专利名称：提高7350光刻胶热稳定性的方法
技术领域：
本发明涉及一种提高热稳定性的方法，尤其是一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，具体地说利用7350光刻胶刻蚀0. 5 μ m金属条的方法。
背景技术：
7350光刻胶是正性光刻胶，主要由树脂、感光剂、及溶剂等不同的材料混合而成的。所述7350光刻胶的特点是分辨率高，但热稳定性差。在130°C以上温度烘烤时，7350 光刻胶将软化并产生形变，所以无法作为金属腐蚀的掩膜在RIE (反应离子刻蚀)金属等离子设备刻蚀出0. 5um的金属条；但是在RIE设备刻蚀0. 5 μ m金属条必须采用7350光刻胶。 为了增加7350光刻胶的热稳定性，通常需要对光刻胶坚膜，7350光刻胶使用UV坚膜，使光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳，增加光刻胶的热稳定性，耐温可提高到130°C， 但仍不能作为掩膜在RIE设备腐蚀金属。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其能使7350光刻胶在RIE设备中作为掩膜刻蚀金属条，工艺步骤简单，实用性强。按照本发明提供的技术方案，一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，所述方法包括如下步骤
a、第一次UV坚膜将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜，所述7350光刻胶上刻蚀出相应的图案；坚膜起始温度为100°C ^llO0C ；起始温度保持时间为8(Γ90秒，然后在47 53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123°C ^137°C ；
b、取片将圆片移出坚膜设备，并使圆片的温度降至常温状态；
C、第二次UV坚膜将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为 114°C U6°C，其实温度保持时间为44 50秒；然后在95 105秒内使坚膜设备内圆片及 7350光刻胶的温度升至190°C 210°C ； d、取片将上述圆片移出坚膜设备。将上述得到的圆片及位于圆片上的7350光刻胶放置于RIE金属腐蚀设备上，通过 7350光刻胶的掩膜作用，刻蚀出圆片上的金属条。本发明的优点通过第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩膜的要求，能够完成0. 5 μ m金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了 AMAT P5000MXP的使用范围。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
为了使7350光刻胶能够适应RIE刻蚀设备的掩膜需要，满足金属层刻蚀要求，通过下述工艺步骤实现
a、第一次UV坚膜将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜，所述7350光刻胶上刻蚀出相应的图案；坚膜起始温度为105°C ；起始温度保持时间为85秒，然后在50秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至130°C ；UV坚膜设备可以采用Fusion Bake ；其中，在50秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是全开5秒、关20 秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开30秒；上述时间和温度值均可以在5% 范围内波动；
b、取片将圆片移出坚膜设备，并使圆片的温度降至常温状态；圆片及其上的7350光刻胶的温度从130°C降至常温后，能够用于后续加工需要；
C、第二次UV坚膜将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为120°C， 其实温度保持时间为47秒；然后在100秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至 200°C;其中，在100秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是全开7秒、关20 秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开40秒；上述时间和温度值均可以在5% 范围内波动；
d、取片将上述圆片移出坚膜设备。在RIE设备刻蚀0. 5um的金属条必须采用7350光刻胶，本发明通过第一次UV坚膜时采用温度低于130°C下完成，主要是让7350光刻胶内的大部分溶剂挥发；且第二次UV 坚膜时采用200°C下完成，主要使7350光刻胶变硬，热稳定性得以提高；能够满足7350光刻胶在RIE刻蚀设备上作为掩膜的要求。将上述得到的圆片及位于圆片上的7350光刻胶放置于RIE金属腐蚀设备上，通过 7350光刻胶的掩膜作用，刻蚀出圆片上的金属层。RIE金属腐蚀设备采用AMAT P5000MXP, 腐蚀时，通过7350光刻胶上的图案，能够得到相应的金属条，然后干法去胶和EKC去聚合物，0. 5um的金属条图案完整的从7350光刻胶掩膜转移到圆片上。EKC溶液为购自EKC Technology, Inc.，Hayward, CA. EKC溶液为一胺类为主的剥除齐[J (amine-based stripper), 主要是出羟胺，有机溶剂，抑制腐蚀剂和水组成，能够出去衬底表面残留的光刻胶。本发明通过第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次 UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩膜的要求，能够完成0. 5 μ m金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了 AMAT P5000MXP的使用范围。
权利要求
1.一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其特征是，所述方法包括如下步骤(a)、第一次UV坚膜将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜，所述7350光刻胶上刻蚀出相应的图案；坚膜起始温度为100°C ^llO0C ；起始温度保持时间为8(Γ90秒， 然后在47 53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123°C ^137°C ；(b)、取片将圆片移出坚膜设备，并使圆片的温度降至常温状态；(C)、第二次UV坚膜将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为 114°C U6°C，其实温度保持时间为44 50秒；然后在95 105秒内使坚膜设备内圆片及 7350光刻胶的温度升至190°C 210°C ；(d)、取片将上述圆片移出坚膜设备。
2.根据权利要求1所述提高7350光刻胶热稳定性的方法，其特征是将上述得到的圆片及位于圆片上的7350光刻胶放置于ECR金属腐蚀设备上，通过7350光刻胶的掩膜作用， 刻蚀出圆片上的金属层。
全文摘要
本发明涉及一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其包括如下步骤a、第一次UV坚膜将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜；坚膜起始温度为100℃~110℃；起始温度保持时间为80~90秒，然后在47~53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123℃~137℃；b、第二次UV坚膜将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为114℃~126℃，其实温度保持时间为44~50秒；然后在95~105秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至190℃~210℃。本发明第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩模的要求，能够完成0.6μm金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了AMATP5000MXP的使用范围。
文档编号G03F7/00GK102253601SQ201110217319
公开日2011年11月23日 申请日期2011年8月1日 优先权日2011年8月1日
发明者张国华, 李俊, 陈杰, 陈正才 申请人:无锡中微晶园电子有限公司