镀膜玻璃及其制备方法
【专利摘要】本发明提供一种镀膜玻璃及其制备方法。本发明提供的镀膜玻璃包括玻璃基板和镀在所述玻璃基板表面的保护膜，所述保护膜从所述玻璃基板表面向外依次包括增透层、缓冲层和防指纹层，所述缓冲层用于固定所述增透层和所述防指纹层。本发明可以提供具有较强耐磨性和抗划伤性的镀膜玻璃。
【专利说明】
镀膜玻璃及其制备方法
技术领域
[0001]本发明实施例涉及镀膜技术，尤其涉及一种镀膜玻璃及其制备方法。
【背景技术】
[0002]电子产品现在目前普遍采用触摸屏进行操控。用户在对触摸屏进行触摸、点选等操作时，容易在屏幕表面留下划伤等痕迹，为了保护屏幕受到划伤，需要对屏幕进行保护。
[0003]目前，可以采用在屏幕玻璃上敷设防指纹(Ant1-Fingerprint，简称AF)膜，以对屏幕进行保护。防指纹膜同时具有疏水性和疏油性两种特性，基于良好的疏水性和疏油性，防指纹膜不易粘附外界的灰尘和污物，并且在粘附污物和指纹的情况下，也具有较易除去表面异物的特性。同时防指纹膜还有效地保证良好的透光性，因此，防指纹膜被广泛地应用在手机显示屏和平板电脑显示屏中。具体的，现有的镀膜玻璃，可以在玻璃基板表面上先镀上一层用于增加透光性的增透膜，然后在其上再镀防指纹膜，可以同时起到增加屏幕透光性以及防止屏幕划伤的效果。
[0004]然而，防指纹膜与强化玻璃之间的附着力较差，不能稳定地贴于触摸屏玻璃表面。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供一种镀膜玻璃及其制备方法，将包含增透层、缓冲层和防指纹层的保护膜制备于玻璃基板上，以形成具有较强耐磨性和抗划伤性的镀膜玻璃。
[0006]第一方面，本发明提供一种镀膜玻璃，包括玻璃基板和镀在玻璃基板表面的保护膜，保护膜从玻璃基板表面向外依次包括增透层、缓冲层和防指纹层，缓冲层用于固定增透层和防指纹层。
[0007]进一步的，增透层为多层结构。
[0008]进一步的，增透层为三层结构，其中，三层结构依次分别为二氧化硅膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层。
[0009]进一步的，增透层为三层结构，其中，三层结构分别为二氧化硅膜层，氧氮化铝膜层和二氧化硅膜层。
[0010]进一步的，缓冲层材质为二氧化硅。
[0011]进一步的，防指纹层的厚度为5?10nm。
[0012]第二方面，本发明提供一种镀膜玻璃的制备方法，包括:清洗玻璃基板；在玻璃基板的表面形成增透层；在增透膜层的表面形成缓冲层；在缓冲层的表面形成防指纹层。
[0013]进一步的，清洗玻璃基板具体包括:
[0014]将玻璃基板置于丙酮中进行超声清洗过程，以去除玻璃基板表面的油脂；
[0015]将玻璃基板置于乙醇中进行超声清洗过程，以去除玻璃基板表面的残余丙酮；
[0016]将玻璃基板置于去离子水中进行清洗过程，以去除玻璃基板表面的残余乙醇；
[0017]将玻璃基板置于硫酸与过氧化氢以质量比为3:1比例配置的溶液中进行煮洗，直至溶液中的过氧化氢完全挥发且溶液产生白雾，以去除玻璃基板表面的有机物，进行煮洗温度为110?130°C ；
[0018]利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0019]将玻璃基板置于氨水、过氧化氢和水的质量比例为1:1:6配置的溶液中进行时长为10?20分钟的煮洗过程，以去除玻璃基板表面的重金属杂质，进行煮洗过程的温度为75 ?85。。；
[0020]利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0021]将玻璃基板置于氯化氢、过氧化氢和水的质量比例为1:1:6配置的溶液中进行煮洗过程，直至溶液中的过氧化氢完全挥发，以去除玻璃基板表面的金属离子；
[0022]利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0023]将玻璃基板置于浓度为10%的氢氟酸中进行时长为5?10秒的煮洗过程，以去除玻璃基板表面的氧化层；
[0024]利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0025]将玻璃基板置于氮气氛围内，并利用红外灯对玻璃基板进行加热烘干过程；
[0026]在氮气氛围内对玻璃基板进行存放。
[0027]进一步的，在玻璃基板的表面形成增透层具体包括:
[0028]在真空度为5.5 X 10 4Pa以上的真空环境下，在玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜；
[0029]对二氧化硅膜进行真空干燥处理；
[0030]在真空度为5.5 X 10 4Pa以上的真空环境下，在第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜，第二层膜为氮化硅膜或氧氮化铝膜；
[0031]对氮氧硅膜或者氧氮化铝膜进行真空干燥处理；
[0032]在真空度为5.5 X 10 4Pa以上的真空环境下，在第二层膜表面形成第三层二氧化娃膜；
[0033]对第三层二氧化硅膜进行真空干燥处理。
[0034]进一步的，在真空环境下，对玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜具体包括:
[0035]当真空环境的真空度在5.5X10 4Pa以上且玻璃基板温度在180±5°C时，在玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜，其中二氧化硅在玻璃基板上的沉积速率为0.1?
0.5nm/s，蒸链时间为15?25s。
[0036]进一步的，如果第二层膜为氮化硅膜，则在第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜具体包括:
[0037]当真空环境的真空度达到5.5X10 4Pa且玻璃基板温度在180±5°C时，在第一层二氧化硅膜的表面形成氮化硅膜，其中，氮化硅在二氧化硅膜上的沉积速率为0.1?
0.5nm/s，蒸链时间为15?25s。
[0038]进一步的，如果第二层膜为氧氮化铝膜，则在第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜具体包括:
[0039]在环境温度为800?1200°C、压力为2.0X10 2?5.0X10 1Pa时，将包括质量组分为40?80%的氮气、质量组分为0.5?1.0%的氯化铝、质量组分为0.8?1.5%的氨气、质量组分为0.2?1.0%的二氧化碳、质量组分为2.0?4.0%的氯化氢、质量组分为I?1.5%的一氧化碳、质量组分为5?10%的氩气、余量组分为氢气的气态混合物通入反应室，并在第一层二氧化硅膜表面进行氧氮化铝的沉积以形成第二层膜。
[0040]进一步的，在第二层膜表面形成第三层二氧化硅膜具体包括:
[0041]当真空环境的真空度达到5.5X10 4Pa以上且玻璃基板温度在180±5°C时，在第二层膜的表面形成第三层二氧化硅膜，其中，二氧化硅在第二层膜上的沉积速率为0.1?
0.5nm/s，蒸镀时间为20s。
[0042]进一步的，在增透膜层的表面形成缓冲层具体包括:
[0043]抽真空至压力为1.0X 10 3Pa,然后充入气体流量为500cm3/min和120cm3/min的硅油至真空度为1.0 X 10 3?1.0X10 1Pa的真空室内，持续中频功率为8000W沉积硅氧烷高温裂解的S1x，沉积时间为35?40s，得到厚度为15?20nm的S1x缓冲层，沉积完成后通过氧气辉光放电，对S1x缓冲层进行刻蚀，以形成缓冲层。
[0044]进一步的，在缓冲层的表面形成防指纹层具体包括:
[0045]在环境真空度为1.0X 10 5Pa时，镀膜用灯丝电流在60s内由OA提升至270A，并开始防指纹层的沉积过程，沉积过程的时间为90s。
[0046]本发明提供的镀膜玻璃及其制备方法，其中镀膜玻璃包括玻璃基板和镀在玻璃基板表面的保护膜，保护膜从玻璃基板表面向外依次包括增透层、缓冲层和防指纹层。这样可以通过缓冲层使增透层和防指纹层结合在一起，从而使防指纹层牢固地附着于玻璃基板上，令形成的镀膜玻璃具有较强的耐磨性以及抗划伤性。
【附图说明】
[0047]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0048]图1为本发明实施例一提供的镀膜玻璃的结构示意图；
[0049]图2是本发明实施例二提供的镀膜玻璃的制备方法的流程示意图；
[0050]图3是本发明实施例二提供的清洗玻璃基板的流程示意图；
[0051]图4是本发明实施例二提供的形成增透层的流程示意图。
【具体实施方式】
[0052]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0053]图1为本发明实施例一提供的镀膜玻璃的结构示意图。如图1所示，本实施例提供的镀膜玻璃包括玻璃基板I和镀在玻璃基板表面的保护膜2，保护膜2从玻璃基板I表面向外依次包括增透层3、缓冲层4和防指纹层5。
[0054]玻璃基板1，可以为一般常用的用于制备触摸屏幕的玻璃制成，通常为表面极其平整的玻璃薄片，其表面可以蒸镀一层透明导电层，例如是氧化铟锡膜层。经光刻加工制成透明导电图形，用以进行屏幕显示以及操控。
[0055]保护膜2镀在玻璃基板I的表面上，并且从玻璃基板I表面向外依次包括有增透层3、缓冲层4和防指纹层5。
[0056]增透层3，也被称为减反(Ant1-Reflect，简称AR)层，其主要功能是减少或者消除透镜、棱镜、平面镜等光学元件表面的反射光，从而增加这些元件的透光量。在本实施例所提供镀膜玻璃的保护膜2中，增透层3紧贴玻璃基板I表面，可以用于增加屏幕玻璃表面的透光性。增透层3与玻璃基板I之间的结合力非常强，增透层3不容易从玻璃基板I上脱落。
[0057]具体的，增透层3可以为单层或者是多层结构。例如，增透层3可以为三层结构，其中，三层结构依次分别为二氧化硅膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层。或者，增透层3的三层结构也可以分别为二氧化硅膜层，氧氮化铝膜层和二氧化硅膜层。
[0058]在增透层3外，是用于结合增透层3以及防指纹层5的缓冲层4。具体的，缓冲层4将增透层3和防指纹层5结合在一起，可以在一定程度上增加防指纹层5与增透层3之间的附着力，同时因为增透层3和玻璃基板I紧密结合，所以可以减缓防指纹层5从玻璃基板的其它镀层表面剥离，进而尽量间接避免防指纹层5从玻璃基板I上脱落，有利于延长防指纹层5的使用寿命。即通过与玻璃基板I结合力较好的增透层3，以及使得增透层3和防指纹层5之间结合力较好的缓冲层的共同作用，使得防指纹层5不易脱落。一般的，缓冲层4材质为二氧化硅。二氧化硅为玻璃的主要成分，采用二氧化硅作为缓冲层4，可以在保证光学性能的同时，还具有良好的材料经济性。此外缓冲层4也可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PolymethylMethacrylate，代号为PMMA)或者聚碳酸酯(Polycarbonate，代号为PC)制成。聚甲基丙烯酸甲酯俗称有机玻璃，其外观透明，且具有优良的性能。聚碳酸酯是一种热塑性树脂，为几乎无色的玻璃态，具有很好的光学性能以及韧性。
[0059]防指纹(Ant1-Fingerprint，简称AF)层5在缓冲层4之外，同时具有疏水性和疏油性两种特性。基于良好的疏水性和疏油性，防指纹层5不易粘附外界的灰尘和污物，并且在粘附污物和指纹的情况下，也具有较易除去表面异物的特性。同时防指纹层5还具有良好的透光性。
[0060]具体的，在本实施例中，防指纹层5的厚度为5?10nm。
[0061]本实施例所提供的镀膜玻璃可以具有良好的增透效果，在可见光范围内具有小于1%的反射率，且因为防指纹层5和镀膜玻璃其它部分之间的结合牢固，从而有理想的耐磨性和抗划伤性，即使将镀膜玻璃样品在硬度测试砂纸上持续刮擦500次以上，再用放大镜对镀膜玻璃样品表面进行观察，其仍无损坏和擦痕。
[0062]本实施例中，镀膜玻璃包括玻璃基板和镀在玻璃基板表面的保护膜，保护膜从玻璃基板表面向外依次包括增透层、缓冲层和防指纹层。这样可以通过缓冲层使增透层和防指纹层结合在一起，从而使防指纹层牢固地附着于玻璃基板上，令形成的镀膜玻璃具有较强的耐磨性以及抗划伤性。
[0063]图2是本发明实施例二提供的镀膜玻璃的制备方法的流程示意图。本实施例提供的镀膜玻璃的制备方法，用于制备前述实施例一中所述的镀膜玻璃。如图2所示，本实施例提供的镀膜玻璃的制备方法包括:
[0064]S101、清洗玻璃基板；
[0065]在选取玻璃基板之后，需要对其进行清洗，并干燥以备后面工序使用。
[0066]具体的，玻璃基板采用RCA清洗工艺进行清洗。图3是本发明实施例二提供的清洗玻璃基板的流程示意图。如图3所示，对玻璃基板进行清洗时，具体包括以下步骤:
[0067]S201、将玻璃基板置于丙酮中进行超声清洗过程，以去除玻璃基板表面的油脂；
[0068]具体的，超声清洗过程的时长为5?10分钟。
[0069]S202、将玻璃基板置于乙醇中进行超声清洗过程，以去除玻璃基板表面的残余丙酮；
[0070]具体的，超声清洗过程的时长为2?5分钟。
[0071]S203、将玻璃基板置于去离子水中进行清洗过程，以去除玻璃基板表面的残余乙醇；
[0072]具体的，清洗过程的时长为2?5分钟。
[0073]S204、将玻璃基板置于硫酸与过氧化氢以质量比为3:1比例配置的溶液中进行煮洗，直至溶液中的过氧化氢完全挥发且溶液产生白雾，以去除玻璃基板表面的有机物，进行煮洗温度为110?130°C ;
[0074]S205、利用去呙子水对玻璃基板进行冲洗；
[0075]具体的，对玻璃基板进行冲洗的时长为10?15分钟。
[0076]S206、将玻璃基板置于氨水、过氧化氢和水的质量比例为1:1:6配置的溶液中进行时长为10?20分钟的煮洗过程，以去除玻璃基板表面的重金属杂质，进行煮洗过程的温度为75?85°C ;
[0077]S207、利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0078]具体的，冲洗过程的时长为5?10分钟。
[0079]S208、将玻璃基板置于氯化氢、过氧化氢和水的质量比例为1:1:6配置的溶液中进行煮洗过程，直至溶液中的过氧化氢完全挥发，以去除玻璃基板表面的金属离子；
[0080]S209、利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0081]具体的，冲洗过程的时长为5?10分钟。
[0082]S210、将玻璃基板置于浓度为10%的氢氟酸中进行时长为5?10秒的煮洗过程，以去除玻璃基板表面的氧化层；
[0083]S211、利用去离子水对玻璃基板进行冲洗；
[0084]具体的，冲洗过程时长为15?25分钟。
[0085]S212、将玻璃基板置于氮气氛围内，并利用红外灯对玻璃基板进行加热烘干；
[0086]具体的，加热烘干过程的时长为I?2小时。
[0087]S213、在氮气氛围内对玻璃基板进行存放。
[0088]经过上述步骤，即可清除玻璃基板表面的各种有机及无机杂质，使玻璃基板表面保持清洁干燥，以进行下面的工序步骤。
[0089]S102、在玻璃基板的表面形成增透层；
[0090]经过RCA清洗工序对玻璃基板进行了清洁之后，即可在玻璃基板的表面形成增透层。增透层为多层结构，例如是三层结构。具体的，根据结构组分的不同，形成增透层的工序也会有所区别。
[0091]图4是本发明实施例二提供的形成增透层的流程示意图。如图4所示，在玻璃基板的表面形成增透层具体包括以下步骤:
[0092]S301、在真空度为5.5X10 4Pa以上的真空环境下，在玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜；
[0093]具体的，上述步骤具体包括:
[0094]当真空环境的真空度在5.5X10 4Pa以上且玻璃基板温度在180±5°C时，对玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜，其中二氧化硅在玻璃基板上的沉积速率为0.1?
0.5nm/s，蒸链时间为15?25s。
[0095]S302、形成第一层二氧化硅膜后，对二氧化硅膜进行真空干燥处理。
[0096]具体的，真空干燥处理过程的时间为30分钟以上。
[0097]S303、在真空度为5.5 X 10 4Pa以上的真空环境下，在第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜，第二层膜为氮化硅(Si3N4)膜或氧氮化铝(AlNO)膜。其中氧氮化铝(AlNO)为氮化铝(AlN)和三氧化二铝(Al2O3)的混合物。
[0098]I)当增透层的结构为二氧化硅膜、氮化硅膜和二氧化硅膜的三层膜结构时，在第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜具体包括:
[0099]当真空环境的真空度达到5.5X10 4Pa且玻璃基板温度在180±5°C时，在第一层二氧化硅膜的表面形成氮化硅膜，其中，氮化硅在二氧化硅膜上的沉积速率为0.1?
0.5nm/s，蒸链时间为15?25s。
[0100]2)当增透层的机构为二氧化硅膜、氧氮化铝膜和二氧化硅膜的三层结构时，在第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜具体包括:
[0101]在环境温度为800?1200°C、压力为2.0X10 2?5.0X10 1Pa时，将包括质量组分为40?80%的氮气、质量组分为0.5?1.0%的氯化铝、质量组分为0.8?1.5%的氨气、质量组分为0.2?1.0%的二氧化碳、质量组分为2.0?4.0%的氯化氢、质量组分为I?1.5%的一氧化碳、质量组分为5?10%的氩气、余量组分为氢气的气态混合物通入反应室，并在第一层二氧化硅膜表面进行氧氮化铝的沉积以形成第二层膜。
[0102]S304、形成第二层膜之后，对氮氧硅膜或者氧氮化铝膜进行真空干燥处理。
[0103]具体的，真空干燥处理过程的时间为30分钟以上。
[0104]S305、在真空度为5.5X10 4Pa以上的真空环境下，在第二层膜表面形成第三层二氧化硅膜；
[0105]S306、对第三层二氧化硅膜进行真空干燥处理。
[0106]具体的，真空干燥处理过程的时间为30分钟以上。
[0107]S103、在增透层的表面形成缓冲层；
[0108]在玻璃基板表面形成增透层之后，可以在增透层的表面形成缓冲层，以便于后续步骤中将防指纹层镀于其上。以缓冲层材料为二氧化硅为例，在增透层表面镀缓冲层的步骤可以包括:
[0109]抽真空至压力为1.0X 10 3Pa,然后充入气体流量为500cm3/min和120cm3/min的硅油至真空度为1.0 X 10 3?1.0X10 1Pa的真空室内，持续中频功率为8000W开始沉积硅氧烷高温裂解的S1x，沉积时间为35?40s，得到厚度为15?20nm的S1x缓冲层，沉积完成后通过氧气辉光放电，对S1x缓冲层进行刻蚀，以形成二氧化硅缓冲层。
[0110]其中，硅油在高温下变为气态后，充入真空镀膜机的真空室中，并在压力为1.0X10 3?1.0X 10 1Pa,中频功率为8000W的环境下进行高温裂解和沉积，从而得到S1x,然后通过氧气辉光放电进行氧分子的补充，进一步由S1x形成二氧化硅S12，最终形成一层二氧化硅缓冲层。
[0111]S104、在缓冲层的表面形成防指纹层。
[0112]缓冲层镀膜完毕后，最后在缓冲层的表面形成防指纹层，具体为:
[0113]在环境的真空度为1.0X 10 5Pa时，镀膜用灯丝电流在60s内由OA提升至270A，并开始防指纹层的沉积过程，沉积过程的时间为90s。
[0114]经过上述SlOl?S104步骤之后，在玻璃基板的表面由内而外依次镀上了增透层、缓冲层和防指纹层，从而得到了在实施例一中所述的镀膜玻璃。
[0115]本实施例中，镀膜玻璃的制备方法包括清洗玻璃基板，在玻璃基板表面上形成增透层，在增透层表面形成缓冲层，最后在二氧化硅缓冲层的表面形成防指纹层。这样所制成的镀膜玻璃，其增透层和防指纹层牢固地附着于玻璃基板上，因而制成的镀膜玻璃具有较强的耐磨性以及抗划伤性。
[0116]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种镀膜玻璃，包括玻璃基板和镀在所述玻璃基板表面的保护膜，其特征在于，所述保护膜从所述玻璃基板表面向外依次包括增透层、缓冲层和防指纹层，所述缓冲层用于固定所述增透层和所述防指纹层。2.根据权利要求1所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述增透层为多层结构。3.根据权利要求2所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述增透层为三层结构，其中，所述三层结构依次分别为二氧化硅膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层。4.根据权利要求2所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述增透层为三层结构，其中，所述三层结构分别为二氧化硅膜层，氧氮化铝膜层和二氧化硅膜层。5.根据权利要求1-4任一项所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述缓冲层材质为二氧化娃。6.根据权利要求5所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述防指纹层的厚度为5?10nm。7.一种镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括: 清洗玻璃基板； 在所述玻璃基板的表面形成增透层； 在所述增透膜层的表面形成缓冲层； 在所述缓冲层的表面形成防指纹层。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述清洗玻璃基板具体包括: 将所述玻璃基板置于丙酮中进行超声清洗过程，以去除所述玻璃基板表面的油脂； 将所述玻璃基板置于乙醇中进行超声清洗过程，以去除所述玻璃基板表面的残余丙酮； 将所述玻璃基板置于去离子水中进行清洗过程，以去除所述玻璃基板表面的残余乙醇； 将所述玻璃基板置于硫酸与过氧化氢以质量比为3:1比例配置的溶液中进行煮洗，直至所述溶液中的过氧化氢完全挥发且所述溶液产生白雾，以去除所述玻璃基板表面的有机物，所述进行煮洗温度为110?130°C ; 利用去离子水对所述玻璃基板进行冲洗； 将所述玻璃基板置于氨水、过氧化氢和水的质量比例为1: 1:6配置的溶液中进行时长为10?20分钟的煮洗过程，以去除所述玻璃基板表面的重金属杂质，所述进行煮洗过程的温度为75?85°C ; 利用去离子水对所述玻璃基板进行冲洗； 将所述玻璃基板置于氯化氢、过氧化氢和水的质量比例为1:1:6配置的溶液中进行煮洗过程，直至所述溶液中的过氧化氢完全挥发，以去除所述玻璃基板表面的金属离子； 利用去离子水对所述玻璃基板进行冲洗； 将所述玻璃基板置于浓度为10%的氢氟酸中进行时长为5?10秒的煮洗过程，以去除所述玻璃基板表面的氧化层； 利用去离子水对所述玻璃基板进行冲洗； 将所述玻璃基板置于氮气氛围内，并利用红外灯对所述玻璃基板进行加热烘干过程； 在所述氮气氛围内对所述玻璃基板进行存放。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板的表面形成增透层具体包括: 在真空度为5.5X 10 4Pa以上的真空环境下，在所述玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜； 对所述二氧化硅膜进行真空干燥处理； 在真空度为5.5 X 10 4Pa以上的真空环境下，在所述第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜，所述第二层膜为氮化硅膜或氧氮化铝膜； 对所述氮氧硅膜或者氧氮化铝膜进行真空干燥处理； 在真空度为5.5 X 10 4Pa以上的真空环境下，在所述第二层膜表面形成第三层二氧化娃膜； 对所述第三层二氧化硅膜进行真空干燥处理。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在真空环境下，对所述玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜具体包括: 当所述真空环境的真空度在5.5X10 4Pa以上且所述玻璃基板温度在180±5°C时，在所述玻璃基板的表面形成第一层二氧化硅膜，其中二氧化硅在所述玻璃基板上的沉积速率为0.1?0.5nm/s，蒸链时间为15?25s。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，如果所述第二层膜为氮化硅膜，则所述在所述第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜具体包括: 当所述真空环境的真空度达到5.5X10 4Pa且所述玻璃基板温度在180±5°C时，在所述第一层二氧化硅膜的表面形成氮化硅膜，其中，氮化硅在所述二氧化硅膜上的沉积速率为0.1?0.5nm/s，蒸链时间为15?25s。12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，如果所述第二层膜为氧氮化铝膜，则所述在所述第一层二氧化硅膜表面形成第二层膜具体包括: 在环境温度为800?1200°C、压力为2.0X 10 2?5.0X 10 1Pa时，将包括质量组分为40?80 %的氮气、质量组分为0.5?1.0 %的氯化铝、质量组分为0.8?1.5 %的氨气、质量组分为0.2?1.0%的二氧化碳、质量组分为2.0?4.0%的氯化氢、质量组分为I?1.5%的一氧化碳、质量组分为5?10%的氩气、余量组分为氢气的气态混合物通入反应室，并在所述第一层二氧化硅膜表面进行氧氮化铝的沉积以形成所述第二层膜。13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述第二层膜表面形成第三层二氧化硅膜具体包括: 当所述真空环境的真空度达到5.5X10 4Pa以上且所述玻璃基板温度在180±5°C时，在所述第二层膜的表面形成第三层二氧化硅膜，其中，二氧化硅在所述第二层膜上的沉积速率为0.1?0.5nm/s，蒸镀时间为20s。14.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述增透膜层的表面形成缓冲层具体包括: 抽真空至压力为1.0X 10 3Pa,然后充入气体流量为500cm3/min和120cm3/min的娃油至真空度为1.0X10 3?1.0X10 1Pa的真空室内，持续中频功率为8000W沉积硅氧烷高温裂解的S1x，沉积时间为35?40s，得到厚度为15?20nm的S1x缓冲层，沉积完成后通过氧气辉光放电，对所述S1x缓冲层进行刻蚀，以形成缓冲层。15.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述缓冲层的表面形成防指纹层具体包括: 在环境真空度为1.0X 10 5Pa时，镀膜用灯丝电流在60s内由OA提升至270A，并开始所述防指纹层的沉积过程，所述沉积过程的时间为90s。
【文档编号】C03C17/34GK105882069SQ201510037126
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年1月26日
【发明人】许 鹏, 程芸, 唐彬
【申请人】南昌欧菲光学技术有限公司, 南昌欧菲光科技有限公司, 深圳欧菲光科技股份有限公司, 苏州欧菲光科技有限公司