一种用于检测背光模组的电路结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电路，具体地说是一种用于检测背光模组性能的检测验治具中的电路结构。
【背景技术】
[0002]目前所使用的具有显示功能的电子产品，如电视、显示器、数字相机、移动电话、PDA、随身式DVD等都是通过液晶面板配置来显示影音讯号，而液晶面板的影像显示更依赖于背光模组的光源设计及品质管理，背光模组会直接影响显示影像的效果与画面对比品质，因此，良好的背光模组将会提高液晶面板影像显示的品质。
[0003]随着液晶显示器使用范围越来越广，其背光在检验要求上也越来越严格，而且为了保证产生效率，对检测事情也要求越来越快。传统的检测方式，先用低电流驱动背光模组进行检测，然后再用正常电流驱动背光模组来检测，此检测方式需要人工操作，由于需要不同的电流，需要设置一个电流开关，用低电流检测时，则拨向低电流方向，电路中流过低电流，使背光模组发亮。需要较高电流时，则拨向较高电流方向，电路中流过较高电流，使背光模组发高，从而查看背光模组是否存在不良之处。由于需要人工切换开关，导致操作速度较慢，浪费时间和精力。而且，部分工人有时为了节省时间，可能直接忽略掉低电流检测，从而给背光模组的质量带来影响。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够自动转换不同电流的用于检测背光模组的电路结构。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型采取以下技术方案:
[0006]一种用于检测背光模组的电路结构，具有输入端IN和输出端0UT，所述电路还包括可控硅Q1、三极管Q2、三极管Q3、光耦合器、电容C和电阻R2，光耦合器和电阻R2串联连接后与可控硅Q1的发射极和电容C连接，电容C通过线路分别与可控硅Q1的基极、光耦合器连接，可控硅Q1的基极与电容C之间还设有电阻R4，可控硅Q1的集电极通过线路与光耦合器连接，三极管Q2的集电极与电容C连接，三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的基极通过线路连接至光耦合器，三极管Q3的基极通过电阻R7与该三极管Q3的发射极连接，可控硅Q1、三极管Q2和三极管Q3的发射极均通过线路与输入端IN连接，光耦合器通过线路与输出端OUT连接，输入端IN通过线路还与三级管Q2的基极、三级管Q3的集电极连接。
[0007]所述电阻R2的阻值为560欧姆。
[0008]所述可控硅Q1的基极通过电阻R3与该可控硅Q1的发射极连接。
[0009]所述电容C与光耦合器间设有电阻R1。
[0010]所述三极管Q3的基极与光耦合器间设有电阻R5，该电阻R5和电阻R1并联连接。
[0011]所述电阻R1的阻值优选为47K欧姆，电阻R5的阻值优选为100K欧姆。
[0012]所述电阻R3的阻值优选为47 K欧姆，电阻R4的阻值优选为4.7K欧姆，电阻R7和电阻R6的阻值均优选为100K欧姆。
[0013]本实用新型电路应用在一种检验治具中，用于对背光模组进行检测，接上背光模组，能够在较低电流和正常电流之间自动转换换挡，不需要人工拨动开关转换，有效提升了操作效率，降低工作强度。
【附图说明】
[0014]附图1为本实用新型电路原理示意图。
【具体实施方式】
[0015]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
[0016]如附图1所示，本实用新型揭示了一种用于检测背光模组的电路结构，具有输入端IN和输出端0UT，所述电路还包括可控硅Q1、三极管Q2、三极管Q3、光耦合器3、电容C和电阻R2，光耦合器3和电阻R2串联连接后与可控硅Q1的发射极和电容C连接，电容C通过线路分别与可控硅Q1的基极、光耦合器连接，可控硅Q1的基极与电容C之间还设有电阻R4，可控硅Q1的集电极通过线路与光耦合器连接，三极管Q2的集电极与电容C连接，三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的基极通过线路连接至光耦合器，三极管Q3的基极通过电阻R7与该三极管Q3的发射极连接，可控硅Q1、三极管Q2和三极管Q3的发射极均通过线路与输入端IN连接，光耦合器通过线路与输出端OUT连接，输入端IN通过线路还与三级管Q2的基极、三级管Q3的集电极连接。即电容C的一端、可控硅Q1发射极、三极管Q2发射极、三极管Q3发射极均相互连接后再通过线路与输入端IN连接。光耦合器用于当放入背光模组有背光时导通。
[0017]此外，三极管Q3的基极与光耦合器间设有电阻R5，该电阻R5和电阻R1并联连接。可控硅Q1的基极通过电阻R3与该可控硅Q1的发射极连接。另外，电阻R2的阻值优选为560欧姆。电阻R1的阻值优选为47K欧姆，电阻R5的阻值优选为100K欧姆。电阻R3的阻值优选为47 K欧姆，电阻R4的阻值优选为4.7K欧姆，电阻R7和电阻R6的阻值均优选为100K欧姆。
[0018]当一有背光接入到输出端OUT端点后，就有电流从OUT端点的2脚经过光耦合器流过电阻R2到电源的负极(由于电阻R2的分压此时背光通的是较小电流)。
[0019]光耦合器的输入端当有电流通过时输出端就会导通，这样电阻R5和电阻R1上面就会有电压.然后分为两路，电阻R1 —路充电功能，电阻R5—路放电功能.
[0020]对于充电:由于这时电阻R1上面有电压，电容C上就会慢慢的充电。当电容C上充电到一定时间后加在电阻R4的电压就会导通可控娃Q1，可控娃Q1 —导通就直接将输出端OUT的第2脚接到负极上，这时背光就通过了正常电压.并且只要背光不拿开，可控硅Q1都会一直导通。
[0021]对于放电:当没有背光接入时，由于是电阻R6 —直接在电路中，三极管Q2在没有背光接入时是导通的，这样通过三极管Q2将电容C上的电压放掉，为下一次背光的接入做准备。而当有背光接入时为了正常工作这时三极管Q2又要求被截止，这个功能由三极管Q3来完成，当有背光接入时前面说过电阻R5上也有电压，这样三极管Q3就会导通同时也会将三极管Q2截止，让电容能够定时充电，完成延时导通可控硅的目的。
【主权项】
1.一种用于检测背光模组的电路结构，具有输入端IN和输出端OUT，其特征在于，所述电路还包括可控娃Q1、三极管Q2、三极管Q3、光親合器、电容C和电阻R2，光親合器和电阻R2串联连接后与可控硅Q1的发射极和电容C连接，电容C通过线路分别与可控硅Q1的基极、光耦合器连接，可控硅Q1的基极与电容C之间还设有电阻R4，可控硅Q1的集电极通过线路与光耦合器连接，三极管Q2的集电极与电容C连接，三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的基极通过线路连接至光耦合器，三极管Q3的基极通过电阻R7与该三极管Q3的发射极连接，可控硅Q1、三极管Q2和三极管Q3的发射极均通过线路与输入端IN连接，光耦合器通过线路与输出端OUT连接，输入端IN通过线路还与三级管Q2的基极、三级管Q3的集电极连接。2.根据权利要求1所述的用于检测背光模组的电路结构，其特征在于，所述电阻R2的阻值为560欧姆。3.根据权利要求2所述的用于检测背光模组的电路结构，其特征在于，所述可控硅Q1的基极通过电阻R3与该可控硅Q1的发射极连接。4.根据权利要求3所述的用于检测背光模组的电路结构，其特征在于，所述电容C与光耦合器间设有电阻R1。5.根据权利要求4所述的用于检测背光模组的电路结构，其特征在于，所述三极管Q3的基极与光耦合器间设有电阻R5，该电阻R5和电阻R1并联连接。6.根据权利要求5所述的用于检测背光模组的电路结构，其特征在于，所述电阻R1的阻值优选为47K欧姆，电阻R5的阻值优选为100K欧姆。7.根据权利要求6所述的用于检测背光模组的电路结构，其特征在于，所述电阻R3的阻值优选为47 K欧姆，电阻R4的阻值优选为4.7K欧姆，电阻R7和电阻R6的阻值均优选为100K欧姆。
【专利摘要】一种用于检测背光模组的电路结构，具有输入端IN和输出端OUT，包括可控硅Q1、三极管Q2、三极管Q3、光耦合器、电容C和电阻R2，光耦合器和电阻R2串联连接后与可控硅Q1的发射极和电容C连接，电容C通过线路分别与可控硅Q1的基极、光耦合器连接，可控硅Q1的基极与电容C之间还设有电阻R4，可控硅Q1的集电极通过线路与光耦合器连接，三极管Q2的集电极与电容C连接，三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的基极通过线路连接至光耦合器，三极管Q3的基极通过电阻R7与该三极管Q3的发射极连接，可控硅Q1、三极管Q2和三极管Q3的发射极通过线路与输入端连接。本实用新型检测方便，能够自动转换电流。
【IPC分类】G09G3/00, G01R31/44
【公开号】CN205028626
【申请号】CN201520707547
【发明人】薛峰
【申请人】东莞市亚通光电有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月14日