璃基板难以单独进行研磨，难以在用于制作玻璃层叠体100前预先进行研磨。
[0170]对研磨的方法没有特别限制，可以采用公知的方法，可以使用机械性研磨(物理研磨)或化学性研磨(化学研磨)。作为机械性研磨，可以使用吹送陶瓷磨粒进行磨削的喷砂方法，使用抛光片、磨石的研磨，组合使用磨粒和化学溶剂的化学机械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法等。
[0171]此外，作为化学研磨(也称为湿式蚀刻)，可以采用使用化学溶液对玻璃基板的表面进行研磨的方法。
[0172]其中，从研磨后的玻璃基板20的第二主面20b的平坦性和洁净度更高的方面来看，优选化学机械研磨。另外，作为化学机械研磨中使用的磨粒，可以使用氧化铈等公知的磨粒。
[0173]<电子器件(带构件的玻璃基板)及其制造方法>
[0174]在本发明中，使用上述玻璃层叠体制造包括玻璃基板和电子器件用构件的电子器件(带构件的玻璃基板)。
[0175]对该电子器件的制造方法没有特别限定，从电子器件的生产率优异的方面来看，优选如下方法:在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件来制造带电子器件用构件的层叠体，以有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面从所得带电子器件用构件的层叠体分离出电子器件和带树脂层的支撑基板。
[0176]以下，将在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件来制造带电子器件用构件的层叠体的工序称为构件形成工序，将以有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面从带电子器件用构件的层叠体分离出电子器件和带树脂层的支撑基板的工序称为分离工序。
[0177]以下对各工序中使用的材料和步骤进行详细说明。
[0178](构件形成工序)
[0179]构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体100中的玻璃基板20上形成电子器件用构件的工序。更具体而言，如图6的(A)所示，在玻璃基板20的第二主面20b (露出表面)上形成电子器件用构件22，得到带电子器件用构件的层叠体24。
[0180]首先对本工序中使用的电子器件用构件22进行详细说明，然后对工序的步骤进行详细说明。
[0181](电子器件用构件(功能性元件))
[0182]电子器件用构件22形成在玻璃层叠体100中的玻璃基板20上，是构成电子器件的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子器件用构件22，可列举出用于显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、或者在表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件等的构件(例如显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路)。
[0183]例如，作为太阳能电池用构件，对于硅型，可列举出正极的氧化锡等透明电极、以P层/i层/n层表示的硅层、以及负极的金属等，此外可列举出与化合物型、染料敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
[0184]此外，作为薄膜二次电池用构件，对于锂离子型，可列举出正极和负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为封装层的树脂等，此外可列举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
[0185]此外，作为电子部件用电路，对于(XD、CMOS，可列举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，此外可列举出与压力传感器、加速传感器等各种传感器、刚性印刷电路板、柔性印刷电路板、刚柔性印刷电路板等对应的各种构件等。
[0186](工序的步骤)
[0187]对上述带电子器件用构件的层叠体24的制造方法没有特别限定，根据电子器件用构件的构成构件的种类而使用以往公知的方法在玻璃层叠体100的玻璃基板20的第二主面20b上形成电子器件用构件22。
[0188]需要说明的是，电子器件用构件22可以不是最终在玻璃基板20的第二主面20b上形成的构件的全部(以下称为“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下称为“部分构件”)。也可以在后续工序中将自有机硅树脂层16剥离的带部分构件的玻璃基板制成带全部构件的玻璃基板(相当于后述的电子器件)。
[0189]此外，对于自有机硅树脂层16剥离的带全部构件的玻璃基板，可以在其剥离面(第一主面20a)上形成有其他电子器件用构件。此外，也可以组装带全部构件的层叠体，然后自带全部构件的层叠体剥离带树脂层的支撑基板18来制造电子器件。进而，也可以使用2张带全部构件的层叠体组装电子器件，然后自带全部构件的层叠体剥离2张带树脂层的支撑基板18来制造具有2张玻璃基板的电子器件。
[0190]例如，以制造OLED的情况为例时，为了在玻璃层叠体100的玻璃基板20的与有机硅树脂层16侧相反一侧的表面上(相当于玻璃基板20的第二主面20b)形成有机EL结构体而进行下述的各种层形成、处理:形成透明电极，再在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等，形成背面电极，使用封装板封装等。作为这些层形成、处理，具体而言，例如可列举出成膜处理、蒸镀处理、封装板的粘接处理等。
[0191]此外，例如制造TFT-1XD时，其制造方法具有下述的各种工序等:TFT形成工序，其中，在玻璃层叠体100的玻璃基板20的第二主面20b上，使用抗蚀液对通过CVD法和溅射法等常规成膜法所形成的金属膜和金属氧化膜等进行图案形成，来形成薄膜晶体管(TFT);CF形成工序，其中，在另一玻璃层叠体100的玻璃基板20的第二主面20b上，将抗蚀液用于图案形成，来形成滤色器(CF);以及，贴合工序，其中，将TFT形成工序中得到的带TFT的层叠体和CF形成工序中得到的带CF的层叠体层叠。
[0192]TFT形成工序、CF形成工序中，使用众所周知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板20的第二主面20b上形成TFT、CF。此时，作为图案形成用的涂布液，可使用抗蚀液。
[0193]需要说明的是，在形成TFT、CF前，可以根据需要而对玻璃基板20的第二主面20b进行清洗。作为清洗方法，可以使用众所周知的干式清洗、湿式清洗。
[0194]贴合工序中，使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面与带CF的层叠体的滤色器形成面相向，使用密封剂(例如单元形成用紫外线固化型密封剂)进行贴合。然后，向由带TFT的层叠体和带CF的层叠体所形成的单元内注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴加注入法。
[0195](分离工序)
[0196]分离工序如图6的(B)所示，是如下的工序:以有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面作为剥离面，从上述构件形成工序中得到的带电子器件用构件的层叠体24分离出层叠有电子器件用构件22的玻璃基板20 (电子器件)和带树脂层的支撑基板18，得到包括电子器件用构件22和玻璃基板20的电子器件26。
[0197]剥离时的玻璃基板20上的电子器件用构件22为形成所需全部构成构件的一部分时，也可以在分离后在玻璃基板20上形成其余构成构件。
[0198]对将玻璃基板20与带树脂层的支撑基板18剥离的方法没有特别限定。具体而言，例如可以在玻璃基板20与有机硅树脂层16的界面插入锋利的刀具状的物体，形成剥离的起点，然后吹送水与压缩空气的混合流体等来进行剥离。优选的是:以带电子器件用构件的层叠体24的支撑基板10为上侧、电子器件用构件22侧为下侧的方式设置在平台上，将电子器件用构件22侧真空吸附在平台上(两面层叠有支撑基板的情况下依次进行)，在该状态下首先使刀具侵入玻璃基板20-有机硅树脂层16界面。然后，接着用多个真空吸盘吸附支撑基板10侧，从插入了刀具的部位附近起依次使真空吸盘上升。如此，在有机硅树脂层16与玻璃基板20的界面、有机硅树脂层16的内聚破坏面形成空气层，该空气层向界面、内聚破坏面整面扩展，能够容易地将支撑基板10剥离。
[0199]此外，支撑基板10可以与新的玻璃基板层叠来制造本发明的玻璃层叠体100。
[0200]另外，在从带电子器件用构件的层叠体24分离电子器件26时，通过利用离子发生器进行吹送、控制湿度，能够进一步抑制有机硅树脂层16的碎片静电吸附于电子器件26。
[0201]上述电子器件26的制造方法适于制造手机、PDA之类的移动终端所使用的小型显示装置。显示装置主要有IXD或OLED ;作为IXD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型的任一显示装置的情况下均可以应用。
[0202]作为用上述方法制造的电子器件26，可列举出:具有玻璃基板和显示装置用构件的显示装置用面板，具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池，具有玻璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池，具有玻璃基板和电子器件用构件的电子部件等。作为显不装置用面板，包括液晶面板、有机EL面板、等尚子显不面板、场发射面板等。
[0203]实施例
[0204]以下通过实施例等来更具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些例子。
[0205]以下的实施例和比较例中，作为玻璃基板，使用由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长880mm、宽680mm、板厚0.2mm、线膨胀系数38X 1(T7/°C、旭硝子株式会社制造、商品名“AN100”)。此外，作为支撑基板，使用同样由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长920mm、宽730mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38X 10_7/°C、旭硝子株式会社制造、商品名“AN100”)。
[0206]<实施例1>
[0207]一开始，将支撑基板的表面用碱水溶液清洗之后，用纯水清洗，从而洁净化。
[0208]接着，将后述的溶液S用模涂机(涂布速度:40mm/s、排出量:8ml)涂布在支撑基板的第一主面上，将含有未固化的交联性有机聚硅氧烷的层(固化性有机硅组合物层)设置在支撑基板上，得到带固化性层的支撑基板(涂覆量20g/m2)。
[0209](溶液S)
[0210]将作为成分(A)的直链乙烯基甲基聚硅氧烷(AZmax公司制造、商品名“VDT-127”、25°C下的粘度:700-800cP(厘泊)、有机聚硅氧烷Imol中的乙烯基的mol%:0.325)和作为成分(B)的直链甲基氢聚硅氧烷(AZmax公司制造、商品名“HMS-301”、25°C下的粘度:25-35cP (厘泊)、I分子内键合于硅原子的氢原子