一种显示基板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术：

存储电容是公共电极与像素电极之间形成的平板电容结构，常规的存储电容是由作为栅极的金属材料的公共电极与透明材料的像素电极形成存储电容，若需要增加存储电容，则需要增大公共电极的金属材料，则会导致像素开口率的下降，由于存储电容过小，会带来一些列的显示缺陷问题，比如残影、串扰、闪烁等一系列显示缺陷问题。现有的显示基板无法平衡像素开口率和存储电容。

有鉴于此，急需对现有的显示基板进行改进，在尽量少减少像素开口率的条件下增加存储电容。

技术实现要素：

本实用新型公开一种显示基板及显示装置，用于解决现有技术中，显示基板增大存储电容像素开口率会减少的问题。

为了解决上述问题，本实用新型采用下述技术方案：

提供一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上具有存储电容；

所述存储电容包括：

金属层公共电极；

透明电极层，至少部分覆盖所述金属层公共电极；

绝缘层，覆盖所述透明电极层；

像素电极，至少部分覆盖所述绝缘层。

在上述方案中，所述透明电极层上设有至少一个掏槽。

在上述方案中，所述衬底基板由玻璃制成。

在上述方案中，所述透明电极层为ito材料。

在上述方案中，所述绝缘层由氮化硅制成。

在上述方案中，所述衬底基板上还覆盖非电容区，所述非电容区与所述存储电容相邻。

在上述方案中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层。

本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述方案中任一项所述的显示基板。

本实用新型采用的技术方案能够达到以下有益效果：

在金属层公共电极上搭接透明电极层，增大了覆盖在衬底基板的电极的面积，增大了电容的存储量，由于增加的是透明电极层，因此在显示区域也可以有金属层公共电极，并且不会影响透过率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中显示基板的整体结构示意图；

图2为本实用新型实施例公开的显示基板的整体结构示意图。

具体包括下述附图标记：

现有技术中的金属层公共电极-10’；现有技术中的像素电极-20’；衬底基板-10；金属层公共电极-20；透明电极层-30；像素电极-40；第一绝缘层-50；源漏极层-60；有源层-70；第二绝缘层-51。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

现有技术：如图1所示，常规的存储电容设计是由金属层公共电极10’和像素电极20’形成的平板电容，作为常规的扭曲向列型面板液晶显示器，存储电容设计基本上能够满足，但对于一些对漏电流，高刷新频率等要求比较高的特殊显示模式结构，对于存储电容的大小要求比较高。因此常规的存储电容设计就满足不了需求，增大存储电容，需增大金属层公共电极10’，像素开口率直线下降，影响屏幕透过率。

实施例1

如图2所示，本实用新型提供的显示基板，包括衬底基板10，衬底基板10上具有存储电容。

存储电容包括：金属层公共电极20；透明电极层30，至少部分覆盖金属层公共电极20；绝缘层，覆盖透明电极层30；像素电极40，至少部分覆盖绝缘层。将透明电极层30与金属层公共电极20搭接，增大了覆盖在衬底基板10的电极的面积，增大了电容的存储量，由于增加的是透明电极层30，因此在显示区域也可以有金属层公共电极20，并且不会影响透过率。

透明电极层30上设有至少一个掏槽，进一步避免了透明电极层30对透过率的影响。

本实施例优选的，衬底基板10由玻璃制成。

本实施例优选的，透明电极层30由ito材料制成。

本实施例优选的，绝缘层由氮化硅制成，在本实施例中，绝缘层包括第一绝缘层50和第二绝缘层51。

衬底基板10上还覆盖非电容区，非电容区与存储电容相邻，非电容区包括：金属层公共电极20至少部分覆盖衬底基板10；第一绝缘层50，覆盖金属层公共电极20；有源层70，至少部分覆盖第一绝缘层50；源漏极层60，至少部分覆盖有源层70；第二绝缘层51，覆盖有源层70。

实施例2

本实用新型还提供了一种显示装置，包括实施例1的显示基板。

本实用新型在金属层公共电极上搭接透明电极层，增大了覆盖在衬底基板的电极的面积，增大了电容的存储量，由于增加的是透明电极层，因此在显示区域也可以有金属层公共电极，并且不会影响透过率。

上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本实用新型的保护之内。

技术特征：

1.一种显示基板，包括衬底基板，所述衬底基板上具有存储电容，其特征在于，

所述存储电容包括：

金属层公共电极；

透明电极层，至少部分覆盖所述金属层公共电极；

绝缘层，覆盖所述透明电极层；

像素电极，至少部分覆盖所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透明电极层上设有至少一个掏槽。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板由玻璃制成。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述透明电极层为ito材料。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层由氮化硅制成。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板上还覆盖非电容区，所述非电容区与所述存储电容相邻。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的显示基板。

技术总结
本实用新型公开了一种显示基板及显示装置，其中显示基板包括，包括衬底基板，还包括，存储电容，至少部分覆盖衬底基板；存储电容包括：金属层公共电极，至少部分覆盖衬底基板；透明电极层，至少部分覆盖金属层公共电极；绝缘层，覆盖透明电极层；像素电极，至少部分覆盖绝缘层。本实用新型在金属层公共电极上搭接透明电极层，增大了覆盖在衬底基板的电极的面积，增大了电容的存储量，由于增加的是透明电极层，因此在显示区域也可以有金属层公共电极，并且不会影响透过率。

技术研发人员：林建伟;杨鹏;李林;庄崇营
受保护的技术使用者：信利半导体有限公司
技术研发日：2020.09.15
技术公布日：2021.03.23