专利名称：包括掺硼-氟应力构件的保偏和单偏振光纤的制作方法
包括掺硼-氟应力构件的保偏和单偏振光纤发明背景 发明领域本发明一般涉及光纤，更具体地涉及保偏和/或单偏振光纤。
背景技术：
保偏(PM)和单偏振(SP)光纤可用于超高速传输系统和许多其它应用。如
图1所示，一种类型的现有技术的保偏光纤包括被包层11包围的中心纤芯10。纤芯10和包层11 由用于形成光波导的常规材料形成。纤芯材料的折射率大于包层材料的折射率。仅作为示 例，纤芯10可由包含诸如氧化锗之类的提高其折射率的一种或多种掺杂剂的二氧化硅组 成。包层11可包括纯二氧化硅、包含的掺杂剂量少于纤芯10的二氧化硅、或包含一种或 多种降低掺杂剂的二氧化硅，这些掺杂剂中的至少一种是使二氧化硅的折射率降低的诸如 硼或氟之类元素的氧化物。在图1中，相对于纤芯10在直径两侧的两个区域12由玻璃材 料形成(例如用20%到25%重量百分比的B掺杂的二氧化硅)，该玻璃材料的热膨胀系数 (CTE)与包层材料11的热膨胀系数不同。当这样的光纤被拉制成时，纵向延伸的区域12和 包层区将收缩不同量，藉此区域12将根据其相对于包层11的CTE而被置于拉伸或压缩状 态。由区域12与包围区11之间的CTE不匹配引起的各向异性热应力引起的应力所引起的 双折射减弱了两个偏振基模(具有正交偏振方向)之间的耦合。通过CTE不匹配(包层11与区域12之间)获得的这些PM或SP光纤的一个主要 缺点是这些光纤对温度敏感，因为热应力会随温度变化。这种热敏感性通常损害PM或SP 性能的稳定性。PM和SP光纤的热稳定性对于许多应用而言非常重要，诸如高功率放大器/ 激光器领域、高精度机载空间导航、以及深海(或陆地)传感器应用，其中光纤在工作期间 经历剧烈的温度变化。如果未采用通常昂贵的附加温度管理，则这些变化会导致PM/SP性 能降级，从而引起性能的劣化、低导航准确性以及设备/系统中可能的总失效。
发明内容
本发明的一个方面涉及一种光纤，包括(i)纤芯；(ii)包围该纤芯的包层，以及 (iii)毗邻该纤芯且位于该包层内的至少一个应力构件，该应力构件包括用B和F二者共同 掺杂的二氧化硅。优选地，该光纤支持在800nm到1600nm的工作波长范围内(例如850nm、 ^^ 、口川和/或巧日。!!!!!)的保偏和/或单偏振模式。优选该应力构件具有热应力系数ot 和机械应力系数Qm，且ot< om。在一个实施例中，中心纤芯被该应力构件包围，而且该应力构件是硼_氟掺杂的 二氧化硅的环形区。在另一实施例中，该应力构件包括位于纤芯的相对两侧上的至少两个 施加应力部件(SAP)，诸如B和F掺杂的应力杆。根据本发明的某些实施例，中心纤芯优选具有约0.05%与2. 5%之间的Δ %，Δ10 例如，对于大模场面积(LMA)的PM光纤、在其中非线性是主要缺陷或相关因素的诸如高功率光纤激光器的应用、以及机载高精度光纤陀螺仪而言，中心纤芯优选具有约0. 05%与0.15%之间的Δ%，Β卩A115在用于电信和光纤传感器的单模光纤中，中心纤芯Δ%，Β卩A1 优选为约0.3%到2. 5%之间。此外，根据某些实施例，该光纤包括包围中心纤芯的掺氟(或 共同掺氟)区，其等于或低于-0.0%。通过LMA光纤，我们表示的是纤芯直径超过20 微米的光纤，例如纤芯直径为20与60微米之间的光纤。本文中公开的其它光纤实施例是 例如纤芯直径约为3到15微米的单模光纤。根据本发明的实施例的保偏或单偏振光纤的一个优点是基本稳定的保偏或单偏 振性能，其没有温度敏感性或温度敏感性最小。将在以下详细描述中阐述本发明的附加特征和优点，这些特征和优点在某种程度 上对于本领域的技术人员来说根据该描述将是显而易见的，或者通过实施包括以下详细描 述、权利要求书以及附图的本文所述的本发明可认识到。附图简述图1是现有技术的光波导的示意性截面图。图2Α是根据本发明的保偏光纤的第一实施例的示意性截面图。图2Β是根据本发明的单偏振光纤的第一实施例的部分示意性截面图。图2C是根据本发明的保偏光纤的第二实施例的示意性截面图。图2D是根据本发明的保偏光纤的第三实施例的示意性截面图。图3是OSA(光谱分析仪)测量的示出光谱(以dB为单位的发射功率)与图2A 光纤的波长的关系的曲线图。图4是用于本发明的某些实施例的应力构件的热膨胀系数(CTE)的曲线图。图5是根据本发明的单偏振光纤的另一实施例的示意性截面图。优选实施例的详细描述为了本文中的描述，应当理解本发明可采取多个替代配置和步骤顺序，除非另外 指明。还要理解的是，附图中说明以及以下说明书中描述的特定光纤和工艺步骤是所附权 利要求中限定的本发明概念的示例性实施例。因此，与本文中公开的实施例有关的特定尺 寸和其它物理特性不应被认为是限制性的。定义以下定义和术语在本领域中常用。折射率分布——折射率分布是折射率(Δ % )与光纤半径(从光纤的中心线测得) 在光纤的选定分段上的关系。相对折射率百分比Δ %—术语Δ %表示由以下方程定义的折射率的相对测量 值<formula>formula see original document page 5</formula>
其中ni是表示为i的折射率分布分段的最大折射率，而η。是基准折射率。该分段 中的每个点具有相对于基准折射率测得的相关联的相对折射率。根据本发明的实施例的波导光纤20是利用B和F掺杂的一个或多个应力施加部 件(本文中称为应力构件)的热稳定PM和/或SP光纤。这些应力构件可具有圆形或非圆 形的截面，且可用于许多不同类型的光纤，例如活性(例如稀土掺杂的纤芯)和钝化光纤， 具有一个或多个不同材料的包层的光纤(例如双包层光纤)以及大模场面积(LMA)光纤 等。此类光纤经由机械应力而不是经由以仅B掺杂的二氧化硅作为SAP (热应力施加部件)的传统保偏PM光纤中常见的热应力来提供保偏和/或单偏振性质。在新的保偏/单偏振 (PM/SP)光纤中实现的机械应力直至B/F共掺的二氧化硅(用于应力构件的材料)的应变 点都对温度不敏感；从而表现出热稳定的PM特性，此外还表现出稳定的SP工作窗口。例如， 对温度不敏感的光纤的光纤双折射率Δη(在两个偏振模式之间)或拍长(beat length) 变化在_60°C到+120°C的温度范围上小于20%、优选小于15%、甚至更优选小于10%以及 最优选小于5%。
根据本文所描述和公开的保偏或单偏振波导光纤20的第一实施例具有截面结 构，如图2A所示。在所示实施例中，波导光纤20包括沿光纤的纵轴延伸的中心纤芯30。该 纤芯30可以是(i)圆形，其典型直径在3与15微米之间，或(ii)细长(例如椭圆)，最大 尺寸为A，最小尺寸为B。如果纤芯30为细长，则优选光纤20的第一长宽比ARl (定义为A/ B)大于1. 5 ；优选在约1. 5与8之间；更优选在2与5之间。纤芯30被光纤包层40包围， 其包括和/或包围至少一个应力构件42。例如，中心纤芯30由掺二氧化锗的二氧化硅制造，其中设置了充量的二氧化锗， 以使该纤芯的纤芯Δ %,BP A1约为0. 05%与2. 5%之间；例如优选在约0. 3%与1. 3%之 间；以及在一个实施例中约为1. 1%。如果该光纤是大模场面积(LMA)光纤，则优选纤芯 Δ %，g卩ΔQ在约0.05%与0. 15%之间；更优选在约0.07%与0. 11%之间；例如0. 1%。如 果纤芯细长，则纤芯30的平均直径d avg = {A+B} /2优选在约3与12微米之间；更优选在 4与10微米之间。如图2B所示，纤芯30可被组分与纤芯30不同的光学环形区32包围；优选光学 环形区的折射率低于纤芯。因此，环形区32优选相对于纯二氧化硅降低掺杂，因此最优 选由掺氟、或硼和氟共掺的二氧化硅制造。通过F降低掺杂，环形区32的Δ%，Β卩八2在 约-0. 0 %与-0. 7 %之间；更优选在约-0. 2 %与-0. 6 %之间；以及最优选为约-0. 4 %。一般 而言，环形区32中的玻璃被掺杂成使其粘度在拉制温度下比中心纤芯30的粘度低。环形区 32还可具有一般圆形或椭圆形状，并与应力构件一起有助于在两个偏振模式的基模截止波 长之间的单偏振工作。图2Β的光纤是单偏振光纤。即，该光纤呈现单偏振带(仅一种偏振 在该带中传输，其它偏振被去除)。单偏振带(SPB)位于SOOnm-ieOOnm波长范围内。至少一个应力构件毗邻纤芯30形成(图2A-2D)。例如，图2C示出应力构件42，它 是包围纤芯的掺硼-氟的二氧化硅的环形区。该环形区可以是圆形(图2C)或椭圆形。还 可使用弓带状应力构件42 (未示出)。应力构件可包括多个B和F共掺的应力杆。图2A、 2B以及2D示出了包括位于纤芯30的相对两侧上的至少两个应力杆44、46的应力构件。如 果光纤20包括环形区32，则应力杆44、46可至少部分地在光纤20的环形区32中形成。应 力杆44、46优选沿光纤20的整个纵向长度延伸，且优选沿光纤长度的尺寸基本恒定。应力 杆44、46优选定位于中心纤芯30直径的两侧上，且可完全或仅部分在环形区32中形成，或 者如果该光纤不包括区域32，则应力杆44、46可位于如图2A、2D所示的包层40中。应力杆 44,46可毗邻最小纤芯维度B定位且与其对准。纤芯与应力杆之间的壁到壁距离可以为零 (应力杆碰到纤芯)，因为当利用B-F共掺的二氧化硅作为SAP时将没有钝化损耗。该低损 耗来自低硼浓度(B小于6%重量百分比)。优选诸如应力杆44、46之类的应力构件毗邻且 非常靠近纤芯30定位(例如应力杆边缘距离纤芯30边缘在5微米内，且优选在3微米内)。 应力杆截面可以是圆形的(图2A)，但可任选地具有其它形状(例如参见图2D)，而且大小可以是相等或不相等。在设计用于标准单模应用的光纤中(例如外径(OD)为125 μ m的光 纤)，应力构件优选具有最大尺寸，诸如内径d或宽度w在约1到35微米之间；更优选在约 5 μ m与25微米之间，例如10到15微米或10到20微米。对于大OD LMA光纤，根据专用的 LMA光纤设计要求，应力构件的直径或宽度通常可高达30微米或更大。例如，对于LMA光纤 而言，最大应力杆尺寸可以是25μπι到250μπι。具有250 μ m直径(或宽度)的应力构件的 LMA光纤可具有例如约Imm的外径。虽然在纤芯30的每一侧仅示出了一个应力杆，但沿每 一侧的多个杆也可用于在工作波长带内提供PM或SP。包括掺B和F的二氧化硅的示例性 应力构件可包括少于8%重量百分比的硼，且优选2%< B < 6%重量百分比，且1. 5%<F <3.5%重量百分比。例如，在某些实施例中，应力构件可包括3. 8% < B < 4. 2%重量百分 比，且2. 4%<F< 3%重量百分比该应力构件的CTE优选与纯二氧化硅(或其周围的经掺 杂的二氧化硅材料)的CTE相似，以确保在-100°C到600°C的温度内的对温度不敏感的PM 性能。例如，应力构件的CTE优选在1X10_7°C与15父10-71之间，更优选在3\10-71与 IOX 10—7°C之间，甚至更优选在3X 10_7°c与8X 10_7°c之间，甚至更优选在4X10—7°c与 8X10_7°C之间，以及最优选在4X10_7°C与7. 5X10—7°c之间。
优选地，该光纤支持在800nm到1600nm之间的工作波长范围/SPB内(例如850nm、 ^^ 、口川和/或巧日。!!!!!)的保偏和/或单偏振模式。根据本发明的某些实施例的光纤在 450nm到1600nm的波长下呈现0. 4X 1(Γ4到4Χ 1(Γ4的双折射率(Δη)。例如，Δ η在850nm 波长下在1 X 10_4到3 X 10_4之间。图3示出了当图2A的光纤定位于一对交叉起偏器之间时， 测得的OSA光谱与波长之间的关系。该示例性PM光纤(图2A的光纤)的双折射率(Δη) 和拍长可通过图3中提供的信息来计算。该光纤具有约4. 2mm的拍长Lb= (Δ λ/λ) ，其 中Δ λ是图3中的峰到峰波长间距，λ是平均波长，以及L是测得光纤的长度(在本实施 例中L=L 965m)。该光纤在λ = 980nm下具有约2 X10-4的双折射率Δ n，这类似于将仅 掺硼的二氧化硅作为应力构件的常规PM光纤中能实现的结果相似，但具有的附加好处是 直到B/F 二氧化硅玻璃的应变点(约650°C)都热稳定。我们已经通过实验证实，应力杆引 起的应力水平直到达到B/F掺杂的二氧化硅的应变点都未曾改变。具有类似于图2A中所示截面的一种示例性光纤具有0.68%的纤芯相对折射率Δ 和0. 58%的包层相对折射率Δ (均相对于纯二氧化硅)。因此，纤芯相对于包层的0. 1 % (0. 68%-0. 58%= 0. 1%)的有效纤芯Δ对应于LMA PM光纤设计中约0. 06的纤芯ΝΑ。应 力杆具有-1.5%的Δ (也相对于纯二氧化硅)。该光纤具有55 μ m的纤芯直径，以及100 μ m 的应力杆直径。应力杆44、46位于包层40内、Btt邻纤芯30，且纤芯30与应力杆44、46之 间的距离(壁到壁)为25 μ m。该光纤20在λ = Iym下具有0. 43X10^的双折射率和 15dB的偏振消光比。该光纤是LMA活性PM光纤，因此适用于光纤激光器和光纤放大器。此 示例性光纤的纤芯30包括Yb2O3 :1· 2% 重量百分比，GeO2 -J. 6% 重量百分比，Al2O3 重量百分比。此示例性光纤的包层40包括用9. 4%重量百分比的GeO2掺杂的二氧化硅。此示 例性光纤的应力杆44、46包括用以下成分掺杂的二氧化硅B2O3 重量百分比，
F: 2.5%重量百分比。截面与图2D所示的截面相似的另一示例性光纤具有0. 的纤芯Δ和0%的包 层Δ (包层由纯二氧化硅制成)。应力杆44、46截面为“月牙”形，且具有-1.5%的Δ。更 具体地，该光纤具有直径为29 μ m的圆形纤芯30，以及38 μ mX 110 μ m的应力杆尺寸。此示 例中的应力杆截面小于半圆。应力杆44、46位于包层40内、Btt邻纤芯30，且纤芯30与应力 杆44、46之间的距离(壁到壁)为9 μ m。该光纤20在λ = Iym下具有4. 32 X IO"4的双 折射率和2. 3mm的拍长。该光纤是针对拉曼放大(Raman Amplification)专门设计的钝化 PM光纤。此示例性光纤的纤芯30是用2%重量百分比的GeO2掺杂的二氧化硅。该示例性 光纤的包层40包括纯二氧化硅。此示例性光纤的应力杆44、46包括用以下成分掺杂的二 氧化硅B2O3 重量百分比，
F :2. 5%重量百分比。本发明人对利用机械应力引起的双折射来控制光纤的偏振性质的发现提供了独 特的优点，诸如在工作期间无热敏感性。虽然不希望被理论束缚，但申请人认为，由B-F共 掺的二氧化硅应力构件提供的在机械上引入的高双折射的机制能如下进行解释在使用应力构件的PM或SP光纤中实现的一般双折射(B)可表示如下B = C.(ot-om)， (1)其中C是应力_光学系数，ο t是热-应力成分，以及σ m是机械_应力成分。
Γ IEAaAT(2)σ. 二-
\-ν以及σ m = F/A, (3)其中E是杨氏模量，Δ α是应力构件与包层之间的CTE差，ΔΤ是光纤应变温度与 室温之间的温度差，ν是泊松比，F是光纤拉制力，以及A是应力构件的面积。在以高B掺杂的二氧化硅作为应力构件的常规PM光纤中，热项σ t是影响双折射 率B的主导因子。热应力项ot主要由特意为大的CTE差Δ α驱动。在这些光纤中，机械 项σω相对小而且一般可被忽略(如文献中所示)。S卩，在常规PM光纤中，Ot >> σω(例 如σ t至少比σ m大10倍)。反之，当掺B和F的二氧化硅用作应力构件时，CTE差Δ α 变小(几乎没有)。在一个实施例中，掺B和F的二氧化硅应力构件具有测得CTE(约为 6Χ 10-7/°C到8Χ 10-7/°C )，如从图4中所示的数据计算所得，其非常类似于纯二氧化硅玻 璃的CTE (二氧化硅的CTE约为5.5X10-7/°C )。因此，如方程(1)所示，这种情况下的双 折射率B的主导力几乎全是机械项σω。如方程(3)所示，Qm对温度的不敏感性因此导致 通过使用掺B和F的二氧化硅应力构件制造的PM光纤的热稳定性。因此，优选应力-光学 系数C尽可能大，且优选大于lO—VMpa，只要热不敏感操作所需的条件Ot < (^以及优选 ot <<。m(例如ο m = 10 ο t或更大)得到满足。当使用掺B和F的二氧化硅作为应力构件时的一个其它重要性质是其大应力-光 学系数，我们的实验数据已经显示出高达约5X10_4/Mpa的值，该值大于已知的所有那些其 它的基于二氧化硅的玻璃。当前还不清楚B/F共掺的二氧化硅光纤中的大应力-光学系数 的原因，也不清该材料中呈现的CTE值类似于纯二氧化硅的原因。(例如，相对于纯二氧化硅玻璃，示例性实施例中的掺B和F的二氧化硅的CET差小于3 X 10_7，优选小于2 X 10_7)。 极可能合理的解释是，通过将B和F共掺到二氧化硅中的某些结构效果起了重要作用。我 们在此方面的初步工作已经显示出在玻璃中形成B-F键的重要证据。不论如何，在该B和 F共掺的二氧化硅玻璃中见到的这些独特性质——即低CTE和大的应力-光学系数已经使 这种玻璃成为用于制造具有高热稳定性的PM/SP光纤的很有价值和有效的应力构件元件。光纤包层40优选具有约125微米或更大的常规外径，且具有优选基本纯的二氧化 硅组分。可任选地，包层40可包括诸如氟之类的其它合适的掺杂剂，而且如果尺寸限制需 要则外径可减小。根据本发明的某系实施例的单偏振光纤20呈现出在设计的单偏振带(SPB)内实现单偏振(传输一个且仅一个偏振模式)的光学性质。优选地，根据本 发明的单偏振光纤的SPB被设计成位于约SOOnm与ieOOnm之间。最优选地，该光纤的SPB 与980、1310或155011111重合，以使该光纤可用于在980、1310或1550nm下工作的光学部件。 具体而言，优选SPB的中心波长与该部件的工作波长的中心波长基本重合(在约+/-20nm 内)。此外，根据本发明的SP光纤优选在978nm下呈现出等于或大于15dB的消光比；以及 更优选在SPB内的等于或大于20dB的消光比。根据本发明的单偏振光纤的实施例在图5中示意性地示出。该单偏振光纤包括应 力杆44、46和在包层40内的多个空气孔24、26。对此光纤的分析通过数值建模进行，该数 值建模考虑来自应力杆44、46的组合双折射和来自空气孔24、26的形状双折射。空气孔 24、26还能起引入基模截止的附加作用，从而利用高双折射率，两个偏振模式达到不同波长 下的基模截止。这允许对应于两个偏振模式的两个基模截止波长之间的单偏振操作。该光 纤具有直径约为8. 8μπι的中心纤芯30，该中心纤芯相对于包层的纤芯Δ为0.2%。应力 杆44、46具有12微米的直径，且提供2. 02 X ΙΟ"4的双折射率。在该示例性实施例中，从杆 中心到中心的距离为11微米。这些空气孔具有12微米的直径，其中光纤中心与空气孔中 心之间的距离约为10.4微米。该包层由纯二氧化硅形成。在该实施例中，应力杆44、46和 孔24、26基本邻接中心纤芯30的侧面。该单偏振光纤呈现出1238nm与1329nm之间的单 偏振特性，其中单偏振工作窗口的宽度约为91nm。对本领域的技术人员显而易见的是，可对本发明作出各种变化和修改，而不背离 本发明的范围。因而，本发明旨在涵盖本发明的所有这些修改和变型，只要它们落在所附权 利要求书及其等价技术方案的范围中即可。
权利要求
一种光纤，包括(i)纤芯，(ii)包围所述纤芯的包层，(iii)毗邻所述纤芯且位于所述包层内的至少一个应力构件，所述应力构件包括用B和F共同掺杂的二氧化硅。
2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述中心纤芯是基于二氧化硅的，且被所述 应力构件包围，所述应力构件是掺硼_氟的二氧化硅的环形区。
3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，至少一个应力构件包括位于所述纤芯的相 对两侧上的至少两个应力杆。
4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，还包括在工作波长下大于或等于15的偏振 消光比。
5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在工作波长下呈现出小于0. 02dB/m的衰减。
6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，在450nm到1600nm的波长下呈现出 0. 4 X IO"4到4 X Kr4的双折射率。
7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有2%<B < 6%重量百分 比，以及1. 5%< F < 3. 5%重量百分比。
8.如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述应力杆具有直径为d的圆形截面，其中 10 μ m < d < 15 μ m。
9.如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述光纤是LMA光纤，且其中所述应力杆具 有直径为d的圆形截面，其中25 μ m < d < 250 μ m。
10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件的CTE基本等于纯二氧化硅 在-100°C到600°C的温度内的CTE。
11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有1X10_7与15X10_7之 间的CTE。
12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有应力-光学系数C，且C > 1(T4/Mpa。
13.一种光纤，包括(i)纤芯，(ii)包围所述纤芯的包层，以及(iii)毗邻所述纤芯且位于所述包层内的至少一个应力构件，所述应力构件包括用B 和F共同掺杂的二氧化硅，其中所述应力构件具有热应力系数％和机械应力系数Om，且 10 at <am。
14.如权利要求13所述的光纤，其特征在于，IOot< Offl0
15.一种光纤，包括⑴纤芯，( )包围所述纤芯的包层，(iii)毗邻所述纤芯且位于所述包层内的至少一个应力构件，所述应力构件包括用B 和F共同掺杂的二氧化硅，其中所述光纤在450nm到1600nm的范围的波长下呈现0. 4X 10_4 到4X 10_4的双折射率和/或在SOOnm到1600nm的工作波长范围内呈现单偏振模式。
16.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述至少一个应力构件具有2% < B < 6%重量百分比，以及1. 5%<F < 3. 5%重量百分比。
17.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述至少一个应力构件具有3X IO-V0C与 8X1(T7°C之间的 CTE。
18.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述至少一个应力构件具有应力-光学系 数 C，且 C > 10-4/Mpa。
19.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述中心纤芯是基于二氧化硅的；而且所 述应力构件(i)包括位于所述纤芯的相对两侧上的至少两个应力杆；或者(ii)包围所述 纤芯。
20.如权利要求15所述的光纤，其特征在于，所述应力构件具有小于6%重量百分比的B.
全文摘要
一种光纤，包括(i)纤芯；(ii)包围该纤芯的包层，(iii)毗邻该纤芯且位于该包层内的至少一个应力构件，该应力构件包括用B和F共同掺杂的二氧化硅。
文档编号G02B6/024GK101809476SQ200880109304
公开日2010年8月18日 申请日期2008年7月23日 优先权日2007年7月31日
发明者D·T·沃尔顿, L·A·森特诺, M·李, S·格雷, X·陈, 王吉 申请人:康宁股份有限公司