显示装置的制作方法

本发明构思涉及显示装置。

背景技术：

显示装置的重要性随着多媒体的发展而提高。各种类型的显示装置诸如液晶显示器(lcd)和有机发光显示器(oled)被相应地使用。

液晶显示器是使用其中透光率取决于施加到液晶的电场的强度而变化的液晶的电光特性来显示图像的显示装置。液晶显示器包括多个像素。像素电极和滤色器设置在每个像素中。每个像素电极被薄膜晶体管驱动。

此外，有机发光显示器使用通过电子和空穴的复合产生光的有机发光二极管来显示图像。有机发光显示器具有高亮度和高视角，同时具有快的响应速度和低功耗。

在一实施方式中，显示装置使用在位于两个电极之间的绝缘膜中形成接触孔以及在该接触孔中形成连接电极的方法，从而电连接设置在彼此不同的层上的两个电极。

技术实现要素：

示例性实施方式提供包括可伸展布线的电子装置。

额外的方面将在以下的详细描述中被部分地阐述且部分将自本公开明显或者可以通过本发明构思的实践而习知。

本发明构思的一示例性实施方式公开了一种显示装置，该显示装置包括：第一电极，包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域；第一绝缘膜，设置在第一电极上；第二电极，设置在第一绝缘膜上并且包括交叠第三区域的第四区域；第二绝缘膜，设置在第二电极上；第一接触孔，穿过第二绝缘膜形成，第一接触孔暴露第一区域、第二区域和第四区域；以及第三电极，在第二绝缘膜上设置为覆盖第一接触孔，并且连接到通过第一接触孔暴露的第一区域和第二区域的至少之一以及通过第一接触孔暴露的第四区域。

第一区域和第二区域的宽度可以不是零。第一区域和第二区域可以不交叠第二电极。

第一绝缘膜可以包括设置在交叠第三区域的区域中的至少一个底切部分。

第四区域可以完全交叠第三区域。

第一区域的宽度可以与第二区域的宽度不同或相同。

第一绝缘膜和第二绝缘膜的至少之一可以包括无机材料。

显示装置还可以包括：有机绝缘膜，设置在第二绝缘膜上；以及第二接触孔，至少部分地交叠第一接触孔。第三电极可以设置在有机绝缘膜上以覆盖第二接触孔。

显示装置还可以包括设置在与第一电极相同的层上的多条栅线以及设置在与第二电极相同的层上的多条数据线。

第三电极可以包括透明导电材料。

第一电极和第二电极可以包括不透明导电材料。

本发明构思的一示例性实施方式还公开了一种显示装置，该显示装置包括：第一电极，包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域；第一绝缘膜，设置在第一电极上并且包括用于暴露第一区域和第二区域的第一开口；第二电极，设置在第一绝缘膜上并且包括交叠第三区域的第四区域；第二绝缘膜，设置在第二电极上并且包括用于暴露第一区域、第二区域和第四区域的第二开口；以及第三电极，设置在第二绝缘膜上并且连接到第一区域和第二区域的至少之一以及第四区域。

第二电极可以不交叠第一区域和第二区域。

第三电极可以包括透明导电材料。

显示装置还可以包括：栅线，设置在与第一电极相同的层上并且在第一方向上延伸；数据线，设置在与第二电极相同的层上，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；以及像素电极，设置在与第三电极相同的层上。

第一电极可以在第一方向上延伸，并且第三电极可以在第二方向上延伸。

像素电极可以包括：第一子像素电极，连接到第一开关元件，第一开关元件连接到栅线和数据线；以及第二子像素电极，连接到第二开关元件，第二开关元件连接到栅线和数据线。显示装置还可以包括连接到第二子像素电极、栅线和第一电极的第三开关元件。第一电极可以是存储线并且第二电极可以是第三开关元件的源电极。

显示装置还可以包括设置在第二绝缘膜上并且暴露第一区域、第二区域和第四区域的有机绝缘膜。第三电极可以设置在有机绝缘膜上并且可以与第一区域、第二区域和第四区域接触。

第一区域和第二区域的宽度可以不是零。

第一区域的宽度可以与第二区域的宽度相同或不同。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的以上和其它方面及特征将变得更加明显，在图中：

图1是示出根据本发明构思的一实施方式的在显示装置中的接触结构的平面图；

图2是沿图1中示出的线i1-i1'截取的剖视图；

图3是沿图1中示出的线i2-i2'截取的剖视图；

图4是沿图1中示出的线i3-i3'截取的剖视图；

图5是用于说明根据本发明构思的一实施方式的形成显示装置的接触结构的第一工艺的平面图；

图6是沿图5的线a1-a1'截取的剖视图；

图7是用于说明根据本发明构思的一实施方式的形成显示装置的接触结构的第二工艺的平面图；

图8是沿图7的线a2-a2'截取的剖视图；

图9是用于说明根据本发明构思的一实施方式的形成显示装置的接触结构的第三工艺的平面图；

图10是沿图9的线a3-a3'截取的剖视图；

图11是示出根据本发明构思的一实施方式的其中在接触结构中发生覆盖物左移的情形的平面图；

图12是沿图11的线b1-b1'截取的剖视图；

图13是示出根据本发明构思的一实施方式的其中在接触结构中发生覆盖物右移的情形的平面图；

图14是沿图13的线b2-b2'截取的剖视图；

图15是示出根据本发明构思的另一实施方式的显示装置的接触结构的平面图；

图16是沿图15的线i4-i4'截取的剖视图；

图17是示出根据本发明构思的另一实施方式的显示装置的接触结构的平面图；

图18是示意性地示出具有根据本发明构思的一实施方式的接触结构的显示装置的等效电路图；

图19是示意性地示出具有根据本发明构思的一实施方式的接触结构的显示装置的布局图；

图20是沿图19的线i5-i5'截取的剖视图；

图21是示出图19的区域a的放大平面图；以及

图22是沿图21的线i6-i6'截取的剖视图。

具体实施方式

在以下描述中，为了说明的目的，许多细节被阐述以便提供对各种各样的示例性实施方式的全面理解。然而，显然的是，各种各样的示例性实施方式可以在没有这些细节的情况下被实施或者利用一个或更多个等效布置被实施。在其它实例中，众所周知的结构和装置以框图形式显示从而避免不必要地模糊各种各样的示例性实施方式。

在附图中，为了清晰和描述目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外，相同的附图标记表示相同的元件。

当一元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当一元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则没有居间元件或层存在。为了本公开的目的，“x、y和z的至少之一”和“从由x、y和z组成的组选择的至少一个”可以被理解为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如xyz、xyy、yz和zz。相同的附图标记始终指代相同的元件。在这里使用时，术语“和/或”包括一个或更多相关列举项目的任意和所有组合。

虽然在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种各样的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于区分一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分。因而，以下讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分，而不脱离本公开的教导。

为了描述目的，可以在这里使用空间关系术语，诸如“在……下面”、“以下”、“下”、“在……上”、“上”等并由此来描述一个元件或特征与另一(或另一些)元件或特征如图中所示的关系。除了图中描绘的取向之外，空间关系术语旨在还涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果在图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下”或“下面”的元件可以取向为在所述其它元件或特征“上”。因而，示例性术语“在……下”可以涵盖之上和之下两种取向。此外，装置可以以别的方式取向(例如，旋转90度或以其它取向)，因而在这里使用的空间关系描述语被相应地解释。

在这里使用的术语用于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。在这里使用时，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清晰地另外表示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包含……的”、“包括”和/或“包括……的”等表示所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但是不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。

在这里参考横截面图示描述各种各样的示例性实施方式，其中横截面图示是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示。因此，由于例如制造技术和/或公差引起的图示形状的偏离是可以预期的。因而，在这里公开的示例性实施方式不应被理解为限于区域的具体示出的形状，而是将包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，被示为矩形的注入区在其边缘一般将具有圆化或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区可以导致埋入区与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因而，在图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，并且不旨在限制。

除非另外定义，在这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属的领域中的普通技术人员通常理解的相同含义。术语(诸如在通常使用的字典中所定义的那些)应被理解为具有与在相关领域的背景中的它们的含义一致的含义，将不被理解为理想化或过度形式化的意义，除非在这里清楚地如此定义。

在下文中，将参考附图描述示例性实施方式。

图1是示出根据本发明构思的一实施方式的显示装置的接触结构的平面图。图2是沿图1中示出的线i1-i1'截取的剖视图。图3是沿图1中示出的线i2-i2'截取的剖视图。图4是沿图1中示出的线i3-i3'截取的剖视图。

参考图1和2，在一实施方式中，基板11可以是透明玻璃基板或塑料基板。此外，基板11也可以具有柔性。也就是，基板11可以通过卷起、折叠、捆扎等变形。

第一电极10可以设置在基板11上。第一电极10可以包括第一区域10a、第二区域10b和第三区域10c。第三区域10c可以设置在第一区域10a和第二区域10b之间。同时，第一区域10a可以被定义为设置在第三区域10c的一侧同时不交叠随后将描述的第二电极20的区域。此外，第二区域10b可以被定义为设置在第三区域10c的另一侧同时不交叠随后将描述的第二电极20的区域。第三区域10c可以被定义为设置在第一区域10a和第二区域10b之间同时交叠随后将描述的第二电极20(更具体而言，第二电极20的第四区域20a)的区域。

第一区域10a的宽度l1、第二区域10b的宽度l2和第三区域10c的宽度l3可以彼此相同并且可以彼此不同。然而，第一区域10a的宽度l1、第二区域10b的宽度l2和第三区域10c的宽度l3的每个不是零。

在一实施方式中，第一电极10可以由包括导电金属的单膜、包括至少两种元素的双膜或包括三种元素的三膜形成，诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)。

此外，在另一实施方式中，第一电极10可以由诸如ito或izo的透明导电材料或诸如铝、银、铬或其合金的反射金属形成。

第一绝缘膜12可以设置在第一电极10上。在一实施方式中，第一绝缘膜12可以由硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。第一绝缘膜12可具有包括具有不同物理特性的至少两个绝缘层的多膜结构。

同时，第一绝缘膜12可以包括底切部分12a。底切部分12a随后将被描述。

第一绝缘膜12可以包括暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b的第一开口op1a。同时，第一开口op1a不暴露第一电极10的第三区域10c。因此，第一绝缘膜12设置在第一电极10的第三区域10c上。

第二电极20可以设置在第一绝缘膜12上。第二电极20至少部分地交叠第一电极10。更具体而言，第二电极20可以包括交叠第一电极10的第三区域10c的第四区域20a。在一实施方式中，第二电极20的第四区域20a可以完全交叠第一电极10的第三区域10c。

同时，第一区域10a和第二区域10b的形状或尺寸不限于图1中示出的形状或尺寸，只要第一区域10a和第二区域10b通过第一开口op1a暴露。此外，第三区域10c的形状或尺寸不限于图1中示出的形状或尺寸，只要第三区域10c不通过第一开口op1a暴露。

同时，第四区域20a的形状或尺寸不限于图1中示出的形状或尺寸，除非第一电极10的第一区域10a的宽度l1和第二区域10b的宽度l2的每个是零。

在一实施方式中，第二电极20可以由包括导电金属的单膜、包括两种元素的双膜或包括三种元素的三膜形成，诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)。

此外，在另一实施方式中，第二电极20可以由诸如ito或izo的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或其合金的反射金属形成。

第二绝缘膜21可以设置在第二电极20上。在一实施方式中，第二绝缘膜21可以由无机绝缘体诸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。第二绝缘膜21可以包括暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b以及第二电极20的第四区域20a的第二开口op1b。第二开口op1b可以至少部分地交叠第一开口op1a。

接触孔cnt由第一开口op1a和第二开口op1b形成，并且必然暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b以及第二电极20的第四区域20a。接触孔cnt在图1中被示为矩形形状，但是其不限于此。

第三电极30可以设置在第二绝缘膜21上。第三电极30可以由包括导电金属的单膜、包括至少两种元素的双膜或包括三种元素的三膜形成，诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)。

此外，在另一实施方式中，第三电极30可以由诸如ito或izo的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或其合金的反射金属形成。

在下文，在本说明书中，将给出其中第一电极10和第二电极20是不透明导电金属并且第三电极30是透明导电金属的情形的描述。

第三电极30可以形成为覆盖接触孔cnt。因而，第三电极30的部分30a可以与第一电极10的通过接触孔cnt暴露的第一区域10a直接接触。第三电极30的另一部分30b可以与第一电极10的通过接触孔cnt暴露的第二区域10b直接接触。第三电极30的再一部分30c可以与通过接触孔cnt暴露的第二电极20(更具体而言，第四区域20a)直接接触。

然而，第三电极30的部分30a和另一部分30b不与第三电极30的在接触孔cnt内的再一部分30c接触。也就是，因为图2的第一绝缘膜12包括底切部分12a，所以第三电极30的一些部分30a和30b以及第三电极30的再一部分30c彼此不直接接触。

更详细地，因为第三电极30的部分30a和另一部分30b与第三电极30的再一部分30c不直接接触，所以第一电极10的第一区域10a和第二区域10b不连接到第二电极20的在接触孔cnt内的第四区域20a。

相反，进一步参考图3，第三电极30的部分30a与第一电极10的通过接触孔cnt暴露的第一区域10a直接接触。此外，第三电极30的另一部分30b也与第一电极10的通过接触孔cnt暴露的第二区域10b直接接触。

此外，参考图4，第三电极30的再一部分30c与第二电极20的通过接触孔cnt暴露的部分直接接触。

因而，虽然第一电极10没有在接触孔cnt内连接到第二电极20，但是因为第一电极10和第二电极20的每个的一部分连接到第三电极30，所以第一电极10和第二电极20必然彼此电连接。

其中预定电压被施加到第一电极10的情形将被描述作为一实施方式。当预定电压被施加到第一电极10时，施加到第一电极10的电压被传输到第三电极30的与第一电极10的第一区域10a和第二区域10b直接接触的部分30a和另一部分30b。此后，预定的传输电压通过第三电极30的再一部分30c被传输到第二电极20，第三电极30的再一部分30c与第二电极20的通过接触孔cnt暴露的部分直接接触。施加到第一电极10的电压因此被传输到第二电极20。

在下文，制造图1中示出的显示装置的方法将参考图5至7描述。然而，将不提供在图1至4中描述的内容的重复描述。

图5、7和9是用于说明根据本发明构思的一实施方式的形成显示装置的接触结构的工艺的平面图。图6是沿图5的线a1-a1'截取的剖视图。图8是沿图7的线a2-a2'截取的剖视图。图10是沿图9的线a3-a3'截取的剖视图。

首先，参考图5和6，第一电极10形成在基板11上。此后，第一绝缘层12形成在第一电极10上。

接着，第二电极20形成在第一绝缘膜12上。第二电极20至少部分地交叠第一电极10。此后，第二绝缘膜21形成在第二电极20上。

接着，参考图7和8，有可能通过同时蚀刻第一和第二绝缘膜12和21的一些而形成暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b以及第二电极20的第四区域20a的接触孔cnt。

更具体地，第一绝缘膜12和第二绝缘膜21可以通过单个掩模工艺被同时蚀刻。因而，用于暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b的第一开口op1a形成在第一绝缘膜12中。此外，用于暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b以及第二电极20的第四区域20a的第二开口op1b形成在第二绝缘膜21中。因此，掩模工艺的数目能够最小化。此外，在一实施方式中，蚀刻工艺可以通过干法蚀刻工艺执行。

同时，在第一绝缘膜12的蚀刻工艺中，底切部分12a可以形成在位于交叠第二电极20的第四区域20a的区域中的第一绝缘膜12中。

接着，参考图9和10，第三电极30可以形成在第二绝缘膜21上。第三电极30可以形成为覆盖接触孔cnt。

因而，第三电极30的部分30a可以与第一电极10的通过接触孔cnt暴露的第一区域10a直接接触。此外，第三电极30的另一部分30b可以与第一电极10的通过接触孔cnt暴露的第二区域10b直接接触。此外，第三电极30的再一部分30c可以与通过接触孔cnt暴露的第二电极20(更具体而言，第四区域20a)直接接触。

然而，第三电极30的部分30a和另一部分30b不与第三电极30的在接触孔cnt内的再一部分30c接触。也就是，因为图7的第一绝缘膜12包括底切部分12a，所以第三电极30的一些部分30a和30b与第三电极30的另一部分30c在接触孔cnt内彼此不直接接触。

同时，在图7和图8中描述的形成接触孔cnt的过程中，可能发生覆盖物移位(overlayshift)。更具体地，覆盖物移位可能由于在用于形成接触孔cnt的掩模工艺期间的掩模未对准而发生。覆盖物移位现象的发生程度可以在减小接触孔cnt的尺寸从而确保高分辨率和高开口率时增加。

更具体而言，即使第一绝缘膜12和第二绝缘膜21二者需要通过单个掩模工艺被蚀刻，也可能发生其中第一绝缘膜12由于因未对准所致的覆盖移位现象而未被蚀刻的问题。因而，可能发生其中第三电极30不与位于第一绝缘膜12下面的第一电极10接触的情形，结果，第一电极10和第二电极20没有彼此电连接。

相反，在根据本发明构思的一实施方式的显示装置中，因为第一电极10的第一区域10a和第二区域10b的每个的宽度不是零，所以有可能确保第一绝缘膜12的足够的蚀刻空间。这将参考图11至14描述。

图11是示出其中在根据本发明构思的一实施方式的显示装置的构造中的接触结构中发生覆盖物左移的情形的平面图。图12是沿图11的线b1-b1'截取的剖视图。图13是示出其中在根据本发明构思的一实施方式的显示装置的构造中的接触结构中发生覆盖物右移的情形的平面图。图14是沿图13中的线b2-b2'截取的剖视图。为了描述的方便，指代相同构造的附图标记将被重复地使用。

如图11中所示，当在形成接触孔cnt的过程中发生未对准时，与图1中示出的接触孔cnt相比，在图11中示出的接触孔cnt'可能向左移。

也就是，第一电极10的第一区域10a的宽度l1'可以不同于第二区域10b的宽度l2'。更具体而言，因为第二区域10b的宽度l2'相对地小于第一区域10a的宽度l1'，所以可能不能在第二区域10b中确保第一绝缘膜12的足够的蚀刻空间。在这种情形下，如图12中所示，因为第一绝缘膜12的部分12b没有被完全蚀刻，所以第三电极30可能没有与第一电极10的第二区域10b接触。

然而，即使在这种情形下，因为在具有相对大宽度的第一区域10a中确保了足够的蚀刻区域，所以第三电极30也可以与第一电极10的第一区域10a接触。结果，第一电极10和第二电极20可以通过第三电极30电互连。

当如图13所示地在形成接触孔cnt的过程中发生未对准时，与图1中示出的接触孔cnt相比，在图13中示出的接触孔cnt”可能向右移。

也就是，因为第一电极10的第一区域10a的宽度l1”相对地小于第一电极10的第二区域10b的宽度l2”，所以可能不能在第一区域10a中确保第一绝缘膜12的足够的蚀刻空间。在这种情形下，如图14中所示，因为第一绝缘膜12的部分12c没有被蚀刻，所以第三电极30可能没有与第一电极10的第一区域10a接触。

然而，即使在这种情形下，因为在具有相对大宽度的第二区域10b中确保了足够的蚀刻区域，所以第三电极30也可以与第一电极10的第二区域10b接触。

因此，因为可以在根据本发明构思的一实施方式的显示装置中确保第一绝缘膜12的足够的蚀刻空间，所以即使在形成接触孔cnt的过程中发生未对准，第一电极10和第二电极20也可以通过第三电极30电互连。

图15是示出根据本发明构思的另一实施方式的显示装置的构造中的接触结构的平面图。图16是沿图15中的线i4-i4'截取的剖视图。然而，将不提供在图1至14中描述的内容的重复描述。

参考图15和16，第三绝缘膜31可以设置在第二绝缘膜21上。

在一实施方式中，第一绝缘膜12和第二绝缘膜21可以包括无机材料，并且第三绝缘膜31可以包括有机材料。也就是，第三绝缘膜31可以是有机绝缘膜。第三绝缘膜31还可以包括暴露第一电极10的第一区域10a和第二区域10b以及第二电极20的第四区域20a的第三开口op2。

第三开口op2可以至少部分地交叠第一开口op1a和第二开口op1b。

第二接触孔cnt2可以通过形成第三开口op2形成。第二接触孔cnt2可以至少部分地交叠第一接触孔cnt1。同时，在一实施方式中，第三绝缘膜31可以是滤色器。滤色器可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三原色的原色之一，但是不限于此。滤色器可以由对于每个相邻的像素显示不同颜色的材料形成。第三电极30可以设置在第三绝缘膜31上。

图17是示出根据本发明构思的另一实施方式的显示装置的构造中的接触结构的平面图。

参考图17，第二电极20'可具有环形形状。这里，第一接触孔cnt1是用于蚀刻第一绝缘膜12和第二绝缘膜21的一些部分以暴露第一电极10的一部分和第二电极20'的一部分的接触孔。此外，第二接触孔cnt2是用于蚀刻设置在第二绝缘膜21上的有机绝缘膜31的一部分以暴露第一电极10的一部分和第二电极20'的一部分的接触孔。

第二电极20'可以被包括在第一接触孔cnt1中。因而，即使在形成第一接触孔cnt1的时候发生由未对准所致的覆盖物移位现象，因为第一电极10的暴露部分位于第二电极20'的环形内，所以也可能确保第一绝缘膜12的足够的蚀刻空间。

因此，即使在形成第一接触孔cnt1的时候发生覆盖物移位现象，第一电极10和第二电极20'也可以通过第三电极30彼此电连接。

图18是示意性地示出具有根据本发明构思的一实施方式的接触结构的显示装置的等效电路图。然而，虽然本说明书描述了其中显示装置是液晶显示器的示例，但是接触结构也可以应用于包括有机发光显示装置的其它显示装置。此外，虽然图18至22示出其中单一像素部分具有两个子像素部分作为一示例的结构，但是本发明构思不限于此。

参考图18，像素部分px可以包括第一子像素部分spx1和第二子像素部分spx2。

像素部分px可以连接到扫描线sl和数据线dl。扫描线sl可以在第一方向d1上延伸。扫描线sl可以从扫描驱动器接收扫描信号s。数据线dl可以在不同于第一方向d1的第二方向d2上延伸。数据线dl可以从数据驱动器接收数据信号d。第一方向d1可以与第二方向d2垂直地交叉。基于图18，第一方向d1被示出在行方向上，第二方向d2被示出在列方向上。

第一子像素部分spx1可以包括第一开关元件tr1和第一子像素电极pe1。在一实施方式中，第一开关元件tr1可以是诸如薄膜晶体管的三端元件。第一开关元件tr1的控制电极可以连接到扫描线sl，第一开关元件tr1的一个电极可以连接到数据线dl。此外，第一开关元件tr1的其它电极可以连接到第一子像素电极pe1。第一开关元件tr1的控制电极可以是栅电极，并且一个电极可以是源电极。此外，第一开关元件tr1的其它电极可以是漏电极。

第一开关元件tr1根据从扫描线sl提供的扫描信号s导通并且可以将从数据线dl提供的数据信号d提供到第一子像素电极pe1。

第一子像素部分spx1还可以包括形成在第一子像素电极pe1与公共电极ce之间的第一液晶电容器clc1。第一液晶电容器clc1充电至被提供到第一子像素电极pe1的电压与被提供到公共电极ce的电压之间的差值电压(differentialvoltage)。

第二子像素部分spx2可以包括第二开关元件tr2、第三开关元件tr3和第二子像素电极pe2。在一实施方式中，第二开关元件tr2和第三开关元件tr3可以是诸如薄膜晶体管的三端元件。

第二开关元件tr2的控制电极可以连接到扫描线sl，第二开关元件tr2的一个电极可以连接到数据线dl。第二开关元件tr2的其它电极可以连接到第二子像素电极pe2。第二开关元件tr2的控制电极可以是栅电极，并且其一个电极可以是源电极。此外，第二开关元件tr2的其它电极可以是漏电极。

第二开关元件tr2根据从扫描线sl提供的扫描信号s导通，并且可以将从数据线dl提供的数据信号d施加到第二子像素电极pe2。

第三开关元件tr3的控制电极可以连接到扫描线sl，其一个电极可以连接到第一节点n1。此外，第三开关元件tr3的其它电极可以连接到第二子像素电极pe2。第三开关元件tr3的控制电极可以是栅电极，第三开关元件tr3的一个电极可以是源电极。此外，第三开关元件tr3的其它电极可以是漏电极。第三开关元件tr3可以通过第一节点n1连接到随后将描述的第二存储线rl2。

第三开关元件tr3根据从扫描线sl提供的扫描信号s导通，并且可以将从第二存储线rl2提供的存储信号r施加到第二子像素电极pe2。

第二子像素部分spx2还可以包括形成在第二子像素电极pe2与公共电极ce之间的第二液晶电容器clc2。同时，因为存储信号r被施加到第二子像素电极pe2，所以对应于被施加到第二子像素电极pe2的数据信号d的电压的一些被划分。因此，被充到第二液晶电容器clc2的电压的电平低于被充到第一液晶电容器clc1的电压的电平。

因而，因为被充到第一液晶电容器clc1的电压的电平不同于被充到第二液晶电容器clc2的电压的电平，所以第一子像素部分spx1和第二子像素部分spx2的每个的液晶分子的倾斜角彼此不同。因而，第一子像素部分spx1的亮度可以不同于第二子像素部分spx2的亮度。也就是，被充到第一液晶电容器clc1的电压和被充到第二液晶电容器clc2的电压可以被适当地调整使得从侧表面看到的图像最大限度地接近从前面看到的图像。因此，有可能提高根据本发明构思的一实施方式的显示装置的侧面可视性。

第一存储线rl1和第二存储线rl2可以在第一方向d1上延伸。在一实施方式中，dc形式的存储信号r可以被提供到第一存储线rl1和第二存储线rl2。存储信号r的电压电平没有被特别限制，只要被充到第二液晶电容器clc2的电压电平可以低于被充到第一液晶电容器clc1的电压电平。作为另一示例，第一存储线rl1和第二存储线rl2的每条也可以接收具有彼此不同的电平的存储信号r。

第一存储线rl1可以至少部分地交叠第一子像素电极pe1(见图19)。此外，第二存储线rl2可以至少部分地交叠第二子像素电极pe2。

因而，第一子像素部分spx1还可以包括通过第一子像素电极pe1和第一存储线rl1的交叠而形成的第一存储电容器cst1。也就是，第一存储电容器cst1的一个电极可以连接到第一子像素电极pe1，第一存储电容器cst1的另一电极可以连接到第一存储线rl1。

第二子像素部分spx2还可以包括通过第二子像素电极pe2和第二存储线rl2的交叠而形成的第二存储电容器cst2。也就是，第二存储电容器cst2的一个电极连接到第二子像素电极pe2，第二存储电容器cst2的另一电极可以连接到第二存储线rl2。此外，第二存储线rl2可以通过第一节点n1连接到第三开关元件tr3的所述一个电极。

图19是示意性地示出具有根据本发明构思的一实施方式的接触结构的显示装置的布局图。图20是沿图19中的线i5-i5'截取的剖视图。图21是示出图19的区域a的放大平面图。图22是沿图21中的线i6-i6'截取的剖视图。同时，将基于图19中示出的第一开关器件描述截面构造。

下显示面板100可以通过密封而接合到上显示面板200。下显示面板100可以设置为面对上显示面板200，具有多个液晶分子301的液晶层300可以插置在下显示面板100和上显示面板200之间。

首先，将描述下显示面板100。

扫描线sl、第一至第三栅电极ge1至ge3、第一存储线rl1和第二存储线rl2可以设置在下基板110上。

扫描线sl可以设置为在第一方向d1上延伸。第一至第三栅电极ge1至ge3可以连接到扫描线sl。

扫描线sl和第一至第三栅电极ge1至ge3可以由包括导电金属的单膜、包括至少两种元素的双膜或包括三种元素的三膜形成，诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)。

第一存储线rl1和第二存储线rl2可以在下基板110上设置在与扫描线sl相同的层上。在一实施方式中，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以由与扫描线sl和第一至第三栅电极ge1至ge3相同的材料形成。此外，在一实施方式中，第一存储线rl1和第二存储线rl2可以通过与扫描线sl和第一至第三栅电极ge1至ge3相同的掩模工艺同时形成。

第一存储线rl1可以设置在扫描线sl的上侧，如在图19中公开的。也就是，第一存储线rl1可以设置为至少部分地交叠随后将描述的第一子像素电极pe1。在一实施方式中，第一存储线rl1可以是围绕第一子像素电极pe1的矩形环的形式。然而，第一存储线rl1的形状和尺寸不限于在图19中示出的形状和尺寸。

第二存储线rl2可以设置在扫描线sl的下侧，如在图19中公开的。第二存储线rl2可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl2a和在第二方向d2上延伸的竖直部分rl2b。第二存储线rl2的水平部分rl2a可以连接到位于与像素部分px相邻的其它像素部分的区域中的存储线。第二存储线rl2的竖直部分rl2b可以设置为至少部分地交叠第二子像素电极pe2。

在一实施方式中，第二存储线rl2的竖直部分rl2b可以设置为交叉第二子像素电极pe2的中心。

栅绝缘膜120可以设置在扫描线sl、第一至第三栅电极ge1至ge3、第一存储线rl1和第二存储线rl2上。在一实施方式中，栅绝缘膜120可以由硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)形成。栅绝缘膜120还可以具有包括有不同物理特性的至少两个绝缘层的多膜结构。

半导体层130可以设置在栅绝缘膜120上。半导体层130可以包括形成第一至第三开关元件tr1至tr3的沟道区的第一至第三半导体图案130a、130b和130c。

半导体层130可以包括氧化物半导体。也就是，半导体层130可以由从由in-ga-zn-氧化物(igzo)、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o3、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3和ti3o5组成的组选择的一种形成。在另一实施方式中，半导体层130也可以由非晶硅、多晶硅等等形成。

欧姆接触层140可以设置在半导体层130的顶部上。欧姆接触层140可以由诸如用诸如磷的n型杂质以高浓度掺杂的n+氢化非晶硅的材料制成或可以由硅化物制成。同时，当半导体层130由氧化物半导体制成时，欧姆接触层140可以被省略。在本说明书中，将描述其中欧姆接触层140位于半导体层130的顶部上的示例。

数据线dl、第一至第三源电极se1至se3和第一至第三漏电极de1至de3可以设置在栅绝缘膜120和欧姆接触层140上。数据线dl、第一至第三源电极se1至se3和第一至第三漏电极de1至de3可以由单膜、包括至少两种元素的双膜或包括三种元素的三膜形成，诸如铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、钼-钨(mow)、钼-钛(moti)和铜/钼-钛(cu/moti)。然而，本发明构思不限于此，它们可以由各种各样的金属或导体制成。

数据线dl、第一至第三源电极se1至se3和第一至第三漏电极de1至de3可以通过相同的掩模工艺与半导体层130和欧姆接触层140同时形成。在这种情形下，除了半导体层130的形成第一至第三开关元件tr1至tr3的沟道区的第一至第三半导体图案130a、130b和130c之外，数据导体dw可具有与半导体层130基本上相同的形状。

第一源电极se1、第一漏电极de1、第一半导体图案130a和第一栅电极ge1形成第一开关元件tr1。第一开关元件tr1的第一源电极se1可以连接到数据线dl。第一开关元件tr1的第一漏电极de1可以通过第一接触孔cnt1连接到第一子像素电极pe1。第一开关元件tr1的第一源电极se1在与第一开关元件tr1的第一漏电极de1相同的层上设置为与第一漏电极de1间隔开预定距离。根据通过第一栅电极ge1提供的扫描信号s，第一开关元件tr1的沟道区可以形成在第一源电极se1与第一漏电极de1之间。

第二源电极se2、第二漏电极de2、第二半导体图案130b和第二栅电极ge2形成第二开关元件tr2。第二开关元件tr2的第二源电极se2可以连接到数据线dl。第二开关元件tr2的第二漏电极de2可以通过第二接触孔cnt2连接到第二子像素电极pe2。第二开关元件tr2的第二源电极se2在与第二开关元件tr2的第二漏电极de2相同的层上设置为与第二漏电极de2间隔开预定距离。根据通过第二栅电极ge2提供的扫描信号s，第二开关元件tr2的沟道区可以形成在第二源电极se2和第二漏电极de2之间。

第三源电极se3、第三漏电极de3、第三半导体图案130c和第三栅电极ge3形成第三开关元件tr3。第三开关元件tr3的第三源电极se3可以连接到第二存储线rl2。

第三开关元件tr3将被更具体地描述。第三开关元件tr3的第三源电极se3可以通过第三接触孔cnt3与第二存储线rl2连接。

第三开关元件tr3的第三漏电极de3可以连接到第二子像素电极pe2。也就是，通过将从第二存储线rl2提供的存储信号r提供到第二子像素电极pe2，第三开关元件tr3可以划分被充到第二液晶电容器clc2的电压。

第一钝化膜150可以设置在数据线dl、第一至第三源电极se1至se3、第一至第三漏电极de1至de3以及栅绝缘膜120上。第一钝化膜150可以由诸如硅氮化物或硅氧化物的无机绝缘材料形成。第一钝化膜150可以防止随后将描述的有机绝缘膜170的颜料流入半导体层130的暴露部分中。

滤色器160可以设置在第一钝化膜150上。滤色器160可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三原色的原色之一，但是不限于此。滤色器160可以由对于每个相邻的像素显示不同颜色的材料形成。同时，在另一实施方式中，滤色器160也可以设置在上显示面板200上。

有机绝缘膜170可以设置在滤色器160和第一钝化膜150上。有机绝缘膜170可以包括具有优良的平坦化特性和光敏性的有机材料。同时，有机绝缘膜170防止滤色器160的顶部分离，并且抑制由于诸如从滤色器160流动的溶剂的有机材料引起的液晶层300的污染，从而使得有可能防止在驱动屏幕时可能引起的诸如残留图像的缺陷。

同时，有机绝缘膜170不一定需要被包括，并且也可以被省略。

第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2可以设置在有机绝缘膜170上。第一子像素电极pe1可以连接到第一开关元件tr1的通过第一接触孔cnt1暴露的第一漏电极de1。第二子像素电极pe2可以连接到第二开关元件tr2的通过第二接触孔cnt2暴露的第二漏电极de2。第一和第二子像素电极pe1和pe2也可以由诸如ito或izo的透明导电材料或者诸如例如铝、银、铬或其合金的反射金属形成。

第一子像素电极pe1可以包括多个第一狭缝slt1。所述多个第一狭缝slt1在第一子像素电极pe1和随后将描述的公共电极ce之间形成边缘场，使得所述多个液晶分子301能够在特定方向上旋转。

此外，第二子像素电极pe2可以包括多个第二狭缝slt2。所述多个第二狭缝slt2在第二子像素电极pe2和随后将描述的公共电极ce之间形成边缘场，使得所述多个液晶分子301能够在特定方向上旋转。

同时，虽然在图中没有示出，但是还可以包括设置在与第一和第二子像素电极pe1和pe2相同的层上的屏蔽电极。在一实施方式中，屏蔽电极也可以设置为交叠数据线dl。因而，屏蔽电极可以防止由于数据线与邻近该数据线的子像素电极之间的接合引起的光泄漏现象。

虽然在图中没有示出，但是第一配向膜可以设置在第一子像素电极pe1和第二子像素电极pe2上。第一配向膜可以由聚酰亚胺等等形成。

接着，将描述上显示面板200。

上基板210可以设置为面对下基板110。在一实施方式中，上基板210可以由透明玻璃或塑料形成，并且可以由与下基板110相同的材料形成。

用于阻挡光向除了像素区域以外的区域的透射的黑矩阵bm可以设置在上基板210上。在一实施方式中，黑矩阵bm可以由包括有机材料或铬的金属性材料形成。

外涂层220可以设置在上基板210和黑矩阵bm上。外涂层220可以由绝缘材料形成并且在一些情形下可以被省略。

公共电极ce可以设置在外涂层220上。公共电极ce可以设置为至少部分地交叠第一和第二子像素电极pe1和pe2。公共电极ce可以与第一和第二子像素电极pe1和pe2的每个形成电场。所述多个液晶分子301可以取决于所产生的电场而排列。

然而，如上所述，因为被充到第二液晶电容器clc2的电压的电平低于被充到第一液晶电容器clc1的电压的电平，所以位于第二子像素电极pe2和公共电极ce之间的多个液晶分子的排列状态变得不同于位于第一子像素电极pe1和公共电极ce之间的多个液晶分子的排列状态。

虽然在图中没有示出，但是第二配向膜可以形成在公共电极ce上。第二配向膜可以由聚酰亚胺等等形成。

图21是示出图19的区域a的放大平面图。图22是沿图21中的线i6-i6'截取的剖视图。然而，将不提供在图18至20中描述的内容的重复描述。

参考图21和22，第二存储线rl2可以包括第一区域rl2a、第二区域rl2b和第三区域rl2c。第三区域rl2c可以位于第一区域rl2a和第二区域rl2b之间。

第一区域rl2a可以被定义为设置在第三区域rl2c的一侧同时不交叠随后将描述的第三源电极se3的区域。此外，第二区域rl2b可以被定义为设置在第三区域rl2c的另一侧同时不交叠随后将描述的第三源电极se3的区域。第三区域rl2c可以被定义为位于第一区域rl2a和第二区域rl2b之间同时交叠随后将描述的第三源电极se3(更具体而言，第三源电极se3的第四区域se3a)的区域。

第一区域rl2a的宽度l1、第二区域rl2b的宽度l2和第三区域rl2c的宽度l3可以彼此相同并且可以彼此不同。然而，第一区域rl2a的宽度l1、第二区域rl2b的宽度l2、第三区域rl2c的宽度l3的每个不是零。

栅绝缘膜120可以设置在第二存储线rl2上。同时，栅绝缘膜120可以包括底切部分120b。底切部分120b随后将被描述。

栅绝缘膜120可以包括暴露第二存储线rl2的第一区域rl2a和第二区域rl2b的第一开口op1a。同时，第一开口op1a不暴露第二存储线rl2的第三区域rl2c。因此，栅绝缘膜120设置在第二存储线rl2的第三区域rl2c上。

第三源电极se3可以设置在栅绝缘膜120上。也就是，第三源电极se3可以设置在与数据线dl相同的层上。第三源电极se3至少部分地交叠第二存储线rl2。更具体而言，第三源电极se3可以包括交叠第二存储线rl2的第三区域rl2c的第四区域se3a。在一实施方式中，第二存储线rl2的第三区域rl2c可以完全交叠第三源电极se3的第四区域se3a。

同时，第一区域rl2a和第二区域rl2b的形状和尺寸不限于图21中示出的形状和尺寸，只要第一区域rl2a和第二区域rl2b通过第一开口op1a暴露。此外，第三区域rl2c交叠第三源电极se3，并且第三区域rl2c的形状和尺寸不限于图21中示出的形状和尺寸，只要第三区域rl2c没有通过第一开口op1a暴露。

同时，第四区域se3a的形状和尺寸不限于图21中示出的形状和尺寸，除非第二存储线rl2的第一区域rl2a的宽度l1和第二区域rl2b的宽度l2的每个是零。

第一钝化膜150可以设置在第三源电极se3上。第一钝化膜150可以包括暴露第二存储线rl2的第一区域rl2a和第二区域rl2b以及第三源电极se3的第四区域se3a的第二开口op1b。第二开口op1b可以至少部分地交叠第一开口op1a。

有机绝缘膜170可以设置在第一钝化膜150上。有机绝缘膜170可以包括暴露第二存储线rl2的第一区域rl2a和第二区域rl2b以及第三源电极se3的第四区域se3a的第三开口op2。

第三接触孔cnt3由第一开口op1a、第二开口op1b和第三开口op2形成，并且必然暴露第二存储线rl2的第一区域rl2a和第二区域rl2b以及第三源电极se3的第四区域se3a。

连接电极be可以设置在有机绝缘膜170上。因此，连接电极be可以设置在与第一和第二子像素电极pe1和pe2相同的层上。在一实施方式中，连接电极be可以由诸如ito或izo的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或其合金的反射金属形成。

连接电极be可以形成为覆盖第三接触孔cnt3。因而，连接电极be的部分bea可以与第二存储线rl2的通过第三接触孔cnt3暴露的第一区域rl2a直接接触。此外，连接电极be的另一部分beb可以与第二存储线rl2的通过第三接触孔cnt3暴露的第二区域rl2b直接接触。此外，连接电极be的再一部分bec可以与通过第三接触孔cnt3暴露的第三源电极se3(更具体而言，第四区域se3a)直接接触。

然而，在第三接触孔cnt3内，连接电极be的部分bea和另一部分beb不与连接电极be的再一部分bec接触。也就是，因为图22的栅绝缘膜120包括底切部分120b，所以连接电极be的一些部分bea和beb与连接电极be的再一部分bec彼此不直接接触。

更具体地，因为连接电极be的部分bea和另一部分beb与连接电极be的再一部分bec不直接接触，所以第二存储线rl2的第一区域rl2a和第二区域rl2b不连接到第三源电极se3的在第三接触孔cnt3内的第四区域se3a。

相反，连接电极be的部分bea可以与第二存储线rl2的通过第三接触孔cnt3暴露的第一区域rl2a直接接触。此外，连接电极be的另一部分beb还与第二存储线rl2的通过第三接触孔cnt3暴露的第二区域rl2b直接接触。

此外，连接电极be的再一部分bec与第三源电极se3的通过第三接触孔cnt3暴露的部分直接接触。

因此，虽然第二存储线rl2没有在第三接触孔cnt3内连接到第三源电极se3，但是因为第二存储线rl2和第三源电极se3的每条的一些部分连接到连接电极be，所以第二存储线rl2和第三源电极se3必然彼此电连接。

将给出其中预定电压被施加到第二存储线rl2的情形的描述作为一示例。当预定电压被施加到第二存储线rl2时，被施加到第二存储线rl2的电压被传输到连接电极be的与第二存储线rl2的第一区域rl2a和第二区域rl2b直接接触的部分bea和另一部分beb。此后，预定的传输电压通过连接电极be的再一部分bec被传输到第三源电极se3，连接电极be的再一部分bec与第三源电极se3的通过第三接触孔cnt3暴露的部分直接接触。施加到第二存储线rl2的电压因此被传输到第三源电极se3。

同时，在形成第一开口op1a和第二开口op1b的时候，即使发生由于未对准引起的覆盖物移位，因为第一区域rl2a和第二区域rl2b的宽度不是零，也能够确保栅绝缘膜120的足够的蚀刻空间。此外，即使为了确保高分辨率的和高开口率而减小第三接触孔cnt3的尺寸时，因为可以确保栅绝缘膜120的足够的蚀刻空间，所以第二存储线rl2和第三源电极se3可以彼此电连接。

同时，虽然图21和22仅描述了第二存储线rl2和第三源电极se3的连接关系，但是本发明构思不限于此。也就是，只要在显示装置中使用了接触结构，就可以应用根据本发明构思的一实施方式的接触结构。

虽然已经参考本发明构思的示例性实施方式具体示出并描述了本发明构思，但是本领域的普通技术人员将理解，可以在形式和细节中进行各种改变而不脱离由权利要求所限定的本发明构思的精神和范围。示例性实施方式应该仅以说明性含义被理解，而不是用于限制目的。

本申请要求享有在2016年4月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0043257号的优先权，其公开通过引用被整体合并于此。