一种彩膜基板母板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩膜基板母板。

背景技术：

随着液晶显示技术的发展，人们对于终端产品需求越来越高，种类型号要求也多种多样，为满足不同客户的需求，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的尺寸种类越来越多，为提高玻璃基板的利用率，MMG(Multi-Model Glass，不同尺寸面板在同一个母玻璃上做套切)的方法被越来越多的采用

MMG产品排布往往采用大尺寸显示产品的基板搭载小尺寸显示产品的基板，由于产品尺寸的不同，其像素开口尺寸也具有显著差异，而在面板制作过程中，不同尺寸的显示产品的基板由于设备局限或考虑产能影响均需采用一步工艺形成，这就造成了某些不良。例如，液晶面板中的RGB(Red Green Blue，红绿蓝)滤色片工序生产过程中，在涂覆红色色阻后，由于其膜厚大于黑矩阵厚度，会形成一挡墙，在表面张力影响下，后续在涂覆绿色色阻和蓝色色阻时，膜层不易扩散流平，而色阻膜层的流平程度与产品像素开口尺寸相关性较大，像素开口尺寸越小，色阻膜层越不容易扩散流平；同一MMG上涂覆顺序越靠后的像素，色阻膜层与不容易扩散流平。从而在MMG产品上，小尺寸的像素开口中色阻膜层不易流平，涂覆顺序靠后的小尺寸像素开口中的色阻膜层更加不易流平，从而在现有技术的MMG产品涂覆过程中，由于不同区域的基板像素开口尺寸不同，相对尺寸较小、涂覆顺序靠后的像素中的色阻膜层比理论膜层厚，从而产生产品不良。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种彩膜基板母板，能够改善实际膜厚与设计规格不同的状况。

基于上述目的本发明提供的彩膜基板母板，包括衬底基板，所述衬底基板至少包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域分别包括多个开口结构，所述开口结构由黑矩阵限定形成，在所述第一区域，至少一个开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；和/或

在所述第二区域，至少一个开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；

其中，横截面为平行于所述衬底基板方向上的截面。

可选的，所述第一区域形成有对应不同颜色亚像素的第一开口结构、第二开口结构和第三开口结构，所述第一开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于所述第一开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸。

可选的，所述第二开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于所述第二开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸。

可选的，所述第二开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于所述第一开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸。

可选的，所述第三开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸等于所述第三开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸。

可选的，所述第一开口结构对应蓝色亚像素；所述第二开口结构对应绿色亚像素；所述第三开口结构对应红色亚像素。

可选的，所述第二区域形成有对应不同颜色亚像素的第四开口结构、第五开口结构和第六开口结构，所述第四开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面尺寸小于所述第四开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面尺寸。

可选的，所述第五开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于所述第五开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面尺寸。

可选的，所述第五开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面尺寸小于所述第四开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸。

可选的，所述第六开口结构靠近所述衬底基板一侧的截面尺寸等于所述第六开口结构远离所述衬底基板一侧的横截面尺寸。

可选的，所述第六开口结构对应红色亚像素；所述第五开口结构对应绿色亚像素；所述第四开口对应蓝色亚像素。

可选的，所述第一区域中，所述靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸的至少一个开口结构远离所述衬底基板的一侧设置有倒角状缺口。

可选的，所述第二区域中，所述靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸的至少一个开口结构远离所述衬底基板的一侧设置有凸沿。

可选的，所述凸沿的横截面为三角形。

可选的，所述凸沿突出于所述开口结构的宽度为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度的20％-50％。

可选的，所述凸沿沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度的20％-100％。

可选的，所述倒角缺口沿着平行于所述衬底基板方向上的宽度为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度的20％-50％；所述倒角缺口沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度的20％-100％。

从上面所述可以看出，本发明提供的彩膜基板母板，通过改变黑矩阵所围成的开口结构，能够消除因为产品大小尺寸不同导致彩膜基板在色阻涂覆时产生的膜厚差异，从而解决不同顺序涂覆的色阻膜厚不一致的问题。此外，由于避免涂覆顺序靠后的色阻膜厚过厚，本发明还能够减少色阻使用量，从而达到缩减成本的效果。

附图说明

图1为本发明实施例的彩膜基板母板区域划分示意图；

图2为本发明实施例的第一区域的开口结构示意图；

图3为本发明实施例的第二区域的开口结构示意图；

图4为本发明另一实施例的彩膜基板母板区域划分示意图；

图5为本发明实施例的第一区域中的第一开口放大示意图；

图6位本发明实施例的第二区域的第四开口或第五开口放大示意图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明首先提供一种彩膜基板母板，如图1所示，包括衬底基板，所述衬底基板至少包括第一区域101和第二区域102，所述第一区域101和第二区域102分别包括多个开口结构，所述开口结构由黑矩阵限定形成，所述开口结构为基板上的黑矩阵限定形成，为后续色阻填充提供容纳的空间并在不同亚像素区域之间形成阻隔；所述第一区域101的开口结构的尺寸大于所述第二区域102的开口结构的尺寸，在所述第一区域101，至少一个开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；和/或；

在所述第二区域102，至少一个开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；

其中，横截面为平行于所述衬底基板方向上的截面。

在本发明其它实施例中，MMG彩膜基板具有两个以上的区域，如图4所示，衬底基板401上的三个不用区域402、403、404分别具有不同尺寸的开口结构。

从上面所述可以看出，本发明提供的彩膜基板母板，针对MMG产品中不同尺寸的产品像素结构进行优化设计，在不同尺寸产品的不同开口结构对应的黑矩阵开口采取不同的设计方式，将彩膜基板母板第一区域或第二区域的开口结构进行了改进，对在现有技术中成膜较厚的第二区域，将其开口远离衬底基板的一端增大，使得制作时色阻在不同尺寸的产品上涂覆厚度保持一致，弥补不同尺寸的产品因像素开口差异造成的膜厚段差，达到实现MMG产品不同尺寸的产品最终各层膜厚一致的效果，从而解决MMG产品上不同尺寸的产品实际膜厚与规格不一致的问题。由于在第一区域，至少一个开口结构靠近衬底基板一侧的横截面尺寸大于远离衬底基板一侧的横截面尺寸，开口的容积减少，因此能够节省第一区域的色阻涂覆量。

在本发明一种具体实施例中，仍然参照图1，所述第一区域101的开口结构的尺寸大于所述第二区域102的开口结构的尺寸，在所述第一区域101，至少一个开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；且在所述第二区域102，至少一个开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；其中，横截面为平行于所述衬底基板方向上的截面。

具体的，为解决不同尺寸的产品因开口差异影响造成其膜厚差异，在不同尺寸的产品红、绿、蓝像素搭接BM开口结构进行特殊设计，使得用于限定亚像素区域的开口结构远离衬底基板一端的尺寸与靠近衬底基板一端的尺寸不同，大尺寸产品红、绿、蓝像素搭接BM开口结构，设计为上窄下宽型；小尺寸产品红、绿、蓝像素搭接BM开口结构设计为上宽下窄型。

在本发明一些实施例中，第一区域中至少一种颜色的色阻对应的开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸；或，第二区域中至少一种颜色的色阻对应的开口结构靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸。

在本发明一些实施例中，如图2所示，所述第一区域形成有对应不同颜色亚像素的第一开口结构201、第二开口结构202和第三开口结构203，由黑矩阵205限定而成，所述第一开口结构201靠近所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸大于所述第一开口结构201远离所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸。

在具体实施例中，仍然参照图2，限定第一开口结构201的黑矩阵远离衬底基板204一侧的宽度大于靠近衬底基板204一侧的宽度。

在本发明一些实施例中，仍然参照图2，所述第二开口结构202靠近所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸大于所述第二开口结构202远离所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸。

在本发明一些实施例中，仍然参照图2，所述第二开口结构202远离所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸大于所述第一开口结构201远离所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸，参照图5所示的放大图。从而能够适当增加第二开口结构202中色阻的厚度，减少基板上不同区域的开口结构之间的厚度差。进一步的，在制作时第二开口结构202对应的色阻涂覆顺序比第一开口结构201对应的色阻涂覆顺序靠前。因为在开口尺寸较大的基板中，可采用适当增加涂覆顺序靠后的部分开口结构中色阻厚度来缩小基板上不同区域中的色阻厚度差。因此，开口远离衬底基板的一端的尺寸与开口靠近衬底基板一端的尺寸相差越大的开口所对应的色阻涂覆顺序越靠后。

在本发明一些实施例中，仍然参照图2，所述第三开口结构203靠近所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸等于所述第三开口结构203远离所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸。进一步的，第三开口结构203对应的色阻在制作时涂覆顺序比第一开口结构201、第二开口202分别对应的色阻涂覆顺序靠前。

在本发明一些实施例中，仍然参照图2，所述第一开口结构201对应蓝色亚像素206；所述第二开口结构202对应绿色亚像素207；所述第三开口结构203对应红色亚像素208。一般情况下，彩膜基板的涂覆顺序为先涂覆红色亚像素，再涂覆绿色亚像素，然后涂覆蓝色亚像素。由于在一般工艺中，涂覆顺序依次是，蓝色色阻、绿色色阻、红色色阻，涂覆顺序越靠后的色阻，在尺寸较小的开口中越容易增厚，本发明在基板上开口尺寸较大的区域中，对于涂覆顺序靠后的色阻，适当地缩小开口远离衬底基板一端的尺寸，从而能够减少不同区域因为靠口尺寸大小而导致的色阻厚度差。

在本发明一些实施例中，如图3所示，所述第二区域形成有对应不同颜色亚像素的第四开口结构301、第五开口结构302和第六开口结构303，由黑矩阵305限定而成；所述第四开口结构301靠近所述衬底基板204一侧的横截面尺寸小于所述第四开口结构301远离所述衬底基板204一侧的横截面尺寸。

在本发明一些实施例中，仍然参照图3，所述第五开口结构302靠近所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸小于所述第五开口结构302远离所述衬底基板204一侧的横截面尺寸。

在本发明一些实施例中，仍然参照图3，所述第五开口结构302远离所述衬底基板204一侧的横截面尺寸小于所述第四开口结构301远离所述衬底基板204一侧的横截面的尺寸。第五开口结构302对应的色阻在制作时涂覆顺序比第四开口结构301对应的色阻涂覆顺序靠前。因为在开口尺寸较小的基板中，可采用适当减少涂覆顺序靠后的部分开口结构中色阻厚度来缩小基板上不同区域中的色阻厚度差。因此，开口远离衬底基板的一端的尺寸与开口靠近衬底基板一端的尺寸相差越大的开口所对应的色阻涂覆顺序越靠后。

在本发明一些实施例中，仍然参照图3，所述第六开口结构303靠近所述衬底基板204一侧的截面尺寸等于所述第六开口结构303远离所述衬底基板204一侧的横截面尺寸。第六开口结构303对应的色阻在制作时涂覆顺序比第四开口结构301、第五开口302分别对应的色阻涂覆顺序靠前。

在本发明一些实施例中，仍然参照图3，所述第六开口结构303对应红色亚像素308；所述第五开口结构302对应绿色亚像素307；所述第四开口结构301对应蓝色亚像素306。一般情况下，彩膜基板的涂覆顺序为先涂覆红色亚像素，再涂覆绿色亚像素，然后涂覆蓝色亚像素。考虑制作工序，且像素排列依次为红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素，不同颜色的亚像素处BM开口设计具有差异化。

在本发明一些实施例中，所述第一区域101中，在靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸大于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸的开口结构中至少一个开口结构远离所述衬底基板的一侧设置有凸沿。

在本发明一些实施例中，所述第二区域中，所述靠近所述衬底基板一侧的横截面的尺寸小于远离所述衬底基板一侧的横截面的尺寸的至少一个开口结构远离所述衬底基板的一侧设置有倒角状缺口。

采用凸沿或倒角状缺口对开口结构进行改进，使得开口尺寸能够从靠近衬底基板的某一位置到远离衬底基板的一端逐渐增大或逐渐减小，避免因为开口结构尺寸突然变化反而致使色阻涂覆不均匀的情况。同时，靠近衬底基板一端的开口结构尺寸与现有技术中开口结构原有的尺寸相同，从而不会从视觉上改变开口所限定的亚像素区域的大小。

在本发明一些实施例中，所述凸沿的横截面为三角形。

在本发明另一些实施例中，限定所述开口的黑矩阵在垂直于衬底基板方向上的横截面可以为正梯形、弧形、三角形等。

在本发明一些实施例中，参照图5，所述凸沿突出于所述开口结构的宽度d为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度h的20％-50％。具体的，所述凸沿突出于所述开口结构的宽度为所述凸沿突出于所述黑矩阵边沿的距离。一方面可以改变开口结构中的色阻厚度，从而在视觉角度观察不到开口结构的变化，从而不会影响显示效果。

和/或，参照图6，所述倒角状缺口内缩于所述开口结构的宽度f为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度h的20％-50％。具体的，所述倒角状缺口内缩于所述开口结构的宽度为所述倒角状缺口内缩于所述黑矩阵边沿的距离。一方面可以改变开口结构中的色阻厚度，从而在视觉角度观察不到开口结构的变化，从而不会影响显示效果。

在本发明一些实施例中，参照图5所示，所述凸沿沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度n为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度h的20％-100％；参照图6所示，所述倒角状缺口沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度m为所述黑矩阵沿着垂直于所述衬底基板方向的厚度h的20％-100％，从而能够起到改变开口结构中色阻厚度的效果。从上面所述可以看出，本发明提供的彩膜基板母板，通过改变黑矩阵所围成的开口结构，使得开口结构尺寸较大的开口结构中色阻膜层厚度适当增加，开口结构尺寸较小的开口结构中色阻膜层厚度适当减少，能够消除因为产品大小尺寸不同导致彩膜基板在色阻涂覆时产生的膜厚差异，从而解决不同顺序涂覆的色阻膜厚不一致的问题。此外，由于避免涂覆顺序靠后的色阻膜厚过厚，本发明还能够减少色阻使用量，从而达到缩减成本的效果。

应当理解，本说明书所描述的多个实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。