本发明涉及剥离液回收技术领域，具体涉及一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法。
背景技术
近几年国内电子制造产业发展迅速，剥离液等电子化学品的使用量也大为增加。通常在液晶显示面板、半导体集成电路等工艺制造过程中，需要用剥离液将涂覆在微电路保护区域上作为掩膜的光刻胶除去。通常使用的剥离液主要包括有机胺和极性有机溶剂的混合物，并含有以少量水为代表的轻组分。
在剥离液应用过程中产生大量剥离液废液，该废液中除了含有少量高分子树脂和水之外，大部分是具有利用价值的有机组分。通常清洗光刻胶需要大量的溶剂，而且这些溶剂价格昂贵，从资源化的观点出发，循环再生这些溶剂不仅可以减少对环境的危害，还能减低企业的生产成本。
剥离液的回收工艺主要包去除水分段、光刻胶去除段和精制回收段，即剥离液废液依次经过水分去除、光刻胶去除和精制会收获得剥离液。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法，不仅能够实现去除物料中光刻胶的目的，且能够有效防止薄膜蒸发器内出现闪蒸。
本发明通过下述技术方案实现：
一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法，包括以下步骤：
1)、进料：除去水分后的物料由进料管进入到薄膜蒸发器内，所述进料管上设置有换热器，所述换热器将物料的温度降至操作压力下的泡点以下；
2)、物料分离：物料进入薄膜蒸发器后，有效成分被蒸发实现与光刻胶的分离，被蒸发的气态物料由排料管导出进入下一级工序；
3)、光刻胶导出：光刻胶进入到薄膜蒸发器下端的残渣中间罐进行缓冲过渡，然后导出。
本发明所述薄膜蒸发器、换热器均为现有技术，所述残渣中间罐具体是指一种罐体，用于过渡未被蒸发的光刻胶。
本发明所述的物料中含有20％的光刻胶，80％的有效成分。
本发明的工作过程：物料经脱水精馏塔脱水后，然后经过换热器换热后进入薄膜蒸发器内，光阻剂(光刻胶)和有效成分在薄膜蒸发器内被分离，效成分被汽化成气态，由于光阻剂属于高分子聚合物沸点很高，所以无法被蒸发，无法被蒸发的液体在薄膜蒸发器内由于重力的作用进入到残渣中间罐进行缓冲过渡，然后导出，被蒸发的气态物料进入下一级工序。
因为薄膜蒸发器中的操作压力低于脱水精馏塔的操作压力，经脱水精馏塔脱水中的物料如果直接进入薄膜蒸发器中会产生严重的闪蒸现象，闪蒸现象会导致严重的雾沫夹带，即很多含有光阻剂的雾沫会进入到下一级工序(精制塔)。
本发明通过将物料导入薄膜蒸发器，在薄膜蒸发器内实现光阻剂(光刻胶)和有效成分的分离。
同时，本发明通过设置换热器，脱水后的物料在换热器内将温度降低至操作压力下的泡点以下，这样物料为过冷物料，过冷物料进入薄膜蒸发器可以有效防止闪蒸。
进一步地，残渣中间罐的底部设置有出料管，所述出料管的末端连接有收集体，所述出料管上设置有残渣出料泵。
进一步地，残渣中间罐设置有夹层结构，在夹层结构内设置有加热机构。
所述加热机构的设置能够确保残渣中间罐内部恒定温度，避免残渣在残渣中间罐内冷却凝固不易导出。
进一步地，薄膜蒸发器内壁的表面粗糙度小于等于0.8。
薄膜蒸发器内壁的表面越粗糙，其附着力越强，导致废渣易附着在薄膜蒸发器内壁发生结焦，严重的结焦会影响薄膜蒸发器的传热效果。减小薄膜蒸发器内壁附着力的最主要办法就是提高薄膜蒸发器内壁的光洁度，申请人通过长期的实验发现：将薄膜蒸发器内壁的表面粗糙度小于等于0.8，能够避免薄膜蒸发器内壁附着废渣。表面粗糙度越小，光洁度越高。
进一步地，薄膜蒸发器采用带有底轴承的结构。
进一步地，薄膜蒸发器内的刮膜器采用刮块式刮膜器。
申请人通过长期的实验发现：用带有底轴承的薄膜蒸发器，设置刮块式刮膜器也能够在一定程度上降低光阻剂在薄膜蒸发器的内壁结垢。
进一步地，薄膜蒸发器的工作压力为6kpa，温度为100℃。
在工作压力一定的前提下，温度的设置为物料的泡点，而物料的泡点与物料中光刻胶的含量关，通常光刻胶的含量越多，温度也越高。本发明的温度和压力设置上针对含有20％的光刻胶，80％的有效成分的物料。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
1、本发明通过将物料导入薄膜蒸发器，在薄膜蒸发器内实现光阻剂(光刻胶)和有效成分的分离。同时，本发明通过设置换热器，脱水后的物料在换热器内将温度降低至操作压力下的泡点以下，这样物料为过冷物料，过冷物料进入薄膜蒸发器可以有效防止闪蒸。
2、本发明通过将薄膜蒸发器内壁的表面粗糙度设置为小于等于0.8，用带有底轴承的薄膜蒸发器，设置刮块式刮膜器，能够有效避免废渣在薄膜蒸发器内壁结垢。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明的结构示意图。
1-进料管，2-换热器，3-排料管，4-薄膜蒸发器，5-残渣中间罐，6-残渣出料泵，7-收集体。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1：
如图1所示，一种剥离液再生工艺段的光刻胶去除方法，包括以下步骤：
1)、进料：除去水分后的物料由进料管1进入到薄膜蒸发器4内，所述进料管1上设置有换热器2，所述换热器2将物料的温度降至操作压力下的泡点以下；
2)、物料分离：物料进入薄膜蒸发器4后，有效成分被蒸发实现与光刻胶的分离，被蒸发的气态物料由排料管3导出进入下一级工序，所述薄膜蒸发器4的工作压力为6kpa，温度为100℃；
3)、光刻胶导出：光刻胶进入到薄膜蒸发器4下端的残渣中间罐5进行缓冲过渡，然后导出，所述残渣中间罐5的底部设置有出料管，所述出料管的末端连接有收集体7，所述出料管上设置有残渣出料泵6。
在本实施例中，本发明通过将物料导入薄膜蒸发器4，在薄膜蒸发器4内实现光阻剂(光刻胶)和有效成分的分离。同时，本发明通过设置换热器2，脱水后的物料在换热器2内将温度降低至操作压力下的泡点以下，这样物料为过冷物料，过冷物料进入薄膜蒸发器4可以有效防止闪蒸。
实施例2：
如图1所示，本实施例基于实施例1，所述残渣中间罐5设置有夹层结构，在夹层结构内设置有加热机构。
实施例3：
如图1所示，本实施例基于实施例1，所述薄膜蒸发器4内壁的表面粗糙度等于0.8；所述薄膜蒸发器4采用带有底轴承的结构；所述薄膜蒸发器4内的刮膜器采用刮块式刮膜器。
在本实施例中，本发明通过将薄膜蒸发器4内壁的表面粗糙度设置为小于等于0.8，用带有底轴承的薄膜蒸发器4，设置刮块式刮膜器，能够有效避免废渣在薄膜蒸发器4内壁结垢。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。