i XE11euv+NXE11duv。换句话说，衬底600中的每个区接收基本相同的EUV曝光剂量ΓιXEueuv,以及不同的OOB耀光剂量NXE11QQB。
[0061]参照图5，方法500通过为衬底600的每个区获得临界尺寸(⑶)数据进行至步骤508。在实施第一和第二曝光工艺之后，对衬底600的光刻胶层实施显影工艺。在显影工艺期间，对光刻胶层施用显影溶液。在实例中，显影溶液是碱溶液，诸如四甲基氢氧化铵(TMAH)。取决于抗蚀剂材料，显影溶液去除光刻胶层的曝光或者未曝光部分。例如，光刻胶层包括正性抗蚀剂材料，因此显影工艺去除(溶解)光刻胶层的曝光部分并且保留衬底600上方的光刻胶层的未曝光部分。可选地，在光刻胶层包括负性抗蚀剂材料的情况下，显影工艺去除(溶解)光刻胶层的未曝光部分并且保留衬底600上方的光刻胶层的曝光部分。冲洗工艺，诸如去离子(DI)水冲洗。冲洗工艺可以去除残余颗粒。
[0062]实施⑶测量以获得第一区601的OT1，第二区602的OT2,第三区603的^3，.......，
第N区60N的CDn。可以通过任何合适的方法研宄每个CDn和相应的总曝光剂量E τ之间的关系以评价EUV扫描器产生的对EUV掩模400 (具有其掩模结构和图案密度)的DUV耀光影响。作为实例，利用总曝光剂量Et作为其X轴并且⑶作为其Y轴形成⑶对总曝光剂量图表。也可以从图表获得⑶对总曝光剂量Et的趋势线。如图7所示，由于衬底600中的每个区接收的EUV剂量基本上相同并且总曝光剂量Et主要地代表DUV耀光的变化，因此Y轴截距和CD1之间的差值与DUV水平成正比。这可以利用存储器中储存的软件在计算机上实施并且通过处理器执行。
[0063]可以在方法500之前、当中和之后提供其他步骤，并且对于方法500的其他实施例可以替换、删除或者移动描述的一些步骤。
[0064]基于以上，本发明提供EUV光刻工艺以评价通过EUV扫描器曝光的EUV掩模上的DUV耀光影响。该工艺使用具有相同的吸收层图案但是不同的EUV反射率的掩模对。该掩模对具有低EUV反射率掩模和EUV掩模。低EUV反射率掩模具有高EUV反射率区(即掩模的边缘)。该工艺还对利用掩模对的多个曝光工艺使用两个曝光剂量矩阵以显示EUV扫描器对EUV掩模的DUV耀光影响。
[0065]本发明针对掩模。在一个实施例中，低远紫外反射(LEUVR)掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于第一区中的LTEM层上方的低远紫外反射(LEUVR)多层，位于第二区中的LTEM层的上方的高远紫外反射(HEUVR)多层以及位于LEUVR多层和HEUVR多层上方的图案化的吸收层。
[0066]本发明还涉及光刻系统和工艺。在一个实施例中，远紫外光刻(EUVL)工艺包括接收具有相同图案的掩模对。该掩模对包括具有第一 EUV反射率的第一远紫外(EUV)掩模和具有第二 EUV反射率r2的低EUV反射率掩模。该工艺还包括接收涂覆有光刻胶层的衬底，接收装备有EUV辐射的EUV扫描器。该工艺还包括对衬底实施第一曝光工艺，通过利用EUV扫描器和EUV掩模。根据第一曝光剂量矩阵执行第一曝光工艺。该工艺还包括对衬底实施第二曝光工艺，通过利用EUV扫描器和低EUV反射率掩模。根据第二曝光剂量矩阵执行第二曝光工艺。
[0067]在另一实施例中，掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于LTEM层上方的第一远紫外反射率(EUVR)多层。该第一 EUVR多层具有大于30%的EUV反射率。该掩模还包括位于第一 EUVR的一部分的上方的第二远紫外反射率(EUVR)多层以形成第三EUVR多层。因此第三EUVR多层具有作为其底部的第一 EUVR和作为其上部的第二 EUVR。第三EUVR多层具有小于2%的EUV反射率。该掩模还包括位于第一 EUVR多层和第二 EUVR多层上方的图案化的吸收层。
[0068]上面论述了若干实施例的特征，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与这里所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的处理和结构。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。
【主权项】
1.一种低远紫外反射(LEUVR)掩模包括: 低热膨胀材料(LTEM)层； 低远紫外反射(LEUVR)多层，位于所述LTEM层的第一区上方； 高远紫外反射(HEUVR)多层，位于所述LTEM的第二区的上方；以及 图案化的吸收层，位于所述LEUVR多层和所述HEUVR多层的上方。
2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述LEUVR多层具有小于2%的EUV反射率。
3.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述HEUVR多层具有大于30%的EUV反射率。
4.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述LEUVR多层包括四十个膜对，每个膜对包括第一膜和第二膜，所述第一膜包括约1.5nm的钼(Mo)以及所述第二膜包括约2nm的硅(Si)。
5.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述LEUVR多层包括四十个膜对，每个膜对包括第一膜和第二膜，所述第一膜包括约4.5nm的钼(Mo)以及所述第二膜包括约6nm的硅(Si)。
6.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述LEUVR多层包括约280nm厚度的钼硅(MoSi)层O
7.根据权利要求1所述的掩模，还包括: 覆盖层，位于所述LEUVR多层和所述HEUVR多层的上方。
8.根据权利要求7所述的掩模，其中，所述覆盖层包括约2.5nm厚度的钌(Ru)。
9.一种远紫外光刻(EUVL)工艺包括: 接收具有至少一个共有图案的掩模对，所述掩模对包括: 远紫外(EUV)掩模，具有第一 EUV反射率r1;以及 低EUV反射率掩模，具有第二 EUV反射率r2; 接收涂覆有光刻胶层的衬底； 接收装备有EUV辐射的EUV扫描器； 通过利用所述EUV扫描器和所述EUV掩模对衬底实施第一曝光工艺，其中，根据第一曝光剂量矩阵执行所述第一曝光工艺；以及 通过利用所述EUV扫描器和所述低EUV反射率掩模对衬底实施第二曝光工艺，其中，根据第二曝光剂量矩阵执行所述第二曝光工艺。
10.一种低远紫外反射(LEUVR)掩模包括: 低热膨胀材料(LTEM)层；第一远紫外反射率(EUVR)多层，位于所述LTEM层上方，具有大于30%的EUV反射率；第二远紫外反射率(EUVR)多层，位于所述第一 EUVR的一部分上方以形成第三EUVR多层，所述第三EUVR多层具有作为所述第三EUVR多层底部的所述第一 EUVR和作为所述第三EUVR多层上部的所述第二 EUVR，其中，所述第三EUVR多层具有小于2%的EUV反射率；以及 图案化的吸收层，位于所述第一 EUVR多层和所述第二 EUVR多层上方。
【专利摘要】一种低EUV反射率掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于第一区中的LTEM层上方的低EUV反射率(LEUVR)多层，位于第二区中的LTEM层上方的高EUV反射率(HEUVR)多层以及位于LEUVR多层和HEUVR多层上方的图案化的吸收层。本发明还涉及远紫外光刻工艺和掩模。
【IPC分类】G03F7-20, G03F1-24
【公开号】CN104656368
【申请号】CN201410677613
【发明人】卢彦丞, 游信胜, 陈政宏, 严涛南
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月21日