专利名称：切割用粘着片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种切割用粘着片、使用该粘着片的被切断体的加工方法、及通过该加工方法得到的被切断体小片。
背景技术：
以往，以硅、镓、砷等为材料的半导体晶圆被以大直径的状态制造出后，被切断分离(dicing)成元件小片，并被转移到固定工序。此时，半导体晶圆以粘贴并保持于切割用粘着片(以下称“粘着片”)的状态，被施加切割工序、清洗工序、扩张工序、拾取工序、固定工序这样的各工序。作为上述粘着片，将丙烯酸系粘着剂等涂敷于由塑料薄膜组成的基体材料上，通常使用形成1～200μm左右厚的粘着剂层而成的粘着剂。
在上述切割工序中，由边旋转边移动的圆刀切断半导体晶圆后，形成半导体芯片。在该工序中，被称为进行切入到保持着半导体晶圆的粘着片的基体材料内部的、全切割的切断方式正成为主流。
在上述扩张工序中，将确保充分的芯片间隔并易于进行随后进行的拾取半导体晶片为目的来进行粘着片的扩张。但是，在全切割的切断方法中，为了进行切入直到粘着片的内部、并较大地扩张粘着片，有时粘着片从该切入部分断裂。其结果，存在在拾取工序中，无法拾取半导体芯片、而使操作性及成品率显著降低的问题。
为了避免上述问题，在以往的粘着片中，使用由聚氯乙烯构成的基体材料薄膜。但是，那样的粘着片以粘贴于半导体晶圆的状态被长时间保管时，聚氯乙烯中包含的增塑剂等添加剂移动到粘着剂层后，引起粘着性的降低。其结果，有时会产生切割时的芯片飞出和拾取时的剥离不良。
为了解决粘着片上的粘着特性随时间变化，例如，下述日本特开平5-156214号公报中公开有基体材料薄膜使用乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物薄膜的晶圆粘着用粘着片。另外，在下述日本特开平11-43656号公报中公开有基体材料使用具有不拉伸聚丙烯层的薄膜的晶圆粘着用粘着片。但是，这些在先技术没有对扩张工序中的作业性作任何考虑。而且，在使用公开于这些在先技术的各晶圆粘着用粘着片而进行半导体晶圆的加工时，的确在扩张工序中发生了晶圆粘着用粘着片的断裂。
另外，在下述日本特开2000一124169号公报公开有包括基体材料片和设置于其一侧表面上的粘着剂层的切割带，该切割带具有由与粘着剂层接触的上部层、设置于该上部层之下的中间层和设置于该中间层之下的下部层构成的基体材料片。另外，在该切割带中，对于由弹性模量与层厚之积表示的抗拉伸性(拉伸弹性模量(young modulus)与厚度之积)，该日本特开2000-124169号公报的意思是上部层的抗拉伸性(A)、中间层的抗拉伸性(B)和下部层的抗拉伸性(C)满足B＜A≤C的关系。根据该日本特开2000-124169号公报，其记载有在切割中的扩张工序中，能够不受粘着剂的弹性模量的影响而均匀且充分地扩大切割线的间隔，同时不易产生切割线处的断裂。但是，即使是上述结构的切割带，在构成基体材料的各层的断裂伸长率不充分、或断裂强度与拉伸弹性模量相比不足够大时，在扩张工序中有时也产生切割带断裂。即，即使是上述结构的切割带，也没有充分地防止扩张工序时的断裂。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而提出的，其目的在于，提供可以完全防止扩张工序中的断裂的切割用粘着片、使用该切割用粘着片的被切断体的加工方法及通过该方法得到的被切断体小片。
本发明人为了解决上述以往问题，对切割用粘着片、使用该切割用粘着片的被切断体的加工方法及通过该方法得到的被切断体小片进行了研究。其结果，发现了通过将基体材料的拉伸物理性质值控制在规定的范围内，从而能够完全防止在以往的切割用粘着片中成为问题的扩张工序时的断裂，并完成了本发明。
即，为解决上述课题，本发明中的切割用粘着片是采用在基体材料的至少一面具有粘着剂层的结构的、在加工被切断体时使用的切割用粘着片。其特征在于，上述基体材料的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，下列式中表示的耐切入度大于等于2.5。
(公式1)耐切入度＝(上述基体材料的断裂强度)/(上述基体材料的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)在上述结构中，上述基体材料的屈服点伸长率最好是大于等于30％。在此，基体材料的屈服点伸长率是从屈服点读取的，该屈服点是在通过在规定条件下以JIS K 7162为标准的拉伸试验而得到的S-S曲线中的屈服点。
另外，在上述结构中，上述基体材料最好含有选自由聚丙烯系热塑性弹性体、聚丙烯酸树脂及酯系热塑性弹性体构成的群中的至少1种。
另外，在上述结构中，上述粘着剂层的厚度最好是1μm～上述基体材料厚度的1/3。
另外，在上述结构中，上述粘着剂层最好包括放射线固化型粘着剂。
另外，为了解决上述课题，本发明中的被切断体的加工方法的特征在于具有下面工序将切割用粘着片粘贴于被切断体的工序，其中的切割用粘着片是采用在基体材料的至少一面具有粘着剂层的结构的、在加工被切断体时使用的切割用粘着片，上述基体材料的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，下面公式中表示的耐切入度大于等于2.5；切断上述被切断体而形成被切断体小片的工序，在该工序中从该被切断体侧到上述切割用粘着片的基体材料进行该切断；使上述切割用粘着片扩张，扩大粘接固定于该切割用粘着片的各被切断体小片的间隔的工序；将带有上述粘着剂层的被切断体小片从上述基体材料剥离的工序，(公式2)耐切入度＝(上述基体材料的断裂强度)/(上述基体材料的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)。
在上述方法中，上述基体材料的屈服点伸长率最好大于等于30％。
另外，在上述方法中，上述基体材料最好含有选自由聚丙烯系热塑性弹性体、聚丙烯酸树脂及酯系热塑性弹性体构成的群中的至少1种。
另外，在上述方法中，最好是上述粘着剂层的厚度是1μm～上述基体材料厚度的1/3。
另外，在上述方法中，上述粘着剂层最好包括放射线固化型粘着剂。
另外，在上述方法中，作为被切断体可以使用半导体元件。
另外，为了解决前述课题，本发明中的被切断体小片的特征在于，该被切断体小片通过上述的被切断体的加工方法制作而成。
根据本发明，通过使基体材料的拉伸弹性率是50～250MPa、使断裂伸长率大于等于200％、并使耐切入度为大于等于2.5，从而防止例如在切口进入切割用粘着片及进行扩张时，该切割用粘着片断裂。其结果，能够较好地进行拾取被切断体小片，并能谋求操作性及成品率的提高。
图1是表示本发明实施方式中的切割用粘着片概况的截面图。
图2是表示上述切割用粘着片中的基体材料薄膜的拉伸伸长率与拉伸强度的关系的曲线图。
图3(a)是表示粘贴于半导体晶圆的上述切割用粘着片的扩张的样子的说明图；图3(b)是表示半导体芯片及切割环被粘接固定于切割用粘着片的样子的俯视图。
图4(a)是表示切割后半导体芯片及切割用粘着片的截面图；图4(b)是表示扩张了的半导体芯片及切割用粘着片的截面图。
图5是表示实施方式中的切割用粘着片的基体材料薄膜中的拉伸伸长率与拉伸强度的关系的曲线图。
具体实施例方式
下面，参照附图对本发明进行说明。如图1所示，本发明的切割用粘着片11是在基体材料薄膜(基体材料)1的至少一面具有粘着剂层2的结构。本申请的发明人对基体材料薄膜的物理性能、切割作为被切断体的半导体晶圆(半导体元件)时的切割条件以及扩张切割用粘着片时的扩张条件进行了研究，并阐明了引起切割用粘着片11的断裂的机理。首先，用拉伸试验机对基体材料薄膜1进行拉伸试验，并对拉伸伸长率及拉伸强度进行了测定。其结果，得到了如图2所示的Strain-Strength曲线(以下称“S-S曲线”)。图2是表示拉伸伸长率和拉伸强度关系的曲线图。基体材料1在通过施加拉伸载荷而被扩张时，在用图2的S-S曲线中的断裂强度及断裂伸长率表示的点处断裂。扩张时发生的切割后的切割用粘着片11的断裂也是由上述基体材料薄膜1的断裂而产生的。
切割用粘着片11的扩张按例如图3(a)及图3(b)所示那样进行。图3(a)是表示粘贴于半导体晶圆的切割用粘着片11的扩张的样子的说明图，图3(b)是表示多个半导体芯片(被切断体小片)及切割环被粘接固定于切割用粘着片11的样子的俯视图。通过切割半导体晶圆而形成的多个半导体芯片12被粘接固定于切割用粘着片11上。另外，在形成各半导体芯片12的区域的外侧，其切割环13通过规定的区域自粘接固定有多个半导体芯片12的区域被粘接固定于切割用粘着片11。扩张根据需要对切割用粘着片11照射放射线后，使用以往公知的扩张装置来进行。扩张装置具有环状的外环14，其能够通过切割环13将切割用粘着片11压下到下方；内环15，其直径比该外环14的直径小、并支承切割用粘着片11。
扩张按下面的方式进行。首先，外环14以可插入切割用粘着片11的程度隔开充分距离地位于内环15的上方。然后，使半导体芯片12及粘接固定有切割环13的切割用粘着片11插入到外环14与内环15之间。此时，粘接固定有半导体芯片12的区域没置成位于内环15的中央部。然后，外环14沿内环15向下方移动，同时压下切割环13。由于切割环13被压下，切割用粘着片11通过切割环与内环的高度差被拉伸而进行扩张。扩张的目的在于防止在拾取时半导体芯片12彼此接触而受到损坏。
由切割而形成的各半导体芯片12的缝隙(以下，称为切割缝隙)16根据切割刀具(刀)的厚度不同而不同，通常是15～60μm(参照图4(a))。粘接固定有这样的半导体芯片12的切割用粘着片11扩张时，切割缝隙16的宽度被扩张到100～500μm左右(参照图4(b))。扩张时的、外环14的相对于内环15的拉下量由切割环内径、半导体晶圆的尺寸、半导体芯片12的尺寸及切割缝隙的数值等来进行适当的调整。例如，使用以往的扩张装置，加工作为半导体晶圆的半导体晶圆时，拉下量通常在2～15mm之间，更好是设定为5～10mm左右。拉下量可以根据半导体芯片尺寸或切割缝隙数值、生产率等进行适度的设置。
在进行扩张时，在切割用粘着片11中扩张的区域被限定于切割缝隙16、切割环13与半导体芯片12间的区域等的未粘贴半导体芯片12的区域。粘接固定有各半导体芯片12的区域不扩张。
在切割半导体晶圆时，切割被进行到例如对于切割用粘着片11的基体材料薄膜1，切割到其厚度的1/4～1/2左右的深度。在扩张时，首先，最初切割缝隙16的部分开始展开扩张成V字形，但是，难以仅在切割缝隙16的部分扩张中，使各半导体芯片12的间隙有充分的间隔。在此，直到上述的间隔充分扩张前，还能继续扩张切割用粘着片11。因此，在不具有仅能够适应切割缝隙16扩张引起的充分扩张的断裂伸长率时，切割用粘着片11在该切割缝隙16的部分断裂。
另外，即使使基体材料薄膜1的断裂伸长率增大并使其充分适应上述的扩张，在进行扩张时，对芯片尺寸、切割缝隙数值等的不同数值的多种半导体晶圆进行处理的情况，根据情况，有时在切割缝隙16成为规定的宽度后也会进行扩张。即使在进行该扩张时，仅要适应切割缝隙16的部分时，还需要数倍～数十倍的断裂伸长率。因而，如果是由通常的塑料薄膜构成的基体材料薄膜，则难以与其相适应。
因此，本发明者着眼于图1例示的S-S曲线，在切割缝隙16达到断裂之前，通过采取使切割用粘着片11的半导体晶圆的外周部处的区域进行扩张那样的强度平衡，发现了能够完全防止切割用粘着片11断裂的方法。即，在本发明中，首先，使基体材料薄膜1的断裂伸长率大于等于200％，最好大于等于400％。并且，使基体材料薄膜1的耐切入度大于等于2.5、最好大于等于3。由此，在切割缝隙16达到断裂前可以实现切割用粘着片11的半导体晶圆外周部上的区域进行扩张那样的强度平衡。通过控制例如制膜时产生的分子取向，可能使断裂深度的值在上述范围内增大或减少。另外，断裂伸长率最好分别在MD方向及TD方向进入上述数值范围内。
基体材料1的耐切入度是表示相对于切口深度的、基体材料薄膜1的抗扩张性的指标，可以通过下面公式求得。例如，耐切入度是指耐切深度倒数程度的切割残余。假设，耐切入度是3，那么表示即使将基体材料薄膜1切割到剩余其1/3的厚度、即对基体材料薄膜1切入其厚度的2/3，仍能经得住充分地扩张。
(公式3)耐切入度＝(基体材料薄膜1的断裂强度)/(基体材料薄膜1的拉伸伸长率为30％时的拉伸伸长率)在本发明中，使基体材料薄膜1的耐切入度大于等于2.5是根据下面的理由。即，基体材料薄膜1达到断裂时的拉伸强度如果大于为了以30％的拉伸伸长率来扩张在切割用粘着片11中的半导体晶圆外周部的区域所需要的拉伸强度，就可以防止基体材料薄膜1的断裂。在这点上，对于例如即使在切割进行到基体材料薄膜1的1/4～1/2左右厚度的深度的切割缝隙16的部分处也是一样。换句话说，未被切割的状态下的断裂强度的3/4～1/2的值有必要超过以拉伸伸长率的30％扩张了时的拉伸强度。因此，也考虑切割深度的误差等，只要断裂强度大于等于以30％的拉伸伸长率扩张了时的拉伸强度的2.5倍、最好是大于等于3倍即可。即，在本发明中，使基体材料薄膜1的耐切入度大于等于2.5，最好是大于等于3。并且，耐切入度最好分别在MD方向及TD方向中，处于上述数值范围内。
另外，在本发明中，使基体材料薄膜1的拉伸弹性模量是50～250MPa，最好是80～150MPa。通过使拉伸弹性模量处在50～250MPa之间的范围内，从而能够将良好地进行拾取。而且，最好使用拉伸弹性模量处在上述数值范围内，并且基体材料薄膜1的屈服点伸长率大于等于30％且在拉伸伸长率为大于等于0且小于30％期间的扩张中没有屈服点的基体材料薄膜。由此，在扩张时随着切割缝隙16的扩张，也能使半导体晶圆外周部缓慢扩张。而且，例如通过调整构成基体材料薄膜1的树脂的分子结构(硬组合模、软组合模比等)，从而可以使拉伸弹性模量的值在所述范围内增大或减少。另外，拉伸弹性模量最好分别在MD方向及TD方向上进入上述数值范围内。基体材料薄膜1的屈服点伸长率从在规定条件下以JIS K 7162为标准的拉伸试验而得到的S-S曲线中的屈服点来读取。与例如拉伸弹性模量相同，通过调整构成基体材料薄膜1的树脂的分子结构，从而可以使屈服点伸长率的值在所述范围内增大或减少。另外，屈服点伸长率只要在MD方向或TD方向的任意一方向上大于等于30％即可。
作为上述基体材料薄膜1，最好含有选自由聚丙烯系热塑性弹性体、丙烯酸树脂及聚酯系热塑性弹性体组成的群中的至少1种的聚合物。作为上述聚合物的含有量，在仅含有1个种类时，占整个基体材料薄膜1的比例最好是大于等于30wt％。另外，在使用多种上述聚合物时这些含有量的总计占整个基体材料薄膜1的比例最好是大于等于30wt％。
作为聚丙烯系热塑性弹性体，能够例举出例如丙烯-S EBS共聚物、丙烯-SEPS共聚物、丙烯-EPR共聚物等。作为上述丙烯酸树脂，能够例举出例如甲基丙烯酸树脂、各种丙烯酸酯的共聚物等。作为上述聚酯系热塑性弹性体，能够例举出例如由PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)-PE(聚醚)-PBT构成的TPEE(热塑性聚酯弹性体)等。
基体材料薄膜1可以是单层或多层中的任意一种层叠结构。在为多层结构时最好是由奇数层组成。并且，在奇数层时，以其中央层为中心，由相同的物理性能值、构成材料等组成的层较好是对称地层叠于两侧的对称结构。另外，在粘着剂层2是放射线固化型时，最好使用至少使X射线、紫外线、电子射线等放射线的一部分透过的粘着剂。
基体材料薄膜1中可以根据需要来调配矿物油等软化剂、碳酸钙、二氧化硅、滑石粉、云母、粘土等填充剂、抗氧化剂、光稳定剂、防静电剂、润滑剂、分散剂、中和剂、着色剂等各种添加剂。另外，也可以根据需要涂覆防静电剂或着色剂等。
基体材料薄膜1的厚度未受特别限制、可以恰当地确定，通常是10～30μm，最好是50～200μm左右。
另外，基体材料薄膜1可以不拉伸地使用，也可以根据需要对其进行单轴或双轴拉伸处理。在这样制造而成的基体材料薄膜1的表面能够根据需要实施消光处理、电晕放电处理、涂底涂料处理、交联处理等惯用的物理或化学处理。
作为基体材料薄膜1的制膜方法，可以采用以往公知的方法。具体地可以恰当地使用例如压延机制膜、铸造制膜、扩张挤出、T拉模挤出等。另外，在基体材料薄膜1由多层膜组成时，作为该基体材料薄膜1的制膜方法，可以使用例如共同挤出法、干式复合法等惯用的薄膜层叠法。
粘着剂层2可以使用公知或惯用的粘着剂。这种粘着剂并没有什么限制，能后使用例如橡胶系、丙烯酸系、硅酮系、聚酯系、聚醋酸乙酯系等各种粘着剂。
作为上述粘着剂最好是丙烯酸系粘着剂。作为丙烯酸系粘着剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物一般使用烷基(甲基)丙烯酸酯的聚合物或其与共聚合性单体的共聚物。作为丙烯酸系聚合物的主要单体，优选其均聚物的玻璃转移温度小于等于20℃的烷基(甲基)丙烯酸酯。
作为烷基(甲基)丙烯酸酯的烷基，能够例举例如甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、异壬基等。另外，作为上述共聚合性单体，能够例举(甲基)丙烯酸的羟烷基酯(例如羟乙基酯、羟丁基酯、羟己基酯等)、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酸酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟甲基酰胺、氨基烷基烷基(甲基)丙烯酸酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、醋酸乙酯、苯乙烯、丙烯腈、丙烯酰吗啉等。
另外，作为粘着剂，也可以使用由紫外线、电子射线等进行固化的放射线固化型粘着剂或加热发泡型粘着剂。由此，在将半导体芯片12从切割用粘着片11剥离时，通过对粘着剂层2照射紫外线或进行规定加热，能够使粘着剂层2的粘接力下降。其结果能够容易进行半导体芯片的剥离。还可以是切割与芯片焊接可以兼用的粘着剂。在本发明中，使用放射线固化型、最好是使用紫外线固化型。并且，在作为粘着剂而使用放射线固化型粘着剂时，为了能够在切割工序之前或之后对粘着剂照射紫外线，上述基体材料薄膜1最好是具有充分的放射线透过性。
放射线固化型粘着剂含有例如上述基础聚合物(丙烯酸系聚合物)和放射线固化组分而成。放射线固化组分能够不受特别限制地使用在分子中具有碳-碳双键、能够通过自由基聚合固化的单体、低聚物或聚合物。作为放射线固化组分，能够例举例如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸和多元醇的酯化物酯丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基氰尿酸酯、2-羟乙基双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰尿酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰尿酸酯等异氰脲酸酯或异氰尿酸酯化合物、或聚氨酯丙烯酸酯等。
另外，放射线固化型粘着剂作为基础聚合物(丙烯酸系聚合物)，也可以使用在聚合物支链上具有碳-碳双键的放射线固化型聚合物，在该情况下不需要加入上述放射线固化组分。
在用紫外线固化放射线固化型粘着剂时需要光重合引发剂。作为光重合引发剂，能够例举例如安息香甲基醚、安息香丙基醚、安息香异丁基醚等安息香烷基醚类苯偶酰基、安息香、苯酮、α-羟基环己基苯酮等芳香族酮类；苄基二甲基缩酮等芳香族缩酮类；聚乙烯苯甲酮；氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类。
在上述粘着剂中还可以根据需要含有交联剂、增粘剂、填充剂、抗老化剂、着色剂等惯用的添加剂。作为交联剂能够例举例如聚异氰酸酯化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、氮丙啶化合物、环氧树脂、酐、聚胺含羧基聚合物等。
上述粘着剂层2的厚度可以考虑粘着剂的种类及切割时的切割深度等来适当地设定。具体地，最好是粘着剂层2的厚度大于等于1μm，且小于等于上述基体材料厚度的1/3。通过使粘着剂层2的厚度大于等于1μm，从而能够维持作为切割用粘着片11的粘接力。并且，通过使粘着剂层2的厚度小于等于基体材料薄膜1的厚度的1/3，从而能够抑制粘着剂层2的拉伸弹性模量及断裂强度等过度降低，并充分发挥具有基体材料薄膜1的特性。
本发明的切割用粘着片11为了贴签加工或使粘着剂层2平滑，也可以将隔板3层叠到粘着剂层2上。作为隔板3的构成材料能够例举纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯等合成树脂膜。为了提高从粘着剂层2的剥离性，可以根据需要在隔板3的表面实施硅处理、长链丙烯酸处理、氟处理等剥离处理。另外，对应于提高刚性等目的，也可以进行单轴或双轴拉伸处理或用另一塑料薄膜等进行层叠。隔板3的厚度不受特别限定，但较好是例如10～200μm，更好是25～100μm。
图1中，在基体材料薄膜1的一面具有粘着剂层2，粘着剂层2也可以形成于基体材料薄膜1的两面。并且，切割用粘着片11也可以缠绕片而成卷状。
本发明的切割用粘着片11例如可以在基体材料薄膜的表面涂覆粘着剂并使其干燥(根据需要使其加热交联)而形成粘着剂层2，通过根据需要而将隔板贴合到该粘着剂层2的表面来制造。另外，可以采用在另一隔板上形成了粘着剂层2之后将它们贴合到基体材料薄膜1上的方法等。
并且，将切割用粘着片11粘贴到半导体晶圆的工序将通过双面粘着片而固定于支承晶圆(支承板)的半导体晶圆贴合到切割用粘着片11上，并将其固定于切割环13。该工序将半导体晶圆和切割用粘着片11重叠以使得粘着剂层2侧成为贴合面，并通过挤压辊等挤压部件进行挤压。另外，也可以在可加压的容器(例如高压锅等)中，如上述那样地重叠半导体晶圆和切割用粘着片11，并通过使容器内加压从而进行粘贴。此时，也可以一边通过挤压部件挤压，一边进行粘贴。另外，也可以在真空容器内与上述同样地进行粘贴。粘贴时的粘贴温度不受什么限定，但最好是在20～80℃之间。
切断(切割)半导体晶圆并形成半导体芯片12的工序可以按常规方法从半导体晶圆的回路面侧进行。另外，切割可以使用刀具切割、激光切割、等离子切割、或轧裂等公知的方法。并且，在该工序中，作为切割装置能够不受特别限定地使用以往公知的方法。
在将带有粘着剂层2的各半导体芯片12从基体材料薄膜1上剥离的工序中，进行例如通过用针将每个半导体芯片12从切割用粘着片11侧往上顶，并由拾取装置拾取被顶上来的半导体芯片12的方法等。
在上面的说明中，作为被切断体，以使用半导体晶圆的情况为例进行了说明。但本发明不限定于此，对例如半导体封装件、玻璃、陶瓷等被切断体也可以适用。
下面，举例详细说明本发明的较佳实施例。但本实施例中的材料或混合量等只要没有特别限定的记载，并不是将本发明的范围仅限于此的意思，不过是简单的说明例子。
(基体材料薄膜的物理性能评价)通过下面的方法评价了用上述方法制造的基体材料薄膜。将结果在表1中表示。
(1)拉伸弹性模量试验方法是以JIS K 7162为基准进行的。作为测定条件，将作为样品的基体材料薄膜设为初始长度120mm，宽度10mm的长方形状，以与卡盘间距离50mm、拉伸速度300mm/min的在MD方向或TD方向进行拉伸试验，并测定了各方向上的样品的伸长的变化量(mm)。其结果，在得到的S-S曲线(参照图1)的初始的立起的部分引出切线，并用基体材料薄膜的截面积分割其切线相当于100％伸长时的拉伸强度来作为拉伸弹性模量。将结果在下面的表1中表示。
(2)屈服点伸长率、断裂伸长率、耐切入度以与上述(1)所示的方法相同地进行拉伸试验，得到S-S曲线。并且，分别求得了拉伸伸长率在30％时的MD方向或TD方向上的拉伸强度、断裂强度、及断裂伸长率。耐切入度由下面公式求得。并且，S-S曲线如图5所示，在显现不随扩张增加拉伸强度而一旦引起拉伸强度的下降并再次上升的屈服点时，将其屈服点处的拉伸伸长率作为屈服点伸长率来求得耐切入度。
(公式4)耐切入度＝(基体材料薄膜的断裂强度)/(基体材料薄膜的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)实施例1(基体材料薄膜的制造)将三菱化学(公司)制造的“商品名ゼラス”供给到プラコ一公司制造的T拉膜成形机(设定温度为230℃)进行制膜，制造出了厚100μm、宽35cm的基体材料薄膜。三菱化学(公司)制造的“商品名ぜラス”是含有丙稀组分及乙烯丙烯橡胶组分的丙稀系热塑性弹性体。
(基体材料薄膜的物理性能评价)对于得到的基体材料薄膜评价了弹性拉伸模量、屈服点伸长率、断裂伸长率、耐切入度的各个物理性能。
(切割用粘着片的制造)由常规方法使90重量份丙烯酸丁酯及10重量份丙烯酸在甲苯溶液中共聚合，得到了重量平均分子量50万的丙稀系进行共聚合。在含有该丙稀系共聚物的溶液中添加二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名“カヤラツドDPHA”日本化药(公司)制造)80重量份、光重合引发剂(商品名“イルガキユア184”、チバスペシヤルテイ一ケミカルズ公司制造)5重量份、聚异氰酸酯化合物(商品名“コロネ一トL”、日本ポリウレタン(公司)制造)5重量份，调制出了丙稀系紫外线固化型粘着剂溶液。
将用上述方法调制而成的粘着剂溶液涂覆在用上述方法得到的基体材料薄膜的电晕处理面上，并在80℃加热交联10分钟，从而形成10μm厚的紫外线固化型粘着剂层。然后，将隔板贴合于该粘着剂层面而制造出紫外线固化型切割用粘着片。
实施例2(基体材料薄膜的制造)将(公司)クラレ制造的“商品名パラペツトSA-F”(甲基丙烯酸酯树脂)压延成形而膜化(设定温度170℃)，制造出厚100μm、宽35cm的基体材料薄膜。
(基体材料薄膜的物理性能评价)与实施例1同样地对得到的基体材料薄膜的物理性能进行评价。将结果表示在下面的表1中。
(切割用粘着片的制造)将用实施例1调制出的粘着剂溶液涂覆到用上述方法得到的基体材料薄膜的电晕处理面上，并在80℃加热交联10分钟，从而形成10μm厚的紫外线固化型粘着剂层。然后，将隔板贴合于该粘着剂层面而制造出紫外线固化型切割用粘着片。
实施例3(基体材料薄膜的制造)将帝人化成(公司)制造的“商品名ヌ一ベラン”(聚酯弹性体树脂)供给到プラコ一公司制造的T拉膜成形机(设定温度为230℃)进行制膜，制造出厚100μm、宽35cm的基体材料薄膜。
(基体材料薄膜的物理性能评价)与实施方式1同样地对得到的基体材料薄膜的物理性能进行评价。将结果表示在下面的表1中。
(切割用粘着片的制造)将用实施例1调制出的粘着剂溶液涂覆到用上述方法得到的基体材料薄膜的电晕处理面上，并在80℃交联固化10分钟，从而形成10μm厚的紫外线固化型粘着剂层。然后，将隔板贴合于该粘着剂层面而制造出紫外线固化型切割用粘着片。
比较例1
在本比较例中，作为基体材料薄膜，使用低密度聚乙烯(商品名スミカセン、MFR＝1.5、三井住友ポリオレフイン(公司)制造)，通过T拉模压出法制造薄膜(厚100μm)、除使用对该薄膜单面实施电晕处理的基体材料薄膜外，与实施方式1同样地制造出紫外线固化型切割用粘着片。
比较例2在本比较例中，作为基体材料薄膜，使用乙烯-甲基丙烯酸共聚物(商品名ニユクレル、MFR＝2.0、三井デユポンポリケミカン(公司)制造)，通过T拉模压出法制造薄膜(厚100μm)、除使用对该薄膜单面实施电晕处理的基体材料薄膜外，与实施方式1同样地制造出紫外线固化型切割用粘着片。
(评价)通过下面的方法评价了用实施例及比较例得到的各切割用粘着片。将这些结果表示在下面的表1中。
(1)扩张性评价将350μm厚的8英寸晶圆固定到切割用粘着片上，在下面的条件下进行切割。
分划片机DISCO公司制造、DFD-651(商品名)刀具DISCO公司制造、NBC-ZH2050 27HEDD(商品名)刀具转速45,000rpm切割速度100mm/sec切割深度相对于基体材料薄膜为40μm切割尺寸8mm×8mm用模具连接器(装置名“CPS-100”、“NECマシナリ一(公司)制造”)将切割后的工件，通过使相对于内环的外环的拉下量变化为5mm、10mm、15mm而分别进行扩张，确认各切割用粘着片有无断裂。
(表1)
(2)结果如从表1所得知的那样，得知了在实施例中的切割用粘着片的情况，不产生断裂且扩张性优良。另一方面，已经确认了在比较例中的切割用粘着片的情况，虽然拉下量为5mm时未产生断裂，但在10mm或15mm的拉下量时产生断裂。
权利要求
1.一种切割用粘着片，其采用在基体材料的至少一面具有粘着剂层的结构，在加工被切断体时使用，其特征在于，上述基体材料的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，由下面公式表示的耐切入度大于等于2.5，(公式1)耐切入度＝(上述基体材料的断裂强度)/(上述基体材料的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)。
2.根据权利要求1所述的切割用粘着片，其特征在于，上述基体材料的屈服点伸长率大于等于30％。
3.根据权利要求1所述的切割用粘着片，其特征在于，上述基体材料含有选自由聚丙烯系热塑性弹性体、丙烯酸树脂及聚酯系热塑性弹性体组成的群中的至少1种。
4.根据权利要求1所述的切割用粘着片，其特征在于，上述粘着剂层的厚度是1μm～上述基体材料厚度的1/3。
5.根据权利要求1所述的切割用粘着片，其特征在于，上述粘着剂层含有放射线固化型粘着剂。
6.一种被切断体的加工方法，其特征在于，包括下面工序，将切割用粘着片粘贴于被切断体的工序，该切割用粘着片是采用在基体材料的至少一面具有粘着剂层的结构的、在加工被切断体时使用的切割用粘着片，上述基体材料的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，由下面公式中表示的耐切入度大于等于2.5；切断上述被切断体而形成被切断体小片的工序，其从该被切断体侧到上述切割用粘着片的基体材料进行该切断；使上述切割用粘着片扩张，扩大粘接固定于该切割用粘着片的各被切断体小片的间隔的工序；将带有上述粘着剂层的被切断体小片从上述基体材料剥离的工序，(公式2)耐切入度＝(上述基体材料的断裂强度)/(上述基体材料的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)。
7.根据权利要求6所述的被切断体的加工方法，其特征在于，上述基体材料的屈服点伸长率大于等于30％。
8.根据权利要求6所述的被切断体的加工方法，其特征在于，上述基体材料含有选自由聚丙烯系热塑性弹性体、丙烯酸树脂及聚酯系热塑性弹性体组成的群中的至少1种。
9.根据权利要求6所述的被切断体的加工方法，其特征在于，上述粘着剂层的厚度是1μm～上述基体材料厚度的1/3。
10.根据权利要求6所述的被切断体的加工方法，其特征在于，上述粘着剂层含有放射线固化型粘着剂。
11.根据权利要求6所述的被切断体的加工方法，其特征在于，上述被切断体是半导体元件。
12.一种被切断体小片，其特征在于，通过权利要求6所述的被切断体的加工方法制造而成。
全文摘要
本发明提供一种能够完全防止扩张工序时的破裂的切割用粘着片、使用该切割用粘着片的被切断体的加工方法以及通过该加工方法得到的被切断体小片。一种采用在基体材料(1)的至少一面具有粘着剂层(2)的结构的、在加工被切断体时使用的切割用粘着片(11)，其特征在于上述基体材料(1)的拉伸弹性模量是50～250MPa，断裂伸长率大于等于200％，在下面公式中表示的耐切入度大于等于2.5。(公式1)耐切入度＝(上述基体材料1的断裂强度)/(上述基体材料1的拉伸伸长率为30％时的拉伸强度)。
文档编号B26D7/08GK1884412SQ200610087139
公开日2006年12月27日 申请日期2006年6月13日 优先权日2005年6月22日
发明者山本昌司, 桥本浩一, 新谷寿朗 申请人:日东电工株式会社