液晶显示装置的制作方法

相关申请的引证

本申请要求于2016年4月4日提交的韩国专利申请第10-2016-0041108号的优先权以及由此产生的所有权益，通过引证将其全部内容结合于此。

本发明的示例性实施方式涉及一种液晶显示装置。

背景技术：

显示装置的重要性随着多媒体的发展而增加。因此，已经使用各种类型的显示装置，诸如液晶显示(“lcd”)装置、有机发光显示(“oled”)装置等。

在各种类型的显示装置之中，最广泛使用的平板显示装置之一的lcd装置，包括两个基板，该基板设置有场生成电极，诸如像素电极和共用电极，以及布置在两个基板之间的液晶层。lcd装置具有将电压施加至场生成电极以生成液晶层中的电场的结构，并且因此确定液晶层中的液晶分子的方向并确定入射光的偏振，从而显示图像。

在各种类型的液晶装置之中，已经开发了垂直配向的lcd装置，其中液晶分子的主轴线布置在垂直于显示面板的方向上。垂直配向的lcd装置已被开发为具有各种结构，包括将一个像素分成两个子像素以确保足够的侧面可视性的结构。

技术实现要素：

本发明的示例性实施方式提供一种液晶显示(“lcd”)装置，该装置减少用于电压分配的信号的纹波。

本发明的另一个示例性实施方式提供一种lcd装置，该装置解决了电流-电阻(“ir”)降现象。

本发明的又一个示例性实施方式提供一种lcd装置，该装置减少水平交叉扭矩。

根据本发明的示例性实施方式，减少用于电压分配的信号的纹波，并且因此改善了ir降现象。

此外，减少水平交叉扭矩。

然而，本发明的示例性实施方式不限于本文中所阐述的实施方式。通过参照以下给出的本发明的详细描述，本发明的以上和其他示例性实施方式对于本发明所属领域的技术人员将变得更加显而易见。

本发明的示例性实施方式公开了一种lcd装置，包括：基板；第一栅极线，布置在基板上；数据线，布置在第一栅极线上；第一子像素单元，包括第一开关元件，该第一开关元件包括：与第一栅极线连接的控制电极和与数据线连接的第一电极，以及第一子像素电极，与第一开关元件的第二电极连接；第二子像素单元，包括第二开关元件，该第二开关元件包括：与第一栅极线连接的控制电极和与数据线连接的第一电极，第二子像素电极，与第二开关元件的第二电极连接，以及第三开关元件，包括与第一栅极线连接的控制电极；以及存储配线，包括第一存储线，其至少一部分与第一子像素电极重叠，以及第二存储线，其至少一部分与第二子像素电极重叠。第三开关元件的第一电极可以布置在与第一存储线和第二存储线布置在其上的层不同的层上，并与第一存储线和第二存储线两者连接，并且第三开关元件的第二电极可以与第二子像素电极连接。

本发明的示例性实施方式还公开了一种lcd装置，包括：基板；栅极线，布置在基板上；数据线，布置在栅极线上；存储配线，包括第一存储线和第二存储线，布置在与栅极线布置在其上的层相同的层上，以及第三存储线，布置在与数据线布置在其上的层相同的层上，并且与第一存储线和第二存储线两者连接；第一子像素单元，包括：第一开关元件，与栅极线和数据线连接，以及第一子像素电极，其至少一部分与第一存储线重叠，并且与第一开关元件连接；以及第二子像素单元，包括：第二开关元件，与栅极线和数据线连接，第二子像素电极，其至少一部分与第二存储线重叠，并且与第二开关元件连接，以及第三开关元件，与第二子像素电极和第三存储线连接。

一种lcd装置包括：基板；第一栅极线，布置在基板上；第一数据线，布置在第一栅极线上；存储配线，包括第一存储线和第二存储线，布置在与栅极线布置在其上的层相同的层上，以及第三存储线，布置在与第一数据线布置在其上的层相同的层上，并且与第一存储线和第二存储线中的一个连接；第一子像素单元，包括第一开关元件，与第一栅极线和第一数据线连接，以及第一子像素电极，其至少一部分与第一存储线重叠，并且与第一开关元件连接；以及第二子像素单元，包括第二开关元件，与第一栅极线和第一数据线连接，第二子像素电极，其至少一部分与第二存储线重叠，并且与第二开关元件连接，以及第三开关元件，与第二子像素电极连接，其中第三存储线与第一子像素电极和第二子像素电极两者重叠。

附图说明

通过参考附图来详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的以上及其它示例性实施方式以及特征将变得更加显而易见，其中：

图1是示出了根据本发明的液晶显示(“lcd”)装置的配置的第一像素单元的示例性实施方式的等效电路图；

图2是明确示出了在图1中示出的第一像素单元的平面图；

图3是沿图2的线i-i’截取的截面图；

图4为沿图2的线ii-ii’截取的横截面图；

图5是沿图2的线iii-iii’和iv-iv’截取的截面图；

图6是示出了在图2中示出的lcd装置的第一栅极线、第一存储线和第二存储线的示意图；

图7是示出了在图2中示出的lcd装置的数据导体的示意图；

图8是示出了在图1中示出的第一像素单元以及与之连接的第二像素单元的等效电路图；

图9是明确示出了在图8中示出的第一像素单元和第二像素单元的平面图；

图10是示出了根据本发明的lcd装置的配置的第一像素单元、第三像素单元和第四像素单元的另一个示例性实施方式的等效电路图；

图11是示出了根据本发明的lcd装置的配置的存储配线的示例性实施方式的示意图；

图12是示出了根据本发明的lcd装置的配置中的反馈电路单元的示例性实施方式的示意图；

图13是示出了根据本发明的lcd装置的配置中的第一像素单元的另一个示例性实施方式的等效电路图；

图14是明确示出了在图13中示出的第一像素单元的平面图；

图15是沿图14的线v-v’截取的截面图；

图16是沿图14的线vi-vi’截取的截面图；

图17是示出了在图13中示出的第一像素单元和与第一像素单元相邻的第二像素单元的等效电路图；

图18是明确示出了在图17中示出的第一像素单元和第二像素单元的平面图；以及

图19是用于说明根据本发明的lcd装置的效果的示例性实施方式的图表。

具体实施方式

在以下描述中，出于说明的目的，阐述了多个具体细节，以提供对各种示例性实施方式的全面理解。然而，显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置，实践各种示例性实施方式。在其他实例中，以框图形式示出了众所周知的结构和装置，以避免不必要地使各种示例性实施方式晦涩难懂。

在附图中，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可以为了清晰和描述的目的而进行放大。此外，相同参考标号表示相同元件。

当元件或层被称之为在另一个元件或层“之上”、“连接至”或“耦接至”另一个元件或层时，其可直接位于另一个元件或层上、连接至、或者耦接至另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称之为“直接在另一个元件或层之上”、“直接连接至”、或者“直接耦接至”另一个元件或层时，则不存在任何中间元件或层。出于本公开的目的，“x、y以及z中的至少一个”和“选自于由x、y以及z组成的组中的至少一个”可被解释为仅x、仅y、仅z或x、y以及z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，xyz、xyy、yz以及zz。在全文中，相同参考标号指代相同的元件。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项的任意和所有组合。

尽管在本文中可使用术语第一、第二等来描述各个元件、部件、区域、层、和/或部分，然而，这些元件、部件、区域、层、和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层、和/或部分与另一个元件、部件、区域、层、和/或部分相区分。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件、部件、区域、层、和/或部分可被称为第二元件、部件、区域、层、和/或部分。

出于描述目的，本文中可以使用诸如“在...之下(beneath)”、“在……下面(below)”、“下部(lower)”、“在……上面(above)”和“上部(upper)”等空间相对术语，以由此描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。空间相对术语旨在包括除了附图中所描述的定向之外在使用、操作、和/或制造中装置的不同定向。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件则被定向为在其他元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“在…下面”可包括上面和下面两个定向。而且，可将装置以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且由此相应地解释本文中所使用的空间相对描述符。

本文中使用的术语是出于描述特定的实施方式的目的而并非旨在限制。除非上下文另有明确说明，否则如本文所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式。而且，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”用于本说明书时，这些术语指示所述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

考虑到讨论中的测量以及与特定量(即，测量系统的限制)的测量相关的误差，如本文使用的“约”或“近似”包括所述值，并且表示在如由本领域的普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内。在示例性实施方式中，“约”可以表示在一个或多个标准偏差之内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％之内。

本文参照作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图的截面图示来对各个示例性实施方式进行描述。因此，可以预期由于例如制造技术和/或容差所产生的图示的形状上的变化。因此，本文所公开的示例性实施方式不应当被解释为限于具体示出的区域形状，而是包括因诸如制造工艺等产生的形状偏差。例如，被示出为矩形的注入区域通常具有圆形或者曲线特征、和/或在其边缘有注入浓度(implantconcentration)的梯度而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区域(buriedregion)可导致在掩埋区域与从中进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，并且这些区域的形状并不旨在示出装置的区域的实际形状，且不旨在对本发明进行限制。

除非另有限定，否则，本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的相同含义。诸如通常使用的词典中所定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不会以理想化或过度形式化的意义进行解释，除非本文中明确地如此限定。

在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。

图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的液晶显示(“lcd”)装置的配置的第一像素单元的等效电路图。首先，将参考图1描述第一像素单元px1。

参照图1，第一像素单元px1可以包括第一子像素单元spx1和第二子像素单元spx2。

第一像素单元px1可以与第一栅极线gl1和第一数据线dl1连接。第一栅极线gl1可以在第一方向d1上延伸。第一栅极线gl1可以从栅极驱动单元接收第一栅极信号g1。第一数据线dl1可以在与第一方向d1不同的第二方向d2上延伸。第一数据线dl1可以从数据驱动单元接收第一数据信号d1。第一方向d1可以与第二方向d2垂直相交。在图1中，第一方向d1被举例说明为行方向，并且第二方向d2被举例说明为列方向。

第一子像素单元spx1可以包括第一开关元件tr1和第一子像素电极pe1。在一个示例性实施方式中，第一开关元件tr1可以是三端元件，诸如薄膜晶体管(“tft”)。第一开关元件tr1的控制电极可以与第一栅极线gl1连接，并且第一开关元件tr1的第一电极可以与第一数据线dl1连接。此外，第一开关元件tr1的第二电极可以与第一子像素电极pe1连接。在一个示例性实施方式中，例如，第一开关元件tr1的控制电极可以是栅电极，并且第一开关元件tr1的第一电极可以是源电极。在示例性实施方式中，第一开关元件tr1的第二电极可以是漏电极。

第一开关元件tr1根据从第一栅极线gl1接收的第一栅极信号g1导通以便将从第一数据线dl1接收的第一数据信号d1提供至第一子像素电极pe1。

第一子像素单元spx1可以进一步包括布置在第一子像素电极pe1和共用电极ce之间的第一液晶电容器clc1。第一液晶电容器clc1充入提供至第一子像素电极pe1的电压和提供至共用电极ce的电压之间的电压差。

第二子像素单元spx2可以包括第二开关元件tr2、第三开关元件tr3和第二子像素电极pe2。在一个示例性实施方式中，第二开关元件tr2和第三开关元件tr3中的每个可以是三端元件，诸如tft。

第二开关元件tr2的控制电极可以与第一栅极线gl1连接，并且第二开关元件tr2的第一电极可以与第一数据线dl1连接。此外，第二开关元件tr2的第二电极可以与第二子像素电极pe2连接。在一个示例性实施方式中，例如，第二开关元件tr2的控制电极可以是栅电极，并且第二开关元件tr2的第一电极可以是源电极。在示例性实施方式中，例如，第二开关元件tr2的第二电极可以是漏电极。

第二开关元件tr2根据从第一栅极线gl1接收的第一栅极信号g1导通以便将从第一数据线dl1接收的第一数据信号d1施加至第二子像素电极pe2。

第三开关元件tr3的控制电极可以与第一栅极线gl1连接，并且第三开关元件tr3的第一电极可以与第一节点n1连接。此外，第三开关元件tr3的第二电极可以与第二子像素电极pe2连接。在一个示例性实施方式中，第三开关元件tr3的控制电极可以是栅电极，并且第三开关元件tr3的第一电极可以是源电极。在示例性实施方式中，第三开关元件tr3的第二电极可以是漏电极。第三开关元件tr3可以通过第一节点n1与随后将描述的第三存储线rl3连接。

第三开关元件tr3根据从第一栅极线gl1接收的第一栅极信号g1导通以便将从第三存储线rl3接收的存储信号s施加至第二子像素电极pe2。第二子像素单元spx2可以进一步包括布置在第二子像素电极pe2和共用电极ce之间的第二液晶电容器clc2。当存储信号s施加于第二子像素电极pe2时，施加至第二子像素电极pe2的与第一数据信号d1相对应的电压的部分被划分。因此，充入第二液晶电容器clc2中的电压的水平低于充入第一液晶电容器clc1中的电压的水平。

因为充入第一液晶电容器clc1中的电压的水平与充入第二液晶电容器clc2中的电压的水平不同，所以第一子像素单元spx1的液晶分子的倾角与第二子像素单元spx2的液晶分子的倾角不同。因此，第一子像素单元spx1可以与第二子像素单元spx2在亮度上不同。就是说，通过适当调整充入第一液晶电容器clc1的电压和充入第二液晶电容器clc2的电压可以使从侧面观察的图像尽可能接近从前侧观察的图像。通过这样，可以改善根据本发明的示例性实施方式的lcd装置的侧面可视性。

存储配线rd(参照图11)可以包括第一存储线rl1至第三存储线rl3。第一存储线rl1可以与第一子像素电极pe1的至少一部分重叠。第二存储线rl2可以与第二子像素电极pe2的至少一部分重叠。在一个示例性实施方式中，直流型存储信号s可以提供至第一存储线rl1和第二存储线rl2中的每个。存储信号s的电压水平不受特别限制，只要充入第二液晶电容器clc2中的电压水平低于充入第一液晶电容器clc1中的电压水平即可。

第一子像素单元spx1可以进一步包括通过使第一子像素电极pe1和第一存储线rl1重叠而设置的第一存储电容器cst1。就是说，第一存储电容器cst1的第一电极可以与第一子像素电极pe1连接，并且第一存储电容器cst1的第二电极可以与第一存储线rl1连接。

第二子像素单元spx2可以进一步包括通过使第二子像素电极pe2和第二存储线rl2重叠而设置的第二存储电容器cst2。就是说，第二存储电容器cst2的第一电极可以与第二子像素电极pe2连接，并且第二存储电容器cst2的第二电极可以与第二存储线rl2连接。

第三存储线rl3可以通过第一节点n1与第三开关元件tr3的第一电极连接。此外，第三存储线rl3可以与第一存储线rl1和第二存储线rl2两者连接。因此，第三存储线rl3可以从第一存储线rl1和第二存储线rl2中的每个接收存储信号s。将参考图2对这个配置进行详细地描述。

图1是示出了根据本发明的示例性实施方式的lcd装置的配置的第一像素单元的等效电路图。图2是明确示出了在图1中示出的第一像素单元的平面图。图3是沿图2的线i-i’截取的截面图。图4是沿图2的线ii-ii’截取的截面图。图5是沿图2的线iii-iii’和iv-iv’截取的截面图。图6是示出了在图2中示出的lcd装置的第一栅极线、第一存储线和第二存储线的示意图。图7是示出了在图2中示出的lcd装置的数据导体的示意图。

参照图2至图7，根据本发明的示例性实施方式的lcd装置可以包括下显示面板10、上显示面板20和设置在两者之间的液晶层30。下显示面板10被布置为面向上显示面板20。在一个示例性实施方式中，下显示面板10可以通过密封附接至上显示面板20。

为了便于说明，第一开关元件tr1的第一电极和第二电极分别由第一源电极se1和第一漏电极de1表示。第二开关元件tr2的第一电极和第二电极分别由第二源电极se2和第二漏电极de2表示。第三开关元件tr3的第一电极和第二电极分别由第三源电极se3和第三漏电极de3表示。

首先，将描述下显示面板10。

第一栅极线gl1、第一栅电极ge1至第三栅电极ge3、第一存储线rl1以及第二存储线rl2布置在下基板110上。在一个示例性实施方式中，下基板110可以是透明玻璃基板、透明塑料基板等。

第一栅极线gl1可以被布置为在第一方向d1上延伸。第一栅电极ge1至第三栅电极ge3可以与第一栅极线gl1连接。

在一个示例性实施方式中，第一栅极线gl1和第一栅电极ge1至第三栅电极ge3中的每个可以包括单层薄膜、双层薄膜或三层薄膜，该薄膜包括一种、两种或三种导电金属，该导电金属包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)中的至少一种。

参照图6，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以布置在下基板110上(参照图3至图5)。就是说，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以布置在与第一栅极线gl1和第一栅电极ge1至第三栅电极ge3布置在其上的层相同的层上，并且可以与第一栅极线gl1和第一栅电极ge1至第三栅电极ge3绝缘。在一个示例性实施方式中，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以包括与第一栅极线gl1和第一栅电极ge1至第三栅电极ge3的材料相同的材料。此外，在一个示例性实施方式中，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以通过相同的掩模处理与第一栅极线gl1和第一栅电极ge1至第三栅电极ge3一起同时设置。

基于图2，第一存储线rl1可以布置在第一栅极线gl1上面。就是说，第一存储线rl1的至少一部分可以被布置为与随后描述的第一子像素电极pe1重叠。在一个示例性实施方式中，例如，第一存储线rl1可具有围绕第一子像素电极pe1的方形环形状。然而，第一存储线rl1的形状和尺寸不限于在图2中示出的形状和尺寸。

基于图2，第二存储线rl2可以布置在第一栅极线gl1下面。第二存储线rl2可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl2a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl2b。第二存储线rl2的水平部分rl2a可以与位于与第一像素单元px1相邻的另一个像素单元的区域中的存储线连接。第二存储线rl2的垂直部分rl2b的至少一部分可以被布置为与第二子像素电极pe2重叠。

在一个示例性实施方式中，第二存储线rl2的垂直部分rl2b可以被布置为横穿第二子像素电极pe2的中心。更具体地，第二存储线rl2的垂直部分rl2b可以在第二方向d2上延伸以便与随后描述的第二子像素电极pe2的第二主干部分pe2b重叠。然而，第二存储线rl2的形状和尺寸不限于在图2中示出的形状和尺寸。

栅极绝缘膜120可以布置在第一栅极线gl1、第一栅电极ge1至第三栅电极ge3、第一存储线rl1以及第二存储线rl2上。在一个示例性实施方式中，例如，栅极绝缘膜120可以包括氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的至少一个。栅极绝缘膜120可具有多个薄膜结构，该薄膜结构包括物理性能彼此不同的至少两个绝缘层。

半导体层130可以布置在栅极绝缘膜120上。半导体层130可以包括第一开关元件tr1至第三开关元件tr3的沟道区域。在一个示例性实施方式中，例如，半导体层130可以包括氧化物半导体。就是说，半导体层130可以包括选自igzo(in-ga-锌-氧化物)、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o2、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3和ti3o5的一种氧化物半导体。在另一个示例性实施方式中，例如，半导体层130可以包括非晶硅或多晶硅。

电阻接触层140可以布置在半导体层130上。在一个示例性实施方式中，电阻接触层140可以包括掺杂有高浓度的n型杂质(诸如磷)的n+氢化非晶硅或者可以包括硅化物。在另一个示例性实施方式中，在半导体层130包括氧化物半导体时，电阻接触层140可以省去。在说明书中，将描述电阻接触层140布置在半导体层130上的实例。

参照图7，数据导体dw可以布置在栅极绝缘膜120(参照图3至图5)和电阻接触层140(参照图3至图5)上。在一个示例性实施方式中，数据导体dw可以包括单层薄膜、双层薄膜或三层薄膜，该薄膜包括一种、两种或三种导电金属，该导电金属包括铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)中的至少一种。然而，本发明不限于此，并且数据导体dw可以包括各种金属或导体。

在一个示例性实施方式中，数据导体dw可以通过相同的掩模处理与半导体层130和电阻接触层140一起同时设置。在这种情况下，数据导体dw可具有与半导体层130的形状大致相同的形状，除第一开关元件tr1至第三开关元件tr3在半导体层130中的沟道区域之外。随后将描述第一开关元件tr1至第三开关元件tr3的沟道区域。

数据导体dw可以包括第一数据线dl1、第二数据线dl2、第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2、第二漏电极de2、第三源电极se3和第三漏电极de3。

第一源电极se1、第一漏电极de1和第一栅电极ge1提供第一开关元件tr1。第一开关元件tr1的第一源电极se1可以与第一数据线dl1连接。第一开关元件tr1的第一漏电极de1可以通过第一接触孔cnt1与第一子像素电极pe1连接。第一开关元件tr1的第一源电极se1可以被布置为在相同的层上与第一开关元件tr1的第一漏电极de1间隔开预定距离。第一开关元件tr1的沟道区域可以根据通过第一栅电极ge1提供的第一栅极信号g1限定在第一源电极se1和第一漏电极de1之间。

第二源电极se2、第二漏电极de2和第二栅电极ge2提供第二开关元件tr2。第二开关元件tr2的第二源电极se2可以与第一数据线dl1连接。第二开关元件tr2的第二漏电极de2可以通过第二接触孔cnt2与第二子像素电极pe2连接。第二开关元件tr2的第二源电极se2可以被布置为在相同的层上与第二开关元件tr2的第二漏电极de2间隔开预定距离。第二开关元件tr2的沟道区域可以根据通过第二栅电极ge2提供的第一栅极信号g1限定在第二源电极se2和第二漏电极de2之间。

第二开关元件tr2可以进一步包括从第二漏电极de2延伸并且与第二存储线rl2的水平部分rl2a重叠的漏电极延长部dep1。漏电极延长部dep1与第二存储线rl2的水平部分rl2a重叠，从而增加了第二存储电容器cst2的电容分量。此外，跳变电压可以通过第二开关元件tr2中的第二栅电极ge2和第二漏电极de2之间的寄生分量减少。

第三源电极se3、第三漏电极de3和第三栅电极ge3提供第三开关元件tr3。第三开关元件tr3的第三源电极se3可以与第一存储线rl1和第二存储线rl2两者连接。就是说，第三开关元件tr3的第三源电极se3可具有与上述第三存储线rl3的配置相同的配置。因此，第三存储线rl3布置在与第一存储线rl1和第二存储线rl2布置在其上的层不同的层上。在下文中，在一些情况下，第三存储线rl3和第三开关元件tr3的第三源电极se3将彼此可互换地使用。

更具体地，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以通过第三接触孔cnt3与第一存储线rl1连接。此外，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以通过第四接触孔cnt4与第二存储线rl2连接。因此，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以与所有的第一存储线rl1、第二存储线rl2和第一栅极线gl1重叠。

第三开关元件tr3的第三漏电极de3可以与第二子像素电极pe2连接。就是说，第三开关元件tr3将从第一存储线rl1和第二存储线rl2接收的存储信号s提供至第二子像素电极pe2，从而划分充入第二液晶电容器clc2中的电压。

因此，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以分别通过第三接触孔cnt3和第四接触孔cnt4与第一存储线rl1和第二存储线rl2两者连接。因此，完全布置在第一方向d1上的所有的第一存储线rl1和第二存储线rl2的水平部分rl2a，以及完全布置在第二方向d2上的第三开关元件tr3的第三源电极se3和第二存储线rl2的垂直部分rl2b在第一子像素单元px1的区域中以网状结构连接。通过这样，可以减少提供存储信号的第一存储线rl1至第三存储线rl3的电阻分量，并且，因此，可以防止提供至第三开关元件tr3的第三源电极se3的存储信号s的电流-电阻(“ir”)降现象。

第一存储线rl1和第二存储线rl2与随后描述的阻挡电极180绝缘。因此，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以独立于阻挡电极180进行电压驱动。此外，所有的第一存储线rl1、第二存储线rl2和第三开关元件tr3的第三源电极se3均包括金属，从而减少电阻分量。此外，所有的第一存储线rl1、第二存储线rl2和第三开关元件tr3的第三源电极se3被连接形成网状结构，从而减少存储信号s的纹波分量。

第三开关元件tr3可以进一步包括布置在第三源电极se3和第三漏电极de3之间的浮置电极fe。就是说，在一个示例性实施方式中，例如，第三开关元件tr3可以是场弛豫晶体管。

第一钝化膜150可以布置在数据导体dw和栅极绝缘膜120上。在一个示例性实施方式中，第一钝化膜150可包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。第一钝化膜150可以防止随后描述的有机绝缘膜160的颜料流动至半导体层130的暴露部分中。

有机绝缘膜160可以布置在第一钝化膜150上。有机绝缘膜160具有优异的平面化特性，并且可以包括具有光敏性的有机材料。在另一个示例性实施方式中，有机绝缘膜160还可以被省略。

尽管在附图中未示出，但滤色器可以布置在第一钝化膜150上。就是说，滤色器可以布置在第一钝化膜150和有机绝缘膜160之间。在一个示例性实施方式中，滤色器可以显示三原色之一，诸如红色r、绿色g和蓝色b，但本发明不限于此。滤色器可以包括显示每个相邻的像素的不同的颜色的材料。滤色器还可以布置在随后描述的上显示面板20之上。

第二钝化膜170可以布置在有机绝缘膜160上。在一个示例性实施方式中，第二钝化膜170可包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。第二钝化膜170可以防止有机绝缘膜160的上部部分向上抬起，并且可以防止由于从有机绝缘膜160流入的有机材料(诸如溶剂)而导致的液晶层30的污染，以便防止在驱动屏幕的时候可能引起的残留余像的故障。

第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2可以布置在第二钝化膜170上。第一子像素电极pe1可以与第一开关电极tr1的第一漏电极de1连接，第一漏电极de1通过第一接触孔cnt1暴露。第二子像素电极pe2可以与第二开关电极tr2的第二漏电极de2连接，第二漏电极de2通过第二接触孔cnt2暴露。在一个示例性实施方式中，第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2可以包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)，或者可以包括反射金属，诸如铝、银、铬或它们的合金。

第一子像素电极pe1可以包括在第一方向d1上延伸的第一主干部分pe1a、在第二方向d2上延伸的第二主干部分pe1b、以及分别从第一主干部分pe1a和第二主干部分pe1b延伸的多个分支部分pe1c。此外，多个第一狭缝slt1可以在多个分支部分pe1c之间限定在第一子像素电极pe1中。第二子像素电极pe2可以包括在第一方向d1上延伸的第一主干部分pe2a、在第二方向d2上延伸的第二主干部分pe2b、以及分别从第一主干部分pe2a和第二主干部分pe2b延伸的多个分支部分pe2c。此外，多个第二狭缝slt2可以在多个分支部分pe2c之间限定在第二子像素电极pe2中。

例如，在一个示例性实施方式中，将描述第一子像素电极pe1的情况。第一子像素电极pe1的多个第一狭缝slt1生成随后描述的共用电极ce和第一子像素电极pe1之间的边缘场，以允许多个液晶分子31在预定方向上旋转。阻挡电极180可以布置在第二钝化膜170上。阻挡电极180以及第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2可以布置在相同的层上。阻挡电极180可以被布置为与包括第一数据线dl1和第二数据线dl2的多个数据线重叠。因此，阻挡电极180可以防止由于多个数据线与邻近于每个数据线的多个子像素电极的耦合所引起的光漏现象。

在一个示例性实施方式中，阻挡电极180可包括透明导电材料，诸如ito或izo，或者可以包括反射金属，诸如铝、银、铬或它们的合金。在一个示例性实施方式中，阻挡电极180可以与第一像素单元px1外面的共用电极ce连接以接收共用电压。

第一浮置电极180a和第二浮置电极180b可以布置在第二钝化膜170上，以布置在与阻挡电极180布置在其上的层相同的层上。第一浮置电极180a可以被设置为覆盖第三接触孔cnt3。第二浮置电极180b可以被设置为覆盖第四接触孔cnt4。

更具体地，第一浮置电极180a可以将第一存储线rl1与第三开关元件tr3的第三源电极se3连接。此外，第二浮置电极180b可以将第二存储线rl2与第三开关元件tr3的第三源电极se3连接。就是说，第一浮置电极180a用作第一存储线rl1和第三开关元件tr3的第三源电极se3之间的桥电极。此外，第二浮置电极180b用作第二存储线rl2和第三开关元件tr3的第三源电极se3之间的桥电极。

第一浮置电极180a和第二浮置电极180b可以分别与布置在相同的层上的阻挡电极180以及第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2绝缘。

第一浮置电极180a可以通过第三接触孔cnt3将第一存储线rl1与第三开关元件tr3的第三源电极se3连接。第二浮置电极180b可以通过第四接触孔cnt4将第二存储线rl2与第三开关元件tr3的第三源电极se3连接。在一个示例性实施方式中，第一浮置电极180a和第二浮置电极180b可以包括透明导电材料，诸如ito或izo，或者可以包括反射金属，诸如铝、银、铬或它们的合金。

尽管在附图中未示出，但第一配向膜可以布置在第一子像素电极pe1、第二子像素电极pe2、阻挡电极180以及第一浮置电极180a和第二浮置电极180b上。在一个示例性实施方式中，第一配向膜可以包括聚酰亚胺。

接着，将描述上显示面板20。

上显示面板20可以被布置为面向下显示面板10。上显示面板20可以包括透明玻璃或透明塑料。在一个示例性实施方式中，上显示面板20可以包括与下显示面板10的材料相同的材料。

用于阻挡光透射至除像素区域以外的区域的黑矩阵bm可以布置在上基板190上。在一个示例性实施方式中，黑矩阵bm可以包括包含有机物或铬的金属材料。

保护层200可以布置在上基板190和黑矩阵bm上。保护层200可以包括绝缘材料。在一些情况下可以省去保护层200。

共用电极ce可布置在保护层200上。共用电极ce的至少一部分可以被布置为与第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2重叠。共用电极ce可以连同第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2中的每个一起生成电场。多个液晶分子31可以根据生成的电场配向。

然而，如上所述，因为充入第二液晶电容器clc2的电压的水平低于充入第一液晶电容器clc1的电压的水平，所以位于第二子像素电极pe2和共用电极ce之间的多个液晶分子的配向状态与位于第一子像素电极pe1和共用电极ce之间的多个液晶分子的配向状态不同。

尽管在附图中未示出，但第二配向膜(未示出)可以布置在共用电极ce上。第二配向膜可以包括聚酰亚胺。

图8是示出了在图1中示出的第一像素单元以及与之连接的第二像素单元的等效电路图。然而，将不会重复已经在第一像素单元px1中描述的重复的内容。

参照图8，根据本发明的示例性实施方式的lcd装置可以进一步包括邻近于第一像素单元px1的第二像素单元px2。第二像素单元px2可以包括第三子像素单元spx3和第四子像素单元spx4。

第三子像素单元spx3可以包括连接至第二栅极线gl2和第一数据线dl1的第四开关元件tr4，以及与第四开关元件tr4连接的第三子像素电极pe3。第三子像素电极pe3的至少一部分可以与第四存储线rl4重叠。

第四子像素单元spx4可以包括连接至第二栅极线gl2和第一数据线dl1的第五开关元件tr5，以及与第五开关元件tr5连接的第四子像素电极pe4。第四子像素单元spx4可以进一步包括与第二栅极线、第四子像素电极pe4和第六存储线rl6连接的第六开关元件tr6。第五开关元件tr5可以经由第二节点n2连接至第四存储线rl4。

第四子像素电极pe4的至少一部分可以与第五存储线rl5重叠。此外，第六存储线rl6可以与第四存储线rl4和第五存储线rl5两者连接。此外，第四存储线rl4可以与第二存储线rl2的垂直部分rl2b连接。

就是说，第二像素单元px2可以邻近于第一像素单元px1布置。在说明书中，表述“彼此相邻布置的两个配置”意味着与这两个配置相同的配置不布置在这两个配置之间。在下文中，将参照图9更详细地描述这个配置。

图9是明确示出了在图8中示出的第一像素单元和第二像素单元的平面图。然而，将不会重复已经在第一像素单元px1中描述的重复的内容。在下文中，将详细描述第四存储线rl4、第五存储线rl5、第六存储线rl6和第六开关元件tr6。

第四存储线rl4可具有围绕第三子像素电极pe3的方形环形状。第三子像素电极pe3可以包括在第一方向d1上延伸的第一主干部分pe3a、在第二方向d2上延伸的第二主干部分pe3b、以及分别从第一主干部分pe3a和第二主干部分pe3b延伸的多个分支部分pe3c。第三子像素电极pe3可以通过第五接触孔cnt5连接至第四开关元件tr4。第四存储线rl4可以与第二存储线rl2的垂直部分rl2b连接。第五存储线rl5可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl5a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl5b。第五存储线rl5的垂直部分rl5b可以被布置为与第四子像素电极pe4重叠，并且，在一个示例性实施方式中，可以被布置为横穿第四子像素电极pe4的中心。第四存储线rl4和第五存储线rl5可以布置在与第一存储线rl1、第二存储线rl2和第一栅极线gl1相同的层上。

第六存储线rl6可具有与第六开关元件tr6的第六源电极se6相同的配置。因为第六开关元件tr6的第六源电极se6布置在与第一数据线dl1相同的层上，所以第六存储线rl6布置在与第四存储线rl4和第五存储线rl5布置在其上的层不同的层上。在下文中，在一些情况下，第六存储线rl6和第六开关元件tr6的第六源电极se6将彼此可互换地使用。

第六开关元件tr6的第六源电极se6可以通过第七接触孔cnt7与第五存储线rl5连接。此外，第六开关元件tr6的第六源电极se6可以通过第八接触孔cnt8与第五存储线rl5连接。因此，第六开关元件tr6的第六源电极se6可以与所有的第四存储线rl4、第五存储线rl5和第二栅极线gl2重叠。

第六开关元件tr6的第六漏电极de6可以与第四子像素电极pe4连接。就是说，第六开关元件tr6将从第四存储线rl4和第五存储线rl5接收的存储信号s提供至第四子像素电极pe4，从而划分充入第四液晶电容器clc4中的电压。第六开关元件tr6可以进一步包括从第六漏电极de6延伸的漏电极延长部dep2。

因此，第六开关元件tr6的第六源电极se6可以分别通过第七接触孔cnt7和第八接触孔cnt8与第四存储线rl4和第五存储线rl5两者连接。第三浮置电极180c和第四浮置电极180d可以分别覆盖第七接触孔cnt7和第八接触孔cnt8。

因为第二存储线rl2的垂直部分rl2b与第四存储线rl4连接，所以位于第一像素单元px1和第二像素单元px2的区域中的所有的第一存储线rl1至第六存储线rl6彼此连接。就是说，例如，第一存储线rl1至第六存储线rl6在形成网状结构的同时彼此连接。通过这样，可以减少提供存储信号s的第一存储线rl1至第六存储线rl6的电阻分量，并且，因此，可以防止提供至第三开关元件tr3的第三源电极se3的存储信号s的ir降现象。

第五开关元件tr5可以通过第六接触孔cnt6连接至第四子像素电极pe4。

第六开关元件tr6可以进一步包括布置在第六源电极se6和第六漏电极de6之间的浮置电极fea。就是说，例如，在一个示例性实施方式中，第六开关元件tr6可以是场弛豫晶体管。

图10是示出了根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置的配置的第一像素单元、第三像素单元和第四像素单元的等效电路图。然而，将不会重复已经参照图1至图9描述的重复的内容。此外，在图10中，将不会使用第二像素单元px2以避免与图9中已经描述的第二像素单元px2混淆。

参照图10，根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置可以包括第一像素单元px1、第三像素单元px3和第四像素单元px4。将不会重复已经参照图1至图9在第一像素单元px1中描述的重复的内容。

在一个示例性实施方式中，例如，第一像素单元px1可以显示蓝颜色。在一个示例性实施方式中，例如，第三像素单元px3和第四像素单元px4可以显示红颜色和绿颜色中的一种颜色。在下文中，例如，将描述第三像素单元px3显示红颜色并且第四像素单元px4显示绿颜色。

第三像素单元px3可以包括具有第九开关元件tr9的第六子像素单元spx6。第九开关元件tr9可以与第一栅极线gl1、第六子像素电极pe6和第二存储线rl2连接。第四像素单元px4可以包括具有第十二开关元件tr12的第八子像素单元spx8。第十二开关元件tr12可以与第一栅极线gl1、第八子像素电极pe8和第二存储线rl2连接。在下文中，将代表性地描述第九开关元件tr9。

第九开关元件tr9可以与第一存储线rl1和第二存储线rl2中的仅一个连接。在说明书中，例如，将描述第九开关元件tr9与第二存储线rl2连接。就是说，第九开关元件tr9不与第一存储线rl1连接。

因此，仅显示蓝颜色的第一像素单元px1的第三开关元件tr3与第一存储线rl1和第二存储线rl2两者连接，并且显示与由第一像素单元px1显示的颜色不同的颜色的第三像素单元px3和第四像素单元px4的第九开关元件tr9和第十二开关元件tr12不与第一存储线rl1连接。

在一个示例性实施方式中，第五子像素单元spx5包括第七开关元件tr7、第五液晶电容器clc5、第五存储电容器cst5和第五像素电极pe5，子像素单元spx6包括第八开关元件tr8、液晶电容器clc6和存储电容器cst6，子像素单元spx7可以包括tr10、第七像素电极pe7、第七液晶电容器clc7和第七存储电容器cst7，并且子像素单元spx8可以包括第十一开关元件tr11、第八液晶电容器clc8和第八存储电容器cst8。

图11是示出了根据本发明的示例性实施方式的lcd装置的配置的存储配线的示意图。

如上所述的存储配线rd被设置为在显示区域100中具有网状结构。存储配线rd可以通过布置在外部区域410中的多个数据集成电路(“ic”)300接收存储信号s。在图11中示出数据集成电路300的数量是四。然而，本发明并不限于此。

就是说，在根据本发明的示例性实施方式的lcd装置中，因为存储配线rd具有网状结构，所以可以减少电阻分量，以防止存储信号s的电压降。

第一存储信号施加线rdl1和第二存储信号施加线rdl2可以在图11中的第二方向d2上延伸，并且可以布置在第一方向d1的两端以便与存储配线rd连接。在此，第一存储信号施加线rdl1和第二存储信号施加线rdl2中的每个的厚度大于存储配线rd的厚度。

图12是示出了根据本发明的示例性实施方式的lcd装置的配置中的反馈电路单元的示意图。

参照图12，根据本发明的示例性实施方式的lcd装置可以进一步包括第三存储信号施加线rdl3a和rdl3b。

在一个示例性实施方式中，第三存储信号施加线rdl3a和rdl3b在第一方向d1上延伸以便与存储配线rd中的位于显示区域100的中心处的配线连接。在图12中示出设置两个第三存储信号施加线rdl3a和rdl3b，但本发明不限于此。就是说，可以设置一个第三存储信号施加线，并且也可以设置多个第三存储信号施加线。在下文中，例如，将描述设置两个第三存储信号施加线rdl3a和rdl3b。

两个第三存储信号施加线rdl3a和rdl3b可以分别与两个反馈电路单元300a和300b连接。更具体地，反馈电路单元300a检测来自第三存储信号施加线rdl3a的一端的存储信号s，上述其一端是在其两端中接近显示区域100的中心的一端，并且补偿检测到的存储信号s的纹波。然后，反馈电路单元300a将经补偿的存储信号s提供至第三存储信号施加线rdl3a的第二端。

与此相似地，反馈电路单元300b检测来自第三存储信号施加线rdl3b的一端的存储信号s，上述其一端是在其两端中接近显示区域100的中心的一端，并且补偿检测到的存储信号s的纹波。然后，反馈电路单元300b将经补偿的存储信号s提供至第三存储信号施加线rdl3b的第二端。

因此，被移去纹波分量的存储信号s可以通过补偿存储信号s的纹波分量被提供至与存储配线rd连接的像素单元。

反馈电路单元的数量可以根据形成第三存储信号施加线rdl3a和rdl3b的方法而改变。此外，反馈电路单元300a和300b的具体电路配置不受特定限制，只要可以移去输入信号的纹波分量即可。

图13是示出了根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置的配置的第一像素单元的等效电路图。图14是明确示出了在图13中示出的第一像素单元的平面图。图15是沿图14的线v-v’截取的截面图。图16是沿图14的线vi-vi’截取的截面图。为了便于说明，在图1至图9中已经使用的参考标号将以同样方式使用，并且不会重复已经参照图1至图9描述的重复的内容。

参照图13至图16，根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置可以包括第一像素单元px1和第二像素单元px2(参照图8)。

第一像素单元px1可以包括第一子像素单元spx1和第二子像素单元spx2。

第一子像素单元spx1可以包括第一开关元件tr1、第一液晶电容器clc1、第一存储电容器cst1和第一子像素电极pe1。第一开关元件tr1根据从第一栅极线gl1接收的第一栅极信号g1导通以便将从第一数据线dl1接收的第一数据信号d1提供至第一子像素电极pe1。第一液晶电容器clc1充入提供至第一子像素电极pe1的电压和提供至共用电极ce的电压之间的电压差。

第二子像素单元spx2可以包括第二开关元件tr2、第三开关元件tr3、第二液晶电容器clc2、第二存储电容器cst2和第二子像素电极pe2。

第二开关元件tr2根据从第一栅极线gl1接收的第一栅极信号g1导通以便将从第一数据线dl1接收的第一数据信号d1施加至第二子像素电极pe2。

第三开关元件tr3可以与第一栅极线gl1、第三存储线rl3和第二子像素电极pe2连接。第三开关元件tr3根据从第一栅极线gl1接收的第一栅极信号g1导通以便将从第三存储线rl3接收的存储信号s施加至第二子像素电极pe2。

因此，第二液晶电容器clc2充入提供至第二子像素电极pe2的电压和提供至共用电极ce的电压之间的电压差，但是充入的电压在第三开关元件tr3导通时被划分。因此，充入第二液晶电容器clc2中的电压的水平低于充入第一液晶电容器clc1中的电压的水平。

就是说，在第一像素单元px1中，因为充入第一液晶电容器clc1中的电压的水平与充入第二液晶电容器clc2中的电压的水平不同，所以第一子像素单元spx1的液晶分子的倾角与第二子像素单元spx2的液晶分子的倾角不同。因此，第一子像素单元spx1可以与第二子像素单元spx2在亮度上不同。

存储配线rd(参照图11)可以包括第一存储线rl1至第三存储线rl3。第一存储线rl1的至少一部分可以与第一子像素电极pe1重叠。第二存储线rl2的至少一部分可以与第二子像素电极pe2重叠。第二存储线rl2可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl2a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl2b。

第三存储线rl3可以通过第一节点n1与第三开关元件tr3的第一电极连接。此外，第三存储线rl3与第一存储线rl1和第二存储线rl2中的一个连接。因此，第三存储线rl3与第一存储线rl1和第二存储线rl2中的剩余的一个绝缘。在一个示例性实施方式中，在第三存储线rl3与第二存储线rl2连接时，第三存储线rl3与第一存储线rl1绝缘。在说明书中，举例说明第三存储线rl3与第二存储线rl2连接，并且与第一存储线rl1绝缘。

第三存储线rl3可以布置在与第一存储线rl1和第二存储线rl2中的每个不同的层上。参照图15和图16，第一存储线rl1和第二存储线rl2中的每个可以布置在与第一栅极线gl1布置在其上的层相同的层上。此外，第三存储线rl3可以布置在与第一数据线dl1布置在其上的层相同的层上。

第三存储线rl3可具有与第三开关元件tr3的第三源电极se3相同的配置。在下文中，在一些情况下，第三存储线rl3和第三开关元件tr3的第三源电极se3将彼此可互换地使用。

将更详细地描述第三开关元件tr3。第三开关元件tr3的第三源电极se3可以通过第三接触孔cnt3与第二存储线rl2连接。更具体地，第一浮置电极180a被设置为覆盖第三接触孔cnt3，以便将第二存储线rl2与第三开关元件tr3的第三源电极se3连接。

此外，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以与第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2两者重叠。在一个示例性实施方式中，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以在第二方向d2上延伸以便横穿第一子像素电极pe1的中心和第二子像素电极pe2的中心中的每个。第三开关元件tr3的第三源电极se3在第二方向d2上延伸以便与位于与邻近于第一栅极线gl1的第二栅极线gl2连接的像素单元区域中的开关元件的源电极连接。随后将描述这个配置。

就是说，在根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置中，第三存储线，即，第三开关元件tr3的第三源电极se3本身延伸为与第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2中的每个重叠。此外，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以与第一存储线rl1和第二存储线rl2中的任意一个连接。在一个示例性实施方式中，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以延伸为与第一子像素电极pe1的第二主干部分pe1b和第二子像素电极pe2的第二主干部分pe2b中的每个重叠。因此，在第一方向d1上延伸的第一存储线rl1和第二存储线rl2与在第二方向d2上延伸的第三存储线rl3连接以形成网状结构。因此，第一存储线rl1至第三存储线rl3的电阻分量减少，以防止提供至第三开关元件tr3的存储信号s的ir降现象。将参照图17和图18描述相邻的像素单元之间的关系。

图17是示出了在图13中示出的第一像素单元和与第一像素单元相邻的第二像素单元的等效电路图。图18是明确示出了在图17中示出的第一像素单元和第二像素单元的平面图。然而，将不会重复已经参照图1至图10和图13至图16描述的重复的内容。

根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置可以包括第一像素单元px1和与之相邻的第二像素单元px2。第二像素单元px2可以包括第三子像素单元spx3和第四子像素单元spx4。

第三子像素单元spx3可以包括第四开关元件tr4、第三液晶电容器clc3、第三存储电容器cst3和第三子像素电极pe3。

第四开关元件tr4的第四源电极se4可以与第二数据线dl2连接，并且第四开关元件tr4的第四漏电极de4可以与第三子像素电极pe3连接。此外，第四开关元件tr4的第四栅电极ge4可以与第二栅极线gl2连接。因此，第四开关元件tr4根据从第二栅极线gl2接收的第二栅极信号g2导通以将从第二数据线dl2接收的第二数据信号d2施加至第三子像素电极pe3。

第三液晶电容器clc3充入提供至第三子像素电极pe3的电压和提供至共用电极ce的电压之间的电压差。此外，第三子像素电极pe3的至少一部分可以与第四存储线rl4重叠。因此，第三子像素单元spx3可以包括布置在第三子像素电极pe3和第四存储线rl4之间的第三存储电容器。

在一个示例性实施方式中，第四存储线rl4可以被设置为围绕第三子像素电极pe3的外周。此外，第四存储线rl4可以与第二存储线rl2的垂直部分rl2b连接。

第四子像素单元spx4可以包括第五开关元件tr5、第六开关元件tr6、第四液晶电容器clc4、第四存储电容器cst4和第四子像素电极pe4。

第五开关元件tr5的第五源电极se5可以与第二数据线dl2连接，并且第五开关元件tr5的第五漏电极de5可以与第四子像素电极pe4连接。此外，第五开关元件tr5的第五栅电极ge5可以与第二栅极线gl2连接。因此，第五开关元件tr5根据从第二栅极线gl2接收的第二栅极信号g2导通以将从第二数据线dl2接收的第二数据信号d2施加至第四子像素电极pe4。

第六开关元件tr6的第六源电极se6可以与第六存储线rl6连接，并且第六开关元件tr6的第六漏电极de6可以与第四子像素电极pe4连接。此外，第六开关元件tr6的第六栅电极ge6可以与第二栅极线gl2连接。因此，第六开关元件tr6根据从第二栅极线gl2接收的第二栅极信号g2导通以将从第六存储线rl6接收的存储信号s施加至第四子像素电极pe4。

因此，第四液晶电容器clc4充入提供至第四子像素电极pe4的电压和充入共用电极ce的电压之间的电压差，但是充入第四液晶电容器clc4中的电压在第六开关元件tr6导通时被划分。因此，充入第四液晶电容器clc4中的电压的水平低于充入第三液晶电容器clc3中的电压的水平。

第五存储线rl5可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl5a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl5b。第五存储线rl5的垂直部分rl5b可以被布置为与第四子像素电极pe4重叠。第四存储线rl4和第五存储线rl5可以布置在与第一存储线rl1、第二存储线rl2和第一栅极线gl1布置在其上的层相同的层上。

在一个示例性实施方式中，第六存储线rl6可以被设置为基于第二方向d2与第三存储线rl3对称的。

第六存储线rl6可具有与第六开关元件tr6的第六源电极se6相同的配置。第六开关元件tr6的第六源电极se6布置在与第一数据线dl1和第二数据线dl2布置在其上的层相同的层上，并且因此第六存储线rl6可以布置在与第四存储线rl4和第五存储线rl5布置在其上的层不同的层上。在下文中，在一些情况下，第六存储线rl6和第六开关元件tr6的第六源电极se6将彼此可互换地使用。

将更详细地描述第六开关元件tr6。第六开关元件tr6的第六源电极se6可以通过第六接触孔cnt6与第五存储线rl5连接。更具体地，第二浮置电极180b被设置为覆盖第六接触孔cnt6，以便将第五存储线rl5与第六开关元件tr6的第六源电极se6连接。

此外，第六开关元件tr6的第六源电极se6可以与第三子像素电极pe3和第四子像素电极pe4两者重叠。在一个示例性实施方式中，第六开关元件tr6的第六源电极se6可以在第二方向d2上延伸以便横穿第三子像素电极pe3的中心和第四子像素电极pe4的中心中的每个。

就是说，在根据本发明的另一个示例性实施方式的lcd装置中，第三存储线，即，第三开关元件tr3的第三源电极se3本身延伸为与第一像素单元px1的区域中的第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2中的每个重叠。此外，第六存储线，即，第六开关元件tr6的第六源电极se6本身延伸为与第二像素单元px2的区域中的第三子像素电极pe3和第四子像素电极pe4中的每个重叠。

此外，第三开关元件tr3的第三源电极se3可以与第一存储线rl1和第二存储线rl2中的任意一个连接，并且第六开关元件tr6的第六源电极se6可以与第三存储线rl3和第四存储线rl4中的任意一个连接。

因此，在第一方向d1上延伸的第一存储线rl1、第二存储线rl2、第四存储线rl4和第五存储线rl5与在第二方向d2上延伸的第三存储线rl3和第六存储线rl6连接以形成网状结构。因此，第一存储线rl1至第六存储线rl6的电阻分量减少，以防止提供至第三开关元件tr3和第六开关元件tr6的存储信号s的ir降现象。

例如，尽管附图中未示出，但第一像素单元px1和第二像素单元px2显示蓝颜色。

图19是用于说明根据本发明的示例性实施方式的lcd装置的效果的图表。在图19中示出的图表的水平轴示出由百分比表示的存储信号的ir降比例。在图表的垂直轴中，(a)示出传统的lcd装置，(b)示出具有根据本发明的示例性实施方式的第一像素单元px1(参照图2)的lcd装置，并且(c)示出具有根据本发明的示例性实施方式的显示蓝颜色的第一像素单元px1(参照图2)的lcd装置。

参照图19，在传统lcd装置的存储信号的ir降比例被设定为100时，在(c)的情况下，可以看出其存储信号的ir降比例减少至传统lcd装置的存储信号的ir降比例的约一半，并且在(b)的情况下，可以看出其存储信号的ir降比例减少大约传统lcd装置的存储信号的ir降比例的67％。

将参照下面的表描述根据本发明的示例性实施方式的lcd装置的改善平面水平串扰的效果。

参照表，可以看出具有根据本发明的示例性实施方式的第一像素单元px1(参照图2)的lcd装置的平面水平串扰(-0.5％)，与传统lcd装置的平面水平串扰(-2.96％)相比，减少了大约83％。

[表]

在详细说明的结尾，本领域技术人员将理解可以在基本上没有背离本发明的原理的情况下对优选实施方式进行许多变化和修改。因此，本发明公开的优选实施方式仅用于一般性的和描述性的意义，而不是为了限制的目的。