薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法与流程

文档序号：13596651阅读：246来源：国知局

本发明涉及薄膜晶体管阵列，特别涉及适用于柔性基板或印刷法中的薄膜晶体管阵列。

背景技术：

以将半导体本身作为基板的晶体管或集成电路技术为基础，在玻璃基板上制造出非晶硅(a－Si)或多晶硅(poly－Si)的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)阵列，并应用于液晶显示器或电泳显示器等。TFT起到开关的作用，在通过向栅极布线提供的选择电压而使TFT接通(ON)了时，将向源极布线提供的信号电压写入至与漏极连接的像素电极。被写入的电压被由像素电极/栅极绝缘膜/电容器电极构成的蓄积电容器保持。电容器电极被从电容器布线施加电压。在此，在TFT阵列的情况下，源极和漏极的动作根据写入的电压的极性而不同，因此，无法通过动作的特征来决定源极和漏极的名称。因此，方便起见，将一方称作源极而将另一方称作漏极来统一称呼。在本发明中，将与布线连接的那一方称作源极，将与像素电极连接的那一方称作漏极。

在显示元件中使用薄膜晶体管阵列的情况下，若布线中出现短路或断线，则成为线缺陷或点缺陷，存在问题。于是，提出了减少缺陷的影响的方法、以及修正缺陷的方法。

专利文献1中公开了对源极布线4’追加架桥部31而设为梯子状来消除源极布线4’的断线的影响(图19)。然而，在此并没有示出短路缺陷的修正方法。

专利文献2中公开了1像素中具有2个TFT的薄膜晶体管阵列(图20)。在2个当中的1个TFT的源电极4与漏电极5之间出现短路的情况下，通过用激光将该TFT切离来减少影响。但是，该情况下会产生接通电流减半的问题、以及栅极场穿越电压减少的问题。

关于接通电流减半的问题，如果是1个TFT就足够了的过剩设计的话，则没有影响。在不是过剩设计的情况下，会因接通电流不足而产生写入不足。

此外，若TFT为1个则栅极－漏极间电容也减少成1个的量，因此，断开了栅极电位时像素电位发生变化的栅极场穿越电压会变小。在该栅极场穿越电压无法被忽略的情况下，为了消除栅极场穿越电压的影响，而使对置电极的基准电位偏移与栅极场穿越电压同等的量，但是，这是以全部像素的栅极场穿越电压为同等为前提的。将TFT切离掉1个后的像素中，栅极场穿越电压几乎成为一半，因此，成为在对置电极－像素间始终被施加大约一半栅极场穿越电压的状态，在电泳显示器的情况下存在显示状态有些偏差的问题。此外，在液晶显示器中存在液晶被施加直流成分而容易引起烧屏的问题。

而且，并没有记载对于源电极－漏电极间以外的部分、例如源极布线－像素电极间的短路等的处理方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开平10－133228号公报

专利文献2:特开平07－199221号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

本发明鉴于该以往技术的状况而做出，目的在于提供一种薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法，能够抑制断线的影响的同时适于各种短路的修复，并且能够减少修复后的显示差异。

用于解决课题的手段

用于解决上述课题的本发明的一方面为一种薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管而构成，该薄膜晶体管的结构为，在形成有栅电极、与该栅电极连接的栅极布线、电容器电极以及与该电容器电极连接的电容器布线的绝缘基板上的与该栅电极重叠的区域，经由栅极绝缘膜形成有具有包含半导体图案的间隙的源电极及漏电极，该半导体图案被保护层覆盖，并且，该薄膜晶体管按照每1像素而独立地形成有2个，各像素中的2个源电极与2根源极布线分别连接，2个漏电极经由单独的漏极连接电极与该各像素的电极连接，其中，该薄膜晶体管阵列具有将按照每1像素而形成的2个薄膜晶体管的源电极彼此连接的源极连接电极，2根源极布线被施加相同的驱动波形。

此外，也可以是，源极连接电极至少具有不与栅电极及栅极布线重叠的部分。

此外，也可以是，保护层为沿着栅极布线的条纹形状，不仅覆盖半导体图案而且还覆盖栅极布线。

此外，也可以是，还具有至少覆盖源极布线的绝缘膜。

此外，也可以是，保护层为沿着源极布线的条纹形状，不仅覆盖半导体图案而且还覆盖源极布线。

此外，也可以是，还具有至少覆盖源极连接电极及栅极布线的绝缘膜。

此外，也可以是，像素电极具有离漏电极近的第一电容器和离漏电极远的第二电容器。

此外，也可以是，电容器电极在至少与像素电极重叠的区域具有狭缝，并被狭缝分成了离漏电极近侧的第一电容器电极和离漏电极远侧的第二电容器电极，第一电容器由像素电极/栅极绝缘膜/第一电容器电极构成，第二电容器由像素电极/栅极绝缘膜/第二电容器电极构成。

此外，也可以是，还具有：绝缘膜，在像素电极之中的第一电容器部分之上具有开口部，至少覆盖像素电极之中的第二电容器部分、源电极、源极连接电极及源极布线；以及上部像素电极，在绝缘膜之上，经由开口部与像素电极连接。

此外，本发明的其他方面为薄膜晶体管阵列的方法，是制造上述的薄膜晶体管阵列的方法，其中，包括：在绝缘基板上，形成栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线的工序；在栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线之上，形成栅极绝缘膜的工序；在栅极绝缘膜之上，形成源电极、源极布线、源极连接电极、漏电极、漏极连接电极及像素电极的工序；对源电极、源极布线、源极连接电极、漏电极、漏极连接电极及像素电极的断线或短路进行检查的工序；根据检查的结果，对短路部位、源极布线、源极连接电极及漏极连接电极的至少1个进行激光切割的工序；形成半导体的工序；以及形成对半导体进行保护的保护层的工序；激光切割的工序在检查的工序之后进行。

此外，也可以是，对断线或短路进行检查的工序为图像检查。

此外，也可以是，在激光切割的工序中，1)在源电极与漏电极之间存在短路的情况下，将存在短路的薄膜晶体管的漏极连接电极，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割；2)在栅电极或者栅极布线上在相邻的源极布线间存在短路的情况下，在存在短路的源极布线的至少一方侧，将夹着短路部位的源极布线的2部位、以及离短路部位最近的薄膜晶体管的漏极连接电极及源极连接电极，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割；3)在电容器电极或者电容器布线上在相邻的源极布线间存在短路的情况下，在存在短路的源极布线的至少一方侧，将夹着短路部位的源极布线的2部位，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割；4)在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处在相邻的源极布线间存在短路的情况下，对短路部位进行切割；5)在电容器电极或者电容器布线上在源极布线与像素电极之间存在短路的情况下，将夹着短路部位的源极布线的2部位，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割；6)在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处在源极布线或者源电极与像素电极之间存在短路的情况下，对短路部位进行切割；7)在像素电极与源极连接电极之间存在短路的情况下，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处对短路部位进行切割。

此外，也可以是，在激光切割的工序中，1)在源电极与漏电极之间存在短路的情况下，将存在短路的薄膜晶体管的漏极连接电极，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割，并且，将像素电极，在第一电容器与第二电容器之间进行切割；2)在栅电极或者栅极布线上在相邻的源极布线间存在短路的情况下，在存在短路的源极布线的至少一方侧，将夹着短路部位的源极布线的2部位、以及离短路部位最近的薄膜晶体管的漏极连接电极及源极连接电极，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割，并且，将像素电极，在第一电容器与第二电容器之间进行切割；3)在电容器电极或者电容器布线上在相邻的源极布线间存在短路的情况下，在存在短路的源极布线的至少一方侧，将夹着短路部位的源极布线的2部位，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割；4)在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处在相邻的源极布线间存在短路的情况下，对短路部位进行切割；5)在电容器电极或者电容器布线上在源极布线与像素电极之间存在短路的情况下，将夹着短路部位的源极布线的2部位，在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处进行切割；6)在不与栅电极、栅极布线、电容器电极及电容器布线重叠的位置处在源极布线与像素电极之间存在短路的情况下，对短路部位进行切割；7)在像素电极与源极连接电极之间存在短路的情况下，对短路部位当中的不与栅极布线及电容器电极重叠的位置进行切割；8)在漏极连接电极存在断线的情况下，将存在断线的薄膜晶体管的像素电极，在第一电容器与第二电容器之间进行切割。

此外，也可以是，还具有形成绝缘膜的工序。

此外，也可以是，还具有形成上部像素电极的工序。

此外，本发明的其他方面为图像显示装置，在通过上述的薄膜晶体管阵列的制造方法制成的薄膜晶体管阵列与具有对置电极的其他基板之间，夹着显示介质。

此外，本发明的其他方面为图像显示装置的显示方法，显示介质为电泳体，预先存储将2个薄膜晶体管当中的1个切除后的像素的位置，对该像素的原数据的明亮度进行修正。

此外，也可以是，显示介质为液晶，预先存储将2个薄膜晶体管当中的1个切除后的像素的位置，对该像素驱动时的源极电压进行修正。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够抑制断线的影响的同时适于各种短路的修复、并且能够减少修复后的显示差异的薄膜晶体管阵列及该制造方法、图像显示装置及显示方法。

附图说明

图1A是表示本发明的第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图1B是表示本发明的第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图1C是表示本发明的第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图2是表示本发明的第一实施方式所涉及的其他薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图3A是表示本发明的第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图3B是表示本发明的第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图3C是表示本发明的第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图4是表示本发明的第二实施方式所涉及的其他薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图5A是表示第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图5B是表示第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图5C是表示第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图5D是表示第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图6A是表示第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图6B是表示第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图6C是表示第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图6D是表示第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图7A是表示本发明的第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图7B是表示本发明的第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图8是表示本发明的第三实施方式所涉及的其他薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图9A是表示本发明的第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图9B是表示本发明的第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图10是表示本发明的第四实施方式所涉及的其他薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图11A是表示第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图11B是表示第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图11C是表示第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图11D是表示第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图12A是表示第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图12B是表示第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图12C是表示第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图12D是表示第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的修复方法的一个例子的俯视图。

图13是表示本发明的第五实施方式所涉及的显示装置的一个例子的截面图。

图14是表示本发明的第五实施方式所涉及的显示装置的一个例子的截面图。

图15是表示本发明的第五实施方式所涉及的显示装置中的动作的波形图。

图16是表示本发明的显示方法的一个例子的波形图。

图17是表示本发明的显示装置中的动作的波形图。

图18是表示本发明的显示方法的一个例子的波形图。

图19是表示以往的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

图20是表示以往的薄膜晶体管阵列的一个例子的俯视图。

具体实施方式

以下，使用附图详细地说明本发明的实施方式。另外，以下所使用的附图中，为了易懂地进行说明而并未正确地描绘比例尺。例如，将源电极及漏电极稍大地描绘而将像素电极稍小地描绘。

(第一实施方式)

图1A～C及图2中示出了本发明的第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子。图1A～图1C及图2为薄膜晶体管阵列的一个例子，该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管为，在绝缘基板1之上，具有栅电极2及与其连接的栅极布线2’、以及电容器电极10及与其连接的电容器布线10’，在其之上具有栅极绝缘膜(未图示)，在其之上，在从上方观察时与栅电极2重叠的区域，按照每1像素而具有两组的具有间隙的源电极4及漏电极5，至少在该源电极4与漏电极5的间隙中具有半导体图案6，该2个源电极4与2根源极布线4’分别连接，该2个漏电极5经由2个漏极连接电极5a而与1个像素电极7连接，该像素电极7至少与该电容器电极10重叠，该薄膜晶体管具有至少将半导体图案6覆盖的保护层6’，其中，该薄膜晶体管阵列具有将该2个源电极4彼此连接的源极连接电极4a，该2根源极布线4’被施加有相同的驱动波形。

图1A的(a)为在绝缘基板1上形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10’的俯视图。图1A的(b)为，在其之上形成了栅极绝缘膜(未图示)之后，形成了源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a以及像素电极7时的俯视图。在此，栅电极2和栅极布线2’为共同的条纹形状，电容器电极10和电容器布线10’也为共同的条纹形状。这样，栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’为等宽的条纹形状，由此，具有即使上层的图案相对于该层在左右方向上产生错位也没有影响的优点。图1A的(c)为形成了半导体图案6之后的俯视图。在此，半导体图案6在栅电极2和栅极布线2’之上，以将源电极4与漏电极5之间包含在内的方式形成为点状。图1B的(d)为形成了保护层6’之后的俯视图。保护层6’具有相对于后述的显示介质13或绝缘膜8的成分对半导体图案6进行保护的作用。在此，优选为，保护层6’形成为至少覆盖半导体图案6，为与栅极布线2’方向平行的、在多个TFT中为连续的等宽的条纹形状。通过设为等宽的条纹形状，而具有即使保护层6’相对于下层的源电极4及漏电极5、或者半导体图案6在左右方向上产生了错位也没有影响的优点。图1B的(e1)、图1B的(e2)、图1C的(e3)为进而形成了绝缘膜8的俯视图。在图1B的(e1)中，绝缘膜8为覆盖源极布线4’的等宽的条纹形状。该情况下，具有即使绝缘膜8相对于下层的源极布线4’在俯视图的上下方向(与源极布线4’平行的方向)上产生了错位也没有影响的优点。图1B的(e2)中，绝缘膜8为覆盖源极布线4’的点形状。图1C的(e3)中，绝缘膜8为覆盖源极布线4’和保护层6’的格子状。该绝缘膜8优选为覆盖栅电极2和栅极布线2’，更优选为还覆盖源极连接电极4a。绝缘膜8具有防止源极布线4’等的电压给显示带来影响的作用。而且，也可以如图1C的(f)所示，还具有上部像素电极9。上部像素电极9将其空间宽度设为比保护层6’的宽度、绝缘膜8的宽度小，由此具有增大像素间距之中的对显示有效的区域的面积比(开口率)的效果。

在此，使用图5A～D来说明对断线及短路的应对。本第一实施方式的薄膜晶体管阵列由于具有源极连接电极4a，因此，即使在源极布线4’、源电极4、源极连接电极4a的某个产生了断线的情况下，也仍能够继续对断线以后的源电极4供给源极电压。

例如，在对图5A的(a)的源极布线4’从纸面的下方向上方供电的情况下，即使左方的源极布线4’中存在断线21，也能够在断线21的紧上方，按照“右方的源极布线4’→右方的源电极4→源极连接电极4a→左方的源电极4→左方的源极布线4’”被供电，断线21不产生影响。源极连接电极4a对2个源电极4间进行连接，因此，无需另外设置对2根源极布线4’间直接进行连接的架桥部，能够增大开口率。

此外，1像素具有2个TFT，因此，在一个TFT的漏极连接电极5a中产生断线21而无法流动接通电流的情况下(图5A的(b))，或者在源电极4或漏电极5中产生断线而接通电流变小的情况下，也能够通过另一个TFT来进行写入。

此外，在产生了短路的情况下，能够通过激光切割来避免影响。金属由于容易吸收光，因此容易适用激光切割，绝缘膜由于不容易吸收光，因此不易适用激光切割。在仅在最上部具有金属电极的情况下，由于金属容易蒸发，因此激光切割很简单。在金属电极上具有绝缘膜的情况下，光从绝缘膜透射而照射到金属电极，给绝缘膜带来损伤的同时能够使金属从其间隙蒸发，能够进行激光切割。然而，在金属\绝缘膜\金属的层叠构造的情况下，上层的金属电极能够进行激光切割，但是由于会给绝缘膜带来损伤，因此，有时会导致与下层金属电极之间的耐电压变差。此外，由于上层的金属容易地蒸发，因此，很难用激光将上下金属进行连接。另外，半导体由于吸收光的一部分，因此，能够进行激光切割。

在源电极4与漏电极5之间存在短路22的情况下(图5B的(c))，将TFT的漏极连接电极5a，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。像素电极7通过另1个TFT被写入。

在栅电极2和栅极布线2’上相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图5B的(d))，将夹着短路部位的源极布线4’的上下2部位(即2处)、与短路部位最近的晶体管的漏极连接电极5a和源极连接电极4a，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。该切断只要相对于短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏或线缺陷。

在电容器电极10和电容器布线10’上相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图5B的(e))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。该切断只要相对于短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图5C的(f))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在电容器电极10和电容器布线10’上在源极布线4’与像素电极7之间存在短路22的情况下(图5C的(g))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。

在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处在源极布线4’与像素电极7之间存在短路22的情况下(图5D的(h))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。

在像素电极7与源极连接电极4a之间存在短路22的情况下(图5D的(i))，将不与短路部位的栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。

另外，在源极布线4’或者源电极4与栅电极2和栅极布线2’之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，与图5B的(d)同样，将源极布线4’的上下2部位、漏极连接电极5a以及源极连接电极4a，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免驱动器的破坏及十字线缺陷。但是，该短路未必能够在图像检查中检测出来。

而且，在源极布线4’或者源电极4与电容器电极10和电容器布线10’之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，能够与图5C的(g)同样，将源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。但是，该短路也未必能够在图像检查中检测出来。

此外，在图1A～C中，源极连接电极4a具有与栅电极2和栅极布线2’完全不重叠的部分。在此，“完全不重叠的部分”是指，在源极连接电极4a的某个部分的宽度方向上与栅电极2和栅极布线2’完全不重叠。由此，对源极连接电极4a进行激光切割时，与栅电极2和栅极布线2’重叠的部分无需被照射激光，不会导致栅极－源极间的耐电压降低。另一方面，在源极连接电极4a不具有与栅电极2和栅极布线2’完全不重叠的部分的情况下(图2的(b))，与栅电极2和栅极布线2’重叠的部分会被照射激光，存在对源极连接电极4a进行激光切割时栅极－源极间的耐电压降低的情况。

另外，在图1A～C中，源极连接电极4a在俯视时相对于栅电极2和栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相同的一侧。关于该点，也可以是，如图2的(a)所示，源极连接电极4a在俯视时相对于栅电极2和栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相反的一侧。此外，源电极4及漏电极5的形状不限于图1A的(b)，例如也可以是图2的(c)那样的形状。而且，半导体图案6可以是在各TFT中独立的点，也可以是与同一像素电极连接的2TFT的量连接而成的1个点(未图示)。该情况下，1个印刷图案的面积变大为2倍多，因此，在半导体油墨的供给量不均匀的情况下也能够使膜厚平均化，能够减少差异。

使用图1A～C对第一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造方法进行说明。首先，在绝缘基板1之上，形成等宽条纹形状的栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。作为绝缘基板1，可以是玻璃基板那样的刚硬的材料，也可以是如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)等那样柔性的材料。作为栅电极2、栅极布线 2’、电容器电极10以及电容器布线10’，可以使用Al、Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以对油墨进行印刷·烧结，也可以是在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，或者也可以是在整面成膜后通过抗蚀剂印刷·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成。

接下来，在整面形成栅极绝缘膜(未图示)。作为栅极绝缘膜，能够使用SiO₂、SiON、SiN等无机物、聚乙烯基苯酚(PVP)和环氧树脂(epoxy)等有机物。作为制法，通过溅射、CVD等真空成膜、溶液的涂敷·烧结来得到。另外，对位于薄膜晶体管阵列外的向栅极布线2’的电压供给部(未图示)，不实施栅极绝缘膜。

然后，形成源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a以及像素电极7(图1A的(b))。作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a以及像素电极7，能够使用Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt、Al等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以是在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，优选对油墨进行印刷·烧结来得到。作为印刷方法，优选为网版印刷、凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷等。特别是凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷能够再现性良好地形成20μm以下的图案。

在此，针对源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，实施图像检查，通过图像处理预先调查断线或短路部位。另外，关于源极布线4’的断线，如果是在相同像素部中左右2根源极布线4’同时断线，则没有影响。关于漏极连接电极5a的断线，如果是驱动相同像素的2根漏极连接电极同时断线，则虽然成为1TFT驱动，但是仍然能够动作。

然后，作为对短路的应对，进行激光切割。至少针对源电极4－漏电极5间的短路、相邻的源极布线4’间的短路、源极布线4’－像素电极7间的短路、像素电极7－源极连接电极4a间的短路，如所述那样，通过图5B的(c)～图5D的(i)的方法进行激光切割。

另外，检查工序不限于后述的半导体图案6形成工序前，也可以是在半导体图案6形成工序后，或者保护层6’形成后。激光切割工序只要是比检查工序靠后即可，可以在半导体图案6形成后，也可以在保护层6’形成后。即，可以是下述的任意一个。

1)检查→激光切割→半导体→保护层

2)检查→半导体→激光切割→保护层

3)检查→半导体→保护层→激光切割

4)半导体→检查→激光切割→保护层

5)半导体→检查→保护层→激光切割

6)半导体→保护层→检查→激光切割

但是，通常来讲，希望在半导体图案6形成后迅速地形成保护层6’，因此优选1)3)6)中的任意一个。此外，在激光切割后设置保护层6’的1)2)4)中，具有源极连接电极4a也能够由保护层6’覆盖的优点。而且，在出于半导体图案6的不均较多等理由而难进行检查的情况下，优选1)2)3)中的任意一个。

在检查工序、激光切割工序之前、之间或者之后，形成半导体图案6(图1A的(c))。作为半导体图案6，能够使用聚噻吩系、并苯系、丙烯胺系等有机半导体；In₂O₃系、Ga₂O₃系、ZnO系、SnO₂系、InGaZnO系、InGaSnO系、InSnZnO系等氧化物半导体。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、柔版印刷等进行印刷·烧结的方法。

在半导体图案6形成后，形成保护层6’(图1B的(d))。保护层6’至少覆盖半导体图案6、源电极4、以及漏电极5，优选覆盖栅电极2和栅极布线2’的整体。此外，在激光切割比保护层6’形成工序靠前的情况下，优选还覆盖源极连接电极4a。在激光切割比保护层6’形成工序靠后的情况下，无法覆盖源极连接电极4a。作为保护层6’，能够使用氟类树脂、硅类树脂等。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、网版印刷等进行印刷·烧结的方法。

然后，在激光切割工序之后、且保护层6’形成之后，形成绝缘膜8(图1B的(e1)，图1B的(e2)或者图1C的(e3))。在保护层6’将源极连接电极4a也覆盖的情况下，绝缘膜8可以仅覆盖源极布线4’即可。在保护层6’不覆盖源极连接电极4a的情况下，优选用绝缘膜8覆盖源极连接电极4a。但是，如果源极连接电极4a的面积小，则即使不用绝缘膜8 覆盖对显示的影响也小。作为绝缘膜8，优选环氧树脂等有机绝缘膜。作为工序，优选为网版印刷或凹版胶印。

而且，也可以还形成上部像素电极9(图1C的(f))。但是，仅限于源极连接电极4a被保护层6’或者绝缘膜8覆盖的情况。作为上部像素电极9，优选Ag糊剂等。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

另外，也可以是，在栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’形成工序与栅极绝缘膜形成工序之间，还具有检查栅电极2和栅极布线2’－电容器电极10和电容器布线10’间的短路的工序、以及对该短路进行激光切割的工序。

(第二实施方式)

图3A～C及图4中示出了本发明的第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子。图3A～C及图4为薄膜晶体管阵列的一个例子，该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管为，在绝缘基板1之上，具有栅电极2及与其连接的栅极布线2’、电容器电极10及与其连接的电容器布线10’，在其之上具有栅极绝缘膜(未图示)，在其之上，在从上方观察时与栅电极2重叠的区域，按照每1像素具有2组的具有间隙的源电极4及漏电极5，至少在该源电极4与漏电极5的间隙具有半导体图案6，该2个源电极4与2根源极布线4’分别连接，该2个漏电极5经由2个漏极连接电极5a与1个像素电极7连接，该像素电极7至少与该电容器电极10重叠，该薄膜晶体管具有至少覆盖半导体图案6的保护层6’，其中，该薄膜晶体管阵列具有将该2个源电极4彼此连接的源极连接电极4a，该2根源极布线4’被施加相同的驱动波形。

图3A的(a)为在绝缘基板1上形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’的俯视图，图3A的(b)为在其之上形成栅极绝缘膜(未图示)后又形成了源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7时的俯视图。图3A的(c)为形成了半导体图案6后的俯视图。在此，半导体图案6能够设为与源极布线4’平行的方向的在多个TFT中连续的等宽条纹状。该情况下，具有即使半导体图案6的对位在图的上下方向(与源极布线4’平行的方向)上产生了错位也没有影响的优点。图3B的(d)为形成了保护层6’ 后的俯视图。保护层6’具有相对于后述的显示介质13或绝缘膜8的成分对半导体图案6进行保护的作用。在此，保护层6’优选为，形成为至少覆盖半导体图案6，为与源极布线4’平行的在多个TFT中连续的等宽的条纹形状。通过设为等宽的条纹形状，具有即使保护层6’相对于下层的源电极4及漏电极5或半导体图案6在上下方向上发生错位也没有影响的优点。图3B的(e1)、(e2)为还形成了绝缘膜8的俯视图。图3B的(e1)中，绝缘膜8为覆盖源极连接电极4a的等宽的条纹形状，优选同时覆盖栅极布线2’。该情况下，具有即使绝缘膜8相对于下层的源极连接电极4a在俯视图的左右方向(与栅极布线2’平行的方向)产生错位也没有影响的优点。在图3B的(e2)中，绝缘膜8为覆盖源极连接电极4a和保护层6’的格子状，更优选为还覆盖栅极布线2’。绝缘膜8具有防止源极连接电极4a或栅极布线2’等的电压给显示带来影响的作用。而且，如图3C的(f)所示，也可以还具有上部像素电极9。上部像素电极9通过将其空间宽度设为比保护层6’的宽度、绝缘膜8的宽度更小，具有能够增大像素间距当中的对显示有效的区域的面积比(开口率)的效果。

在此，关于对断线或短路的应对，使用图6A～D进行说明。本第二实施方式的薄膜晶体管阵列由于具有源极连接电极4a，因此，即使在源极布线4’、源电极4、以及源极连接电极4a的某个中产生了断线的情况下，也仍能够继续将源极电压向断线以后的源电极4供给。

例如向图6A的(a)的源极布线4’从纸面的下方向上方供电的情况下，即使在左方的源极布线4’存在断线21，也能够在断线21的紧上方按照“右方的源极布线4’→右方的源电极4→源极连接电极4a→左方的源电极4→左方的源极布线4’”被供电，断线21不产生影响。源极连接电极4a对2个源电极4间进行连接，因此，无需另外设置将2根源电极4间直接连接的冗长的布线，能够增大开口率。

此外，1像素具有2个TFT，因此，在一个TFT的漏极连接电极5a中产生断线21而不流动接通电流的情况下(图6A的(b))、或者在源电极4或漏电极5中产生断线而接通电流变小的情况下，也能够由另一个TFT进行写入。

此外，在产生了短路的情况下，通过进行激光切割能够避免影响。金属容易吸收光，因此容易适用激光切割，绝缘膜不易吸收光，因此不易适用激光切割。仅在最上部具有金属电极的情况下，金属容易地蒸发，因此激光切割简单。在金属电极上具有绝缘膜的情况下，光透射绝缘膜而照射到金属电极，对绝缘膜带来损伤的同时能够使金属从其间隙蒸发，因此能够进行激光切割。然而，在金属\绝缘膜\金属的层叠构造的情况下，上层的金属电极的激光切割能够进行，但是会给绝缘膜带来损伤，因此，有时会使与下层金属电极之间的耐电压变差。此外，上层的金属容易地蒸发，因此，很难通过激光对上下金属进行连接。另外，半导体由于吸收光的一部分，因此，能够进行激光切割。

在源极布线4’或者源电极4与漏电极5之间存在短路22的情况下(图6B的(c))，将TFT的漏极连接电极5a，在不与栅电极2、电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。像素电极7通过另1个TFT被写入。

在栅电极2上在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图6B的(d))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位、与短路部位最近的晶体管的漏极连接电极5a和源极连接电极4a，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。该切断只要针对短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在电容器布线10’上在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图6B的(e))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。该切断针对短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置处在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图6C的(f))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在电容器布线10’上在源极布线4’与像素电极7之间存在短路22的情况下(图6C的(g))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。

在不与电容器布线10’重叠的位置处在源极布线4’或者源电极4与像素电极7之间存在短路22的情况下(图6D的(h))，将短路部位的不与栅电极2重叠的位置23切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。

在像素电极7与源极连接电极4a之间存在短路22的情况下(图6D的(i))，将短路部位的不与栅电极2重叠的位置23切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。

另外，在源极布线4’或者源电极4与栅电极2之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，与图6B的(d)同样，将源极布线4’的上下2部位、漏极连接电极5a、以及源极连接电极4a，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免驱动器的破坏及十字线缺陷。但是，该短路未必能够在图像检查中检测出来。

而且，在源极布线4’或者源电极4与电容器布线10’之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，与图6C的(g)同样，将源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。但是，该短路也未必能够在图像检查中检测出来。

此外，图3A～C中，源极连接电极4a具有与栅极布线2’完全不重叠的部分。在此，“完全不重叠的部分”是指，在源极连接电极4a的某个部分的宽度方向上与栅极布线2’完全不重叠。由此，在对源极连接电极4a进行激光切割时，与栅极布线2’重叠的部分无需被照射激光，不会使栅极－源极间的耐电压降低。另一方面，源极连接电极4a不具有与栅极布线2’完全不重叠的部分的情况下(图4的(b))，与栅极布线2’重叠的部分被照射激光，在对源极连接电极4a进行激光切割时，存在栅极－源极间的耐电压降低的情况。

另外，在图3A～C中，源极连接电极4a在俯视时相对于栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相同的一侧。关于该点，如图4的(a)所示，也可以是，源极连接电极4a在俯视时相对于栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相反的一侧。此外，源电极4及漏电极5的形状不限于图3A的(b)，也可以是例如图4的(c)那样的形状。但是，在图4的(a)～(c) 中，省略了半导体图案6或保护层6’的记载。

使用图3A～C对第二实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造方法进行说明。首先，在绝缘基板1之上，形成栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’(图3A的(a))。作为绝缘基板1，可以是玻璃基板那样的刚硬的材料，也可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)等柔性的材料。作为栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’，能够使用Al、Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以对油墨进行印刷·烧结，也可以在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，或者也可以在整面成膜后通过抗蚀剂印刷·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成。

接下来，在整面形成栅极绝缘膜(未图示)。作为栅极绝缘膜，能够使用SiO₂、SiON、SiN等无机物、聚乙烯基苯酚(PVP)和环氧树脂等有机物。作为制法，通过溅射、CVD等真空成膜、溶液的涂敷·烧结能够得到。另外，对位于薄膜晶体管阵列外的向栅极布线2’的电压供给部(未图示)，不实施栅极绝缘膜。

然后，形成源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7(图3A的(b))。作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，能够使用Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt、Al等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，优选为对油墨进行印刷·烧结来得到。作为印刷方法，优选网版印刷、凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷等。特别是凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷能够再现性良好地形成20μm以下的图案。

在此，针对源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，实施图像检查，通过图像处理来预先调查断线或短路部位。另外，关于源极布线4’的断线，如果是在相同像素部中左右2根源极布线4’同时断线，则没有影响。关于漏极连接电极5a的断线，如果是驱动相同像素的2根漏极连接电极同时断线，则虽然成为1TFT驱动，但仍能够动作。

然后，作为对短路的应对，进行激光切割。至少针对源电极4－漏电极5间的短路、相邻的源极布线4’间的短路、源极布线4’－像素电极7间的短路、像素电极7－源极连接电极4a间的短路，如所述那样，通过图6B的(c)～图6D的(i)的方法进行激光切割

另外，检查工序不限于后述的半导体图案6形成工序前，也可以是半导体图案6形成工序后或保护层6’形成后。激光切割工序只要比检查工序靠后即可，可以在半导体图案6形成后，也可以在保护层6’形成后。即，可以是下述中的任意一个。

1)检查→激光切割→半导体→保护层

2)检查→半导体→激光切割→保护层

3)检查→半导体→保护层→激光切割

4)半导体→检查→激光切割→保护层

5)半导体→检查→保护层→激光切割

6)半导体→保护层→检查→激光切割

但是，通常来讲，希望在半导体图案6的形成后迅速地形成保护层6’，因此，优选1)3)6)中的任意一个。在出于半导体图案6中不均较多等理由而难以进行检查的情况下，优选1)2)3)中的任意一个。

在检查工序、激光切割工序之前、之间或之后，形成半导体图案6(图3A的(c))。作为半导体图案6，能够使用聚噻吩系、并苯系、丙烯胺系等有机半导体；In₂O₃系、Ga₂O₃系、ZnO系、SnO₂系、InGaZnO系、InGaSnO系、InSnZnO系等氧化物半导体。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、柔版印刷等进行印刷·烧结的方法。

在半导体图案6形成后，形成保护层6’(图3B的(d))。保护层6’至少覆盖半导体图案6、源电极4、以及漏电极5，优选还覆盖源极布线4’。作为保护层6’，能够使用氟类树脂、硅类树脂等。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、网版印刷等进行印刷·烧结的方法。

然后，在激光切割工序之后且保护层6’形成之后，形成绝缘膜8(图3B的(e1)或者(e2))。在保护层6’将源极布线4’也覆盖的情况下，绝缘层8仅覆盖源极连接电极4a即可，但是优选还覆盖栅极布线2’。在保护层不覆盖源极布线4’的情况下，优选用绝缘膜8进行覆盖。作为绝缘膜8，优选环氧树脂等有机绝缘膜。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

也可以还形成上部像素电极9(图3C的(f))。作为上部像素电极9，优选Ag糊剂等。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

另外，也可以是在栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10’形成工序与栅极绝缘膜形成工序之间，还具有检查栅电极2及栅极布线2’与电容器电极10及电容器布线10’之间的短路的工序、以及对该短路进行激光切割的工序。

(第三实施方式)

图7A、图7B、以及图8中示出了本发明的第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子。图7A、图7B、以及图8为薄膜晶体管阵列的一个例子，该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管为，在绝缘基板1之上，具有栅电极2及与其连接的栅极布线2’、以及电容器电极10及与其连接的电容器布线10’，在其之上具有栅极绝缘膜(未图示)，在其之上，在从上方观察时与栅电极2重叠的区域，按照每1像素具有2组的具有间隙的源电极4及漏电极5，至少在该源电极4与漏电极5的间隙具有半导体图案6，该2个源电极4与2根源极布线4’分别连接，该2个漏电极5经由2个漏极连接电极5a与1个像素电极7连接，该像素电极7至少与该电容器电极10重叠，该薄膜晶体管具有至少覆盖半导体图案6的保护层6’，其中，该薄膜晶体管阵列具有将该2个源电极4彼此连接的源极连接电极4a，该2根源极布线4’被施加相同的驱动波形，像素电极7具有离漏电极5近的第一电容器和离漏电极5远的第二电容器。

图7A的(a)为在绝缘基板1上形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10的俯视图。图7A的(b)示出了在其之上形成了栅极绝缘膜(未图示)之后又形成了源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7时的俯视图。在此，栅电极2和栅极布线2’为共同的条纹形状。然后，电容器电极10具有与其长度方向平行的狭缝10S，并被该狭缝10S分成第一电容器电极10A和第二电容器电极10B。像素电极7/栅极绝缘膜/第一电容器电极10A构成第一电容器，像素电极7/栅极绝缘膜/第二电容器电极10B构成第二电容器。图7A的(c)为形成了半导体图案6后的俯视图。在此，半导体图案6在栅电极2和栅极布线2’上以将源电极4与漏电极5之间包含在内的方式，形成为点状。图7B的(d)为形成了保护层6’后的俯视图。保护层6’具有相对于后述的显示介质13或绝缘膜8的成分对半导体图案6进行保护的作用。在此，保护层6’优选为，形成为至少覆盖半导体图案6，为与栅极布线2’方向平行的在多个TFT中连续的等宽的条纹形状。通过设为等宽的条纹形状，具有即使保护层6’相对于下层的源电极4及漏电极5或半导体图案6在左右方向上产生了错位也没有影响的优点。图7B的(e)为还形成了绝缘膜8的俯视图。图7B的(e)中，绝缘膜8在像素电极7之中的第一电容器部分7A之上具有开口部8H，至少覆盖像素电极7之中的第二电容器部分7B、源电极4、源极连接电极4a、以及源极布线4’。而且，如图7B的(f)所示还具有上部像素电极9。上部像素电极9经由绝缘膜8的开口部8H，与像素电极7之中的第一电容器部分7A连接。

在此，关于对断线或短路的应对，使用图11A～D进行说明。本第三实施方式的薄膜晶体管阵列由于具有源极连接电极4a，因此，即使在源极布线4’、源电极4、源极连接电极4a中的任意一个中产生了断线的情况下，也仍能够继续将源极电压向断线以后的源电极4供给。

例如，在向图11A的(a)的源极布线4’从纸面的下方向上方供电的情况下，即使在左方的源极布线4’中存在断线21，也能够在中断线21的紧上方按照“右方的源极布线4’→右方的源电极4→源极连接电极4a→左方的源电极4→左方的源极布线4’”被供电，断线21不产生影响。源极连接电极4a将2个源电极4间连接，因此，无需另外设计将2根源极布线4’间直接连接的架桥部，能够增大开口率。

此外，1像素中具有2个TFT，因此，在一个TFT的漏极连接电极5a中产生断线21而不流动接通电流的情况下(图11A的(b))，也能够用另一个TFT来进行写入。该情况下，虽然由于TFT减为1个而栅极－漏极间电容Cgd减少，但是，通过将像素电极7在不与第一电容器电极10A及第二电容器电极10B重叠的位置(在与狭缝10S重叠的位置)23处进行激光切割，将第二电容器分离而将蓄积电容Cs减少成仅为第一电容器的量，能够同等地保持栅极场穿越电压Vgf。

在金属电极仅位于最上部的情况下，由于金属容易地蒸发，因此，激光切割简单。在金属电极上具有绝缘膜的情况下，光透射绝缘膜而照射到金属电极，给绝缘膜带来损伤的同时能够使金属从其间隙蒸发，能够进行激光切割。然而，在金属\绝缘膜\金属的层叠构造的情况下，上层的金属电极的激光切割能够进行，但是会给绝缘膜带来损伤，因此，存在使与下层金属电极之间的耐电压变差的情况。此外，上层的金属容易地蒸发，因此，很难将上下金属用激光进行连接。另外，半导体由于吸收光的一部分，因此，能够进行激光切割。

此外，在产生了短路的情况下，通过进行激光切割也能够避免影响。在源电极4与漏电极5之间存在短路22的情况下(图11B的(c))，将TFT的漏极连接电极5a，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断，将像素电极7，在不与第一电容器电极10A及第二电容器电极10B重叠的位置(在与狭缝10S重叠的)23处进行切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷、以及栅极场穿越电压的变化。

在栅电极2和栅极布线2’上在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图11B的(d))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位、与短路部位最近的晶体管的漏极连接电极5a和源极连接电极4a，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断，将像素电极7，在不与第一电容器电极10A及第二电容器电极10B重叠的位置(在与狭缝10S重叠的位置)23处进行切断。该切断只要针对短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏、线缺陷、栅极场穿越电压的变化。

在电容器布线10’上在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图11B的(e))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2和栅极布线2’、电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。该切断只要针对短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在不与栅电极2和栅极布线2’、电容器布线10’重叠的位置处在相邻的源极布线4’间存在短路的情况下(图11C的(f))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在电容器电极10及电容器布线10’上且源极布线4’与像素电极7之间存在短路22的情况下(图11C的(g))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免源极电压被直接施加到像素电极7而引起的点缺陷。

在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处在源极布线4’与像素电极7之间存在短路的情况下(图11D的(h))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。

在像素电极7与源极连接电极4a之间存在短路22的情况下(图11D的(i))，将短路部位的不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。

另外，在源极布线4’或者源电极4与栅电极2和栅极布线2’之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，能够与图11B的(d)同样，将源极布线4’的上下2部位、漏极连接电极5a、以及源极连接电极4a，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断，将像素电极7，在不与栅电极10重叠的位置(与狭缝10S重叠的位置)23处进行切断。由此，能够避免驱动器的破坏、十字线缺陷、栅极场穿越电压的变化。但是，该短路未必能够在图像检查中检测出来。

而且，在源极布线4’或者源电极4与电容器电极10或者电容器布线10’之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，能够与图11C的(g)同样，将源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。但是，该短路也未必能够在图像检查中检测出来。

此外，图7A及B中，源极连接电极4a具有与栅电极2和栅极布线2’完全不重叠的部分。在此，“完全不重叠的部分”是指，在源极连接电极4a的某个部分的宽度方向上与栅电极2和栅极布线2’完全不重叠。由此，对源极连接电极4a进行激光切割时，与栅电极2和栅极布线2’重叠的部分无需照射激光，不会导致栅极－源极间的耐电压降低。另一方面，在源极连接电极4a不具有与栅电极2和栅极布线2’完全不重叠的部分的情况下(图8的(b))，与栅电极2和栅极布线2’重叠的部分会被照射激光，因此存在对源极连接电极4a进行激光切割时栅极－源极间的耐电压降低的情况。

另外，图7A及B中，源极连接电极4a在俯视时相对于栅电极2和栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相同的一侧。关于该点，也可以如图8的(a)所示，源极连接电极4a在俯视时相对于栅电极2和栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相反的一侧。此外，也可以如图8的(c)所示，电容器电极10的狭缝10S形成为还与电容器布线10’连接，电容器电极10和电容器布线10’整体成为2根条纹。此外，源电极4及漏电极5的形状不限于图7A的(b)，例如也可以是图8的(c)那样的形状。而且，半导体图案6可以是在各TFT中独立的点，但是也可以是与相同像素电极连接的2TFT的量连接而成的1个点。例如可以是，图7A的(c)的4个半导体点两两相连而成为2个长方形，图8的(a)～(c)所示的2个半导体点相连而成为1个长方形。该情况下，1个印刷图案的面积增大为2倍多，因此，即使半导体油墨的供给量存在不均匀的情况下也能够使膜厚平均化，能够减少差异。

使用图7A及B对第三实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造方法进行说明。首先，在绝缘基板1之上，形成栅电极2和栅极布线2’、以及具有狭缝10S的电容器电极10及电容器布线10’(图7A的(a))。作为绝缘基板1，可以是玻璃基板那样的刚硬的材料，也可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)等那样柔性的材料。作为栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’，能够使用Al、Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以对油墨进行印刷·烧结，也可以在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，也可以在整面成膜后通过抗蚀剂印刷·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成。

接下来，在整面形成栅极绝缘膜(未图示)。作为栅极绝缘膜，能够使用SiO₂、SiON、SiN等无机物；聚乙烯基苯酚(PVP)和环氧树脂等有机物。作为制法，能够通过溅射、CVD等的真空成膜、溶液的涂敷·烧结来得到。另外，对位于薄膜晶体管阵列外的向栅极布线2’的电压供给部(未图示)，不实施栅极绝缘膜。

然后，形成源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7(图7A的(b))。作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，能够使用Al、Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、等金属、ITO等导电性氧化物，碳、导电性高分子等。作为制法，可以是在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，但优选对油墨进行印刷·烧结来得到。作为印刷方法，优选网版印刷、凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷等。特别是凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷能够再现性良好地形成20μm以下的图案。

然后，作为对断线或短路的应对，进行激光切割。至少针对漏极连接电极5a的断线、源电极4－漏电极5间的短路、相邻的源极布线4’间的短路、源极布线4’－像素电极7间的短路、像素电极7－源极连接电极4a间的短路，如所述那样，通过图11A的(b)～图11D的(i)的方法进行激光切割。

另外，检查工序不限于后述的半导体图案6形成工序前，也可以是半导体图案6形成工序后，或者保护层6’形成后。激光切割工序只要比检查工序靠后即可，可以是半导体图案6形成后，也可以是保护层6’形成后。即，可以是下述中的任意一个。

1)检查→激光切割→半导体→保护层

2)检查→半导体→激光切割→保护层

3)检查→半导体→保护层→激光切割

4)半导体→检查→激光切割→保护层

5)半导体→检查→保护层→激光切割

6)半导体→保护层→检查→激光切割

但是，通常来讲，希望在半导体图案6形成后迅速地形成保护层6’，因此优选1)3)6)中的任意一个。此外，在出于半导体图案6的不均较多等理由而难以进行检查的情况下，优选1)2)3)中的任意一个。

在检查工序、激光切割工序之前、之间或者之后，形成半导体图案6(图7A的(c))。作为半导体图案6，能够使用聚噻吩系、并苯系、丙烯胺系等的有机半导体；In₂O₃系、Ga₂O₃系、ZnO系、SnO₂系、InGaZnO系、InGaSnO系、InSnZnO系等氧化物半导体。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、柔版印刷等进行印刷·烧结的方法。

在半导体图案6形成后，形成保护层6’(图7B的(d))。保护层6’至少覆盖半导体图案6、源电极4、以及漏电极5，优选覆盖栅电极2和栅极布线2’的整体。在激光切割比保护层6’形成工序靠后的情况下，无法覆盖源极连接电极4a。作为保护层6’，能够使用氟类树脂、硅类树脂等。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、网版印刷等进行印刷·烧结的方法。

然后，在激光切割工序之后且保护层6’形成之后，形成绝缘膜8(图7B的(e))。绝缘膜8在像素电极7之中的第一电容器部分7A之上具有开口部8H，至少覆盖像素电极7之中的第二电容器部分7B、源电极4、源极连接电极4a、以及源极布线4’。作为绝缘膜8，优选环氧树脂等有机绝缘膜。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

而且，形成上部像素电极9(图7B的(f))。作为上部像素电极9，优选Ag糊剂等。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

另外，也可以是，在栅电极2和栅极布线2’以及电容器电极10和电容器布线10’形成工序与栅极绝缘膜形成工序之间，还具有检查栅电极2和栅极布线2’－电容器电极10和电容器布线10’间的短路的工序、以及对该短路进行激光切割的工序。

(第四实施方式)

图9A、图9B、以及图10中示出了本发明的第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的一个例子。图9A、图9B、以及图10为薄膜晶体管阵列的一个例子，该薄膜晶体管阵列具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管为，在绝缘基板1之上，具有栅电极2及与其连接的栅极布线2’、电容器电极10及与其连接的电容器布线10’，在其之上具有栅极绝缘膜(未图示)，在其之上在从上方观察时与栅电极2重叠的区域，按照每1像素具有2组的具有间隙的源电极4及漏电极5，至少在该源电极4与漏电极5的间隙中具有半导体图案6，该2个源电极4与2根源极布线4’分别连接，该2个漏电极5经由2个漏极连接电极5a与1个像素电极7连接，该像素电极7至少与该电容器电极10重叠，该薄膜晶体管具有至少覆盖半导体图案6的保护层6’，其中，该薄膜晶体管阵列具有将该2个源电极4彼此连接的源极连接电极4a，该2根源极布线4’被施加相同的驱动波形，像素电极7具有离漏电极5近的第一电容器和离漏电极5远的第二电容器。

图9A的(a)为在绝缘基板1上形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’的俯视图。图9A的(b)示出了在其之上形成了栅极绝缘膜(未图示)之后又形成了源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7时的俯视图。在此，电容器电极10具有与其长度方向平行的狭缝10S，并被该狭缝10S分成第一电容器电极10A和第二电容器电极10B。像素电极7/栅极绝缘膜/第一电容器电极10A构成第一电容器，像素电极7/栅极绝缘膜/第二电容器电极10B构成第二电容器。图9A的(c)为形成了半导体图案6后的俯视图。在此，半导体图案6能够设为与源极布线4’平行的方向的在多个TFT中连续的等宽条纹状。该情况下，具有即使半导体图案6的对位在图的上下方向(与源极布线4’平行的方向)上产生了错位也没有影响的优点。图9B的(d)为形成了保护层6’后的俯视图。保护层6’具有相对于后述的显示介质13或绝缘膜8的成分对半导体图案6进行保护的作用。在此，优选为，保护层6’形成为至少覆盖半导体图案6，为与源极布线4’平行的、在多个TFT中连续的等宽的条纹形状。通过设为等宽的条纹形状，具有即使保护层6’相对于下层的源电极4及漏电极5或半导体图案6在上下方向上产生了错位也没有影响的优点。图9B的(e)为还形成了绝缘膜8的俯视图。图9B的(e)中，绝缘膜8在像素电极7之中的第一电容器部分7A之上具有开口部8H，至少覆盖像素电极7之中的第二电容器部分7B、源电极4、源极连接电极4a、以及源极布线4’。而且，如图9B的(f)所示还具有上部像素电极9。上部像素电极9经由绝缘膜8的开口部8H与像素电极7之中的第一电容器部分7A连接。

在此，关于对断线或短路的应对，使用图12A～D来进行说明。本第四实施方式的薄膜晶体管阵列由于具有源极连接电极4a，因此，即使在源极布线4’、源电极4、源极连接电极4a中的任意一个中产生了断线的情况下，也仍能够继续将源极电压下断线以后的源电极4进行供给。

例如，在对图12A的(a)的源极布线4’从纸面的下方向上方供电的情况下，即使在左方的源极布线4’中存在断线21，也能够在断线21的紧上方按照“右方的源极布线4’→右方的源电极4→源极连接电极4a→左方的源电极4→左方的源极布线4’”被供电，断线21不产生影响。源极连接电极4a将2个源电极4间连接，因此，无需另外设置将2根源电极4间直接连接的冗长的布线，能够增大开口率。

此外，1像素中具有2个TFT，因此，即使在一个TFT的漏极连接电极5a中产生断线21而不流动接通电流的情况下(图12A的(b))、在源电极4或漏电极5中产生了断线而接通电流变小的情况下，也能够由另一个TFT来进行写入。该情况下，虽然由于TFT减少为1个而栅极·漏极间电容Cgd减少，但是，通过将像素电极7在不与第一电容器电极10A及第二电容器电极10B重叠的位置(与狭缝10S重叠的位置)23处进行激光切割，能够将第二电容器分离而将蓄积电容Cs减少为仅第一电容器的量，能够同等地保持栅极场穿越电压Vgf。

仅在最上部具有金属电极的情况下，金属容易地蒸发，因此激光切割简单。在金属电极上具有绝缘膜的情况下，光透射绝缘膜而照射到金属电极，对绝缘膜带来损伤的同时能够使金属从其间隙蒸发，因此能够进行激光切割。然而，在金属\绝缘膜\金属的层叠构造的情况下，上层的金属电极的激光切割能够进行，但是会给绝缘膜带来损伤，因此，有时会使与下层金属电极之间的耐电压变差。此外，上层的金属容易地蒸发，因此，很难通过激光对上下金属进行连接。另外，半导体由于吸收光的一部分，因此，能够进行激光切割。

此外，即使在产生了短路的情况下，也能够通过激光切割来避免影响。在源电极4与漏电极5之间存在短路22的情况下(图12B的(c))，将TFT的漏极连接电极5a，在不与栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断，将像素电极7，在不与第一电容器电极10A、第二电容器电极10B重叠的位置(与狭缝10S重叠的位置)23处进行切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷、栅极场穿越电压的变化。

在栅电极2上在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图12B的(d))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位、漏极连接电极5a、源极连接电极4a，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断，将像素电极7，在不与第一电容器电极10A及第二电容器电极10B重叠的位置(与狭缝10S重叠的位置)23处进行切断。该切断只要针对短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷、栅极场穿越电压的变化。

在电容器布线10’上在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图12B的(e))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。该切断只要针对短路的2根源极布线4’的至少一方侧进行即可。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置处在相邻的源极布线4’间存在短路22的情况下(图12C的(f))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。

在电容器电极10及电容器布线10’上在源极布线4’与像素电极7之间存在短路22的情况下(图12C的(g))，将夹着短路部位的、源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。

在不与栅电极2、电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处在源极布线4’或者源电极4与像素电极7之间存在短路22的情况下(图 12D的(h))，将短路部位的任意处的位置23切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。

在像素电极7与源极连接电极4a之间存在短路22的情况下(图12D的(i))，将短路部位的不与栅极布线2’及电容器电极10重叠的位置23切断。由此，能够避免因源极电压被直接施加至像素电极7而引起的点缺陷。

另外，在源极布线4’或者源电极4与栅电极2之间存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，能够与图12B的(d)同样，将源极布线4’的上下2部位、漏极连接电极5a、以及源极连接电极4a，在不与栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置23处进行切断，将像素电极7，在不与栅电极10重叠的位置(与狭缝10S重叠的位置)23处进行切断。由此，能够避免驱动器的破坏及十字线缺陷。该短路未必能够在图像检查中检测出来。

而且，在源极布线4’或者源电极4与电容器布线10’存在短路或者有存在短路的嫌疑的情况下，能够与图12C的(g)同样，将源极布线4’的上下2部位，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置23处进行切断。由此，能够避免源极驱动器的破坏及线缺陷。但是，该短路也未必能够在图像检查中检测出来。

此外，图9A及B中，源极连接电极4a具有与栅极布线2’完全不重叠的部分。在此，“完全不重叠的部分”是指，在源极连接电极4a的某个部分的宽度方向上与栅极布线2’完全不重叠。由此，对源极连接电极4a进行激光切割时，与栅极布线2’重叠的部分不需要照射激光，不会导致栅极－源极间的耐电压降低。另一方面，在源极连接电极4a不具有与栅极布线2’完全不重叠的部分的情况下(图10的(b))，与栅极布线2’重叠的部分被照射激光，存在对源极连接电极4a进行激光切割时栅极－源极间的耐电压降低的情况。

另外，在图9A及B中，源极连接电极4a在俯视时相对于栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相同的一侧。关于该点，也可以是，如图10的(a)所示，源极连接电极4a在俯视时相对于栅极布线2’而位于与漏极连接电极5a相反的一侧。此外，源电极4及漏电极5的形状不限于图9A的 (b)，例如也可以是图10的(c)那样的形状。

使用图9A及B对第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造方法进行说明。首先，在绝缘基板1之上，形成栅电极2、栅极布线2’、具有狭缝10S的电容器电极10以及电容器布线10’(图9A的(a))。作为绝缘基板1，可以是玻璃基板那样的刚硬的材料，也可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)等那样柔性的材料。作为栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’，能够使用Al、Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以是对油墨进行印刷·烧结，也可以是在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，也可以是在整面成膜后通过抗蚀剂印刷·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成。

接下来，在整面上形成栅极绝缘膜(未图示)。作为栅极绝缘膜，能够使用SiO₂、SiON、SiN等无机物；聚乙烯基苯酚(PVP)和环氧树脂等有机物。作为制法，能够通过溅射、CVD等真空成膜、溶液的涂敷·烧结来得到。另外，对位于薄膜晶体管阵列外的向栅极布线2’的电压供给部(未图示)，不实施栅极绝缘膜。

然后，形成源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7(图9A的(b))。作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，能够使用Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt、Al等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可是在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，但是优选对油墨进行印刷·烧结来得到。作为印刷方法，优选网版印刷、凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷等。特别是凹版印刷、柔版印刷、胶版印刷能够再现性良好地形成20μm以下的图案。

在此，针对源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，实施图像检查，通过图像处理来预先调查断线或短路部位。另外，关于源极布线4’的断线，如果是在相同像素部中左右2根源极布线4’同时断线，则不产生影响。关于漏极连接电极5a的断线，如果是驱动相同像素的2根漏极连接电极同时断线，则虽然成为 1TFT驱动，但动作仍能够进行。

然后，作为对断线或短路的应对，进行激光切割。至少针对漏极连接电极5a的断线、源电极4－漏电极5间的短路、相邻的源极布线4’间的短路、源极布线4’－像素电极7间的短路、像素电极7－源极连接电极4a间的短路，如所述那样，通过图12A的(b)～图12D的(i)的方法进行激光切割。

另外，检查工序不限于后述的半导体图案6形成工序前，也可以在半导体图案6形成工序后，或者在保护层6’形成后。激光切割工序只要比检查工序靠后即可，可以是半导体图案6形成后，也可以是保护层6’形成后。即，可以是下述中的任意一个。

1)检查→激光切割→半导体→保护层

2)检查→半导体→激光切割→保护层

3)检查→半导体→保护层→激光切割

4)半导体→检查→激光切割→保护层

5)半导体→检查→保护层→激光切割

6)半导体→保护层→检查→激光切割

但是，通常来讲，希望在半导体图案6形成后迅速地形成保护层6’，因此优选1)3)6)中的任意一个。在出于半导体图案6中不均较多等理由而难以进行检查的情况下，优选1)2)3)中的任意一个。

在检查工序、激光切割工序之前、之间或者之后，形成半导体图案6(图9A的(c))。作为半导体图案6，能够使用聚噻吩系、并苯系、丙烯胺系等有机半导体；In₂O₃系、Ga₂O₃系、ZnO系、SnO₂系、InGaZnO系、InGaSnO系、InSnZnO系等氧化物半导体。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、柔版印刷等进行印刷·烧结的方法。

在半导体图案6形成后，形成保护层6’(图9B的(d))。保护层6’至少覆盖半导体图案6、源电极4、以及漏电极5，优选还覆盖源极布线4’。在激光切割比保护层6’形成工序靠后的情况下，无法覆盖源极连接电极4a。作为保护层6’，能够使用氟类树脂、硅类树脂等。作为制法，优选对溶液通过喷墨、分配、网版印刷等进行印刷·烧结的方法。

然后，在激光切割工序之后且保护层6’形成之后，形成绝缘膜8(图 9B的(e))。绝缘膜8在像素电极7之中的第一电容器部分7A之上具有开口部8H，至少覆盖像素电极7之中的第二电容器部分7B、源电极4、源极连接电极4a、以及源极布线4’。作为绝缘膜8，优选环氧树脂等有机绝缘膜。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

而且，也可以还形成上部像素电极9(图9B的(f))。作为上部像素电极9，优选Ag糊剂等。作为工序，优选网版印刷或凹版胶印。

另外，也可以是，在栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10、以及电容器布线10’形成工序与栅极绝缘膜形成工序之间，还具有检查栅电极2及栅极布线2’与电容器电极10及电容器布线10’之间的短路的工序、以及对该短路进行激光切割的工序。

(第五实施方式)

对使用了本发明的薄膜晶体管阵列的图像显示装置进行说明。

在本发明的薄膜晶体管阵列的像素电极7或者上部像素电极9与另外制成的透明的对置基板11上所附带的透明的对置电极12之间，夹着显示介质13，由此能够设为反射型的图像显示装置(图13)。作为显示介质13，能够列举出电泳体或液晶等。作为电泳体，具有将相反方向地带电的黑·白粒子装入胶囊中的情况，在隔壁内的着色液中装入带电粒子的情况等。在液晶的情况下，一般情况下还使用取向膜(未图示)、相位差板14或偏光板15，但是在聚合物分散液晶中不需要(图14)。此外，彩色化中使用滤光器。

(栅极场穿越电压的影响)

接下来，对栅极场穿越电压的影响进行说明。

首先，图15示出了p沟道的情况。在用2个TFT来驱动的像素中，作为栅极电压Vg、源极电压Vs而给出图15所示的波形的情况下，像素电位Vp为图15的实线所示。在栅极电压Vg为接通→断开时，像素电位偏移的量为栅极场穿越电压Vgf。当设定薄膜晶体管的栅极－漏极间电容为Cgd、蓄积电容为Cs、显示介质的电容为Cp、栅极电压的接通→断开变化量为ΔVg时，栅极场穿越电压Vgf由Vgf＝ΔVg×Cgd/(Cgd+Cs+Cp)来表示。通常来讲，Cgd＜＜Cs+Cp。通过使对置电压Vcom与栅极场穿越电压Vgf相等，使得对显示介质施加的电压Vp－Vcom成为图15那样，成为大致反映了接通时的源极电压Vs的电位。另外，在图15中，为了更明白而将选择时间(TFT接通的栅极电压Vg为“－(负)”的期间)较长地进行了表示，但是实际上是非常短的时间，非选择时间的比率很大。显示大致是由非选择时间中的电压来决定。

另一方面，在1TFT的情况下，栅极－漏极间电容Cgd成为一半，因此，栅极场穿越电压Vgf也约为一半，成为图15的虚线所示那样。若仅关注非选择时间可知，对显示介质施加的电压Vp－Vcom向“一”侧偏移了栅极场穿越的差Vgf/2的量。

此外，在n沟道的情况下，TFT成为接通的是栅极电压Vg为“+”的期间，如图17所示，栅极场穿越成为负，虽然朝向相反但是产生与p沟道同样的偏移。即，若仅关注非选择时间可知，对显示介质施加的电压Vp－Vcom向“+”侧偏移了栅极场穿越的差Vgf/2的量。

在栅极场穿越电压Vgf为给显示带来影响可被忽略那样小的情况下，Vgf/2也可被忽略，因此，没有任何问题。在Vgf/2不可被忽略的情况下，需要对2TFT像素与1TFT像素的差异进行修正。

例如在电泳显示器的情况下，由于Vgf/2的偏移，明亮度会向黑或者白中的某一方偏移。在像素电位为+时成为黑显示的类型的电泳体的情况下，在图15的1TFT的情况下(虚线)，与2TFT的情况(实线)相比，非选择时的电压偏移了－Vgf/2，因此，显示色向白侧偏移。作为修正该偏移的简单的方法，预先修正对1TFT加工的像素部分的明亮度数据是有效的。例如，在设为纯黑为16进制的00h、纯白为FFh、原图像数据为16进制的00h～FFh的情况下，将原图像数据变换为10h～FFh，仅将1TFT部分作为－10h而设为00h～EFh，由此能够将1TFT部分向黑侧进行修正。(在此示出的数值为一个例子，主旨为，将1TFT的明亮度数据向将Vgf/2的影响抵消的方向进行修正。)在像素电位为+时成为白显示的类型的电泳体的情况下，在图15的1TFT的情况下(虚线)，与2TFT的情况(实线)相比，非选择时的电压偏移了－Vgf/2，因此，显示色向黑侧偏移。作为修正该偏移的简单的方法，预先修正对1TFT加工的像素部分的色度数据是有效的。例如，在设为纯黑为16进制的00h、纯白为FFh、原数据为16进制的00h～FFh的情况下，将原数据变换为00h～EFh，仅将1TFT部分作为+10h而设为10h～FFh，由此，能够将1TFT部分向白侧进行修正。

在TFT为n沟道的情况下，如图17所示，与p沟道成为反极性，但是能够通过同样的方法进行修正。即，在像素电位为+时成为黑显示的类型的电泳体的情况下，在图17的1TFT的情况下(虚线)，与2TFT的情况(实线)相比，非选择时的电压偏移了+Vgf/2，因此，显示色向黑侧偏移。作为修正该偏移的简单的方法，预先修正对1TFT加工的像素部分的明亮度数据是有效的。例如，在设为纯黑为16进制的00h、纯白为FFh、原图像数据为16进制的00h～FFh的情况下，将原图像数据变换为00h～EFh，仅将1TFT部分作为+10h而设为10h～FFh，由此能够将1TFT部分向白侧进行修正(在此示出的数值为一个例子，主旨为，将1TFT的明亮度数据向将Vgf/2的影响抵消的方向进行修正。)。在像素电位为+时成为白显示的类型的电泳体的情况下，在图17的1TFT的情况下(虚线)，与2TFT的情况(实线)相比，非选择时的电压偏移了+Vgf/2，因此，显示色向白侧偏移。作为修正该偏移的简单的方法，预先修正对1TFT加工的像素部分的色度数据是有效的。例如，在设为纯黑为16进制的00h、纯白为FFh、原数据为16进制的00h～FFh的情况下，将原数据变换为10h～FFh，仅将1TFT部分作为－10h而设为00h～EFh，由此，能够将1TFT部分向黑侧进行修正。

或者，在液晶显示器的情况下，由于Vgf/2的偏移，对液晶施加的电压的直流成分无法成为0而容易劣化。因此，预先存储对1TFT加工的像素位置，仅在对此处进行驱动的定时使源极电压Vs偏移，是有效的。例如，如图16所示那样，通过使像素驱动时的源极电压Vs偏移+Vgf/2，能够将电压Vd－Vcom设为原本接近的波形。在n沟道TFT的情况下，如图18所示成为相反极性，但是能够通过同样的方法进行修正。

此外，在第三及第四实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的情况下，在漏极连接电极5a的断线或者激光切割时将第二电容器切除，因此，栅极场穿越电压Vgf被保持为同等，显示正常地进行。

实施例

使用图1A～C及图5A～D对本发明的实施例1～9进行说明。

(实施例1)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂，以150℃进行烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a、以及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行了检查后，源极布线4’的断线被确认出了1部位(即1处)。该情况下，不需要进行激光切割。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此形成了条纹状的绝缘膜8(图1B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例2)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，漏极连接电极5a的断线被确认出了1部位。该情况下，不需要进行激光切割，但将该像素位置作为1TFT进行了记录。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图1B的(e1))。

在这样制成的p沟道的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体(像素电极为+的情况下从对置电极侧观察为黑的类型)，将明亮度00h～FFh的图像数据，以2TFT像素时成为10h～FFh、1TFT像素时成为00h～EFh的方式进行变换之后，进行有源矩阵驱动，1TFT部分也得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例3)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－漏电极5间的短路被确认出了1部位。因此，进行图5B的(c)的激光切割，将该像素位置作为1TFT进行了记录。

在这样制成的p沟道的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体(像素电极为+的情况下从对置电极侧观察时为黑的类型)，将明亮度00h～FFh的图像数据，以2TFT像素时成为10h～FFh、1TFT像素时成为00h～EFh的方式进行变换之后，进行有源矩阵驱动，1TFT部分也得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例4)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2和栅极布线2’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行图5B的(d)的激光切割，将该像素位置作为1TFT进行了记录。

(实施例5)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图5B的(e)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例6)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图5C的(f)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例7)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图5C的(g)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例8)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图5D的(h)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例9)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图5D的(i)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图3A～C及图6A～D对本发明的实施例10～18进行说明。

(实施例10)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10’(图3A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图3A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’的断线被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在源极布线4’的断线的情况下，不需要进行激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例11)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。漏极连接电极5a的断线的情况下，不需要进行激光切割，但将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的p沟道的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体(像素电极为+的情况下从对置电极侧观察时为黑的类型)，将明亮度00h～FFh的图像数据，以2TFT像素时成为10h～FFh、1TFT像素时成为00h～EFh的方式进行变换之后进行有源矩阵驱动，1TFT部分也得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例12)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行图6B的(c)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

(实施例13)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行图6B的(d)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

(实施例14)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行了图6B的(e)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例15)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行了图6C的(f)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例16)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行了图6C的(g)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例17)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行了图6D的(h)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例18)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，进行了图6D的(i)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了条纹状的绝缘膜8(图3B的(e1))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图1A～C及图5A～D对本发明的实施例19～27进行说明。

(实施例19)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。源极布线4’的断线的情况下，不需要进行激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层覆盖，因此未用绝缘膜8进行覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例20)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，不需要进行激光切割，但将该像素位置作为1TFT进行了记录。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层覆盖，因此未用绝缘膜8进行覆盖)。

(实施例21)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－漏电极5间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行图5B的(c)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层6’覆盖，因此，未用绝缘膜8进行覆盖)。

(实施例22)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2和栅极布线2’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行图5B的(d)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层6’覆盖，因此，未用绝缘膜8进行覆盖)。

(实施例23)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行了图5B的(e)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层6’覆盖，因此，未用绝缘膜8进行覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例24)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行了图5C的(f)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例25)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行了图5C的(g)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例26)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行了图5D的(h)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层6’覆盖，因此，未用绝缘膜8进行覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例27)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，进行了图5D的(i)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了点状的绝缘膜8(图1B的(e2)，但是，源极连接电极4a已经被保护层6’覆盖，因此，未用绝缘膜8进行覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图3A～C及图6A～D对本发明的实施例28～36进行说明。

(实施例28)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10 以及电容器布线10’(图3A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图3A的(b))。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’的断线被确认出了1部位。源极布线4’的断线的情况下，不需要进行激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例29)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，漏极连接电极5a的断线被确认出了1部位。漏极连接电极5a的断线的情况下，不需要进行激光切割，但将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的p沟道的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，将明亮度00h～FFh的图像数据，以2TFT像素时成为10h～FFh、1TFT像素时成为00h～EFh的方式进行变换之后进行有源矩阵驱动，1TFT部分也得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例30)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’－漏电极5间的短路被确认出了1部位。因此，进行图6B的(c)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，将明亮度00h～FFh的图像数据，以2TFT像素时成为10h～FFh、1TFT像素时成为00h～EFh的方式进行变换之后进行有源矩阵驱动，1TFT部分也得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例31)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行图6B的(d)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

(实施例32)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图6B的(e)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例33)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图6C的(f)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例34)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图6C的(g)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例35)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图6D的(h)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例36)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图3A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图3B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。在此，进行了图6D的(i)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图3B的(e2))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图1A～C及图5A～D对本发明的实施例37～46进行说明。

(实施例37)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’的断线被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，不需要进行激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a也被绝缘膜8覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例38)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，漏极连接电极5a的断线被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，不需要进行激光切割，但将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a也被绝缘膜8覆盖)。

(实施例39)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－漏电极5间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，进行图5B的(c)的激光切割，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a也被绝缘膜8覆盖)。

(实施例40)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2和栅极布线2’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，进行图5B的(d)的激光切割，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a被绝缘膜8覆盖)。

(实施例41)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。因此，进行了图5B的(e)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a被绝缘膜8覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例42)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。因此，进行了图5C的(f)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a被绝缘膜8覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例43)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，进行了图5C的(g)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a被绝缘膜8覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例44)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，进行了图5D的(h)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a被绝缘膜8覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例45)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图1A的(c))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图1B的(d)，但是，源极连接电极4a未被保护层6’覆盖)。在此，进行了图5D的(i)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成了格子状的绝缘膜8(图1C的(e3)，在此源极连接电极4a被绝缘膜8覆盖)。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例46)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻形成了栅电极2和栅极布线2’及电容器电极10和电容器布线10’(图1A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图1A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查，进行图5A～D的激光切割，记录了各1TFT的像素位置。

对这样制成的薄膜晶体管、具有透明的对置电极12的PET制的对置基板11的对置电极12侧的双方印刷取向膜并进行摩擦处理，在中间作为显示介质13而夹着液晶，对周围进行密封，在对置基板11的与对置电极12相反的一侧贴合了相位差板14和偏光板15。然后，进行图16的驱动，得到了劣化少的所希望的显示。

使用图7A、B及图11A～D对本发明的实施例47～55进行说明。

(实施例47)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’的断线被确认出了1部位。该情况下，不需要进行激光切割。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d)，但是，源极连接电极4a也被保护层6’覆盖)。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，进而对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例48)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，漏极连接电极5a的断线被确认出了1部位。该情况下，如图11A的(b)所示，对像素电极7进行激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例49)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－漏电极5间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11B的(c)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例50)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2和栅极布线2’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11B的(d)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例51)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11B的(e)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例52)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11C的(f)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例53)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10及电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11C的(g)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例54)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11D的(h)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例55)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图11D的(i)的激光切割。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图9A，B及图12A～D对本发明的实施例56～64进行说明。

(实施例56)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10’(图9A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图9A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线的断线被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。源极布线4’的断线的情况下，不需要进行激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例57)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。漏极连接电极5a的断线的情况下，如图12A的(b)所示，对像素电极7进行了激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例58)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行图12B的(c)的激光切割，并且，将该像素位置作为1TFT进行了记录。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例59)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行了图12B的(d)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例60)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行了图12B的(e)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例61)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行了图12C的(f)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例62)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行了图12C的(g)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例63)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行了图12D的(h)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例64)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，进行了图12D的(i)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图7A，B及图11A～D对本发明的实施例65～73进行说明。

(实施例65)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。源极布线4’的断线的情况下，不需要进行激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例66)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，漏极连接电极5a的断线被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，如图11A的(b)所示，对像素电极7进行了激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例67)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－漏电极5间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11B的(c)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例68)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2和栅极布线2’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11B的(d)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例69)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11B的(e)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例70)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2和栅极布线2’、以及电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11C的(f)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例71)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器电极10及电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11C的(g)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例72)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11D的(h)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例73)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2和栅极布线2’、电容器电极10和电容器布线10’(图7A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图7A的(b))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与电容器电极10和电容器布线10’重叠的位置处，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了点状的半导体图案6(图7A的(c))。在此，进行了图11D的(i)的激光切割。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图7B的(d))。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图7B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图7B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

使用图9A，B及图12A～D对本发明的实施例74～82进行说明。

(实施例74)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’的断线被确认出了1部位。源极布线4’的断线的情况下，不需要进行激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例75)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，漏极连接电极5a的断线被确认出了1部位。漏极连接电极5a的断线的情况下，图12A的(b)所示，对像素电极7进行了激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例76)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源极布线4’－漏电极5间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图12B的(c)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例77)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与栅电极2重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图12B的(d)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例78)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图12B的(e)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例79)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在不与栅电极2及电容器布线10’重叠的位置处，相邻的源极布线4’间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图12C的(f)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例80)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10’(图9A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a以及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图9A的(b))。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，在与电容器布线10’重叠的位置处，源极布线4’－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图12C的(g)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例81)

首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al以50nm进行成膜，通过光刻及湿式蚀刻，形成了栅电极2、栅极布线2’、电容器电极10以及电容器布线10’(图9A的(a))。接下来，对聚乙烯基苯酚溶液进行旋涂并进行150℃烧结，由此，作为栅极绝缘膜而将聚乙烯基苯酚形成了1μm。进而，作为源电极4、源极布线4’、源极连接电极4a、漏电极5、漏极连接电极5a以及像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧结，由此，形成了图案(图9A的(b))。

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，源电极4－像素电极7间的短路被确认出了1部位。因此，进行了图12D的(h)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(实施例82)

进而，对聚噻吩溶液进行柔版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的半导体图案6(图9A的(c))。接下来，对含氟树脂进行网版印刷并进行100℃烧结，由此，形成了条纹状的保护层6’(图9B的(d))。在此，通过图像检查装置对断线或短路进行检查后，像素电极7－源极连接电极4a间的短路被确认出了1部位。在此，进行了图12D的(i)的激光切割。然后，对环氧树脂进行网版印刷，由此，形成绝缘膜8(图9B的(e))，对Ag糊剂进行网版印刷，由此，形成了上部像素电极9(图9B的(f))。

在这样制成的薄膜晶体管与具有透明电极的PET基板之间夹着电泳体，进行有源矩阵驱动，得到了与输入数据的明亮度相应的显示。

(比较例1)

对实施例46的面板，不是进行图16的驱动而是进行不考虑1TFT的以往的驱动后，呈现出了在像素中颜色变化变难的劣化。

(比较例2)

对本发明的比较例进行说明。对如实施例1～9所示那样制成的面板，不进行图像数据的修正地进行有源矩阵驱动后发现，1TFT部分中黑的明亮度L＊为5程度、白的明亮度L＊为2程度而较高。这在白黑2值显示中不会太在意，但是在灰度显示中就成为问题。

根据以上的说明可以理解为在本发明中具有以下的效果。首先，提供了一种抑制断线的影响的同时适于各种短路的修复的薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法。此外，提供了一种能够减少修复后的显示差异的薄膜晶体管阵列及其制造方法、图像显示装置及显示方法。

工业上的利用可能性

本发明能够应用于电泳显示器、液晶显示器等所使用的薄膜晶体管阵列中。

附图标记的说明

1 绝缘基板

2 栅电极

2’ 栅极布线

4 源电极

4’ 源极布线

4a 源极连接电极

5 漏电极

5a 漏极连接电极

6 半导体图案

6’ 保护层

7 像素电极

7A 第一电容器部分

7B 第二电容器部分

8 绝缘膜

8H 开口部

9 上部像素电极

10 电容器电极

10A 第一电容器电极

10B 第二电容器电极

10’ 电容器布线

10’A 第一电容器布线

10’B 第二电容器布线

11 对置基板

12 对置电极

13 显示介质

14 相位差板

15 偏光板

21 断线部

22 短路部

23 位置(激光切割部)

31 架桥部

32 激光连接部

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技术研发人员：石崎守;
技术所有人：凸版印刷株式会社;
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