的第二主面侧实施各种处理来去除有机硅树脂，能够解决上述问题。
[0064]本发明的玻璃层叠体的制造方法具备对带固化性层的支撑基板实施加热处理的加热工序、层叠玻璃基板的层叠工序以及进行表面处理的表面处理工序。另外，表面处理工序在上述层叠工序后或在上述加热工序后且上述层叠工序前实施。以下将前者的方式作为第I方式、将后者的方式作为第2方式进行说明。
[0065]〈〈第I方式》
[0066]图1是示出本发明的玻璃层叠体的制造方法的第I发明中的制造工序的流程图。如图1所示，第I发明依次具备加热工序S102、层叠工序S104和表面处理工序S106。
[0067]以下对各工序中使用的材料及其步骤进行详细说明。首先，对加热工序S102进行详细说明。
[0068]<加热工序>
[0069]加热工序S102是如下的工序:将具备具有第一主面和第二主面的支撑基板以及配置在支撑基板的第一主面上的固化性有机硅组合物层的带固化性层的支撑基板从支撑基板的第二主面(与存在固化性有机硅组合物层侧相反一侧的面)侧用多个支撑销进行支撑，对带固化性层的支撑基板实施加热处理，形成有机硅树脂层。更具体而言，通过对图2的(A)中的具备支撑基板10与固化性有机硅组合物层12的带固化性层的支撑基板14实施该工序S102，如图2(B)所示，可得到具备支撑基板10和有机硅树脂层16的带树脂层的支撑基板18。
[0070]以下首先详细说明本工序S102中使用的构件、材料(支撑基板、固化性有机硅组合物层)，然后对工序S102的步骤进行详细说明。
[0071](支撑基板)
[0072]支撑基板10具有第一主面和第二主面这2个主面，与后述的有机硅树脂层16共同作用，支撑并增强后述的玻璃基板20，并在后述的构件形成工序(电子器件用构件的制造工序)中制造电