显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及显示装置。
【背景技术】
[0002]在有源矩阵方式的显示装置中，像素的开关元件使用薄膜晶体管(Thin-filmTransistor:TFT) ο此外，在有效区(显示区域)的外侧的边框区域(非显示区域)中形成的驱动器的开关元件也使用薄膜晶体管。
[0003]此外，作为TFT，为了增大导通电流，提出了双沟道构造的TFT。该TFT具有:第一非晶硅膜；位于第一非晶硅膜的上方且与第一非晶硅膜对置的第二非晶硅膜；以及介于第一非晶硅膜与第二非晶硅膜之间的栅电极。即，上述TFT具有2个非晶硅膜。而且，在上述的情况下，与将第一非晶硅膜及第二非晶硅膜形成于同一水平的层的情况相比，能够缩小上述TFT的占有面积。
【发明内容】
[0004]一个实施方式涉及一种显示装置，其中，具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备:第一半导体层，具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域；第一绝缘膜，形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上；栅电极，形成于所述第一绝缘膜之上，与所述第一沟道区域对置；第二绝缘膜，形成于所述栅电极之上；第二半导体层，形成于所述第二绝缘膜之上，与所述第一半导体层对置，具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域；第一电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第三区域接触；以及第二电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第一电极隔开间隔，与所述第四区域接触；相互对置的所述栅电极的底面与所述第一沟道区域的上表面之间的间隔，大于相互对置的所述栅电极的上表面与所述第二沟道区域的底面之间的间隔。
[0005]另一个实施方式涉及一种显示装置，其中，具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备:第一半导体层，具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域；第一绝缘膜，形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上；栅电极，形成于所述第一绝缘膜之上，与所述第一沟道区域对置；第二绝缘膜，形成于所述栅电极之上；第二半导体层，形成于所述第二绝缘膜之上，与所述第一半导体层对置，具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域；第一电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第三区域接触；以及第二电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第一电极隔开间隔，与所述第四区域接触；所述栅电极具备与所述第一沟道区域对置的底面、以及与所述第二沟道区域对置且面积比所述底面的面积小的上表面，形成为正锥台状。
【附图说明】
[0006]图1是示出一个实施方式的显示装置的构成及等效电路的概略俯视图。
[0007]图2是概略地示出上述显示装置的一部分的截面图，是表示薄膜晶体管的图。
[0008]图3是用曲线图来示出图2所示的薄膜晶体管及比较例的薄膜晶体管中的、漏极电流(Id)相对于栅极电压(Vg)的变化的图。
[0009]图4是用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。
[0010]图5是接着图4的、用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。
[0011]图6是接着图5的、用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。
[0012]图7是接着图6的、用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。
[0013]图8是示出上述实施方式的实施例的显示装置的概略截面图。
[0014]图9是示出上述实施方式的变形例1的显示装置的阵列基板的概略截面图。
[0015]图10是示出上述实施方式的变形例2的显示装置的阵列基板的概略截面图。
【具体实施方式】
[0016]以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。另外，公开的仅是一例，本领域技术人员能够容易想到的在发明主旨范围内的适当的变更，当然包含在本发明的范围内。此外，关于附图，有时为了使说明更加清楚，与实际的形态相比，示意性地表示了各部的宽度、厚度、形状等，但这只是一个例子，并不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，对发挥与之前出现过的图中已经描述过的功能相同或类似的功能的构成要素，赋予相同的附图标记，有时适当省略重复的详细说明。
[0017]图1是示出本实施方式的显示装置的构成及等效电路的概略俯视图。在此，作为具有薄膜晶体管的显示装置，以液晶显示装置为例进行说明。
[0018]如图1所示，显示装置1具备显示图像的有效区(显示区域)ACT、以及有效区ACT的外侧的边框区域(非显示区域)。显示装置1具备液晶显示面板PLN。液晶显示面板PLN具备阵列基板AR、后述的对置基板及液晶层。在有效区ACT，阵列基板AR具备η条栅极线G(G1?Gn)、n条辅助电容线C (Cl?Cn)、111条源极线S(S1?Sm)、以及mXη个矩阵状的像素ΡΧ。各像素ΡΧ由相邻的2条栅极线G和相邻的2条源极线S划分而成。
[0019]栅极线G及辅助电容线C与第一方向X大致平行地延伸。另外，栅极线G及辅助电容线C不必须直线地延伸。这些栅极线G及辅助电容线C沿第二方向Υ交错地排列。源极线S与第二方向Υ大致平行地延伸。源极线S与栅极线G及辅助电容线C大致正交。另夕卜，源极线S不必须直线地延伸。另外，栅极线G、辅助电容线C及源极线S也可以是它们的一部分弯曲。栅极线G、源极线S及辅助电容线C例如由钼、铬、钨、铝、铜、钛、镍、钽、银或者它们的合金形成，但没有特别的限定，也可以由其他金属或合金、或者它们的层叠膜来形成。
[0020]各栅极线G延伸到有效区ACT的外部，与栅极驱动器GD连接。各源极线S延伸到有效区ACT的外部，与源极驱动器SD连接。各辅助电容线C延伸到有效区ACT的外部，与被施加辅助电容电压的电压施加部VCS电连接。
[0021]各像素PX具备第一薄膜晶体管TR1、像素电极PE、共用电极CE及保持电容CS。像素电极PE经由第一薄膜晶体管TR1与源极线S电连接。共用电极CE与像素电极PE对置。共用电极CE与配设于有效区ACT外部的供电部VC0M电连接。保持电容CS与像素电极PE电连接。
[0022]第一薄膜晶体管TR1通过从栅极驱动器⑶经由栅极线G供给的控制信号，切换为导通状态(导通)或者非导通状态(截止)。从源极驱动器SD输出的影像信号经由源极线S及导通状态的第一薄膜晶体管TR1被供给至像素电极PE。通过设定为共用电位的共用电极CE与像素电极PE之间的电位差，控制向液晶层施加的电压。
[0023]保持电容CS用于将向液晶层施加的电压保持一定期间，由隔着绝缘层对置的一对电极构成。例如，在保持电容CS中，一个电极是与辅助电容线C的一部分或者辅助电容线C电连接的辅助电极，另一个电极是与像素电极PE连接的辅助对置电极。
[0024]栅极驱动器⑶及源极驱动器SD形成于边框区域。栅极驱动器⑶及源极驱动器SD分别具备作为开关元件起作用的多个第二薄膜晶体管TR2。
[0025]图2是概略地示出本实施方式的显示装置1 (阵列基板AR)的一部分的截面图，是示出薄膜晶体管TR的图。另外，在此，图示了阵列基板AR中的仅说明所需的主要部分。
[0026]图1所述的第一薄膜晶体管TR1及第二薄膜晶体管TR2的至少一方的薄膜晶体管由图2所示的薄膜晶体管TR形成。在本实施方式中，上述的第一薄膜晶体管TR1及第二薄膜晶体管TR2的双方均由薄膜晶体管TR形成。
[0027]如图2所示，薄膜晶体管TR形成于阵列基板AR的第一绝缘基板10的主面的上方，作为开关元件起作用。薄膜晶体管TR具备第一半导体层12、第一绝缘膜14、栅电极WG、第二绝缘膜16、第二半导体层18、及低电阻布线20A、20B。
[0028]第一绝缘基板10由玻璃、树脂等具有透光性及绝缘性的材料形成。出于第一绝缘基板10的主面的平坦化、防止杂质从第一绝缘基板扩散等目的，也可以在第一绝缘基板10上形成有基底保护膜(绝缘膜)。在此，第一绝缘基板10的主面是与由相互正交的第一方向X和第二方向Y规定的X-Y平面平行的面。第三方向Z是第一绝缘基板10