专利名称：：大偏角籽晶的加工方法
技术领域：
：本发明是一种能解决快速、准确加工大偏角籽晶的加工方法。
背景技术：
：制造高亮度发光管和大功率激光器，多使用水平掺硅砷化镓低位错衬底外延片，晶向为(100)向(111)A偏15°。用正(lll)籽晶生长单晶，切出符合要求的晶片，单晶厚度需要增加，而厚度的增加对单晶生长不利。若改变单晶生长方向，即籽晶(111)偏角，就可以解决此问题。因为偏角越大，所需单晶厚度越小，越有利于单晶生长，故多采用大偏角籽晶生长单体，但籽晶(111)偏角如大于13°，则难以测定、测准，目前尚未发现有关籽晶大偏角的精准加工方法。
发明内容本发明的目的是提供一种能解决快速、准确加工大偏角籽晶的方法。本发明的技术解决方案是以如下方式完成的，大偏角籽晶的加工方法是，首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用(331)衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块旋转90°，定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度，然后进行清洗即可。本发明不仅能解决了大偏角籽晶加工的难题，而且具有简单、准确、快捷的优点。具体实施例方式本发明的方法是首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，最好选取位错密度《1000个/cmS的单晶锭，然后在单晶锭的头部先确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向确定偏角值，再用(331)晶面衍射角衍3射，根据所需长度切割出单晶块，接着用环氧树脂把截取的单晶块晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，再根据所需高度切割，然后将单晶块旋转90°，定准(110)晶面的偏差角度为零度时切割出所需的宽度，做出记号并清洗即可。籽晶的(111)定向偏差角度M。用(331)衍射角衍射，(211)定向的偏差角度M。用(311)衍射，衍射偏差为(331)和(311)所对应的衍射偏差度『，具体对应关系如下表籽晶(m)偏差角度为<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>权利要求1、大偏角籽晶的加工方法，其特征在于首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用(331)衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块旋转90°，定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度，然后进行清洗即可。全文摘要本发明公开了一种大偏角籽晶的加工方法，本发明首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用(331)衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块旋转90°，定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度，然后进行清洗即可。本发明不仅能解决了大偏角籽晶加工的难题，而且具有简单、准确、快捷的优点。文档编号B28D5/00GK101537666SQ20091006434公开日2009年9月23日申请日期2009年3月9日优先权日2009年3月9日发明者闯李,李百泉,陈坚邦申请人:新乡市神舟晶体科技发展有限公司