形成一具有周期结构的基板的方法

专利名称：形成一具有周期结构的基板的方法
技术领域：
本发明涉及一种形成一具有周期结构基板的方法，尤指一种能快速制作、成本低 廉、且可避免基板损伤的形成一具有周期结构基板的方法。
背景技术：
所谓的光子晶体是一种周期性结构，可使某些频率的光线局限于一特定的方向传 播，并可防止其它频率的光线的传播；且因光子晶体其操作范围是光的范围，故光子晶体的 结构周期尺寸必须为次微米或纳米等级。目前，光子晶体除可应用于光学通讯系统以及光 计算器等领域外，还可将光子晶体应用在光电元件以增进光电元件的效能。一般是以高能量雕刻成型或纳米压印术等方式图案化基板以形成光子晶体，如雷 射、电子束、离子束雕琢成型、雷射全像干涉、或以上述方法制作硬质光子晶体母板后再将 母板拓印于软基材的技术。然而，高能量雕刻成型具有极高成本及低产能的缺点，而纳米压 印术虽较高能量雕刻成型的成本低且产能较高，但仍无法满足低成本及高产能的需求。目前，可采用干蚀刻或湿蚀刻方法图案化基板，以形成具有周期结构的基板。以干 蚀刻法为例，如图1A至图1F所示。首先，如图1A所示，提供一基板10;而后于基板10表 面101形成一光阻层11，如图1B所示。接着，于光阻层11上覆盖一光罩12，并进行曝光以 图案化光阻层11，如图1C所示。经显影并移除光罩12后，可得一图案化的光阻层11，如图 1D所示。而后，以图案化的光阻层11做为一蚀刻屏蔽，利用反应性离子气体蚀刻基板10， 以形成多个微凹穴102，如图1E所示。接着，移除图案化的光阻层11(蚀刻屏蔽)后，可得 一图案化的基板10，如图1F所示。其中，此图案化的基板10其表面101具有以多个微凹穴 102所排列形成的周期性结构。然而，以上述干蚀刻法虽可制造出图形整齐且均勻的具周期性结构的基板，然此 方法的缺点为因进行黄光光刻工艺，故成本高且产速低；若要形成纳米级周期性结构，则 所采用次微米光罩昂贵，且如要500nm以下的图形则成本更加提高；反应离子气体蚀刻机 台昂贵且工艺缓慢；易损伤基板；且蚀刻面非自然晶格面。为解决干蚀刻法的问题，目前发展出以湿蚀刻法形成具有周期性结构的基板；如 图2A至图2F所示，是以<100>晶向的单晶硅基板为例。其中，形成具有周期性结构基板的 方法，是与干蚀刻法相似，除了以缓冲蚀刻液蚀刻基板。因此，如图2A至2D所示，先以曝光 显影方法(光刻工艺)形成图案化的光阻层11 (请参见图2D)；而后以图案化的光阻层11 做为一蚀刻屏蔽，以非等向性缓冲蚀刻液蚀刻基板10，以形成多个微凹穴102，如图2E所 示。接着，移除图案化的光阻层11 (蚀刻屏蔽)后，可得一图案化的基板10，如图2F所示。 其中，此图案化的基板10其表面101具有以多个微凹穴102所排列形成的周期性结构。值 得注意的是，以湿蚀刻图案化基板10所形成的微凹穴102，其形状为倒四角锥，此倒四角锥 的周围斜面，亦为单晶硅<111>的自然晶格面。虽然以湿蚀刻法图案化基板可避免基板受到损伤且蚀刻面为自然晶格面；然而， 进行湿蚀刻时若参数控制不当，会造成周期性结构的均勻性较差。同时因上述的制作过程中仍需进行光刻工艺，故仍面临成本高且产速低等问题。因此，目前亟需发展出一种图案化基板的方法，除了可避免基板受到损伤，并可快 速且便宜形成具有周期结构基板。

发明内容
本发明的主要目的在于提供一种形成一具有周期结构基板的方法，能减少工艺时 间、降低制作成本、并可同时避免基板受到损伤。为达成上述目的，本发明之形成具有周期结构基板的方法，包括下列步骤(A)提 供一基板及多个纳米球，其中多个纳米球排列于该基板的表面；(B)形成一填充层于基板 的部分表面及多个纳米球的间隙；(C)移除多个纳米球；(D)将填充层做为一蚀刻屏蔽并蚀 刻基板；以及(E)移除蚀刻屏蔽，以形成一周期结构于基板的表面。本发明是利用纳米球的自组装特性，即这些纳米球会自动且有序地排列于一基板 的表面，取代黄光光刻工艺，以形成蚀刻屏蔽的模板。同时，利用这些自动排列的纳米球，因 不需制作昂贵的次微米曝光屏蔽，故可以较低廉的成本形成的周期性结构。因此，本发明的 形成具有周期结构基板的方法，可达到减少工艺时间、降低制作成本的目的；且本发明所需 的材料也非常容易取得，故相当适合大量形成周期结构的基板。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，基板表面的周期结构具有多个微凹 穴。较佳为，多个微凹穴呈阵列状排列。此外，微凹穴的形状是由蚀刻基板过程中产生的自 然晶格面所围绕形成，可为倒角锥、倒圆锥、圆柱体、倒截头角锥、倒截头圆锥。不同材质的 基板与不同蚀刻液，会产生不同形状的微凹穴。如为前述的单晶硅基板采用氢氧化钠蚀刻， 则微凹穴为一倒四角锥，其中四角锥的底部位于基板表面，而四角锥的顶部是自基板表面 凹陷。若以氢氟酸蚀刻液蚀刻玻璃基板，则微凹穴的形状为一倒截头圆锥。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，步骤(E)后还包括一步骤(F)再蚀 刻该基板表面。于步骤(E)所形成的具周期结构的基板，其中相邻的微凹穴间为具有一平 面，而可视为一凹板结构。而若再经过步骤(F)再一次蚀刻，则增加微凹穴的宽度及深度， 而使相邻的微凹穴间不具有一平面，而可视为一凸板结构。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，所形成的周期结构可为纳米级或微 米级的周期结构；其中，周期结构较佳为纳米级或次微米级的周期结构，且更佳为纳米级周 期结构。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，步骤(A)的多个纳米球排列于基板 表面的步骤，包括下列步骤(A1)提供基板、及一位于一容器中的胶体溶液，且胶体溶液包 括多个纳米球及一接口活性剂；(A2)放置基板于容器中，且胶体溶液覆盖于基板的表面； 以及(A3)加入一具挥发性的溶液于容器中，以增加溶液挥发速率，且促使多个纳米球于基 板的表面进行排列。其中，多个纳米球形成一纳米球层，且较佳为一层的纳米球层。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，步骤(D)的蚀刻基板的方法可为干 蚀刻法或湿蚀刻法，较佳为湿蚀刻法。其中，湿蚀刻法是以一缓冲蚀刻液蚀刻基板，而缓冲 蚀刻液可为根据基板及填充层的材质选择一般常用的酸性或碱性蚀刻液。其中，酸性蚀刻 液可包含一酸液、一醇类、以及水，而碱性蚀刻液则包含一碱液、一醇类、以及水。酸液较佳 为氢氟酸、B0E(HF与NH4F混合溶液)、盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、醋酸、或其混合溶液。或者， 酸液亦可为由乙醇胺(ethanolamine)、五倍子酸(gallic acid)、水、过氧化氢(hydrogenperoxide)、及表面活性剂所混合而成的Amine Callates。此外，碱液较佳为氢氧化钠、氢氧 化钾、氨水、氢氧化铈、氢氧化铷、氢氧化四甲铵、乙二胺、或联胺。再者，醇类较佳为乙醇或 异丙醇。由于本发明的方法较佳为使用湿蚀刻法蚀刻基板，因此可达到避免基板损伤的目 的。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，纳米球的材质并无特殊限制，较佳 为氧化硅(SiOx)、陶瓷、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、氧化钛(TiOx)或聚苯乙烯(PS)。此夕卜， 纳米球的直径可介于lOOnm至2. 5iim之间，较佳为介于lOOnm至1. 2 y m之间，且多个纳米 球较佳为具有相同的直径。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，步骤(B)的形成填充层的方法并无 特殊限制，较佳为利用化学气相沉积法或物理气相沉积法，以于基板的部分表面及多个纳 米球的间隙形成填充层。此外，填充层的厚度是根据所欲形成的微凹穴尺寸来决定，较佳为 小于该多个纳米球的直径。再者，填充层的材质并无特殊限制，可为一般常用的做为蚀刻屏 蔽的材料；且较佳为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化铟锡、氧化锌掺铝、铬、 钽、钨、钒、镍、锡、铁、铜、钼、钛、铝、银、金、钼、钯、或光阻(PR)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、 聚苯乙烯(PS)。于本发明的形成具有周期结构基板的方法中，基板的材质并无特殊限制，可依照 所应用的领域做选择。其中，基板材质可为P型单晶硅、N型单晶硅、P型多晶硅、N型多晶 硅、P型非晶硅、N型非晶硅、P型砷化镓、N型砷化镓、P型磷化铟、N型磷化铟、P型磷化镓 铟、N型磷化镓铟、P型氮化镓、N型氮化镓、P型硒化铟铜、N型硒化铟铜、氧化铟锡、碳化硅、 氮化硅、石英、或氧化锌及氧化锌掺铝化合物。或者，本发明的方法所使用的基板亦可为蓝 宝石基板(单晶氧化铝)。较佳为，本发明的方法所使用的基板为P型硅基板或蓝宝石基 板。此外，本发明的方法所使用的基板亦可为玻璃基板、或表面具有透明导电膜(TC0) 层的玻璃基板。若使用的基板为表面具有透明导电膜(TC0)层的玻璃基板，则周期结构为 形成在透明导电膜(TC0)层；亦可反之。本发明的形成具有周期结构基板的方法，除了利用纳米球做为蚀刻屏蔽的模板， 以取代黄光光刻工艺，同时，还利用湿式蚀刻图案化基板，故可达到均勻的周期结构且避免 基板损伤的目的。因此，本发明的形成具有周期结构基板的方法，可以简单、成本低、及高产 能的方式图案化基板。


图1A至图1F是现有以干蚀刻法制作具有周期结构基板的流程的剖面示意图。图2A至图2F是现有以非等向性湿蚀刻法制作具有周期结构基板的流程的剖面示 意图。图3A至图3F是本发明一较佳实施例中，纳米球排列于基板表面的步骤示意图。图4A至图4E是本发明一较佳实施例中，形成具有周期结构基板的剖面示意图。图5A是本发明一较佳实施例中，纳米球排列于单晶硅基板的SEM图。图5B是本发明一较佳实施例的具有周期结构的单晶硅基板的SEM图。图6是本发明一较佳实施例的具有周期结构基板的示意图。
图7是本发明另一较图8是本发明再一较图9是本发明更一较主要元件符号说明
较佳实施例的具有周期结构基板示意图。 较佳实施例的具有周期结构基板示意图。 较佳实施例的具有周期结构基板示意图。10基板102 微凹穴12光罩202 微凹穴22纳米球24蚀刻屏蔽26容器
101表面
11光阻层
201表面
21基板
23填充层
25 胶体溶液 27 挥发性溶液
具体实施例方式如图3A至图3F所示，此为本发明一较佳实施例中，纳米球排列于基板表面的步骤 示意图。首先，如图3A所示，提供一基板21及一位于一容器26中的胶体溶液25，其中此胶 体溶液25是由多个纳米球(图中未示)及一界面活性剂(图中未示)混合而成。接着，将 此基板21放置于容器26中并使得基板21完全浸入于胶体溶液25中，如图3B所示。在静 置数分钟以后，纳米球22便逐渐有序地排列于基板21表面，即形成所谓的「纳米球层」，如 图3C所示。而后，将一挥发性溶液27倒入容器26中，以将前述的胶体溶液25挥发掉，如 图3D所示。最后，如图3E所示，等到前述的胶体溶液25完全被挥发后，便将基板21从容 器26中取出并得到一具有多个纳米球22有序地排列于其表面的基板21，如图3F。于本实施例中，纳米球22的材质为聚苯乙烯(PS)，但是在不同的应用场合中，这 些纳米球22的材质亦可为陶瓷、如氧化钛(TiOx)的金属氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 或玻璃(SiOx)等材质。此外，于本实施例中，纳米球22的直径是介于lOOnm至2.5 iim之 间，且绝大多数纳米球22具有相同的直径，但是在不同的应用场合时，这些纳米球22的尺 寸不仅限于前述的范围。此外，于本实施例中，基板的材质为单晶硅基板。然而，基板的材质是依照不同的 应用场合作选择，可为P型单晶硅、N型单晶硅、P型多晶硅、N型多晶硅、P型非晶硅、N型 非晶硅、P型砷化镓、N型砷化镓、P型磷化铟、N型磷化铟、P型磷化镓铟、N型磷化镓铟、P 型氮化镓、N型氮化镓、P型硒化铟铜、N型硒化铟铜、氧化铟锡、碳化硅、氮化硅、石英、或氧 化锌及氧化锌掺铝化合物；且亦可为蓝宝石基板(单晶氧化铝)、玻璃基板、表面具有透明 导电膜(TC0)层的玻璃基板。接下来，请参阅图4A至图4E，此为本发明一较佳实施例中，形成具有周期结构基 板的剖面示意图。此外，并同时参考图5A至图5B，此为本发明一较佳实施例中，形成具有周 期结构基板的SEM图。首先，如图4A所示，提供一基板21及多个纳米球22，并依照上述的方法，使多个纳 米球22排列于基板21的表面，而形成一纳米球层。其中，纳米球22可以多层堆叠于基板 21表面，而于本实施例中，纳米球22是以一层的方式排列于基板21表面。由图5A的SEM 图显示，纳米球的确可以一层的方式排列于基板的表面。
接着，如图4B所示，利用化学气相沉积法形成一填充层23于基板21的部分表面 及多个纳米球22的间隙。其中，填充层23的厚度小于该多个纳米球的直径，且填充层的材 质为氮化硅。然而，除了可以化学气相沉积法形成填充层23外，还可以物理气相沉积法形 成，且填充层23的材质亦可为其它常用于做为蚀刻屏蔽的金属，如氧化硅、氧氮化硅、氧化 铝、氧化锌、氧化铟锡、氧化锌掺铝、铬、钽、钨、钒、镍、锡、铁、铜、钼、钛、铝、银、金、钼、钯、或 光阻(PR)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)。而后，使用四氢啡喃溶液(THF)移除多个纳米球22，并将填充层23做为一蚀刻屏 蔽24，如图4C所示。在此注意的是，不同材质的纳米球需使用不同的溶液才能将这些纳米 球自基板移除。举例来说，若使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材质的纳米球，则是使用甲酸 (formic acid)移除纳米球；若使用玻璃(SiOx)材质的纳米球，则是所使用含氢氟酸(HF) 溶液移除纳米球。接着，如图4D所示，将填充层做为一蚀刻屏蔽24，以湿蚀刻法蚀刻基板21。于本 实施例中，湿蚀刻法所使用的缓冲蚀刻液包含氢氧化钠、异丙醇、以及水。然而，依照基板 与填充层的材质，亦可选择不同的缓冲蚀刻液，如碱性缓冲蚀刻液或酸性缓冲蚀刻液。于 碱性缓冲蚀刻液中，可包含如氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢氧化铈、氢氧化铷、氢氧化四甲 铵、乙二胺或联胺等碱液；如乙醇或异丙醇等醇类；以及水。而于酸性缓冲蚀刻液中，可包 含如酸液为氢氟酸、B0E(HF与NH4F混合溶液)、盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、醋酸、或其混合溶 液。或者，酸液亦可为由乙醇胺(ethanolamine)、五倍子酸(gallic acid)、水、过氧化氢 (hydrogen peroxide)、及表面活性剂所混合而成的Amine Callates ；以及如乙醇或异丙醇 等醇类；以及水。此外，可通过调整缓冲蚀刻液的组成及浓度、蚀刻温度、以及时间，以得到 不同的蚀刻结构。同时，随着蚀刻温度上升，所需的时间随的减少。移除蚀刻屏蔽24后，可于基板21表面201形成多个微凹穴202，即所谓的「周期 结构」，如图4E所示。其中，这些微凹穴202呈阵列状排列，且因基板21的材质为单晶硅基 板，蚀刻液为氢氧化钠、异丙醇、以及水，故所形成的微凹穴202的形状为倒四角锥，即四角 锥的底部位于基板21表面201，而四角锥的顶部自基板21表面201凹陷。同时，请参考图 5B，此为经蚀刻并移除蚀刻屏蔽后，所得的具有周期结构基板的SEM图。由图5B可明确得 知，本实施例所制得的基板其微凹穴的外形确实为倒四角锥形。为更加清楚了解本实施例所制得的基板表面上的周期结构，请参考图6，此为本发 明一较佳实施例的具有周期结构基板的示意图。利用上述方法所形成的具有周期结构基 板，于基板21表面201形成有以阵列状排列的多个微凹穴202，且此些微凹穴202的形状为 倒四角锥(倒金字塔形状)。上述实施例是使用单晶硅基板，故可形成形状为倒四角锥的微凹穴，其原因在于 微凹穴的形状是由蚀刻基板过程中产生的自然晶格面所围绕形成。不同材质的基板与不同 蚀刻液，会产生不同形状的微凹穴。接下来，本发明的另一较佳实施例是使用上述相同制作方法制作，除了使用蓝宝 石基板取代单晶硅基板，其中，蚀刻液是使用硫酸、磷酸混合溶液。经蚀刻后，可形成角锥形 微凹穴，如图7所示。其中，相邻的微凹穴202间具有一表面201，且平面位于同一高度上。 在此，可制得凹板的具有周期结构的蓝宝石基板。经SEM量测后，角锥顶部于底部的投影点 至底边的长度约为310nm，而角锥的长度约为410nm。故本实施例所制得的凹板蓝宝石基板其周期结构为纳米级周期结构。此外，本发明更提供再一较佳实施例，其是将本发明另一较佳实施例所制得的蓝 宝石基板，进行再一次蚀刻，以凸显蓝宝石基板表面粗操度。经第二次蚀刻后，可将微凹穴 202的范围扩张、深度加深，相邻微凹穴202间平面也通过蚀刻而消除。故相邻的微凹穴202 间则不再具有一平面，因此，而可制得凸板的具有周期结构的蓝宝石基板，如图8所示。
再者，本发明的更一较佳实施例是使用上述相同制作方法制作，除了使用玻璃基 板取代单晶硅基板。其中，蚀刻液是使用氢氟酸溶液，因氢氟酸蚀刻液本身是等向性蚀刻， 故可形成形状为倒截头圆锥体的微凹穴202，如图9所示。相较于以往使用黄光显影加上湿蚀刻法形成具周期结构的硅基板，无法达到纳米 级的尺寸。虽然使用干蚀刻法可形成纳米级尺寸周期结构，然而花费相当昂贵且工艺相当 复杂，一片要价约30万元。此外，以现有方法制作具周期结构的蓝宝石基板，往往无法形成 纳米级尺寸周期结构。反观本发明的以纳米球制备具有周期结构的基板，是利用纳米球自 组装的特性，而可整齐排列于基板的表面。同时，通过选择不同直径的纳米球，可轻易的形 成具有任何尺寸微凹穴的基板，以应用于不同领域；且通过选用具纳米尺寸的纳米球，而可 轻易达成具纳米尺寸微结构。此外，相较于以往以电子束光刻形成周期结构，本发明的方法 可大幅降低制作成本；且相较于以往以黄光光刻工艺(曝光及显影)形成蚀刻屏蔽，由于本 发明是以纳米球所排列而成的纳米球层做为形成蚀刻屏蔽的模板，而不需使用次微米曝光 屏蔽，故可大幅减少制作成本且提升工艺速度。再者，相较于干蚀刻所使用的RIE或ICP机 台昂贵且高危险，本发明是使用价格较低且危险性低的湿蚀刻槽进行湿蚀刻；且相较于易 损伤基板的干蚀刻法，本发明使用湿蚀刻法形成周期结构，可避免基板受到损伤。因此，通 过本发明的方法，可以快速且便宜的方式，形成具有周期结构的基板。上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请 专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
权利要求
一种形成一具有周期结构基板的方法，其特征在于，包括下列步骤(A)提供一基板及多个纳米球，其中该多个纳米球排列于该基板的表面；(B)形成一填充层于该基板的部分表面及该多个纳米球的间隙；(C)移除该多个纳米球；(D)将该填充层做为一蚀刻屏蔽并蚀刻该基板；以及(E)移除该蚀刻屏蔽，以形成一周期结构于该基板的表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(E)后还包括一步骤(F)再蚀刻该基 板表面。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该周期结构为纳米级周期结构。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤(A)的该多个纳米球排列于该基板 的表面，包括(A1)提供该基板、及一位于一容器中的胶体溶液，且该胶体溶液包括该多个纳米球及 一接口活性剂；(A2)放置该基板于该容器中，且该胶体溶液覆盖于该基板的表面；以及(A3)加入一具挥发性的溶液于容器中，以增加溶液挥发速率，且促使多个纳米球于基 板的表面进行排列。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该填充层是利用化学气相沉积法或物 理气相沉积法形成于该基板的部分表面及该多个纳米球的间隙。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中步骤(D)是以一缓冲蚀刻液蚀刻该基板。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，其中该缓冲蚀刻液包含一碱液、一醇类、以 及水。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，其中该缓冲蚀刻液包含一酸液、一醇类、以 及水。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该碱液为氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、氢 氧化铈、氢氧化铷、氢氧化四甲铵、乙二胺、或联胺。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该醇类为乙醇或异丙醇。
11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中该酸液为氢氟酸、B0E(HF与NH4F 混合溶液)、盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、醋酸、或其混合溶液。或者，酸液亦可为由乙醇胺 (ethanolamine)、五倍子酸(gallic acid)、水、过氧化fi (hydrogen peroxide)、及表面夕舌 性剂所混合而成的Amine Callates。
12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中该醇类为乙醇或异丙醇。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中于该基板的表面的该周期结构具有多 个微凹穴。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，其中该多个微凹穴呈阵列状排列。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中该多个微凹穴的形状为倒角锥、倒圆 锥、圆柱体、倒截头角锥、倒截头圆锥。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该基板的材质为P型单晶硅、N型单晶 硅、P型多晶硅、N型多晶硅、P型非晶硅、N型非晶硅、P型砷化镓、N型砷化镓、P型磷化铟、N型磷化铟、P型磷化镓铟、N型磷化镓铟、P型氮化镓、N型氮化镓、P型硒化铟铜、N型硒化 铟铜、氧化铟锡、碳化硅、氮化硅、石英、氧化锌及氧化锌掺铝化合物。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该基板为一蓝宝石基板。
18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该基板为一玻璃基板、或一表面具有 透明导电膜(TC0)层的玻璃基板。
19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该填充层的材质为氧化硅、氮化硅、氧 氮化硅、氧化铝、氧化锌、氧化铟锡、氧化锌掺铝、铬、钽、钨、钒、镍、锡、铁、铜、钼、钛、铝、银、 金、钼、钯、或光阻(PR)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)。
20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该纳米球的材质为氧化硅、陶瓷、聚甲 基丙烯酸甲酯、氧化钛或聚苯乙烯。
21.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该填充层的厚度小于该多个纳米球的 直径。
22.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该多个纳米球的直径介于lOOnm至 2. 5iim 之间。
23.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该多个纳米球具有相同的直径。
全文摘要
本发明涉及一种形成一具有周期结构基板的方法，包括下列步骤(A)提供一基板及多个纳米球，其中多个纳米球排列于基板的表面；(B)形成一填充层于基板的部分表面及多个纳米球的间隙；(C)移除多个纳米球；(D)将填充层做为一蚀刻屏蔽并蚀刻基板；以及(E)移除蚀刻屏蔽，以形成一周期结构于基板的表面。由于本发明是利用纳米球做为形成蚀刻屏蔽的模板，而无需经由黄光光刻工艺，故可使工艺更加快速，并达到降低制作成本的目的。
文档编号G02B6/122GK101876725SQ20091013790
公开日2010年11月3日 申请日期2009年4月30日 优先权日2009年4月30日
发明者李升儒, 李崇华 申请人:和椿科技股份有限公司