专利名称：电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列的制作方法
技术领域：
本发明涉及电致变色技术，尤其涉及电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列。
背景技术：
电致变色显示器件(Electro chromic Device,简称为EO))广泛应用于便携式电子设备中，如个人数字处理器、电纸书等。它具有启动电压低、能耗少、开路后显示的图案可存储一定时间而不需要能耗、费用小、易于制造、对比度好、视角宽等优点。现有电致变色显示器件的结构如图I所示，在具有第一 ITO (氧化铟锡)薄膜12的第一基材11的该第一 ITO薄膜12上形成有微格阵列13,姆个微格内填充有阳极材料14,该阳极材料14包括电解质及能实现离子存储功能的材料。微格阵列13上依次覆盖有阴极 薄膜15、第二 ITO薄膜16及第ニ基材17，其中，阴极薄膜15为电致变色材料层。现有电致变色显示器件工作吋，在两个ITO薄膜之间加上一定的电压，阴极薄膜15的电致变色材料在电压作用下发生氧化/还原反应，使其顔色发生变化或恢复初始颜色；而电解质由导电材料组成，用于提供氧化/还原反应所需的离子；能实现离子存储功能的材料在电致变色材料发生氧化还原反应时储存相应的反离子，使得整个体系保持电荷平衡。制造图I所示的现有电致变色显示器件的方法包括如下步骤。步骤I、制备阴极部分。在第二基材17上形成第二 ITO薄膜16后，将阴极材料涂敷在第二 ITO薄膜16上，然后烘干，形成阴极薄膜15。步骤2、制备阳极部分。在第一基材11上形成第一 ITO薄膜12后，在第一 ITO薄膜12上涂敷ー层辐射固化材料，通过光掩膜版将其光照固化然后将未曝光的部分洗掉，得到微格阵列13，然后采用刮涂或者灌装的方式将阳极材料14灌入微格阵列13。微格阵列13外周尺寸与阴极薄膜15外周尺寸相同。步骤3、贴合。使阴极薄膜15与微格阵列13对准后，将阴极部分与阳极部分对位、贴合形成盒状结构，阴极薄膜15覆盖在微格阵列13上。步骤4、封装。在盒状结构周边涂覆密封材料，以将该盒状结构周边密封，使得阴极薄膜15及阳极材料14不外露。在制造上述电致变色显示器件的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题在贴合步骤中，因为需要进行阴极薄膜与微杯阵列的精确对位，若对位不准，液态的阳极材料就会流出，导致产品的良率下降，使得对位过程具有较高的エ艺难度；在封装步骤中，由于阴极薄膜的侧边从盒状结构的侧边露出，会直接与密封材料接触，因此会导致阴极材料被密封材料污染，且如果存在上述对位不准，会导致密封材料与露出的阳极材料接触，而污染阳极材料
发明内容
本发明的实施例提供一种电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列，可防止该器件的阴极材料及阳极材料被密封材料污染，井能在制备该器件吋，降低对位过程的エ艺难度。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种电致变色显示器件，包括在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料；所述阴极薄膜的至少ー个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺ロ的位置。一种电致变色显示器件的制备方法，包括在第一导电基材上形成阴极薄膜；在 所述阴极薄膜的至少ー个侧边形成阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；在第二导电基材上形成微格阵列，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格阵列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配；在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料；使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另ー侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽内，以使所述第一、ニ导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构；用密封材料封装所述盒状结构。一种电致变色显示器件的阴极结构，包括阴极薄膜，还包括阻挡条，所述阻挡条形成在所述阴极薄膜的至少ー个侧边，且所述阻挡条在垂直于所述阴极薄膜的方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同。ー种电致变色显示器件的微格阵列，具有多个高度相同的微格，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽。本发明实施例提供的电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屉状导槽，未超出微格的那面外墙对应缺ロ的位置，且外墙超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阴极薄膜及第ー导电基材能将阳极材料完全密封。且扣合过程利用了抽屉原理，用简单的方法保证了阳极材料完全密封，简化了对位过程的エ艺难度。另外，由于阻挡条对应于抽屉状导槽上缺ロ的位置，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阻挡条能封住阴极薄膜的一条侧边，而微格阵列高出的三面外墙封住了阴极薄膜其它三条侧边，不会使阴极薄膜从盒状结构的侧边露出，因此，密封材料不会接触到阴极、阳极材料，也就避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图I为现有电致变色显示器件的剖面图；图2为本发明电致变色显示器件中阴极部分的立体图；图3为本发明电致变色显示器件中阳极部分的立体图；图4为本发明电致变色显示器件阴极部分与阳极部分扣合过程的剖面图。
具体实施例方式本发明实施例提供一种电致变色显示器件，包括在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中姆个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料；所述阴极薄膜的至少ー个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺ロ的位置。本发明实施例还提供一种电致变色显示器件的制备方法，包括在第一导电基材上形成阴极薄膜；在所述阴极薄膜的至少ー个侧边形成阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同；在第二导电基材上形成微格阵列，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格阵列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配；在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料；使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另一侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽内，以使所述第一、ニ导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构；用密封材料封装所述盒状结构。本发明实施例又提供一种电致变色显示器件的阴极结构，包括阴极薄膜，还包括阻挡条，所述阻挡条形成在所述阴极薄膜的至少ー个侧边，且所述阻挡条在垂直于所述阴极薄膜的方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同。本发明实施例再提供一种电致变色显示器件的微格阵列，具有多个高度相同的微格，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽。本发明实施例提供的电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屉状导槽，未超出微格的那面外墙对应缺ロ的位置，且外墙超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阴极薄膜及第ー导电基材能将阳极材料完全密封。且扣合过程利用了抽屉原理，用简单的方法保证了阳极材料完全密封，简化了对位过程的エ艺难度。另外，由于阻挡条对应于抽屉状导槽上缺ロ的位置，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阻挡条能封住阴极薄膜的一条侧边，而微格阵列高出的三面外墙封住了阴极薄膜其它三条侧边，不会使阴极薄膜从盒状结构的侧边露出，因此，密封材料不会接触到阴极、阳极材料，也就避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。实施例I本发明实施例提供一种电致变色显示器件，參照图2 图4，对该器件的结构进行详细描述。电致变色显示器件包括在第二导电基材31上依次形成的微格阵列32、阴极薄膜22、第一导电基材21及密封材料(图中未不出)。微格阵列32中姆个微格33内填充有阳极材料(图中未示出)，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜22及所述阳极材料；阴极薄膜22的至少ー个侧边具有阻挡条23，该阻挡条23在垂直于所述第一导电基材21方向上的厚度d2与阴极薄膜的厚度dl相同；该微格阵列32四周的外墙34中有三面外墙的高度超出该微格33的高度，以在该微格33上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽35。其中，外墙34超出的高度d3与阴极薄膜的厚度d2相同，且抽屉状导槽的内部尺寸(宽W2，长L2)与具有阻挡条23的阴极薄膜22的外周尺寸(宽W1，长LI)匹配，以使具有阻挡条23的阴极薄膜22嵌入该抽屉状导槽35中，且阻挡条23对应于该缺ロ的位置。上述电致变色显示器件中，阻挡条23可由但不限于辐射固化材料制成，微格阵列可由但不限于辐射固化材料制成。阴极薄膜的厚度与微格的高度比可为I : 3 I : 10，优选为I : 5 I : 8。另外，上述电致变色显示器件中的密封材料可为紫外线固化胶，也可以为低温环氧树脂胶。由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屉状导槽，未超出微格的那面外墙对应缺ロ的位置，且外墙超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阴极薄膜及第ー导电基材能将阳极材料完全密封。另外，由于阻挡条对应于抽屉状导槽上缺ロ的位置，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阻挡条能封住阴极薄膜的一条侧边，而微格阵列高出的三面外墙封住了阴极薄膜其它三条侧边，不会使阴极薄膜从盒状结构的侧边露出，因此，密封材料不会接触到阴极、阳极材料，也就避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。实施例2 本实施例提供ー种电致变色显示器件的制备方法，如图2 4所示，该方法包括如下步骤。步骤I、在第一导电基材21上形成阴极薄膜22。步骤2、在阴极薄膜22侧边形成阻挡条23。具体地，如图2所示，在所述阴极薄膜22的至少ー个侧边涂覆辐射固化材料并进行光固化，以在所述阴极薄膜22的所述至少一个侧边形成阻挡条23，所述阻挡条23在垂直于所述第一导电基材21方向上的厚度d2与所述阴极薄膜22的厚度dl相同。需要说明的是阻挡条23的个数并不限于图2所示的I个，优选为3个，可分别形成在阴极薄膜的3个侧边上，当3个侧边设置有阻挡条的阴极薄膜与下面描述的微格阵列扣合后，増加的阻挡条能更好地防止阳极材料及阴极材料受到密封材料的污染。步骤3、形成具有抽屉状导槽35的微格阵列32。具体地，如图3所示，在第二导电基材31上形成微格阵列32，所述微格阵列32四周的外墙34中有三面外墙34的高度超出所述微格阵列32中微格33的高度，以在所述微格33上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽35，所述超出的高度d3与所述阴极薄膜22的厚度dl相同，所述抽屉状导槽35的内部尺寸(宽W2，长L2)与具有所述阻挡条23的所述阴极 薄膜22的外周尺寸(宽W1，长LI)匹配。即具有阻挡条23的阴极薄膜22能正好容纳在具有缺ロ的抽屉状导槽35中。需要说明的是微格的个数并不限于图3所示的4个，可以依据不同的エ艺需求来设置不同的个数。步骤4、在所述微格阵列32的每个所述微格33中填充阳极材料。步骤5、扣合成盒。具体地、如图4所示，使所述阴极薄膜22的、与具有所述阻挡条23的侧边相対的另ー侧边对准所述抽屉状导槽35的缺ロ，将所述阴极薄膜22推入所述抽屉状导槽35内，以使所述第一导电基材21、第二导电基材31、所述阴极薄膜22与所述微格阵列32扣合成
盒状结构。步骤6、用密封材料密封所述盒状结构，以形成电致变色显示器件。本实施例中，由于微格阵列32四周的外墙34中有三面外墙34的高度超出该微格阵列32中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屉状导槽35，未超出微格的那面外墙对应缺ロ的位置，因此在扣合成盒的步骤中，只需将阴极薄膜22的对应缺ロ的侧边与缺ロ对位后，将阴极薄膜22像推抽屉一祥推入抽屉状导槽35中，就可完成阴极薄膜22与微格阵列32的扣合；又由于上述外墙34超出的高度d3与阴极薄膜的厚度dl相同，且抽屉状导槽35的内部尺寸(宽W2，长L2)与具有阻挡条23的阴极薄膜22的外周尺寸匹配(宽W1，长LI)，因此阴极薄膜22与微格阵列32扣合后，阴极薄膜22及第ー导电基材21能将阳极材料完全密封。本实施例利用抽屉原理，用简单的方法保证了阳极材料完全密封，简化了对位过程的エ艺难度。另外，由于在扣合成盒的步骤中，是将阴极薄膜22上与具有阻挡条23的侧边相对的另ー侧边对准缺ロ，因此阴极薄膜22与微格阵列32扣合后，阻挡条23能封住阴极薄膜22的一条侧边，而微格阵列32高出的三面外墙34封住了阴极薄膜22其它三条侧边，不会使阴极薄膜22从盒状结构的侧边露出，从而在随后的封装步骤中，密封材料不会接触到阴扱、阳极材料，也就避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。实施例3本实施例提供一种电致变色显示器件的制备方法，该方法包括如下步骤。步骤I、在第一导电基材上形成阴极薄膜。该步骤具体包括:A)在第一导电基材上形成厚度为20 40 y m的成膜用槽；B)采用丝网印刷、刮涂或旋涂的方式在成膜用槽中填充阴极材料；c)在30°C 50°C，优选为45°C的环境温度下，对第一导电基材烘烤30min，形成厚度为5 20 iim，优选为10 15iim的阴极薄膜；D)去除成膜用槽。步骤2、在阴极薄膜侧边形成阻挡条。 具体地，在阴极薄膜的至少ー个侧边涂覆辐射固化材料并进行光固化，以在该阴极薄膜的所述至少一个侧边形成阻挡条，该阻挡条在垂直于第一导电基材方向上的厚度与该阴极薄膜的厚度相同。步骤3、形成具有抽屉状导槽的微格阵列。具体地，该步骤包括:A)在第二导电基材上涂覆辐射固化材料；B)通过灰阶掩膜版将该辐射固化材料光照固化；C)清洗未固化的辐射固化材料以在该第二导电基材上形成微格阵列。其中，该微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出微格阵列中微格的高度，以在微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，超出的高度与该阴极薄膜的厚度相同，抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配。另外，阴极薄膜的厚度与微格的高度比可为I : 3 I : 10，优选为I : 5
I 8，以使由上述方法形成的电致变色显示器件具有更好的显示性能。步骤4、采用刮涂或灌装的方式在微格阵列的每个微格中填充阳极材料。步骤5、在真空环境，且环境温度为45°C的条件下，采用红外探測的方式使阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另ー侧边对准抽屉状导槽的缺ロ，将该阴极薄膜推入抽屉状导槽，以使第一、ニ导电基材、该阴极薄膜与微格阵列扣合成盒状结构。步骤6、用密封材料封装所述盒状结构，以形成电致变色显示器件。其中，密封材料可为但不限于紫外线固化胶或者低温环氧树脂胶。本实施例中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，在微格上方形成了具有缺ロ的抽屉状导槽，未超出微格的那面外墙对应缺ロ的位置，因此在扣合成盒的步骤中，只需将阴极薄膜的对应缺ロ的侧边与缺ロ对位后，将阴极薄膜像推抽屉一祥推入抽屉状导槽中，就可完成阴极薄膜与微格阵列的扣合；又由于上述外墙超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，且抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阴极薄膜及第ー导电基材能将阳极材料完全密封。本实施例利用抽屉原理，用简单的方法保证了阳极材料完全密封，简化了对位过程的エ艺难度。另外，由于在扣合成盒的步骤中，是将阴极薄膜上与具有阻挡条的侧边相对的另ー侧边对准缺ロ，因此阴极薄膜与微格阵列扣合后，阻挡条能封住阴极薄膜的一条侧边，而微格阵列高出的三面外墙封住了阴极薄膜其它三条侧边，不会使阴极薄膜从盒状结构的侧边露出，从而在随后的封装步骤中，密封材料不会接触到阴极、阳极材料，也就避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。需要说明的是上述实施例中的第一、ニ导电基材可为透明导电玻璃，或为透明绝缘基底与ITO粘接在一起的结构。实施例4本实施例提供一种电致变色显示器件的阴极结构，如图2所示，包括阴极薄膜22，还包括阻挡条23，所述阻挡条23形成在所述阴极薄膜22的至少ー个侧边，且所述阻挡条23在垂直于所述阴极薄膜22的方向上的厚度d2与所述阴极薄膜22的厚度dl相同。
本实施例还提供一种电致变色显示器件的微格阵列32，如图3所示，具有多个高度相同的微格33，其中，所述微格阵列32四周的外墙34中有三面外墙34的高度超出所述微格33的高度，以在所述微格33上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽35。上述电致变色显示器件的阴极结构、微格阵列及它们的制备方法已在实施例I 实施例3中进行了详细说明，在此不再赘述。本发明实施例主要用于电子纸、便携式电子产品等。 以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种电致变色显示器件，包括在第二导电基材上依次形成的微格阵列、阴极薄膜、第一导电基材及密封材料，所述微格阵列中每个微格内填充有阳极材料，所述密封材料用于密封所述阴极薄膜及所述阳极材料，其特征在干， 所述阴极薄膜的至少ー个侧边具有阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同； 所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配，以使具有所述阻挡条的所述阴极薄膜嵌入所述抽屉状导槽中，且所述阻挡条对应于所述缺ロ的位置。
2.根据权利要求I所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述阻挡条由辐射固化材料制成。
3.根据权利要求I所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述微格阵列由辐射固化材料制成。
4.根据权利要求I所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述阴极薄膜的所述厚度与所述微格的高度比为I : 3 I : 10，优选为I : 5 I : 8。
5.根据权利要求I 4任一项所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述密封材料为紫外线固化胶或者低温环氧树脂胶。
6.一种电致变色显示器件的制备方法，其特征在于，包括 在第一导电基材上形成阴极薄膜； 在所述阴极薄膜的至少ー个侧边形成阻挡条，所述阻挡条在垂直于所述第一导电基材方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同； 在第二导电基材上形成微格阵列，所述微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格阵列中微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽，所述超出的高度与所述阴极薄膜的厚度相同，所述抽屉状导槽的内部尺寸与具有所述阻挡条的所述阴极薄膜的外周尺寸匹配； 在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料； 使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另ー侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽内，以使所述第一、ニ导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构； 用密封材料封装所述盒状结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述阴极薄膜的至少ー个侧边形成阻挡条，包括 在所述阴极薄膜的至少ー个侧边涂覆第一辐射固化材料并进行光固化，以在所述阴极薄膜的至少ー个侧边形成所述阻挡条。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第二导电基材上形成微格阵列，包括 在所述第二导电基材上涂覆第二辐射固化材料； 通过灰阶掩膜版将所述第二辐射固化材料光照固化； 清洗未固化的所述第二辐射固化材料以在所述第二导电基材上形成所述微格阵列。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在干，所述在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料，包括 采用刮涂或灌装的方式在所述微格阵列的每个所述微格中填充阳极材料。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第一导电基材上形成阴极薄膜，包括 在所述第一导电基材上形成厚度为20 40 y m的成膜用槽； 采用丝网印刷、刮涂或旋涂的方式在所述成膜用槽中填充阴极材料； 在30°C 50°C，优选为45°C的环境温度下，对所述第一导电基材烘烤30min，形成厚度为5 20 ii m,优选为10 15 ii m的阴极薄膜； 去除所述成膜用槽。
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另一侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ，包括 采用红外探測的方式使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另ー侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ。
12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相対的另ー侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽，以使所述第一、ニ导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构，包括 在真空环境，且环境温度为45°C的条件下，使所述阴极薄膜的、与具有所述阻挡条的侧边相对的另ー侧边对准所述抽屉状导槽的缺ロ，将所述阴极薄膜推入所述抽屉状导槽，以使所述第一、ニ导电基材、所述阴极薄膜与所述微格阵列扣合成盒状结构。
13.根据权利要求6 12任一项所述的方法，其特征在于，所述阴极薄膜的厚度与所述微格的高度比为I : 3 I : 10，优选为I : 5 I : 8。
14.根据权利要求6 12任一项所述的方法，其特征在于，所述密封材料为紫外线固化胶或者低温环氧树脂胶。
15.一种电致变色显示器件的阴极结构，包括阴极薄膜，其特征在于，还包括阻挡条，所述阻挡条形成在所述阴极薄膜的至少ー个侧边，且所述阻挡条在垂直于所述阴极薄膜的方向上的厚度与所述阴极薄膜的厚度相同。
16.根据权利要求15所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述阻挡条由辐射固化材料制成。
17.—种电致变色显示器件的微格阵列，具有多个高度相同的微格，其特征在干，所述微 格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出所述微格的高度，以在所述微格上方形成具有缺ロ的抽屉状导槽。
18.根据权利要求17所述的电致变色显示器件，其特征在于，所述微格阵列由辐射固化材料制成。
全文摘要
本发明公开了一种电致变色显示器件、其制备方法、阴极结构及微格阵列，涉及电致变色技术，解决了现有电致变色显示器件中，阴极材料及阳极材料容易被密封材料污染，且在制备该器件时对位过程的工艺难度大等问题。本发明实施例中，由于微格阵列四周的外墙中有三面外墙的高度超出该微格阵列中微格的高度，形成了具有缺口的抽屉状导槽；又由于超出的高度与阴极薄膜的厚度相同，且抽屉状导槽的内部尺寸与具有阻挡条的阴极薄膜的外周尺寸匹配，因此可利用抽屉原理，用简单的方法保证阳极材料完全密封，简化了对位过程的工艺难度，且阻挡条及高出的三面外墙封住了阴极薄膜的侧边，避免了阴极、阳极材料被密封材料污染的问题。
文档编号G02F1/155GK102650787SQ20111013484
公开日2012年8月29日 申请日期2011年5月23日 优先权日2011年5月23日
发明者李文波, 渠路 申请人:京东方科技集团股份有限公司