需要说明的是，由于一行像素单元对应一行栅线，所以，在本发明实施例提供的一 个触控电极中，该触控电极在垂直于所述阵列基板方向上的投影覆盖有η行像素单元，这η 行像素单元具有η行像素电极。
[0060] 需要说明的是，本发明实施例所述的"每个所述触控电极在垂直于所述阵列基板 方向上的投影覆盖有η行栅线"是表示一个触控电极在垂直于阵列基板方向的投影区域内， 设置有η行栅线和η行像素单元。
[0061] 另外，在阵列基板中，所有各个触控电极在阵列基板上构成触控电极阵列。一行触 控电极通常会包括多个触控电极，所以，在本发明实施例中，每个触控电极在垂直于阵列基 板方向上的投影覆盖有η行栅线和η行像素单元，应理解为覆盖每一行栅线和每一行像素 单元的一部分，而不应理解为覆盖每一行栅线和每一行像素单元的全部。
[0062] 而且，需要说明的是，触控电极阵列的行方向与栅线的走线方向平行，当一个触控 电极在垂直于阵列基板方向的投影覆盖有η行栅线和η行像素单元时，与该触控电极位于 同一行的其它触控电极在垂直于阵列基板方向上的投影也同样覆盖这η行栅线和这η行像 素单元。并且位于同一行触控电极内的子公共电极也是相同的。
[0063] 另外，由于一行栅线为一行像素单元提供栅极驱动信号，所以本发明实施例所述 的每一行栅线对应每一子公共电极是指每一行像素单元共用一个子公共电极，不同行像素 单元对应的子公共电极是相互独立的。
[0064] 如此，不同行像素单元对应的子公共电极不共用，相互独立。如此，当某一行像素 单元对应的子公共电极上的电位发生变化时，就不会影响到其它行像素单元对应的子公共 电极上的电位。因此，当采用重叠模式的栅极驱动信号驱动阵列基板中的栅线时，某一行栅 线的栅极驱动信号只会引起该行栅线对应的子公共电极上的电位发生波动，而不会影响到 其它行栅线对应的子公共电极上的电位。
[0065] 因此，不管哪一行像素单元的栅极驱动信号处于上升沿还是下降沿，其均不会影 响其它行像素单元上的公共电极上的电位。本发明提供的触控电极能够保证其内部每行像 素单元中的像素电极与公共电极之间的实际电位差与理想电位差相符，而且对于每一触控 电极在垂直于阵列基板方向的投影区域内覆盖的η行像素单元来说，其中的每一行像素单 元的像素电极与公共电极之间的电位差均是相等的。因此，本发明提供的触控电极提高了 显示的均一性。
[0066] 而且，由于每行像素单元的公共电极是独立的，所以本发明提供的触控电极也能 够使得每相邻两行触控电极对应的任意两行像素单元的像素电极与公共电极之间的电位 差相等。所以，本发明提供的触控电极减弱了显示屏上的闪烁或横纹现象，提高了显示效 果。
[0067] 以上为本发明实施例一所述的触控电极的结构。
[0068] 需要说明的是，阵列基板包括各个触控电极，当其中一个触控电极具有图5所示 的结构即能够达到减弱显示屏上的闪烁或横纹现象，提高显示效果的目的。
[0069] 需要说明的是，本发明实施例一提供的阵列基板中，至少包括一个图5所示的触 控电极。阵列基板上的其它触控电极可以与图5所示的结构相同，也可以与图5所示的结 构不同。作为本发明的优选实施例，优选阵列基板上的每个触控电极均具有图5所示的结 构。
[0070] 由至少一个图5所示的触控电极构成的阵列基板同样具有一个触控电极达到的 技术效果，因此本发明实施例一提供的阵列基板能够使得每相邻两行触控电极对应的任意 两行像素单元的像素电极与公共电极之间的电位差相等。所以，本发明提供的阵列基板减 弱了显示屏上的闪烁或横纹现象，提高了显示效果。
[0071] 以上为本发明实施例一提供的阵列基板。该阵列基板虽然能够减弱显示屏上的闪 烁或横纹现象，但是，由于设置在阵列基板上的像素单元有很多行，也就对应很多行栅线， 同时也就对应很多个子公共电极，如果每个子公共电极分别连接对应的一个单独的信号输 入端，这就会在阵列基板上设置有很多信号输入端，每个信号端可以为引线管脚，这就导致 阵列基板上的引线管脚非常之多，从而导致阵列基板上的布线复杂。
[0072] 为了在不影响显示屏的显示效果的前提下，减少阵列基板上的引线管脚的数量， 本发明还提供了实施例二。
[0073] 实施例二
[0074] 需要说明的是，实施例二所述的阵列基板是在实施例一所述的阵列基板的基础上 进行改进得到的，两者之间有诸多相似之处，为了突出实施例二与实施例一的区别，本实施 例二仅描述与实施例一的不同之处，其相似之处请参见实施例一的描述。
[0075] 在介绍本发明实施例二提供的阵列基板之前，首先介绍下输入到栅线上的栅极驱 动信号。
[0076] 首先，输入到栅线上的栅极驱动信号为脉冲信号，而且该脉冲信号的高电平在紧 邻的k行栅线上有交叠，其中，k为大于等于2的整数。该重叠模式的脉冲信号如上述所述 的图4所示。
[0077] 具体地说，设定输入到第t行栅线上的栅极驱动信号的高电平与输入到第w行栅 线上的栅极驱动信号的高电平不交叠，输入到第t-i行栅线上的栅极驱动信号的高电平与 输入到所述第w行栅线上的栅极驱动信号的高电平交叠，贝lj，k = t-w，w〈t < n，t、w均为正 整数。
[0078] 其中，临界情况是在第t-1行栅线上的栅极驱动信号的高电平处于上升沿时，第w 行栅线上的栅极驱动信号的高电平正处于下降沿。举例来说，如果k = 4,则第4行栅线上 的栅极驱动信号的高电平处于上升沿时，第1行栅线上的栅极驱动信号的高电平处于下降 沿。需要说明的是，在本发明实施例中，一行栅线上的栅极驱动信号的高电平处于上升沿对 应的时刻与另外一行栅线上的栅极驱动信号的高电平处于下降沿对应的时刻为同一时刻 时，则认为两行栅线上的栅极驱动信号的高电平存在交叠，并且这是不同栅线上的高电平 交叠的临界条件。
[0079] 以栅线上的栅极驱动信号的一个交叠周期为例来说。设定在这个交叠周期内，对 应第1行至第k行栅线。
[0080] 由于在这个交叠周期内，第1行至第k行栅线上的高电平相互交叠，如此，如果第1 行至第k行像素单元这k行像素单元共用一个公共电极，则第2行栅线上的栅极驱动信号 会影响第1行像素单元上的公共电极上的电位，第3行栅线上的栅极驱动信号会影响第2 行像素单元上的公共电极上的电位，依次类推，第k行栅线上的栅极驱动信号会影响第k-1 行像素单元上的公共电极上的电位。所以，为了消除它们之间的相互影响，第1行至第k行 栅线需要分别对应一个子公共电极。
[0081] 然而，对于下一个交叠周期，设定该交叠周期内对应第k+Ι行至第2k行栅线。在第 k+Ι行栅线上的栅极驱动信号高电平处于上升沿时，第1行栅线上的高电平已经关闭，也就 是说，在第k+Ι行栅线驱动上栅极驱动信号时，第1行像素单元已经锁存了像素电极和公共 电极之间的电位差，此时，如果第1行像素单元的公共