一种TFT阵列基板缺陷快速检测系统的制作方法

本实用新型涉及了一种TFT阵列基板缺陷快速检测系统。

背景技术：

在传统的TFT-LCD中，每个像素电路内对应一个TFT晶体管。TFT晶体管的功能是一个连接数据线和像素的开关，开和关时间由扫描线控制。传统单TFT晶体管控制显示的LCD中将数据线和扫描线按照一定规律连接到测试仪信号线上，通过检测特定画面可以快速查找到点缺陷、线缺陷及其它缺陷。而随着LCD技术的不断发展，为了进一步降低LCD功耗，一种新型的超低频率的液晶显示器得以出现，此种LCD为了降低TFT晶体管中漏电流的流失，提高存储电容维持显示的时间，将一个像素电路内设置多个TFT晶体管。而在生产过程中，传统的单TFT晶体管的检测系统不能快速准确判断出面板的点缺陷和线缺陷等各种缺陷。故亟需开发一种应用于检测多个TFT晶体管控制显示的阵列基板的缺陷的快速检测系统。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是提供了一种TFT阵列基板缺陷快速检测系统，其在绑定IC前，可快速检测出阵列基板的各种显示缺陷，进而避免IC的浪费，降低生产成本。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种TFT阵列基板缺陷快速检测系统，其包括：

TFT阵列基板，其每一像素电路由多个串联的TFT晶体管控制；

背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；

测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压；其中，

所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路、多条栅线和多条数据线，每一像素电路包括串联设置的多个TFT晶体管、像素电极、存储电容和公共电极；一条栅线分别控制相邻像素电路内的不同位置的TFT晶体管的栅极，一条数据线控制连接一排或一列像素电路内的第1个晶体管的源极；每一像素电路内的第N个晶体管的漏极连接像素电极；

所述测试仪的VGO端经第一栅线驱动器与所述TFT阵列基板上的偶数栅线连接以向所述偶数栅线输出电压；所述测试仪的VGE端经第二栅线驱动器与所述TFT阵列基板上的奇数栅线连接以向所述奇数栅线输出电压；所述测试仪的VDR端经第一数据线驱动器与所述TFT阵列基板上的偶数数据线连接以导通所述偶数数据线；所述测试仪的VDG端经第二数据线驱动器与所述TFT阵列基板上的奇数数据线连接以导通所述奇数数据线；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极连接以向所述公共电极输出电压。

作为本实用新型提供的TFT阵列基板缺陷快速检测系统的一种改进，所述多个TFT晶体管为两个TFT晶体管。

作为本实用新型提供的TFT阵列基板缺陷快速检测系统的一种改进，所述多个TFT晶体管为三个以上TFT晶体管。

作为本实用新型提供的TFT阵列基板缺陷快速检测系统的一种改进，所述第一栅线驱动器、第二栅线驱动器、第一数据线驱动器和第二数据线驱动器均包括一探针和三极管开关，所述探针一端与测试仪连接，另一端经三极管开关与所述第一栅线驱动器、第二栅线驱动器、第一数据线驱动器或第二数据线驱动器连接。

本实用新型具有如下有益效果：利用该TFT阵列基板缺陷快速检测系统，结构简单，操作方便，可在绑定IC前，快速检测出阵列基板的各种显示缺陷，进而避免IC的浪费，降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型快速检测系统的连接原理图，其中每一像素电路具有两个串联的TFT晶体管，左右两端引出的是数据线，下端引出的是栅线；

图2为本实用新型快速检测系统的连接原理图，其中每一像素电路具有三个串联的TFT晶体管，左右两端引出的是栅线，下端引出的是数据线。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型进行详细的说明，实施例仅是本实用新型的优选实施方式，不是对本实用新型的限定。

实施例1

一种TFT阵列基板缺陷快速检测系统，其包括：

TFT阵列基板，其每一像素电路110由两个串联的TFT晶体管111、112控制；

背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；

测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压。

具体地，所述TFT阵列基板左右两端引出的是数据线120，下端引出的是栅线120；所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路110、多条栅线120和多条数据线130，每一像素电路110包括串联设置的两个TFT晶体管、像素电极113和公共电极114，第1个TFT晶体管111的漏极D与第2个TFT晶体管112的源极S连接，第1个TFT晶体管111的源极S与所述数据线130连接，第2个TFT晶体管112的漏极D连接所述像素电极113，所述公共电极114形成在所述像素电极113的上方，使像素电极113与公共电极114形成存储电容Cs在公共电极114上的结构形式；其中，每一条栅线120在进入像素电路110之前，分成两条栅走线分别引入相邻的两列像素电路110中，分别控制相邻像素电路110内的不同位置的TFT晶体管的栅极G，即一条栅走线控制连接一像素电路110内的第1个晶体管，另一条栅走线控制连接相邻的另一像素电路110内的第2个晶体管。

所述测试仪的VGO端经Gate-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的偶数栅线120连接以向所述偶数栅线120输出电压；所述测试仪的VGE端经Gate-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的奇数栅线120连接以向所述奇数栅线120输出电压；所述测试仪的VDR端经Source-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的偶数数据线130连接以导通所述偶数数据线130；所述测试仪的VDG端经Source-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的奇数数据线130连接以导通所述奇数数据线130；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极114连接以向所述公共电极114输出电压。

检测时，当给其中一个Gate-EVEN探针或Gate-ODD探针加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线130导通时，像素不会点亮，若点亮，说明相对应走线有短路。同样，Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针同时加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线130导通时，所有像素会点亮，若有暗线，说明相对应走线有断路。当所有测试点都加电，即Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针加电、导通Source-ODD探针和Source-EVEN探针时，检测画面为白色时，有暗点的位置就是缺陷位置，同理，当不给Source-ODD探针和Source-EVEN探针加电时，检测画面为黑色时，亮点位置即为缺陷位置。

实施例2

一种TFT阵列基板缺陷快速检测系统，其包括：

TFT阵列基板，其每一像素电路210由三个串联的TFT晶体管211、212、213控制；

背光源和偏光片，所述偏光片位于所述TFT阵列基板和背光源之间；

测试仪，用于向阵列基板施加预定的电压。

具体地，所述TFT阵列基板左右两端引出的是栅线220，下端引出的是数据线230；所述TFT阵列基板包括阵列排布的多个像素电路210、多条栅线220和多条数据线230，每一像素电路210包括串联设置的三个TFT晶体管、像素电极214、存储电容Cs和公共电极215，第1个TFT晶体管211的漏极D与第2个TFT晶体管212的源极S连接，第1个TFT晶体管211的源极S与所述数据线230连接，第2个TFT晶体管212的漏极D与第3个TFT晶体管213的源极S连接，第3个TFT晶体管213的漏极D连接所述像素电极214，所述公共电极215形成在所述像素电极214的上方，使像素电极214与公共电极215形成存储电容Cs在公共电极215上的结构形式；其中，每一条栅线220在进入像素电路210之前，分成两条栅走线分别引入相邻的两列像素电路210中，分别控制相邻像素电路210内的不同位置的TFT晶体管的栅极G，即一条栅走线控制连接一像素电路210内的第1个晶体管和第3个晶体管，另一条栅走线控制连接相邻的另一像素电路210内的第2个晶体管。

所述测试仪的VGO端经Gate-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的偶数栅线220连接以向所述偶数栅线220输出电压；所述测试仪的VGE端经Gate-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上左右两端的奇数栅线220连接以向所述奇数栅线220输出电压；所述测试仪的VDR端经Source-EVEN探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的偶数数据线230连接以导通所述偶数数据线230；所述测试仪的VDG端经Source-ODD探针和三极管开关与所述TFT阵列基板上的奇数数据线230连接以导通所述奇数数据线230；所述测试仪的Vcom端与所述TFT阵列基板的公共电极215连接以向所述公共电极215输出电压。

为了便于连接和操作方便，栅线220由两边引出时，可以将左端引出的所有偶数栅线220和奇数栅线220分别连接至Gate-L-EVEN探针和Gate-L-ODD探针；将右端引出的所有偶数栅线220和奇数栅线220分别连接至Gate-R-EVEN探针和Gate-R-ODD探针；Gate-L-EVEN探针和Gate-L-EVEN探针再单独通过信号线连接至所述测试仪的VGE端，Gate-R-ODD探针和Gate-R-ODD探针再单独通过信号线连接至所述测试仪的VGO端。

检测时，当给其中一个Gate-EVEN探针或Gate-ODD探针加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线230导通时，应只显示单像素宽度的亮线或暗线，若亮线或暗线宽度比其它的宽，说明相邻走线有短路。同样，Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针同时加电，连通Source-ODD探针和Source-EVEN探针的三极管开关即数据线230导通时，所有像素会点亮，若有暗线，说明相对应走线有断路。当所有测试点都加电，即Gate-EVEN探针和Gate-ODD探针加电、导通Source-ODD探针和Source-EVEN探针时，检测画面为白色时，有暗点的位置就是缺陷位置，同理，当不给Source-EVEN探针和Source-ODD探针加电时，检测画面为黑色时，亮点位置即为缺陷位置。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。